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1. 发明申请

WO2004044656A2 VERFAHREN ZUM SPÜLEN EINER OPTISCHEN LINSE 审中-公开
标题翻译：一种用于冲洗一个光学镜片的方法
公开(公告)号：WO2004044656A2
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：PCT/DE2003/003720
申请日：2003-11-10
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHEDEL, Thorsten , SCHMIDT, Sebastian , HRASCHAN, Günter
发明人： SCHEDEL, Thorsten , SCHMIDT, Sebastian , HRASCHAN, Günter
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70883 , G03F7/70925 , G03F7/70933
摘要： Mittels eines Gerätes (60) zur Bestimmung von Anteilen einer Substanz in einem Gas oder Gasgemisch werden Messungen an dem Gas oder Gasgemisch zum Spülen einer Linse (10) in einem Projektionsapparat (41) für die Projektion von Strukturen auf ein Substrat (100) durchgeführt. Dabei werden die Resultate einer ersten Messung an dem der Linse (10) zugeführten Gas mit den Resultaten einer Messung des von der Linse (10) abgeführten Gases miteinander verglichen. Handelt es sich insbesondere um eine kontaminierende Substanz, die zu einer Abscheidung auf der Linse (10) unter dem Einfluß hochenergetischer Strahlung durch eine Beleuchtungsquelle (14) führt, so kann aus der Differenz auf nachteilhaft zu der Abscheidung führende photochemische Reaktionen an der Oberfläche der Linse (10) geschlossen werden. Ein Signal wird infolge des Vergleiches generiert, mit dem vorbeugende Maßnahmen gegen eine Degradation der Linse (10) getroffen werden können. Als Meßgeräte (60) können Massenspektrometer, elektrische oder optische Sensoren sowie weitere bekannte Verfahren zur Substanzanalyse eingesetzt werden.
摘要翻译：使用装置（60）确定气体或气体混合物中物质的比例，对气体或气体混合物进行测量以在投影装置（41）中喷射透镜（10）执行基板（100）上的结构投影。将供给透镜（10）的气体的第一测量结果与从透镜（10）移除的气体的测量结果进行比较。特别是它是否是一种污染物质，容易在镜头（10）的影响下沉积在镜头（10）上通过照明源（14）的高能量辐射，该差异可以用于推断透镜（10）表面处的光化学反应，这对沉积不利。作为比较的结果产生信号，其中可以采取预防措施防止镜头（10）的退化。作为测量（60）质谱仪，可以使用电或光学传感器以及其他已知的物质分析方法。

2. 发明申请

WO02093639A3 ARRANGEMENT AND METHOD FOR DETECTING DEFECTS ON A SUBSTRATE IN A PROCESSING TOOL 审中-公开
标题翻译：用于检测处理工具中基板上的缺陷的布置和方法
公开(公告)号：WO02093639A3
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/EP0205189
申请日：2002-05-10
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SEIDEL TORSTEN , OTTO RALF , SCHUMACHER KARL , SCHEDEL THORSTEN , MARX ECKHARD , HRASCHAN GUENTHER
发明人： SEIDEL TORSTEN , OTTO RALF , SCHUMACHER KARL , SCHEDEL THORSTEN , MARX ECKHARD , HRASCHAN GUENTHER
IPC分类号： G03F1/08 , G03F7/20 , H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/66 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67225 , G03F7/7065 , H01L21/67271 , H01L21/67288 , H01L22/12
摘要： A processing tool (1) for manufacturing semiconductor devices (2), e.g. a lithography cluster, comprises a device transfer area (8) with an optical sensor (10), preferably a CCD-camera, and an illumination system (11) mounted within, such that a substrate (2) being transferred to or from one of its processing chambers (1a, 1b, 1c) can be scanned during its movement at low resolution. The substrate (2) may be either a semiconductor wafer to be manufactured or a reticle or mask used to perform an exposure on said wafer. The scanning is performed twice, prior and after processing in at least one the processing chambers (1a, 1b, 1c) of the processing tool (1). Both images are compared and optionally subtracted from each other. Defects imposed to the substrate due to contaminating particles only during the present processes with sizes larger than 10 microm are visible on the subtracted image, while defects imposed earlier are diminished as well as structures formed from e.g. a mask pattern below 10 microm. Pattern recognition allows an efficient classification of the defects being just detected in a processing tool (1). Thus, semiconductor device yield and metrology capacity are advantageously increased.
摘要翻译：一种用于制造半导体器件（2）的加工工具（1），例如，光刻簇包括具有光学传感器（10）的装置传送区域（8），优选地是CCD照相机，以及安装在其内的照明系统（11），使得基板（2）被转移到其处理室（1a，1b，1c）可以在其低分辨率的运动期间被扫描。衬底（2）可以是要制造的半导体晶片或用于在所述晶片上进行曝光的掩模版或掩模。在处理工具（1）的至少一个处理室（1a，1b，1c）中处理之前和之后进行两次扫描。两个图像被比较并且可选地相互减去。仅在尺寸大于10微米的本工艺过程中由于污染颗粒而施加到基材上的缺陷在减去的图像上是可见的，而较早施加的缺陷以及由例如形成的结构减少。 10微米以下的掩模图案。模式识别允许在处理工具（1）中刚刚检测到的缺陷的有效分类。因此，有利地增加了半导体器件的产量和计量能力。

3. 发明申请

WO2002088858A1 METHOD FOR ADJUSTING PROCESSING PARAMETERS OF AT LEAST ONE PLATE-LIKE OBJECT IN A PROCESSING TOOL 审中-公开
标题翻译：用于调整加工工具中最少一个板状对象的处理参数的方法
公开(公告)号：WO2002088858A1
公开(公告)日：2002-11-07
申请号：PCT/EP2002/004539
申请日：2002-04-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG , INFINEON TECHNOLOGIES AG , MOTOROLA INC. , MAUTZ, Karl , SCHMIDT, Sebastian , SCHEDEL, Thorsten
发明人： MAUTZ, Karl , SCHMIDT, Sebastian , SCHEDEL, Thorsten
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： G03F7/70625 , G03F7/70633 , G05B19/4188 , G05B2219/32053 , G05B2219/32055 , G05B2219/32056 , G05B2219/36377 , G05B2219/45232 , H01L22/20 , Y02P90/10 , Y02P90/20 , Y02P90/24
摘要： Processing parameters of at least one plate-like object (20), e.g. a semiconductor device or wafer, or a flat panel display, in a processing tool (1) are adjusted depending on which processing device (2a) out of at least one set of processing devices (2a, 2b) has been used for the semiconductor device (20) in a preceding step. This is provided by generating a virtual or physical token (10a), which connects the semiconductor device (20) identification with the processing device (2a, 2b) identification. This enables a compensation of tool-dependent effects in previous processing of a single device. An example is chemical mechanical polishing prior to lithography, where alignment marks can be deteriorated differently between CMP-apparatus. The amount of compensation is detected and evaluated by means of metrology tools, which - depending on the sequence of the metrology step relative to the processing step to be adjusted - either feed-forward or feed-backward their results to the processing tool (1). The yield of semiconductor device production is advantageously increased.
摘要翻译：处理至少一个板状物体（20）的参数，例如根据至少一组处理装置（2a，2b）中哪个处理装置（2a）已经用于半导体装置（2a，2b），调整处理工具（1）中的半导体装置或晶片或平板显示器（20）。这通过生成将半导体器件（20）标识与处理设备（2a，2b）标识连接的虚拟或物理令牌（10a）来提供。这使得能够补偿单个设备的先前处理中与工具有关的影响。一个例子是在光刻之前的化学机械抛光，其中对准标记可能在CMP装置之间不同地劣化。通过计量工具检测和评估补偿量，这取决于相对于要调整的处理步骤的度量步骤的顺序 - 前馈或将其结果反馈到处理工具（1）。有利地增加半导体器件生产的产量。

4. 发明申请

WO2004006011A2 VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR HANDHABUNG VON RETIKELN 审中-公开
标题翻译：方法和处理方法
公开(公告)号：WO2004006011A2
公开(公告)日：2004-01-15
申请号：PCT/DE2003/002108
申请日：2003-06-25
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHEDEL, Thorsten , SCHUMACHER, Karl
发明人： SCHEDEL, Thorsten , SCHUMACHER, Karl
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70741
摘要： Der Erfindung, die eine Anordnung zur Ein- und Ausgabe von Retikeln in fotolithografischen Prozessen die mit einer Magazinaufnahme, in die ein Ein- und Ausgabemagazin, in dem zumindest ein horizontales Aufnahmefach zur Aufnahme eines Retikel vorgesehen ist, einsetzbar ist, einem Manipulator und einer das Retikelmagazin und/oder den Manipulator relativ zueinander bewegenden Antriebseinheit versehen ist, und auch ein Verfahren zur Ein- und Ausgabe von Retikeln in fotolithografischen Prozessen betrifft, bei dem mit Pellikeln versehene Retikel nach einem Einsetzen eines Ein- und Ausgabemagazines in eine mittels eines Manipulators aus einem Aufnahmefach des Ein- und Ausgabemagazines aufgenommen und dem fotolithografischen Prozess zugeführt werden, liegt die Aufgabe zugrunde, beim Einsatz in den fotolithografischen Prozess zu verhindern, dass Retikel, darauf angeordneten Pellikel oder Magazine, ausserhalb des voreingestellten Toleranzbereiches des Manipulationsbereiches des Manipulators liegen, um somit Beschädigungen oder Zerstörungen, zumindest des Retikels zu verhindern. Dies wird dadurch gelöst, dass ein mit dem Retikel korrespondierender Sensor angeordnet ist, der die Antriebseinheit steuernd zumindest mittelbar mit dieser verbunden ist und von dem Retikel signifikante Daten aufgenommen werden und mittels dieser Daten die Bewegung des Manipulators gesteuert werden.
摘要翻译：
本发明是用于输入和在光刻工艺的掩模版的输出的装置，具有一个钉仓支架，在其中一个输入和输出杂志，其中至少一个水平保持隔室被设置用于接收一个光罩，操纵器和Retikelmagazin和/或操纵器相对地移动的驱动单元被提供，也可用于输入和掩模版的输出的方法，可以使用涉及在光刻工艺，其中掩模版的输入的插入和之后设置有Pellikeln 被输出杂志加入到从所述输入和输出杂志的保持隔室和光刻过程中所提供的导航中使用的操纵器的方法进行，其目的在于防止在光刻过程中使用是在其上表膜或杂志的是掩模板，预设外部操作区域de的容差范围以防止损坏或破坏，至少是十字线。这是凝胶＆ouml; ST被布置与标线对应的传感器，所述驱动单元控制至少间接地连接到从标线片被接收在后者和显著数据和这些数据的装置被控制时，操纵器的运动。

5. 发明申请

WO2003087943A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER AUF EIN BELICHTUNGSGERÄT ANGEPASSTEN MASKE 审中-公开
标题翻译：方法产生置身于一个单元，用于MASK
公开(公告)号：WO2003087943A2
公开(公告)日：2003-10-23
申请号：PCT/DE2003/001280
申请日：2003-04-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HASSMANN, Jens , KOWALEWSKI, Johannes , KUNKEL, Gerhard , SCHEDEL, Thorsten , SCHRÖDER, Uwe, Paul , VOIGT, Ina
发明人： HASSMANN, Jens , KOWALEWSKI, Johannes , KUNKEL, Gerhard , SCHEDEL, Thorsten , SCHRÖDER, Uwe, Paul , VOIGT, Ina
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70783 , G03F7/70433 , G03F7/70591 , G03F7/706
摘要： Eine Information über die jeweiligen Positionen (501, 502, 601, 602) von wenigstens zwei Strukturelementen (50, 60) auf einer Maske wird bereitgestellt. Die durch Linsenaberration bedingte Verschiebung der Lagepositionen bei der Abbildung durch das Linsensystem des Belichtungsgerätes wird gemessen und Korrekturwerte (540, 640) werden für jedes der Strukturelemente ermittelt. Anhand der Korrekturwerte (540, 640) werden die Positionen (501, 502, 601, 602) zur Bildung neuer Positionen (505, 506, 605, 606) der Strukturelemente (50, 60) derart geändert, daß die Aberrationseffekte ausgeglichen werden können. Eine auf das Belichtungsgerät angepaßte Maske (40) wird mit den Strukturen an den geänderten Positionen belichtet. Die durch Aberration von Linsen bedingte Streuung in den Lagegenauigkeiten und den Strukturbreiteverteilungen wird vorteilhaft reduziert.
摘要翻译：提供了有关在掩模上的至少两个结构性元件（50,60）的各自的位置（501，502，601，602）的信息。在所引起的在由曝光装置的透镜系统的摄像位置的位置透镜像差移位被测量，并且校正值（540，640）被确定为每个结构元件。上的校正值（540，640），所述位置（501,502，601，602）的基础上，以形成（50，60）被改变，使得像差可被补偿的结构元件的新位置（505，506，605，606）。一个适合于曝光装置掩模（40）暴露于所述的结构改变后的位置处。在位置精度所引起的透镜像差散射和图案宽度分布被有利地减小。

6. 发明申请

WO2004044656A3 METHOD FOR WASHING AN OPTICAL LENS 审中-公开
标题翻译：方法冲厕光学透镜
公开(公告)号：WO2004044656A3
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/DE0303720
申请日：2003-11-10
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHEDEL THORSTEN , SCHMIDT SEBASTIAN , HRASCHAN GUENTER
发明人： SCHEDEL THORSTEN , SCHMIDT SEBASTIAN , HRASCHAN GUENTER
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70883 , G03F7/70925 , G03F7/70933
摘要： A device (60) for determining the constituents of a substance in a gas or gas mixture performs measurements on the gas or gas mixture used for washing a lens (10) in a projection apparatus (41) for projecting structures onto a substrate (100). The results of a first measurement performed on the gas fed to the lens (10) and the results of a measurement performed on the gas led away from the lens are compared to one another. If a substance is involved that, in particular, is one that contaminates, whereby leading to the formation of deposits on the lens (10) under the influence of high-energy radiation emitted by a light source (14), photochemical reactions, which adversely lead to the formation of deposits on the surface of the lens (10) can be inferred from the difference ensuing from said comparison. A signal is generated as a result of the comparison and can be used to take preventive measures against a degradation of the lens (10). Measuring devices (60), which can be mass spectrometers, electric or optical sensors, and other known methods can be used for performing substance analysis.
摘要翻译：通过用于确定物质的比例在气体或气体混合物中的气体或气体混合物的测量在用于的图案的基板（100）上投影的投影装置（41），冲洗的透镜（10）的装置（60）的装置执行。在透镜上的第一测量结果（10）供给的气体与从透镜移除（10）的气体的测量结果进行比较。如果是在特定的一个污染物质，其通过照明源（14）产生高能量辐射的影响下，透镜（10）上的沉积，然后在不利地导致光化学反应的沉积在透镜的表面上的差（10）是关闭的。作为比较的结果可以用针对所述透镜（10）的降解的预防措施进行时产生的信号。作为测量设备（60）质谱仪，电或光学传感器以及其它已知的方法可用于分析物质。

7. 发明申请

WO2004006011A3 METHOD AND ARRANGEMENT FOR THE MANIPULATION OF RETICLES 审中-公开
标题翻译：方法和系统用于处理光罩
公开(公告)号：WO2004006011A3
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：PCT/DE0302108
申请日：2003-06-25
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHEDEL THORSTEN , SCHUMACHER KARL
发明人： SCHEDEL THORSTEN , SCHUMACHER KARL
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70741
摘要： The invention relates to an arrangement for the depositing or withdrawing of reticles, provided with a magazine housing in which an withdrawing and depositing magazine may be inserted, which has at least one horizontal housing compartment for housing a reticle, a manipulator and a drive unit for moving the reticle magazine and/or the manipulator relative to each other. The invention further relates to a method for the withdrawing or depositing of reticles in photolithographic processes, whereby reticles provided with pellicles are moved from a housing compartment in the withdrawing and depositing magazine after insertion of an withdrawing and depositing magazine in a magazine housing, by means of a manipulator from a housing compartment in the withdrawing and deposition magazine and supplied to the lithographic process. The aim of the invention is to prevent reticles, pellicles arranged thereon or magazines to lie outside the determined tolerance range of the manipulation region of the manipulator and thus prevent damage thereto or destruction thereof, at least for the reticle, on application to the photolithographic process. The above is achieved, whereby a corresponding sensor is provided for the reticle, at least indirectly connected to the drive unit for control thereof, from which data relevant to the reticle may be obtained and by means of which data the movement of the manipulator is controlled.
摘要翻译：本发明中，用于输入和在光刻工艺的掩模版的输出的装置，具有一个钉仓支架，在其中一个输入和输出杂志，其中至少一个水平保持隔室被设置用于接收掩模版，可被插入，一个操纵器和所述的 Retikelmagazin和/或用于掩模版的输入和输出被提供相对运动的驱动单元的机械手，并且还一个方法涉及在来自设置有Pellikeln光罩的输入和输出杂志的插入之后为一个由一个机械手的装置的光刻工艺采取保持输入和输出杂志隔室和供给到光刻工艺的目的是防止在光刻过程中使用在其上的防护膜或杂志的是掩模板，操纵器谎言的操作区域的预设公差范围之外根，从而防止损坏或破坏，至少分划板的。这是这样实现的一个对应的与标线传感器布置，所述驱动单元控制至少间接地连接到后者和显著数据从所述掩模版被接收，并通过这些数据，机械手的运动来控制。

8. 发明申请

WO2003087943A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER AUF EIN BELICHTUNGSGERÄT ANGEPASSTEN MASKE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003087943A3
公开(公告)日：2003-10-23
申请号：PCT/DE2003/001280
申请日：2003-04-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HASSMANN, Jens , KOWALEWSKI, Johannes , KUNKEL, Gerhard , SCHEDEL, Thorsten , SCHRÖDER, Uwe, Paul , VOIGT, Ina
发明人： HASSMANN, Jens , KOWALEWSKI, Johannes , KUNKEL, Gerhard , SCHEDEL, Thorsten , SCHRÖDER, Uwe, Paul , VOIGT, Ina
IPC分类号： G03F7/20
摘要： Eine Information über die jeweiligen Positionen (501, 502, 601, 602) von wenigstens zwei Strukturelementen (50, 60) auf einer Maske wird bereitgestellt. Die durch Linsenaberration bedingte Verschiebung der Lagepositionen bei der Abbildung durch das Linsensystem des Belichtungsgerätes wird gemessen und Korrekturwerte (540, 640) werden für jedes der Strukturelemente ermittelt. Anhand der Korrekturwerte (540, 640) werden die Positionen (501, 502, 601, 602) zur Bildung neuer Positionen (505, 506, 605, 606) der Strukturelemente (50, 60) derart geändert, daß die Aberrationseffekte ausgeglichen werden können. Eine auf das Belichtungsgerät angepaßte Maske (40) wird mit den Strukturen an den geänderten Positionen belichtet. Die durch Aberration von Linsen bedingte Streuung in den Lagegenauigkeiten und den Strukturbreiteverteilungen wird vorteilhaft reduziert.

9. 发明申请

WO2002093639A2 ARRANGEMENT AND METHOD FOR DETECTING DEFECTS ON A SUBSTRATE IN A PROCESSING TOOL 审中-公开
标题翻译：用于检测处理工具中基板上的缺陷的布置和方法
公开(公告)号：WO2002093639A2
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：PCT/EP2002/005189
申请日：2002-05-10
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SEIDEL, Torsten , OTTO, Ralf , SCHUMACHER, Karl , SCHEDEL, Thorsten , MARX, Eckhard , HRASCHAN, Günther
发明人： SEIDEL, Torsten , OTTO, Ralf , SCHUMACHER, Karl , SCHEDEL, Thorsten , MARX, Eckhard , HRASCHAN, Günther
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67225 , G03F7/7065 , H01L21/67271 , H01L21/67288 , H01L22/12
摘要： A processing tool (1) for manufacturing semiconductor devices (2), e.g. a lithography cluster, comprises a device transfer area (8) with an optical sensor (10), preferably a CCD-camera, and an illumination system (11) mounted within, such that a substrate (2) being transferred to or from one of its processing chambers (1a, 1b, 1c) can be scanned during its movement at low resolution. The substrate (2) may be either a semiconductor wafer to be manufactured or a reticle or mask used to perform an exposure on said wafer. The scanning is performed twice, prior and after processing in at least one the processing chambers (1a, 1b, 1c) of the processing tool (1). Both images are compared and optionally subtracted from each other. Defects imposed to the substrate due to contaminating particles only during the present processes with sizes larger than 10 µm are visible on the subtracted image, while defects imposed earlier are diminished as well as structures formed from e.g. a mask pattern below 10 µm. Pattern recognition allows an efficient classification of the defects being just detected in a processing tool (1). Thus, semiconductor device yield and metrology capacity are advantageously increased.
摘要翻译：一种用于制造半导体器件（2）的加工工具（1），例如，光刻簇包括具有光学传感器（10）的装置传送区域（8），优选地是CCD照相机，以及安装在其内的照明系统（11），使得基板（2）被转移到其处理室（1a，1b，1c）可以在其低分辨率的运动期间被扫描。衬底（2）可以是要制造的半导体晶片或用于在所述晶片上进行曝光的掩模版或掩模。在处理工具（1）的至少一个处理室（1a，1b，1c）中处理之前和之后进行两次扫描。两个图像被比较并且可选地相互减去。在尺寸大于10μm的本工艺过程中由于污染颗粒而施加到基板上的缺陷在减影图像上是可见的，而较早施加的缺陷以及由例如形成的结构减小。 10μm以下的掩模图案。模式识别允许在处理工具（1）中刚刚检测到的缺陷的有效分类。因此，有利地增加了半导体器件的产量和计量能力。

10. 发明申请

WO2002093485A1 METHOD FOR PERFORMING AN ALIGNMENT MEASUREMENT OF TWO PATTERNS IN DIFFERENT LAYERS ON A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
标题翻译：用于在半导体波形上执行不同层中两种图案的对准测量的方法
公开(公告)号：WO2002093485A1
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：PCT/EP2002/004834
申请日：2002-05-02
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HEINE, Rolf , SCHMIDT, Sebastian , SCHEDEL, Thorsten
发明人： HEINE, Rolf , SCHMIDT, Sebastian , SCHEDEL, Thorsten
IPC分类号： G06T7/00
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F9/7046 , G03F9/7076 , G06T7/0002 , G06T7/0004 , G06T7/33 , G06T2207/30148
摘要： In an alignment or overlay measurement of patterns on a semiconductor wafer (1) an error ocurring during performing a measurement in one of a predefined number of alignment structures (20) in an exposure field (2) of a corresponding predefined set of exposure fields (10) can be handled by selecting an alignment structure (21b) in a substitute exposure field (11). This exposure field (11)can be an alignment structure (21a) in the same exposure field (10,11), i.e. an intra-field change (100), or an other field not being part of the predefined set of exposure fields (10), i.e. aninter-field change (101). due to the might not erode and do not cause an error in a measurement, thus provinding an increased alignement or overlay quality.
摘要翻译：在半导体晶片（1）上的图案的对准或覆盖测量中，在相应的预定义的曝光场集合的曝光区域（2）中的预定数量的对准结构（20）中的一个中执行测量期间发生的误差（可以通过在替代曝光区域（11）中选择对准结构（21b）来处理。该曝光区域（11）可以是相同曝光区域（10,11）中的对准结构（21a），即场内变化（100）或不是预定义的一组曝光场的一部分 10），即场内变化（101）。由于可能不会腐蚀并且不会在测量中引起错误，从而证明增加的对齐或覆盖质量。

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