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1. 发明申请

WO2004098005A1 MEHRSEKTIONSLASER 审中-公开
标题翻译：多个区内LASER
公开(公告)号：WO2004098005A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/EP2004/004555
申请日：2004-04-29
申请人： NANOPLUS NANOSYSTEMS AND TECHNOLOGIES GMBH , REITHMAIER, Johann, Peter , BACH, Lars , KAISER, Wolfgang
发明人： REITHMAIER, Johann, Peter , BACH, Lars , KAISER, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/125
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/06226 , H01S5/06251 , H01S5/125
摘要： Bei einem Halbleiterlaser (10) weist das Substrat (11) in Richtung der Lichtwellenausbreitungsrichtung (A) wenigstens drei voneinander unabhängige Fuktionssektionen (17, 20, 23) auf, die unterschiedlichen Funktionen dienen und durch Elektroden (15, 18, 21) einzeln über Elektrodenzuleitungen (16, 19, 22) angesteuert werden können. Als Funktionssektionen sind eine Verstärkungszone (17), eine Gitterzone (20) und eine Phasenanpassungszone (23) vorgesehen. In der Verstärkungszone (17) wird die Lichtwelle optisch verstärkt. In der Phasenanpassungszone (23) wird die Phase von hin- und rücklaufender Welle angepasst. Die Gitterzone (20) dient der Wellenlängenselektion sowie der unterschiedlich stark einstellbaren Kopplung zwischen Verstärkungszone (17) und Phasenanpassungszone (23).
摘要翻译：在半导体激光器（10），在光波的传播方向（A）的至少三个Fuktionssektionen（17，20，23），其提供不同的功能，并且通过电极（15，18，21）通过电极引线独立单独的方向上的衬底（11）（16，19，22）可以被控制。作为功能性部分，提供一个加强区（17），光栅区域（20）和一个相位调整区域（23）。在增益区域（17）时，光波光学放大。在相位调整区域（23），背部的相位和返回波被调整。光栅区域（20）用于波长选择以及不同程度的加强区（17）和相位调整区域（23）之间的可调节的耦合。

2. 发明申请

WO2003061087A3 TEMPERATURSTABILE HALBLEITERLASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2003061087A3
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/DE2003/000155
申请日：2003-01-20
申请人： JULIUS-MAXIMILIANS-UNIVERSITÄT WÜRZBURG , REITHMAIER, Johann, Peter , KLOPF, Frank
发明人： REITHMAIER, Johann, Peter , KLOPF, Frank
IPC分类号： H01S5/34
摘要： Es wird ein Halbleiterlaser vorgeschlagen, der in einem Energiebereich um die Emissionswellenlänge eine flache Verstärkungskurve (41) aufweist. Wenn die Steigung dg mat dE (42) der Verstärkungskurve g mat ( E ) (41) klein ist (ein bis zwei Größenordnungen kleiner als bei konventionellen Halbleiterlasermaterialien), führt dies zu einer besonders niedrigen Temperaturdrift dχ/dT (43) des Halbleiterlasers. Zur Realisierung einer solchen flachen Verstärkungskurve (41) wird ein Quantenpunktlaser (42) vorgeschlagen, welcher zwei Energieniveaus aufweist, die in einem günstigen Energieabstand zueinander liegen und ein vorteilhaftes Verstärkungsverhältnis zueinander aufweisen. Durch eine entsprechende Prozessführung bei der Ausbildung der Quantenpunktschicht werden die einzelnen Energieniveaus so verbreitert, dass sich eine gesamte Verstärkungskurve g mat (E) 41) mit geringer Steigung dg mat / dE (42) ergibt. Ein solcher temperaturstabilisierter Halbleiterlaser kann auch durch einen Quantendrahtlaser realisiert werden.

3. 发明申请

WO03061087A2 TEMPERATURE-STABILISED SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
标题翻译：下稳定的半导体激光器
公开(公告)号：WO03061087A2
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/DE0300155
申请日：2003-01-20
申请人： UNIV WUERZBURG J MAXIMILIANS , REITHMAIER JOHANN PETER , KLOPF FRANK
发明人： REITHMAIER JOHANN PETER , KLOPF FRANK
IPC分类号： H01S5/068 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/34
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/068 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/34 , H01S5/341 , H01S5/3412 , H01S2301/04
摘要： The invention relates to a semiconductor laser, which exhibits a flat amplification curve (41) in an energy range around the emission wavelength. When the gradient dgmat/dE (42) of the amplification curve gmat(E) (41) is small (one to two orders of magnitude smaller than in conventional semiconductor materials), the semiconductor laser exhibits a particularly low temperature drift d lambda /dT (43). A flat amplification curve (41) of this type can be achieved by a quantum dot laser (42) with two energy levels, which are separated by a favourable energy band gap and have a favourable amplification ratio in relation to one another. By guiding the process appropriately during the formation of the quantum dot layer, the individual energy levels are spread in such a way that a total amplification curve gmat(E) (41) with a small gradient dgmat/dE (42) is obtained. A temperature-stabilised semiconductor laser of this type can also be achieved by a quantum wire laser.
摘要翻译：有人提出了一个平坦的增益曲线41次的发光波长具有能量的半导体激光器如果增益曲线42 dgmatdE的斜率gmate 41小一个数量级到比常规的半导体激光器的材料小两个数量级，这导致了特别低的温度漂移dχ半导体激光器的/ DT 43。为了实现这样的平坦的增益曲线41，量子点激光器42，提出了一种具有两个能级;这些都是彼此有利于节能的距离和具有有利的放大比到彼此。通过在量子点层的形成适当的过程控制，各个能级变宽，使得总增益曲线41 gmate dgmat低斜率/ DE 42分的结果。这样的温度稳定的半导体激光器可以通过量子线激光器来实现。

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