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1. 发明申请

WO2004064123A3 METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
标题翻译：方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2004064123A3
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/DE0304286
申请日：2003-12-23
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , KOHLMANN-VON PLATEN KLAUS , BERNT HELMUT , FRIEDRICH DETLEF
发明人： KOHLMANN-VON PLATEN KLAUS , BERNT HELMUT , FRIEDRICH DETLEF
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/762 , H01L27/088 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/76283 , H01L27/088
摘要： Disclosed is a method for the production of a semiconductor element comprising at least one first vertical power component (5, 9) and at least one lateral, active component (6) and/or at least one second vertical power component (10), between which at least one trench (2) filled with at least one type of insulation (4) is disposed. The invention also relates to a semiconductor component produced according to said method. The semiconductor component is essentially characterized by an eccentric or concentric arrangement of the respective functional elements (5, 6, 9, 10) which are respectively separated from each other by trench insulation. In order to produce one such semiconductor element, at least one trench is etched into the front side of a silicon substrate (1). Said trench fully encompasses at least one partial surface of the front side and is subsequently filled with insulation (4). In a further stage of said method, the silicon substrate (1) is extensively thinned from the rear side to the insulation (4), i.e. up to the lower side of the insulation. The power components (5, 9, 10) are contacted from the rear side.
摘要翻译：用于制造半导体器件，包括至少一个第一垂直功率组分（5,9）和至少一个横向，活性成分（6）的处理和/或至少一个第二垂直电源部件（10）中描述了至少一个具有绝缘之间（4）填充沟槽（2）被布置，以及由半导体器件的方法制造的产品。由相应的功能元件（5，6，9，10），它们分别通过从沟槽隔离分开的一个前或同心布置的半导体器件的特征在于基本上。要在硅衬底的前产生这样的半导体元件（1）被蚀刻至少一个沟槽（2），后者完全，随后包围前侧的至少一个部分区域的具有绝缘（4）被填充。在该方法的进一步的过程中，从后方侧的硅衬底（1）到绝缘（4），只要该绝缘的底面变薄在整个表面上。功率元件（5,9，10）的所述接触是从背面处。

2. 发明申请

WO2007096095A3 ETCHING SOLUTION AND METHOD FOR STRUCTURING A UBM LAYER SYSTEM 审中-公开
标题翻译：蚀刻溶液和工艺结构甲UBM膜层系统的
公开(公告)号：WO2007096095A3
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/EP2007001363
申请日：2007-02-16
申请人： FRAUNHOFER GES ZUER FOERDERUNG , DIETZ FRANK , KOHLMANN-VON PLATEN KLAUS , QUENZER HANS-JOACHIM
发明人： DIETZ FRANK , KOHLMANN-VON PLATEN KLAUS , QUENZER HANS-JOACHIM
IPC分类号： C23F1/02 , C23F1/16 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L21/60
CPC分类号： C23F1/02 , C23F1/16 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/0554 , H01L2224/05647 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13006 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014
摘要： The invention relates to an etching solution for etching a layer system comprising at least one aluminium layer, at least one copper layer and at least a third layer selected from nickel vanadium, nickel and the alloys thereof, and arranged between the at least one aluminium layer and the at least one copper layer. Said solution contains phosphoric acid, nitric acid, deionised water and at least one salt that can release halogen ions, or consists of said constituents. The claimed etching solution is the basis for a single-step structuring method for a UBM layer system used for the production of components produced by means of a method relating to semiconductor technology.
摘要翻译：本发明涉及一种蚀刻溶液用于蚀刻的层系统，其包含的至少一种铝层，铜镍钒，镍及其合金的第三层，其被布置在至少一个铝层和至少一个铜层之间的和至少至少一层 ,,其中磷酸，硝酸，离子交换水和能够释放卤离子中的至少一种盐的溶液含有或由这些组件。所要求保护的蚀刻溶液为这是在装置，其通过一个UBM层系统的半导体工艺来制造的制造中使用单级图案化的方法的基础。

3. 发明申请

WO2004064123A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：生产半导体组分的方法
公开(公告)号：WO2004064123A2
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/DE2003/004286
申请日：2003-12-23
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V , KOHLMANN-VON PLATEN, Klaus , BERNT, Helmut , FRIEDRICH, Detlef
发明人： KOHLMANN-VON PLATEN, Klaus , BERNT, Helmut , FRIEDRICH, Detlef
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/76283 , H01L27/088
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das wenigstens ein erstes vertikales Leistungsbauelement (5, 9) sowie wenigstens ein laterales, aktives Bauelement (6) und/oder zumindest ein zweites vertikales Leistungsbauelement (10) aufweist, zwischen denen wenigstens ein mit einer Isolierung (4) gefüllter Graben (2) angeordnet ist, sowie ein mit dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. Das Halbleiterbauelement zeichnet sich im Wesentlichen durch eine ex- oder konzentrische Anordnung der jeweiligen Funktionselemente (5, 6, 9, 10), die jeweils durch eine Trenchisolation voneinander getrennt sind, aus. Zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes wird in die Vorderseite eines Silizium Substrates (1) zumindest ein Graben (2) geätzt, der wenigstens eine Teilfläche der Vorderseite vollumfänglich umschließt und der anschließend mit einer Isolation (4) aufgefüllt wird. Im weiteren Verlauf des Verfahrens wird das Silizium-Substrat (1) von der Rückseite her bis an die Isolierung (4), also bis an die Unterseite der Isolation, ganzflächig gedünnt. Die Kontaktierung der Leistungsbauelemente (5, 9, 10) erfolgt von der Rückseite her.
摘要翻译：
描述的是一种半导体器件，包括至少一个第一垂直功率器件的制造（5,9）和至少一个横向，活性成分的方法（6）和/或至少一个第二垂直电源部件（10）在其之间布置有至少一个填充有绝缘体（4）的沟槽（2），以及通过该方法制造的半导体部件。半导体元件的主要特征在于各个功能元件（5,6,9,10）的偏心或同心布置，它们各自通过沟槽隔离彼此分开。为了制造这种半导体器件是在硅衬底的前部（1）的至少一个沟槽（2）GE＆AUML; TZT，所述至少一个子区域＆AUML;枝前vollumf＆AUML;可触及包围ROAD吨和随后的ROAD端具有绝缘（4）已列出。在该过程的进一步过程中，硅衬底（1）从背部完全蚀刻到绝缘体（4），即绝缘体的下侧。功率元件（5,9,10）的接触从后侧进行。

4. 发明申请

WO2007096095A2 ÄTZLÖSUNG UND VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINES UBM-SCHICHTSYSTEMS 审中-公开
标题翻译：蚀刻溶液和工艺结构甲UBM膜层系统的
公开(公告)号：WO2007096095A2
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/EP2007/001363
申请日：2007-02-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , DIETZ, Frank , KOHLMANN-VON PLATEN, Klaus , QUENZER, Hans-Joachim
发明人： DIETZ, Frank , KOHLMANN-VON PLATEN, Klaus , QUENZER, Hans-Joachim
IPC分类号： C23F1/02 , C23F1/16 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L21/60
CPC分类号： C23F1/02 , C23F1/16 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/0554 , H01L2224/05647 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13006 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung betrifft eine Ätzlösung zum Ätzen eines Schichtsystems, welches mindestens eine Schicht aus Aluminium, mindestens eine Schicht aus Kupfer und mindestens eine dritte Schicht, ausgewählt aus Nickelvanadium, Nickel und dessen Legierungen, die zwischen der mindestens einen Aluminiumschicht und der mindestens einen Kupferschicht angeordnet ist, aufweist, wobei die Lösung Phosphorsäure, Salpetersäure, deionisiertes Wasser und mindestens ein Salz, das Halogenionen freisetzen kann, enthält oder aus diesen Komponenten besteht. Die beanspruchte Ätzlösung ist Basis für ein einstufiges Strukturierungsverfahren eines UBM-Schichtsystems, welches bei der Herstellung von Bauelementen, die mittels halbleitertechnologischer Verfahren gefertigt werden, verwendet wird.
摘要翻译：本发明涉及一种蚀刻溶液用于蚀刻的层系统，其包含的至少一种铝层，铜镍钒，镍及其合金的第三层，其被布置在至少一个铝层和至少一个铜层之间的和至少至少一层 ,,其中磷酸，硝酸，离子交换水和能够释放卤离子中的至少一种盐的溶液含有或由这些组件。所要求保护的蚀刻溶液为这是在装置，其通过一个UBM层系统的半导体工艺来制造的制造中使用单级图案化的方法的基础。

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