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1. 发明申请

WO2011057850A2 MICROMECHANICAL METHOD AND CORRESPONDING ASSEMBLY FOR BONDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND CORRESPONDINGLY BONDED SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：微机械方法及相应设备半导体衬底接合和此类键合半导体芯片
公开(公告)号：WO2011057850A2
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/EP2010064009
申请日：2010-09-23
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , TRAUTMANN ACHIM , REICHENBACH RALF
发明人： TRAUTMANN ACHIM , REICHENBACH RALF
IPC分类号： B81C3/00
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/036 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/26145 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29076 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29117 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/30051 , H01L2224/30131 , H01L2224/30135 , H01L2224/30177 , H01L2224/30505 , H01L2224/30515 , H01L2224/32054 , H01L2224/32145 , H01L2224/32501 , H01L2224/83007 , H01L2224/83095 , H01L2224/83191 , H01L2224/83365 , H01L2224/83815 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/1631 , H01L2924/165 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014
摘要： The invention relates to a micromechanical method and a corresponding assembly for bonding semiconductor substrates and a correspondingly bonded semiconductor chip. The assembly according to the invention comprises a semiconductor substrate having a chip pattern having a plurality of semiconductor chips (1), each having a functional region (4) and an edge region (4a) surrounding the functional region (4), wherein there is a bonding frame (2) made of a bonding alloy made from at least two alloy components in the edge region (4a), spaced apart from the functional region (4). Within the part (4a2) of the edge region (4a) surrounding the bonding frame (2) between the bonding frame (2) and the functional region (4), there is at least one stop frame (7; 7a, 7b; 7b'; 70) made of at least one of the alloy components, which is designed such that when a melt of the bond alloy contacts the stop frame (7; 7a, 7b; 7b'; 70) during bonding, the bonding alloy solidifies.
摘要翻译：本发明涉及一种微机械的方法和用于粘结半导体衬底的对应排列与键合的半导体芯片。该组件包括具有具有多个半导体芯片的芯片图案的半导体衬底（1）每一个都具有功能区域（4）和一个功能性区域（4）周围的边缘区域（4a）中，其中，在从所述功能区域的距离在边缘区域（4a）的（4）接合框架（2）包括一个接合合金的是由至少两种合金成分提供。接合框架（2）与所述功能区域之间的边缘区域（4a）的接合框（2）部分（4A2）内封闭的（4）是至少一种停止帧（7; 7A，7B;图7b“; 70）的合金成分的中的至少一个提供，其被配置为使得在接合到停止帧期间合金结合的熔体的冲击（7; 7A，7B;图7b“; 70），接合合金的凝固发生。

2. 发明申请

WO2010069642A1 BAUTEIL MIT EINER DURCHKONTAKTIERUNG UND EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN BAUTEILS 审中-公开
标题翻译：通过A和方法用于制造这种COMPONENT COMPONENT
公开(公告)号：WO2010069642A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/EP2009/063733
申请日：2009-10-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TRAUTMANN, Achim , MUELLER, Thorsten
发明人： TRAUTMANN, Achim , MUELLER, Thorsten
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Bauteil (1) mit einer Durchkontaktierung zur elektrischen Verbindung zwischen einer ersten (10) und einer zweiten Ebene (20) eines Substrates (2) beschrieben. Dabei weist das Substrat (2) ein Bohrloch (5) mit einer Innenwand (8) auf, die beschichtet ist mit einer Leitschicht (6) aus einem elektrisch leitfähigen Material, wobei zwischen der Innenwand (8) und der Leitschicht (6) eine Zwischenschicht (7) angeordnet ist. Es wird vorgeschlagen, dass die Zwischenschicht (7) elektrisch isolierendes SiC umfasst. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils (1) erläutert.
摘要翻译：本发明描述了通过用于第一（10）之间的电连接具有一个装置（1）与衬底（2）的第二平面（20）。（5）具有在这种情况下，衬底（2）的钻孔的内壁（8），该涂覆有导电层（6）的导电材料制成，其中所述内壁（8）之间和导电层（6），中间层（7）布置。它建议，所述中间层（7）包括电绝缘的SiC。另外，用于制造这样的部件（1）的方法进行说明。

3. 发明申请

WO2010054875A1 ANORDNUNG VON MINDESTENS ZWEI WAFERN MIT EINER BONDVERBINDUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：至少两个晶片与制造这种布置的键合连接和方法安排
公开(公告)号：WO2010054875A1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/EP2009/061832
申请日：2009-09-14
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FRANKE, Axel , TRAUTMANN, Achim , FEYH, Ando
发明人： FRANKE, Axel , TRAUTMANN, Achim , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/98 , H01L23/10 , B81C1/00
CPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/29011 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/83805 , H01L2225/0652 , H01L2225/06524 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/163 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
摘要： Es wird eine Anordnung von mindestens zwei Wafern (1; 4) beschrieben, wobei ein erster Wafer (1) und ein zweiter Wafer (4) durch eine Bondverbindung miteinander verbunden sind. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung vorgeschlagen, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: a) Aufbringen eines ersten Bondmaterials (3) auf einem ersten Wafer (1), wobei als das erste Bondmaterial (3) Aluminium (AI) oder eine Aluminiumlegierung ausgewählt wird, b) Aufbringen eines zweiten Bondmaterials (6) auf einem zweiten Wafer (4), wobei als das zweite Bondmaterial Gold (Au) ausgewählt wird, und c) Durchführen eines Bondprozesses, wobei das erste (3) und das zweite Bondmaterial (6) miteinander verbunden werden zur Erreichung einer Wafer- to-Wafer Bondverbindung.
摘要翻译：存在至少两个晶片的阵列;所描述的，其中的第一晶片（1）和第二晶片（4）由相互连接的键（4：1）。此外，提出了一种用于制造这种装置的方法，该方法包括以下步骤：a）第一晶片（1），其中，作为第一接合材料（3）铝（Al）或铝合金上施加第一结合材料（3）被选择，b）第二晶片（4）上施加第二结合材料（6），使用作为第二接合材料金（Au）中选择，和c）进行接合处理，（其中，所述第一（3）和所述第二接合材料 6）被连接到彼此，以实现晶片到晶片键合。

4. 发明申请

WO2010034650A3 CONTACT ARRANGEMENT FOR ESTABLISHING A SPACED, ELECTRICALLY CONDUCTING CONNECTION BETWEEN MICROSTRUCTURED COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：联系安排用于生产之间的微结构化组件的间隔，导电连接
公开(公告)号：WO2010034650A3
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/EP2009061921
申请日：2009-09-15
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , GOTTFRIED KNUT , WIEMER MAIK , FRANKE AXEL , TRAUTMANN ACHIM , FEYH ANDO , KNIES SONJA , FROEMEL JOERG
发明人： GOTTFRIED KNUT , WIEMER MAIK , FRANKE AXEL , TRAUTMANN ACHIM , FEYH ANDO , KNIES SONJA , FROEMEL JOERG
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/60
CPC分类号： B81C1/00238 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , H01L24/94 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
摘要： The present invention relates to a contact arrangement (3a, 3b) for establishing a spaced, electrically conducting, and preferably hermetic connection between a first wafer (1) and a second wafer (4), wherein the contact arrangement (3a, 3b) comprises an electrical connection contact (30), a passivation layer (31) on the connection contact (30), and a dielectric spacer layer (32) disposed on the passivation layer (31), and wherein the contact arrangement (3a, 3b) is disposed at least on one of the wafers (1, 4). The invention is characterized in that the contact arrangement (3a, 3b) having a first material (33, 36) capable of forming a metal-metal connection comprises at least partially filled trenches (34), wherein the trenches (34) are continuous trenches from the spacer layer (32) through the passivation layer (31) to the connection contact (30), and wherein the first material (33, 36) is disposed in the trenches (34) from the connection contact (30) to the top edge of the trenches.
摘要翻译：本发明涉及一种接触装置（3A，3B），用于产生第一晶片（1）和第二晶片（4）之间的间隔，导电的，并且最好是气密的连接，其中，所述接触装置（3A，3B）（电端子接触件30 排列），在所述连接接点（30）和一个（在钝化层31）介质隔离层（32），并且其中，所述接触装置上的钝化层（31）（3A，3B）被布置在至少在晶片上的一个（1，4）。它的特征在于，所述接触装置（3A，3B），其具有第一能形成金属对金属的接合材料（33，36）的至少部分地填充的沟槽（34），其中，所述沟槽（34）的连续槽通过向所述终端（30），并且在从所述连接触头（30）的沟槽（34），第一材料（33，36）间隔层（32）穿过钝化层（31）被布置成在Gräbe的上边缘。

5. 发明申请

WO2011113625A1 PIEZORESISTIVES MIKROMECHANISCHES SENSORBAUELEMENT UND ENTSPRECHENDES MESSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：压阻微机械传感器器件和相应的测量方法
公开(公告)号：WO2011113625A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/EP2011/050641
申请日：2011-01-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , NEUL, Reinhard , RETTIG, Christian , TRAUTMANN, Achim , MEISEL, Daniel Christoph , BUHMANN, Alexander , ENGESSER, Manuel , FEYH, Ando
发明人： NEUL, Reinhard , RETTIG, Christian , TRAUTMANN, Achim , MEISEL, Daniel Christoph , BUHMANN, Alexander , ENGESSER, Manuel , FEYH, Ando
IPC分类号： G01P15/08 , G01P15/12
CPC分类号： G01P15/09 , G01P15/0802 , G01P15/12 , G01P15/123
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein piezoresistives mikromechanisches Sensorbauelement und ein entsprechendes Messverfahren. Das piezoresistive mikromechanische Sensorbauelement umfasst: ein Substrat (1); eine am Substrat auslenkbar aufgehängte seismische Masse (3); mindestens einen zwischen dem Substrat und der seismischen Masse vorgesehenen piezoresistiven Balken (1a, 1b; 1a', 1b'), der bei einer Auslenkung der seismischen Masse einer Widerstandsänderung unterliegt; wobei der piezoresistive Balken eine seitliche und/oder ober- und/oder unterseitige Leiterbahn (2a, 2b; 2a', 2b') aufweist, welche den piezoresistiven Balken zumindest teilweise überdeckt und welche sich bis in den Bereich des Substrats erstreckt; und eine Messeinrichtung (M1; M2; M1'; M1''), welche an das Substrat und an die Leiterbahn elektrisch angeschlossen ist und welche zum Messen der Widerstandsänderung über einen Schaltungspfad, der vom Substrat durch den piezoresistiven Balken und vom piezoresistiven Balken durch die seitliche und/oder ober- und/oder unterseitige Leiterbahn verläuft, ausgestaltet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种微机械压阻传感器元件和相应的测量方法。压阻微机械传感器器件，包括：衬底（1）; 从衬底地震质量悬浮的可偏转（3）; 至少一个所述基板和所述振动质量压阻光束（1A，1B; 1A“ 1B”）之间设置有在电阻变化的地震质量的偏斜的主题的; 其中，所述压阻光束横向和/或顶部和/或底部导体路径（2A，2B;图2a“ 2B”），其至少部分地覆盖所述压阻梁和延伸到所述衬底的所述区域; 和测量装置（M1; M2; M1“ M1' ”），其电连接到所述衬底和所述导体轨道和用于通过压阻梁和压阻光束由从衬底测量电阻的变化过的电路路径侧向和/或顶部和/或底部导体路径延伸，被配置。

6. 发明申请

WO2010066494A3 ARRANGEMENT OF TWO SUBSTRATES HAVING A SLID BOND AND METHOD FOR PRODUCING SUCH AN ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：两种底物具有产生这样的安排被滑动键合连接和方法安排
公开(公告)号：WO2010066494A3
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/EP2009063675
申请日：2009-10-19
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , TRAUTMANN ACHIM , FEYH ANDO
发明人： TRAUTMANN ACHIM , FEYH ANDO
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H01L23/10 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/038 , H01L2924/0002 , H01L2924/1433 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an arrangement (1) having a first (5) and a second substrate (10), wherein the two substrates (5, 10) are connected to one another by means of an SLID (Solid Liquid InterDiffusion) bond (15). The SLID bond (15) exhibits a first metallic material and a second metallic material, wherein the SLID bond (15) comprises the intermetallic Al/Sn-phase (15c). The invention furthermore relates to the production of said arrangement (1).
摘要翻译：我们将描述具有由滑动（固 - 液相互扩散）的第一（5）和第二衬底（10），其中两个衬底键合（5，10）彼此的布置（1）-Bondverbindung（15）。所述SLID-接合连接（15）包括第一金属材料和第二金属材料，所述SLID键合连接（15）包括所述金属间的Al / Sn相（15C）。此外，提出了一种用于制造这样的装置（1）的方法。

7. 发明申请

WO2010034650A2 KONTAKTANORDNUNG ZUR HERSTELLUNG EINER BEABSTANDETEN, ELEKTRISCH LEITFÄHIGEN VERBINDUNG ZWISCHEN MIKROSTRUKTURIERTEN BAUTEILEN 审中-公开
标题翻译：联系安排用于生产之间的微结构化组件的间隔，导电连接
公开(公告)号：WO2010034650A2
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/EP2009/061921
申请日：2009-09-15
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOTTFRIED, Knut , WIEMER, Maik , FRANKE, Axel , TRAUTMANN, Achim , FEYH, Ando , KNIES, Sonja , FROEMEL, Joerg
发明人： GOTTFRIED, Knut , WIEMER, Maik , FRANKE, Axel , TRAUTMANN, Achim , FEYH, Ando , KNIES, Sonja , FROEMEL, Joerg
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00238 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , H01L24/94 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung (3a, 3b) zur Herstellung einer beabstandeten, elektrisch leitfähigen und vorzugsweise hermetischen Verbindung zwischen einem ersten Wafer (1) und einem zweiten Wafer (4), wobei die Kontaktanordnung (3a, 3b) einen elektrischen Anschlusskontakt (30), eine Passivierungsschicht (31) auf dem Anschlusskontakt (30) und eine auf der Passivierungsschicht (31) angeordnete dielektrische Abstandsschicht (32) umfasst und wobei die Kontaktanordnung (3a, 3b) zumindest auf einem der Wafer (1, 4) angeordnet ist. Sie ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktanordnung (3a, 3b) mit einem ersten zur Ausbildung einer Metall-Metall-Verbindung befähigten Material (33, 36) zumindest teilweise gefüllte Gräben (34) umfasst, wobei die Gräben (34) durchgehende Gräben von der Abstandsschicht (32) durch die Passivierungsschicht (31) hindurch bis zum Anschlusskontakt (30) sind und dass das erste Material (33, 36) in den Gräben (34) vom Anschlusskontakt (30) bis zum oberen Rand der Gräbe angeordnet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种接触装置（3A，3B），用于产生第一晶片（1）和第二晶片（4）之间的间隔，导电的，并且最好是气密的连接，其中，所述接触装置（3A，3B）（电端子接触件30 排列），在所述连接接点（30）和一个（在钝化层31）介质隔离层（32），并且其中，所述接触装置上的钝化层（31）（3A，3B）被布置在至少在晶片上的一个（1，4）。它的特征在于，所述接触装置（3A，3B），其具有第一能形成金属对金属的接合材料（33，36）的至少部分地填充的沟槽（34），其中，所述沟槽（34）的连续槽通过向所述终端（30），并且在从所述连接触头（30）的沟槽（34），第一材料（33，36）间隔层（32）穿过钝化层（31）被布置成在Gräbe的上边缘。

8. 发明申请

WO2009049957A1 VERBUND AUS MINDESTENS ZWEI HALBLEITERSUBSTRATEN SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译： COMPOSITE至少两个半导体基板和制作工艺
公开(公告)号：WO2009049957A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/EP2008/061548
申请日：2008-09-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TRAUTMANN, Achim , FEYH, Ando
发明人： TRAUTMANN, Achim , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00 , H01L21/58
CPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/038 , H01L21/50 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/32057 , H01L2224/32506 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/83805 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06565 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/1631 , H01L2924/164 , H01L2924/01014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen Verbund (5), umfassend ein erstes Halbleitersubstrat (1), das mit Lotmaterial (3) an mindestens einem zweiten Halbleitersubstrat (4) festgelegt ist, wobei zwischen dem Lotmaterial (3) und dem zweiten Halbleitersubstrat (4) und/oder mindestens einer gegebenenfalls auf dem Halbleitersubstrat (4) vorgesehenen Schicht ein Eutektikum (6) ausgebildet ist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Eutektikum (6) zwischen dem Lotmaterial (3) und einer Mikrostruktur (8) ausgebildet ist, die im Kontaktbereich zu dem Lotmaterial (3) auf dem zweiten Halbleitersubstrat (4) und/oder der Schicht ausgebildet ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren.
摘要翻译：本发明涉及一种复合材料（5）包括一个第一半导体基片（1），其上固定有焊接材料（3）至少一个第二半导体基板（4），其中，所述焊料材料（3）之间和所述第二半导体基板（4）和/ 或至少一种任选提供了一种用于共晶层的半导体衬底（4）上形成（6）。根据本发明，它提供的是，共晶（6）被焊接材料（3）和形成在所述接触区域到焊料材料（3）的第二半导体基板（4）和/或所述层上的微结构（8）之间形成的。此外，本发明涉及的制造方法。

9. 发明申请

WO2011057850A3 MIKROMECHANISCHES VERFAHREN UND ENTSPRECHENDE ANORDNUNG ZUM BONDEN VON HALBLEITERSUBSTRATEN SOWIE ENTSPRECHENDER GEBONDETER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：微机械方法及其与半导体衬底和相应结合半导体芯片结合的相应配置
公开(公告)号：WO2011057850A3
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/EP2010/064009
申请日：2010-09-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TRAUTMANN, Achim , REICHENBACH, Ralf
发明人： TRAUTMANN, Achim , REICHENBACH, Ralf
IPC分类号： B81C3/00
摘要： Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Verfahren und eine entsprechende Anordnung zum Bonden von Halbleitersubstraten sowie einen entsprechenden gebondeten Halbleiterchip. Die Anordnung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem Chipmuster mit einer Vielzahl von Halbleiterchips (1), welche jeweils einen Funktionsbereich (4) und einen den Funktionsbereich (4) umgebenden Randbereich (4a) aufweisen, wobei im Randbereich (4a) beabstandet vom Funktionsbereich (4) ein Bondrahmen (2) aus einer Bondlegierung aus mindestens zwei Legierungskomponenten vorgesehen ist. Innerhalb des vom Bondrahmen (2) umgebenen Teils (4a2) des Randbereichs (4a) zwischen dem Bondrahmen (2) und dem Funktionsbereich (4) ist mindestens ein Stopprahmen (7; 7a, 7b; 7b'; 70) aus mindestens einer der Legierungskomponenten vorgesehen, der derart gestaltet ist, dass bei einem Auftreffen einer Schmelze der Bondlegierung beim Bonden auf den Stopprahmen (7; 7a, 7b; 7b'; 70) ein Erstarren der Bondlegierung auftritt.
摘要翻译：本发明提供了用于键合半导体衬底以及相应键合半导体芯片的微机械方法和相应布置。该组件包括具有具有多个半导体芯片的芯片图案的半导体衬底（1）每一个都具有功能区域（4）和一个功能性区域（4）周围的边缘区域（4a）中，其中，在从所述功能区域的距离在边缘区域（4a）的（4）提供由至少两种合金成分的接合合金制成的接合框（2）。接合框架（2）与所述功能区域之间的边缘区域（4a）的接合框（2）部分（4A2）内封闭的（4）是至少一种停止帧（7; 7A，7B;图7b“; 70）的合金成分的中的至少一个提供，其被配置为使得在接合到所述接合合金的停止帧凝固过程中合金键的熔体的冲击发生（7; 70 7A，7B ;;图7b“）。

10. 发明申请

WO2010066494A2 ANORDNUNG ZWEIER SUBSTRATE MIT EINER SLID-BONDVERBINDUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：两种底物具有产生这样的安排被滑动键合连接和方法安排
公开(公告)号：WO2010066494A2
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/EP2009/063675
申请日：2009-10-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , TRAUTMANN, Achim , FEYH, Ando
发明人： TRAUTMANN, Achim , FEYH, Ando
IPC分类号： B81C1/00 , B81C3/00
CPC分类号： H01L23/10 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/038 , H01L2924/0002 , H01L2924/1433 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Anordnung (1) mit einem ersten (5) und einem zweiten Substrat (10) beschrieben, wobei die beiden Substrate (5, 10) mittels einer SLID (Solid-Liquid- Interdiffusion)-Bondverbindung (15) miteinander verbunden sind. Die SLID- Bondverbindung (15) weist ein erstes metallisches Material und ein zweites metallisches Material auf, wobei die SLID-Bondverbindung (15) die intermetallische Al/Sn-Phase (15c) umfasst. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung (1) vorgestellt.
摘要翻译：我们将描述具有由滑动（固 - 液相互扩散）的第一（5）和第二衬底（10），其中两个衬底键合（5，10）彼此的布置（1）-Bondverbindung（15）。所述SLID-接合连接（15）包括第一金属材料和第二金属材料，所述SLID键合连接（15）包括所述金属间的Al / Sn相（15C）。此外，提出了一种用于制造这样的装置（1）的方法。

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