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1. 发明申请

WO2011129708A1 THIN FILM SOLAR CELL ELECTRODE WITH GRAPHENE ELECTRODE LAYER 审中-公开
标题翻译：薄膜太阳能电池与石墨电极层
公开(公告)号：WO2011129708A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/NO2011/000127
申请日：2011-04-15
申请人： INSTITUTT FOR ENERGITEKNIKK , KARAZHANOV, Smagul , NAWAZ, Muhammad
发明人： KARAZHANOV, Smagul , NAWAZ, Muhammad
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/065 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/078 , Y02E10/548
摘要： It is presented a solar cell structure having a first electrode layer presenting a first surface of the solar cell structure, and a second electrode layer presenting a second surface of the solar cell structure. The second surface is opposite the first surface, and the first electrode layer and the second electrode layer are electrically connected. The solar cell structure further comprises a first doped layer, and a first intrinsic layer, the first doped layer and the first intrinsic layer being arranged between the first electrode layer and the second electrode layer, wherein the second electrode layer is a first graphene layer.
摘要翻译：呈现具有呈现太阳能电池结构的第一表面的第一电极层和呈现太阳能电池结构的第二表面的第二电极层的太阳能电池结构。第二表面与第一表面相对，并且第一电极层和第二电极层电连接。太阳能电池结构还包括第一掺杂层和第一本征层，第一掺杂层和第一本征层布置在第一电极层和第二电极层之间，其中第二电极层是第一石墨烯层。

2. 发明申请

WO2011074987A1 FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管结构
公开(公告)号：WO2011074987A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/NO2010/000467
申请日：2010-12-16
申请人： UNIVERSITETSSENTERET PÅ KJELLER , NAWAZ, Muhammad
发明人： NAWAZ, Muhammad
IPC分类号： H01L21/82 , H01L29/24 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/8213 , H01L27/092 , H01L29/1606 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7781 , H01L29/785
摘要： A field effect transistor structure comprises a first layer (11) of undoped silicon carbide on or above the 4H-SiC substrate (10), a second layer (11a-b) of silicon carbide on or above the first layer of silicon carbide, wherein the second layer of silicon carbide has different conductivity than the first layer of silicon carbide, and a third layer (12, 13) of different material type than the first two layers of silicon carbide, preferably graphene, grown over the second layer of silicon carbide. The second layer of silicon carbide is further divided into two portions (11a-b) of different conductivities, which are separated by insulating dielectric material (14); and the third layer is further divided into two portions (12, 13) of different conductivities, which are separated by the insulating dielectric material which is in direct contact with the third and the second layer
摘要翻译：场效应晶体管结构包括在4H-SiC衬底（10）上或上方的未掺杂碳化硅的第一层（11），在第一碳化硅层上或之上的碳化硅的第二层（11a-b），其中所述第二碳化硅层具有与所述第一碳化硅层不同的导电性，以及在所述第二碳化硅层上生长的与所述碳化硅（优选石墨烯）的前两层不同材料类型的第三层（12,13）。第二层碳化硅被进一步分成不同电导率的两部分（11a-b），它们由绝缘电介质材料（14）分离。并且第三层被进一步分成具有不同电导率的两部分（12,13），它们被与第三层和第二层直接接触的绝缘介电材料隔开

3. 发明申请

WO2007076791A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VERBINDUNGSHALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTORS MIT EINER FIN-STRUKTUR UND VERBINDUNGSHALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT EINER FIN-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：方法制备化合物半导体场效应晶体管，鳍状结构及相关半导体场效应晶体管，鳍状结构
公开(公告)号：WO2007076791A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/DE2006/002221
申请日：2006-12-12
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , NAWAZ, Muhammad
发明人： NAWAZ, Muhammad
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/812 , H01L29/66795 , H01L29/66856 , H01L29/785 , H01L29/78681
摘要： Die Erfindung stellt ein Verfahren bereit zum Herstellen eines Verbindungshalbleiter- Feldeffekttransistors mit einer Fin-Struktur, welches aufweist: Bilden einer ersten Schicht auf oder über einem Substrat, wobei die erste Schicht ein erstes Verbindungshalbleiter-Material aufweist; Bilden einer zweiten Schicht auf der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein zweites Verbindungshalbleiter-Material aufweist; Bilden einer dritten Schicht auf der zweiten Schicht, wobei die dritte Schicht ein drittes Verbindungshalbleiter-Material aufweist; Bilden einer Bedeckungsschicht auf zumindest einem Teilbereich der dritten Schicht, wobei die Bedeckungsschicht ein viertes Verbindungshalbleiter-Material aufweist; Bilden einer Fin-Struktur durch Strukturieren der zweiten Schicht, der dritten Schicht und der Bedeckungsschicht; Bilden eines ersten Source/Drain-Bereiches aus einem ersten Teilbereich der Bedeckungsschicht und Bilden eines zweiten Source/Drain- Bereiches aus einem zweiten Teilbereich der Bedeckungsschicht; und Bilden eines Gate-Bereiches auf zumindest einem Teilbereich mindestens einer Seitenwand der Fin-Struktur und/oder auf einem Teilbereich einer oberen Oberfläche der dritten Schicht.
摘要翻译：本发明提供了一种生产化合物半导体的场效应晶体管具有鳍状结构的方法，包括：上或在衬底上，其中所述第一层包括第一化合物半导体材料形成的第一层; 形成所述第一层上的第二层，所述包含第二化合物半导体材料的第二层; 形成在第二层上的第三层，所述第三层包括第三化合物半导体材料; 在第三层，其中所述覆盖层包括第四化合物半导体材料的至少一部分上形成的覆盖层; 形成通过图案化所述第二层，第三层和覆盖层的鳍式结构; 形成覆盖层的第一部分区域的第一源极/漏极区域以及形成第二源极/漏极覆盖层的第二部分区域的区域; 和在鳍结构的和/或在所述第三层的上表面的部分的至少一个侧壁的至少一部分上形成栅区。

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