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1. 发明申请

WO2002097880A2 LEISTUNGSALBLEITERMODUL UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LEISTUNGSHALBLEITERMODULS 审中-公开
标题翻译： LEISTUNGSALBLEITERMODUL和方法用于生产半导体功率模块
公开(公告)号：WO2002097880A2
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：PCT/EP2002/005520
申请日：2002-05-18
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH & CO. KG , TSCHIRBS, Roman , WALLMEIER, Peter , LODDENKÖTTER, Manfred
发明人： TSCHIRBS, Roman , WALLMEIER, Peter , LODDENKÖTTER, Manfred
IPC分类号： H01L23/31
CPC分类号： H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Das Leistungshalbleitermodul umfasst aktive Halbleiterbauelemente (5 bis 10), die sich auf einer Trägeranordnung befinden, und ein Modulgehäuse (20), das durch Kunststoffumspritzen der aktiven Halbleiterbauelemente (5 bis 10) erzeugt ist. Um infolge der mechanischen Spannungen beim Umspritzvorgang und der Kunstsoffschrumpfung auftretenden Deformationen zu vermindern bzw. Zu kompensieren, bestecht die Trägeranordnung aus mehreren Trägerelementen (1, 2, 3), die unabhängig voneinander in verschiedenen Ebenen in der Gussform derart positioniert werden Können, dass ein Modulgehäuse (20) mit einer ebenen Modulunterseite (25) entsteht.
摘要翻译：的功率半导体模块包括被定位在承载组件的有源半导体部件（5至10），以及一模块外壳（20），其通过将活性半导体部件（5至10）的注塑成型方式制造。为了减少出现作为挤出涂布过程中的机械应力和Kunstsoffschrumpfung的结果的变形或补偿，所述载体装置（2，3 1），其在几个支撑元件的这样的贿赂彼此独立地定位在不同的平面中的模具可以在模块壳体（20）与一个平面基底模块（25）形成。

2. 发明申请

WO02097880A3 POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A POWER SEMICONDUCTOR MODULE 审中-公开
标题翻译： LEISTUNGSALBLEITERMODUL和方法用于生产半导体功率模块
公开(公告)号：WO02097880A3
公开(公告)日：2003-09-25
申请号：PCT/EP0205520
申请日：2002-05-18
申请人： EUPEC GMBH & CO KG , TSCHIRBS ROMAN , WALLMEIER PETER , LODDENKOETTER MANFRED
发明人： TSCHIRBS ROMAN , WALLMEIER PETER , LODDENKOETTER MANFRED
IPC分类号： H01L23/28 , H01L25/07 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/31 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： The invention relates to a power semiconductor module comprising active semiconductor components (5 to 10) placed on a carrier arrangement and a module housing (20) produced by plastic extrusion coating of the active semiconductor elements (5 to 10). In order to reduce or compensate for deformations arising as a result of mechanical stress during extrusion coating and plastic shrinkage, the carrier array consists of several carrier elements (1, 2, 3) that can be positioned independently of one another on different planes in the casting mold in such a way that a module housing (20) with a flat module bottom (25) is obtained.
摘要翻译：的功率半导体模块包括被定位在承载组件的有源半导体部件（5至10），以及一模块外壳（20），其通过将活性半导体部件（5至10）的注塑成型方式制造。为了减少出现作为挤出涂布过程中的机械应力和Kunstsoffschrumpfung的结果的变形或补偿，所述载体装置（2，3 1），其在几个支撑元件的这样的贿赂彼此独立地定位在不同的平面中的模具可以在模块壳体（20）与一个平面基底模块（25）形成。

3. 发明申请

WO2004006420A1 LEISTUNGSHALBLEITERMODUL UND SCHALTUNGSANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：功率半导体模块和电路
公开(公告)号：WO2004006420A1
公开(公告)日：2004-01-15
申请号：PCT/EP2003/006699
申请日：2003-06-25
申请人： EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH , MÜNZER, Marc-Nils , TSCHIRBS, Roman
发明人： MÜNZER, Marc-Nils , TSCHIRBS, Roman
IPC分类号： H02M7/00
CPC分类号： H02M1/088 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H02M2001/0009 , H01L2224/48472 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse, das vom Inneren nach Aussen führende elektrische Kontaktelemente aufweist, einem einen Steueranschluss und Lastanschlüsse aufweisenden steuerbaren Leistungsschalter und elektrischen Verdrahtungselementen, die jeweils den Steueranschluss und die Lastanschlüsse mit den Kontaktelementen verbinden, wobei zumindest zwei vom Inneren des Gehäuses nach Aussen führende, weitere Kontaktelemente vorgesehen sind, die mit mindestens einem in Reihe zu einer Laststrecke des Leistungsschalter liegenden, lastseitigen Verdrahtungselement derart verbunden sind, dass eine über der durch dieses lastseitige Verdrahtungselement gebildete lastseitigen Impedanz abfallende Spannung von Aussen abgreifbar ist. Die Erfindung betrifft ferner eine Schaltungsanordnung mit einem solchen Leistungshalbleitermodul.
摘要翻译：本发明涉及一种功率半导体模块具有壳体，以从内侧主导电接触元件，一个控制端和具有可控制的功率开关负载端子，和电布线元件，每个连接的控制端子和负载端子与接触元件具有的外部，其中，至少两个内部的壳体龙头，另外的接触元件被提供到外部，其与至少一个躺在串联在电源开关的负载路径连接，负载侧布线构件，使得两端电压通过从外部该负载侧布线构件负载侧阻抗电压形成可以分接丢弃。本发明还涉及一种具有这种功率半导体模块的电路。

4. 发明申请

WO2003094351A1 HALBBRÜCKENSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：半桥电路
公开(公告)号：WO2003094351A1
公开(公告)日：2003-11-13
申请号：PCT/EP2003/004096
申请日：2003-04-17
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH , MUENZER, Mark, Nils , TSCHIRBS, Roman
发明人： MUENZER, Mark, Nils , TSCHIRBS, Roman
IPC分类号： H03K17/16
CPC分类号： H03K17/168 , H02M7/538 , H03K17/0828
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbbrückenschaltung bei der ein zwischen zwei Eingangsklemmen (15, 16) anliegendes Eingangssignal (V E ) an einem Phasenausgang (P) abgreifbar ist. Die Halbbrückenschaltung von der die Erfindung ausgeht umfasst zwei über jeweils ein zwischen einer Steuerelektrode (G1; G2) und einer Hilfselektrode (HE1; HE2) anliegendes Ansteuersignal ansteuerbare Schalttransistoren (1, 2) und zwei Dioden (D1, D2). Dabei ist die erste Eingangsklemme (15) mit einer ersten Elektrode (C1) des ersten Schalttransistors (1) und mit einer Kathode (K1) der ersten Diode (D1) verbunden. Ferner ist eine zweite Elektrode (E1) des ersten Schalttransistors (1) mit einer Anode (A1) der ersten Diode (D1), über eine Leitung (L11, L15, L16) mit dem Phasenausgang (P), mit einer ersten Elektrode (C2) des zweiten Schalttransistors (2) und mit einer Kathode (K2) der zweiten Diode (D2) verbunden. Schliesslich ist eine zweite Elektrode (E2) des zweiten Schalttransistors (2) mit einer Anode (A2) der zweiten Diode (D2) und mit der zweiten Eingangsklemme (16) verbunden. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass die vorgenannte Hilfselektrode (HE1) des ersten Schalttransistors (1) nicht wie gemäss dem Stand der Technik auf der Verbindungsleitung zwischen der zweiten Elektrode (E1) des ersten Schalttransistors (1) und der ersten Elektrode (C2) des zweiten Schalttransistors (2) angebunden ist, sondern an der Leitung (L11, L15, L16) zum Phasenausgang (P).
摘要翻译：本发明涉及一种半桥式电路，其中一两个输入端子（15，16）嵌合在输入信号之间（VE）到一个相输出（P）可以被分接。半桥电路从其中本发明进行包括通过控制电极之间的相应的两个（G1; G2）和辅助电极（HE1，HE2）配合的驱动信号的可控开关晶体管（1,2）和两个二极管（D1，D2）。在这种情况下（D1）（1）是具有第一开关晶体管的第一电极（C1）和具有连接在所述第一二极管的阴极（K1）的第一输入端子（15）。此外，第二电极具有第一二极管（D1）的阳极（A1）的第一开关晶体管（1）的（E1），通过管线（L11，L15，L16）与所述相输出（P），（具有第一电极C2 ）所述第二开关晶体管（2）和（第二二极管的阴极K2）的（D2）连接。最后，具有第二二极管（D2）和所述第二输入端（16）的阳极（A2）的第二开关晶体管（2）的第二电极（E2）连接。根据本发明，提供的是上述辅助电极（HE1）的所述第一开关晶体管（1）是不作为根据在所述第二电极的第一开关晶体管（1）和所述第二开关晶体管的所述第一电极（C2）的（E1）之间的连接线与现有技术（2）连接，但对线（L11，L15，L16），以相输出（P）。

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