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1. 发明申请

WO2012028728A3 VERFAHREN ZUM NASSCHEMISCHEN RÜCKÄTZEN EINES EMITTERS EINER SOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012028728A3
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/065231
申请日：2011-09-02
申请人： SCHOTT SOLAR AG , LACHOWICZ, Agata , SCHUM, Berthold , VAAS, Knut
发明人： LACHOWICZ, Agata , SCHUM, Berthold , VAAS, Knut
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , C09K13/02 , H01L21/306
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer hochdotierten Siliziumschicht in einer Ätzlösung. Um eine homogene Ätzung durchführen zu können, wird vorgeschlagen, dass als Ätzlösung eine HF-haltige Ätzlösung mit zumindest einem Oxidationsmittel aus der Gruppe Peroxodisulfate, Peroxomonosulfate, Wasserstoffperoxid verwendet wird.

2. 发明申请

WO2012028727A3 METHOD FOR THE WET-CHEMICAL ETCHING BACK OF A SOLAR CELL EMITTER 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR湿法化学蚀刻背面的发射极的太阳能电池的
公开(公告)号：WO2012028727A3
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/EP2011065229
申请日：2011-09-02
申请人： SCHOTT SOLAR AG , LACHOWICZ AGATA , SCHUM BERTHOLD , VAAS KNUT
发明人： LACHOWICZ AGATA , SCHUM BERTHOLD , VAAS KNUT
IPC分类号： H01L31/0224 , C09K13/02 , H01L21/306 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , C09K13/02 , H01L21/30604 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for the wet-chemical etching of a solar cell emitter. According to the invention, in order to be able to perform homogeneous etching, an alkaline etching solution containing at least one oxidizing agent selected from the group comprising peroxodisulphates, peroxomonosulphates and hypochlorite is used as etching solution.
摘要翻译：本发明涉及一种用于太阳能电池的发射极的湿化学蚀刻的方法。为了执行与选自过氧二硫酸盐的至少一种氧化剂的碱性蚀刻溶液，peroxomonosulfates，作为蚀刻液提出的用于次氯酸盐的均匀蚀刻。

3. 发明申请

WO2010037739A1 VERFAHREN ZUR CHEMISCHEN BEHANDLUNG EINES SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：方法进行化学处理的基板
公开(公告)号：WO2010037739A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/EP2009/062608
申请日：2009-09-29
申请人： SCHOTT SOLAR AG , TEPPE, Andreas , SCHUM, Berthold , FRANKE, Dieter , SCHWIRTLICH, Ingo , VAAS, Knut , SCHMIDT, Wilfried
发明人： TEPPE, Andreas , SCHUM, Berthold , FRANKE, Dieter , SCHWIRTLICH, Ingo , VAAS, Knut , SCHMIDT, Wilfried
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/00 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur chemischen Behandlung eines eine Unterseitenfläche 12, Oberseitenfläche 22 und Seitenflächen 14, 16, 18, 20 aufweisenden scheibenförmigen Substrats 10 durch Kontaktieren eines flüssigen chemisch wirksamen Prozessmediums 26 mit zumindest der Unterseitenfläche des Substrats, wobei das Substrat relativ zum Prozessmedium bei gleichzeitiger Ausbildung einer Tripellinie zwischen Substrat, dem Substratmedium und diese umgebender Atmosphäre bewegt wird. Um insbesondere in den Seitenflächen vorhandene Fehler chemisch zu entfernen, wird vorgeschlagen, dass die Relativbewegung unter Vermeidung eines Kontaktierens des Prozessmediums mit der Oberseitenfläche des Substrats durchgeführt wird, wobei die Tripellinie in Bezug auf die Relativbewegung zwischen dem Substrat und dem Prozessmedium auf gewünschter Höhe an prozessmediumströmungsseitig abgewandter Seitenfläche ausgebildet wird. Dabei kann die Atmosphäre in Bezug auf Partialdrücke von in dem Prozessmedium vorhandenen Komponenten derart eingestellt werden, dass die Oberseitenfläche hydrophobe Eigenschaften bewahrt.
摘要翻译：本发明涉及用于化学处理的底部表面12的，顶部表面22个侧表面14，16，18，通过液体化学活性加工介质26至少与所述基板的底表面接触具有圆盘状基板10 20的相对于其中衬底的方法，处理介质移动与基板，基板平台，以及周围大气之间的三重线的同时形成。为了化学地除去任何错误，特别是在侧面上，所以建议的相对移动被执行，同时避免与该基板的顶面上的处理介质的接触，其中与所述处理介质流侧的期望的高度相对于基板和工艺流体之间的相对运动的三重线从侧面背向形成。相对于存在于所述工艺介质部件的氧分压的气氛可被调节，使得所述顶表面保持疏水性。

4. 发明申请

WO2010023225A1 VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUM HERSTELLEN EINER FUNKTIONSSCHICHT AUF EINEM HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法和系统用于生产功能层的半导体元件
公开(公告)号：WO2010023225A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/061003
申请日：2009-08-26
申请人： SCHOTT SOLAR AG , VAAS, Knut , SCHUM, Berthold , SCHMIDT, Wilfried , FRANKE, Dieter , SCHWIRTLICH, Ingo
发明人： VAAS, Knut , SCHUM, Berthold , SCHMIDT, Wilfried , FRANKE, Dieter , SCHWIRTLICH, Ingo
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/228 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/316 , H01L21/228 , H01L21/3148 , H01L21/3185 , H01L21/6715 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen zumindest einer Funktionsschicht auf zumindest einem Bereich einer Oberfläche eines Halbleiterbauelementes durch Aufbringen einer Flüssigkeit auf zumindest den einen Bereich, wobei die Funktionsschicht eine Schichtdicke d 1 aufweist und die zum Ausbilden der Funktions Schicht der Dicke di benötigte Flüssigkeit eine Schichtdicke d 2 aufweist. Um reproduzierbar Funktionsschichten gewünschter dünner und gleichmäßiger Dicke herzustellen, wird vorgeschlagen, dass die Flüssigkeit auf den zumindest einen Bereich der Oberfläche im Überschuss mit einer Schichtdicke d 3 mit d 3 > d 2 aufgetragen wird und dass anschließend bei entweder translatorisch bewegtem oder bei stationär angeordnetem Halbleiterbauelement überschüssige Flüssigkeit von der Oberfläche berührungslos in einem Umfang entfernt wird, dass die Flüssigkeits Schicht die Dicke d 2 oder in etwa die Dicke d 2 aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于通过对至少一个区域，其中，所述功能层具有层厚度d1施加液体和用于形成功能层的流体的厚度二上的半导体器件的表面的至少一部分上产生至少一个功能层所需的具有层厚度d2。为了产生可再现功能层所需的薄且均匀的厚度，所以建议将液体施加到表面的至少一个区域中过量与层厚度d3 D3> D2，且然后当任平移移动的或固定的配置的半导体装置，过量的液体从表面是无接触而去液体层具有厚度d2或大约的厚度d2的程度。

5. 发明申请

WO2012032046A1 KRISTALLINE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：晶体硅太阳能电池和用于制备这种
公开(公告)号：WO2012032046A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/EP2011/065391
申请日：2011-09-06
申请人： SCHOTT SOLAR AG , NAGEL, Henning , VAAS, Knut , SCHMIDT, Wilfried
发明人： NAGEL, Henning , VAAS, Knut , SCHMIDT, Wilfried
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/028 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Solarzelle (10) mit einem p-dotierten Siliziumsubstrat (12) mit frontseitigem n-dotierten Bereich (14) sowie zumindest einer Antireflexionsschicht (22). Damit die Degradation des Parallelwiderstandes der Solarzelle und somit des Füllfaktors verringert wird, ist vorgesehen, dass auf die gesamte frontseitige Fläche der Solarzelle gleichmässig eine phosphorsäurehaltige Lösung aufgebracht wird, dass in einem ersten Temperaturbehandlungsschritt der Solarzelle Phosphorsilikatglas ausgebildet wird und dass in dem ersten Temperaturbehandlungsschritt oder einem nachfolgenden zweiten Temperaturbehandlungsschritt oberflächennahe Silizium enthaltende Präzipitate mit einer homogenen oder weitgehend homogenen Flächenbedeckung in einer Schicht (26) auf der frontseitigen Fläche des Substrats im Bereich zwischen 5 % und 100 % ausgebildet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种制备具有前n掺杂区（14）和至少一个防反射层（22）p型掺杂的硅衬底（12）的晶体太阳能电池（10）。因此，太阳能电池，因而填充率降低的并联电阻的劣化，它提供了一个含磷酸的溶液被施加到均匀，即在太阳能电池磷硅酸盐玻璃的第1热处理工序形成的太阳能电池的整个前表面，和一个在所述第一热处理工序或含后续的第二热处理步骤的表面附近的硅与在层（26）的均匀或基本上均匀的表面覆盖析出形成在5％和100％之间的范围内的基板的前表面上。

6. 发明申请

WO2012028727A2 VERFAHREN ZUM NASSCHEMISCHEN RÜCKÄTZEN EINES EMITTERS EINER SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种太阳能电池发射器的湿化学重构方法
公开(公告)号：WO2012028727A2
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/065229
申请日：2011-09-02
申请人： SCHOTT SOLAR AG , LACHOWICZ, Agata , SCHUM, Berthold , VAAS, Knut
发明人： LACHOWICZ, Agata , SCHUM, Berthold , VAAS, Knut
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/18 , C09K13/02 , H01L21/30604 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum nasschemischen Ätzen eines Emitters einer Solarzelle. Um eine homogene Ätzung durchführen zu können, wird vorgeschlagen, dass als Ätzlösung eine alkalische Ätzlösung mit zumindest einem Oxidationsmittel aus der Gruppe Peroxodisulfate, Peroxomonosulfate, Hypochlorit verwendet wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于太阳能电池的发射体的湿化学蚀刻的方法。均相BEAR导致K＆ouml ;;估计携带导航用途TZL＆OUML ;;溶液碱性BEAR TZL＆OUML;唱与选自过氧二硫酸盐，peroxomonosulfates中选出的至少一种氧化剂使用时，次氯酸盐可以作为＆AUML提出。

7. 发明申请

WO2012028723A3 METHOD FOR THE WET-CHEMICAL ETCHING OF A HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR LAYER 审中-公开
标题翻译：一种高度识别的半导体层的湿化学处理方法
公开(公告)号：WO2012028723A3
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/EP2011065222
申请日：2011-09-02
申请人： SCHOTT SOLAR AG , SCHUM BERTHOLD , VAAS KNUT , LACHOWICZ AGATA , HERMERT NORMAN
发明人： SCHUM BERTHOLD , VAAS KNUT , LACHOWICZ AGATA , HERMERT NORMAN
IPC分类号： H01L31/0224 , C09K13/02 , H01L21/306 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , C09K13/08 , H01L21/30604 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for the wet-chemical etching of a silicon layer in an alkaline etching solution, the silicon layer being the surface region of a solar cell emitter. According to the invention, in order to enable the surface region of the emitter to be etched back homogeneously, an oxidant-free alkaline etching solution comprising at least one organic moderator is used for the isotropic etching back of the surface region of the emitter, said moderator having a dopant concentration of at least 1018 atoms/cm3.
摘要翻译：本发明涉及一种在碱性蚀刻溶液中湿法化学刻蚀硅层的方法，其中硅层是太阳能电池发射极的表面区域。为了使发射的表面面积的均匀背面蚀刻，它提供了一个无氧化碱性蚀刻溶液被用于与至少一种有机调节剂各向同性在具有至少1018原子/ cm3的杂质浓度在其表面区域回蚀刻发射极。

8. 发明申请

WO2012028728A2 METHOD FOR THE WET-CHEMICAL ETCHING BACK OF A SOLAR CELL EMITTER 审中-公开
标题翻译：一种太阳能电池发射器的湿化学重构方法
公开(公告)号：WO2012028728A2
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011065231
申请日：2011-09-02
申请人： SCHOTT SOLAR AG , LACHOWICZ AGATA , SCHUM BERTHOLD , VAAS KNUT
发明人： LACHOWICZ AGATA , SCHUM BERTHOLD , VAAS KNUT
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/02363 , C09K13/08 , H01L21/30604 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for the wet-chemical etching of a highly doped silicon layer in an etching solution. According to the invention, in order to be able to perform etching homogeneously, an HF-containing etching solution containing at least one oxidizing agent selected from the group comprising peroxodisulphates, peroxomonosulphates and hydrogen peroxide is used as etching solution.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在蚀刻溶液中对重掺杂硅层进行湿法化学蚀刻的方法。为了执行该含有HF与选自过氧二硫酸盐的至少一种氧化剂的蚀刻溶液的均匀蚀刻，peroxomonosulfates，作为蚀刻液提出的是使用过氧化氢。

9. 发明申请

WO2012028723A2 VERFAHREN ZUM NASSCHEMISCHEN ÄTZEN EINER HOCHDOTIERTEN HALBLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR湿式化学蚀刻的高掺杂半导体层
公开(公告)号：WO2012028723A2
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/065222
申请日：2011-09-02
申请人： SCHOTT SOLAR AG , LACHOWICZ, Agata , SCHUM, Berthold , VAAS, Knut , HERMERT, Normann
发明人： LACHOWICZ, Agata , SCHUM, Berthold , VAAS, Knut , HERMERT, Normann
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/02363 , C09K13/08 , H01L21/30604 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht in einer alkalischen Ätzlösung, wobei die Siliziumschicht Oberflächenbereich eines Emitters einer Solarzelle ist. Um eine homogene Rückätzung des Oberflächenbereichs des Emitters zu ermöglichen, ist vorgesehen, dass eine oxidationsmittelfreie alkalische Ätzlösung mit zumindest einem organischen Moderator zum isotropen Rückätzen des Emitters in seinem Oberflächenbereichs verwendet wird, der eine Dotanden-Konzentration von zumindest 10 18 Atome/cm 3 aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种硅层的湿法化学蚀刻的在碱性蚀刻溶液的方法，其中所述硅层是太阳能电池的发射极的表面面积。为了使发射的表面面积的均匀背面蚀刻，它提供了一个无氧化碱性蚀刻溶液被用于与至少一种有机调节剂各向同性在具有至少1018原子/ cm3的杂质浓度在其表面区域回蚀刻发射极。

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