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1. 发明申请

WO2007107176A1 METHOD OF REDUCING RISK OF DELAMINATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：降低半导体器件层的分层风险的方法
公开(公告)号：WO2007107176A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/EP2006/004034
申请日：2006-03-17
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , ST MICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , COOPER, Kevin , KORDIC, Srdjan , RIVOIRE, Maurice
发明人： COOPER, Kevin , KORDIC, Srdjan , RIVOIRE, Maurice
IPC分类号： H01L21/3105 , B24B37/04 , B24D17/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/3105 , B24B9/065 , B24B37/042 , H01L21/304
摘要： A method of minimizing de lamination of a layer (14, 16, or 18), the method includes providing a semiconductor substrate (12), forming a first layer (14) over the semiconductor substrate, wherein the first layer has a first corner (20) and the first corner has a first angle of approximately 90 degrees; forming a second layer (16) over the first layer, wherein the second layer has a second corner (20) and the second corner has a second angle of approximately 90 degrees, and modifying the first and second corners to form a first slanted edge (50, 60, or 70) of the first layer and a second slanted edge (50, 60, or 70) of the second layer, wherein the first slanted edge and the second slanted edge are continuous with each other and the first slanted edge forms a third angle with respect to the semiconductor substrate, wherein the third angle is less than 30 degrees.
摘要翻译：一种使层（14,16或18）的层叠最小化的方法，所述方法包括提供半导体衬底（12），在所述半导体衬底上形成第一层（14），其中所述第一层具有第一角（ 20），并且第一角具有大约90度的第一角度; 在所述第一层上形成第二层（16），其中所述第二层具有第二角（20），并且所述第二角具有大约90度的第二角度，并且修改所述第一和第二角以形成第一倾斜边缘 50,60或70）和所述第二层的第二倾斜边缘（50,60或70），其中所述第一倾斜边缘和所述第二倾斜边缘彼此连续并且所述第一倾斜边缘形成相对于半导体衬底的第三角度，其中第三角度小于30度。

2. 发明申请

WO2011000899A1 PROCÉDÉ DE MODIFICATION DE LA STRUCTURE CRISTALLINE D'UN ÉLÉMENT EN CUIVRE 审中-公开
标题翻译：一种修复铜元件结晶结构的方法
公开(公告)号：WO2011000899A1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/EP2010/059336
申请日：2010-07-01
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , DI CIOCCIO, Léa , GUEGUEN, Pierric , RIVOIRE, Maurice
发明人： DI CIOCCIO, Léa , GUEGUEN, Pierric , RIVOIRE, Maurice
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76886 , H01L21/31053 , H01L21/321 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76883
摘要： Procédé de modification de la structure cristalline d'un élément en cuivre (II') muni d'une face plane, comportant : a) une étape de réalisation d'un étalon (I') en cuivre présentant des gros grains, ledit étalon comportant une face plane, b) une étape de réduction de la rugosité des faces planes (14; 16) à une rugosité inférieure à 1 nm, c) une étape de nettoyage des dites faces planes (14, 16), d) une étape de mise en contact des deux faces planes (14, 16), e) une étape de recuit.
摘要翻译：本发明涉及一种用于改变设置有平面表面的铜元素（II'）的晶体结构的方法，包括：a）制造具有粗晶粒的铜试样（I'）的步骤，所述试样包括平面; b）将平坦表面（14,16）的粗糙度降低到小于1nm的粗糙度的步骤; c）清洁所述平面（14,16）的步骤; d）使两个平坦表面（14,16）接触的步骤; 和e）退火步骤。

3. 发明申请

WO2011000898A1 PROCÉDÉ DE COLLAGE CUIVRE-CUIVRE SIMPLIFIÉ 审中-公开
标题翻译：简化铜箔加工方法
公开(公告)号：WO2011000898A1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/EP2010/059335
申请日：2010-07-01
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , DI CIOCCIO, Léa , GUEGUEN, Pierric , RIVOIRE, Maurice
发明人： DI CIOCCIO, Léa , GUEGUEN, Pierric , RIVOIRE, Maurice
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C1/00301 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L2224/05547 , H01L2224/08148 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： 1. Procédé de collage d'un premier élément en cuivre sur un deuxième élément en cuivre comportant une étape de formation d'une couche cristalline de cuivre enrichie en oxygène sur chacune des surfaces de chacun des premier et deuxième éléments par lesquelles les éléments seront en contact, l'épaisseur totale des deux couches étant inférieure à 6 nm, ladite étape comprenant : a) au moins une étape de polissage des surfaces de sorte à obtenir une rugosité inférieure à 1 nm RMS, et des surfaces hydrophiles; b) au moins une étape de nettoyage des dites surfaces afin de supprimer la présence de particules dues au polissage et la majeure partie des inhibiteurs de corrosion; c) une étape de mise en contact des deux couches cristallines de cuivre enrichies en oxygène.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将第一铜元件粘附到第二铜元件上的方法，包括在第一元件和第二元件中的每一个的每个表面上形成富氧铜结晶层的步骤，借此，元件将接触，两层的总厚度小于6nm，所述步骤包括：a）至少一个抛光表面的步骤，以获得小于1nm的RMS和亲水表面的粗糙度; b）清洁所述表面的至少一个步骤，以便从抛光过程和大部分腐蚀抑制剂中除去任何颗粒; 和c）使富氧铜的两个结晶层接触的步骤。

4. 发明申请

WO1997019467A1 SIDE TRENCH ISOLATION METHOD USING A TWO-COMPONENT PROTECTIVE LAYER OF POLYSILICON ON SILICON NITRIDE FOR INSULATOR LAYER PLANARISATION BY CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING 审中-公开
标题翻译：采用化学机械抛光法制备绝缘子层平面硅氮化硅的双组分保护层的侧向分离方法
公开(公告)号：WO1997019467A1
公开(公告)日：1997-05-29
申请号：PCT/FR1996001844
申请日：1996-11-21
申请人： FRANCE TELECOM , BROUQUET, Pierre , MASUREL, Claude , RIVOIRE, Maurice
发明人： FRANCE TELECOM
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/31053
摘要： A method for isolating the working areas of a semiconductor substrate using side trenches, wherein (a) a two-component protective layer (3) consisting of silicon nitride and polysilicon is deposited on the semiconductor substrate, (b) trenches (7) are provided in the semiconductor substrate (1) alongside predetermined areas (6) of the substrate (1) that are covered with the protective layer (3) and intended to form the working areas at a later stage, (c) a layer of insulating material (8) is deposited in the trenches (7) and on the predetermined areas (6) of the substrate (1), and (d) the semiconductor block is planarised in a single step by chemical-mechanical polishing in such a way that the polysilicon of the upper layer (3b) has a higher etching rate during chemical-mechanical polishing than the insulating material, while the nitride of the lower layer (3a) has good resistance to chemical-mechanical etching. In one embodiment, the chemical-mechanical polishing of step (d) is combined with end-of-etching detection on the two-component protective layer (3).
摘要翻译：一种使用侧沟槽隔离半导体衬底的工作区域的方法，其中（a）由氮化硅和多晶硅构成的双组分保护层（3）沉积在半导体衬底上，（b）沟槽（7）在半导体衬底（1）中沿着衬底（1）的预定区域（6），被覆盖有保护层（3）并且旨在在稍后阶段形成工作区域，（c）绝缘材料层 8）沉积在沟槽（7）和衬底（1）的预定区域（6）上，和（d）半导体块通过化学机械抛光在单个步骤中平面化，使得多晶硅（3b）的化学机械抛光时的蚀刻速率比绝缘材料高，而下层（3a）的氮化物具有良好的抗化学机械蚀刻性。在一个实施例中，将步骤（d）的化学机械抛光与双组分保护层（3）上的蚀刻终止检测相结合。

5. 发明申请

WO2009130416A3 PROCÉDÉ DE FORMATION DE MATÉRIAU POREUX DANS UNE MICROCAVITÉ OU UN MICROPASSAGE PAR POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2009130416A3
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/FR2009/000369
申请日：2009-03-30
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , COIFFIC, Jean-Christophe , RIVOIRE, Maurice
发明人： COIFFIC, Jean-Christophe , RIVOIRE, Maurice
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/768 , C01B31/02 , H01L23/532
摘要： Une surface d'un support (2) comportant des microcavités (1) débouchantes est mise en contact avec une solution aqueuse comportant une pluralité de particules (4) en suspension et un tissu (3). Une pression perpendiculaire au plan du support (2), entre le tissu (3) et Ia surface du support (2), et un déplacement relatif du tissu (3) et de la surface, parallèlement au plan du support sont appliqués. Au moins une particule (4) est ainsi introduite dans chaque microcavité (1) pour y former un matériau poreux qui est un matériau catalyseur pour la croissance de nanofils ou de nanotubes.

6. 发明申请

WO2009130416A2 METHOD FOR FORMING POROUS MATERIAL IN MICROCAVITY OR MICROPASSAGE BY MECHANOCHEMICAL POLISHING 审中-公开
标题翻译：通过机械抛光在微孔或微波中形成多孔材料的方法
公开(公告)号：WO2009130416A2
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/FR2009000369
申请日：2009-03-30
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , COIFFIC JEAN-CHRISTOPHE , RIVOIRE MAURICE
发明人： COIFFIC JEAN-CHRISTOPHE , RIVOIRE MAURICE
IPC分类号： H01L21/316 , C01B31/02 , H01L21/762 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/31695 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76877 , H01L23/53276 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A surface of a substrate (2) comprising microcavities (1) leading out of the substrate is placed in contact with an aqueous solution comprising a plurality of suspended particles (4) and a fabric (3). Perpendicular pressure is applied the expanse of the substrate (2) between the fabric (3) and the surface of the substrate (2), and relative movement of the fabric (3) and the surface is applied to the expanse of the substrate. At least one particle (4) is thus fed into each microcavity (1), therein forming a porous material that is a catalyst material for nanothread or nanotube growth.
摘要翻译：将包括从基板引出的微腔（1）的基板（2）的表面与包含多个悬浮颗粒（4）和织物（3）的水溶液接触。在织物（3）和基材（2）的表面之间施加垂直的压力，将基体（2）的宽度施加到基底（2）的表面上，并且将织物（3）和表面的相对运动施加到基底的宽度上。因此，至少一个颗粒（4）被馈送到每个微腔（1）中，其中形成作为纳米线或纳米管生长的催化剂材料的多孔材料。

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