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1. 发明申请

WO2012028664A1 DISPOSITIF MAGNETIQUE ET PROCEDES DE LECTURE ET D'ECRITURE DUDIT DISPOSITIF 审中-公开
标题翻译：磁装置以及从装置读取和书写的方法
公开(公告)号：WO2012028664A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/065057
申请日：2011-08-31
申请人： COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , DIENY, Bernard
发明人： DIENY, Bernard
IPC分类号： H01L27/22 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/161 , B82Y25/00 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要： L'invention concerne un dispositif magnétique comportant une couche de référence (2) dont la direction d'aimantation est fixe et une couche de stockage (3) dont la direction d'aimantation est variable. Dans un mode écriture, la direction d'aimantation de la couche de stockage (3) est modifiée de façon à stocker un " 1 " ou un " 0 " dans cette couche de stockage. Dans un mode lecture, la résistance du dispositif magnétique est mesurée de façon à savoir ce qui est stocké dans la couche de stockage (3). Le dispositif magnétique est particulièrement remarquable en ce qu'il comporte en outre une couche de contrôle (4) dont la direction d'aimantation est variable. La direction d'aimantation de la couche de contrôle (4) est contrôlée de façon à augmenter l'efficacité du transfert de spin lorsque l'on veut écrire dans la couche de stockage (3) et à diminuer l'efficacité du transfert de spin lorsque l'on veut lire l'information contenue dans la couche de stockage (3) sans modifier cette information.
摘要翻译：本发明涉及一种磁性装置，其包括其磁化方向固定的参考层（2）和存储层（3），其磁化方向是可变的。在写入模式中，存储层（3）的磁化方向改变为在所述存储层中存储“1”或“0”。在读取模式中，测量磁性装置的电阻以便知道存储层（3）中存储的内容。磁性器件的特征在于其还包括其磁化方向可变的控制层（4）。控制层（4）的磁化方向被控制，以便在期望写入存储层（3）的情况下提高自旋转印转矩的有效性，并且降低自旋转印转矩的有效性期望在不修改所述信息的情况下读取存储层（3）中包含的信息的事件。

2. 发明申请

WO2011033080A1 MICROPARTICULE MAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TELLE MICROPARTICULE 审中-公开
标题翻译：磁性微波和制造这种微波的方法
公开(公告)号：WO2011033080A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/EP2010/063725
申请日：2010-09-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S) , DIENY, Bernard , JOISTEN, Hélène , SABON, Philippe
发明人： DIENY, Bernard , JOISTEN, Hélène , SABON, Philippe
IPC分类号： B81C1/00 , A61B5/05 , H02N11/00
CPC分类号： B81C1/0019 , A61B1/00156 , B81B2201/038 , B81B2201/06 , B81C2201/038
摘要： La présente invention a pour objet une microparticule (2) comportant au moins une queue flexible (6) oblongue apte à propulser ladite microparticule (2) dans une solution le long d'une trajectoire grâce à des battements transversaux à la trajectoire, ladite queue étant pourvue à cet effet d'au moins un élément magnétique de sorte que ledit élément magnétique provoque des battements de ladite queue (6) sous l'action d'un champ magnétique extérieur alternatif non colinéaire avec la trajectoire et une tête (4) mécaniquement raccordée à une extrémité proximale de la queue. La microparticule (2) comporte au moins une couche de matériau formée d'un seul tenant et comprenant ladite queue (6) et ladite tête (4), les dimensions et/ou la forme de ladite tête (4) étant choisie de sorte que les battements de ladite extrémité proximale de ladite queue (6) sont limités par rapport aux battements de l'extrémité distale de la queue (6) et de sorte que ladite tête (4) n'effectue pas de révolution complète autour d'un axe parallèle à la trajectoire sous l'effet du champ magnétique alternatif extérieur.
摘要翻译：微粒（2）本发明涉及一种微粒（2），其包括：至少一个长椭圆形的柔性尾部（6），能够通过横向于路径的移动来沿着路径将溶液中的所述微粒（2）推进，至少一个磁性元件，使得所述磁性元件通过与路径非共线的外部交变磁场引起所述尾部（6）的扑动运动; 以及机械地连接到尾部的近端的头部（4）。微粒（2）包括至少一层由单件制成并包括所述尾部（6）和所述头部（4）的材料，所述头部（4）的尺寸和/或形状被选择为使得所述扑动所述尾部（6）的近端的运动相对于尾部（6）的远端的扑动运动被限制，并且使得所述头部（4）不围绕平行于路径的轴线执行完整的旋转当暴露于外部交变磁场时。

3. 发明申请

WO2008012684A8 A METHOD OF FABRICATING A NANOSTRUCTURE ON A PRE-ETCHED SUBSTRATE. 审中-公开
标题翻译：在预蚀刻基板上制备纳米结构的方法。
公开(公告)号：WO2008012684A8
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/IB2007002912
申请日：2007-06-26
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , EBELS URSULA , DIENY BERNARD , LESTELLE DOMINIQUE , GAUTIER ERIC
发明人： EBELS URSULA , DIENY BERNARD , LESTELLE DOMINIQUE , GAUTIER ERIC
IPC分类号： H01L23/528
CPC分类号： B81C99/0085
摘要： The present invention relates to a method of fabricating a nanostructure, comprising the following steps: prestructuring a substrate (1) adapted to receive the nanostructure to form a nanorelief (2) on the substrate, the nanorelief having flanks (4) extending from a bottom (1a) of the substrate and a top face (3) extending from said flanks, and then depositing on the substrate prestructured in this way a single layer or multilayer coating intended to form the nanostructure; and further comprising: adding to the prestructured substrate or to the coating a separation layer adapted to enable separation of the coating and the substrate by external action of mechanical, thermomechanical or vibratory type; and exerting this external action on the substrate and/or the coating to recover selectively a top portion of the coating by separating it from the top face of the nanorelief so that this top portion constitutes some or all of the nanostructure.
摘要翻译：本发明涉及一种制造纳米结构的方法，包括以下步骤：预先构建适于接纳纳米结构以在基底上形成纳米疏液（2）的基底（1），所述纳米凹槽具有从底部延伸的侧面（4）（1a）和从所述侧面延伸的顶面（3），然后沉积在预先结构化的基底上用于形成纳米结构的单层或多层涂层; 并且还包括：向所述预结构化基底或所述涂层添加适于通过机械，热机械或振动型的外部作用使所述涂层和所述基底分离的分离层; 并且在衬底和/或涂层上施加这种外部作用以通过将其从纳米溢液的顶面分离而选择性地回收涂层的顶部，使得该顶部构成一部分或全部纳米结构。

4. 发明申请

WO2008015354A2 DISPOSITIF MAGNÉTIQUE EN COUCHES MINCES À FORTE POLARISATION EN SPIN PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES, JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE ET VANNE DE SPIN METTANT EN OEUVRE UN TEL DISPOSITIF 审中-公开
标题翻译： DEVICE磁性薄膜高偏置垂直SPIN计划层磁性隧道结和自旋阀使用这种装置
公开(公告)号：WO2008015354A2
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/FR2007/051659
申请日：2007-07-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RODMACQ, Bernard , DIENY, Bernard
发明人： RODMACQ, Bernard , DIENY, Bernard
IPC分类号： H01F10/32
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11C11/161 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/3236 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H03B15/006 , Y10T428/1121
摘要： Ce dispositif magnétique en couches minces comprenant sur un substrat un ensemble composite déposé par pulvérisation cathodique et constitué : d'une couche magnétique (2), réalisée en un matériau présentant une forte anisotropie magnétique perpendiculaire, dont l'aimantation en l'absence de toute interaction électrique ou magnétique est située hors du plan de ladite couche, d'une couche magnétique (3), au contact direct de la couche magnétique (2) précédente, réalisée en un matériau ferromagnétique à fort taux de polarisation en spin, dont l'aimantation en l'absence de toute interaction électrique ou magnétique est située dans son plan, et dont le couplage magnétique direct avec ladite couche magnétique (2) induit une diminution du champ démagnétisant effectif de l'ensemble constitué par les deux couches magnétiques (2) et (3), d'une couche non magnétique (4), au contact direct de la couche magnétique (3) précédente, réalisée en un matériau non dépolarisant pour les électrons traversant le dispositif, Le dispositif comporte des moyens pour faire circuler en son sein un courant électrique selon une direction sensiblement perpendiculairement au plan des couches.
摘要翻译：该薄膜磁器件在衬底上包括沉积在衬底上的复合组件。通过阴极喷涂而构成：由呈现强垂直磁各向异性的材料制成的磁性层（2），其磁化在没有任何电或磁相互作用的情况下; 刻度线位于所述层的平面之外，即与无磁材料中的磁性层（2）直接接触的磁性层（3）。铁磁材料＆高自旋极化率，其在没有任何电或磁相互作用的情况下的磁化位于其平面中，并且其与所述磁性层（2）的直接磁耦合引起组装的有效放大场的减小通过两个磁性层（2）和（3）形成非磁性层（4），与先前的磁性层（3）直接接触，在用于穿过该器件的电子的非偏振材料中，该器件包括用于在其内循环电流的装置，该电流在基本上垂直于该层的平面的方向上。

5. 发明申请

WO2007052240A2 RADIO-FREQUENCY OSCILLATOR WITH SPIN-POLARISED ELECTRIC CURRENT 审中-公开
标题翻译：具有旋转极化电流的无线电频率振荡器
公开(公告)号：WO2007052240A2
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：PCT/IB2006054692
申请日：2006-10-31
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , DIENY BERNARD , DEAC-RENNER ALINA-MARIA
发明人： DIENY BERNARD , DEAC-RENNER ALINA-MARIA
IPC分类号： H03B15/00 , H01F10/32 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , H01F10/3268 , H03B15/006 , Y10T428/1121
摘要： This radio-frequency oscillator includes a magnetoresistive device in which a spin-polarised electric current flows. This device comprises a stack of at least: a first so-called "anchored" magnetic layer (1) having a fixed magnetisation direction, a second magnetic layer (2), an amagnetic layer (3) inserted between the above-mentioned two layers, intended to ensure magnetic decoupling of said layers. The oscillator also comprises means of causing a flow of electrons in said layers perpendicular to these layers and, if applicable, of applying an external magnetic field to the structure. The second magnetic layer (2) has an excitation damping factor at least 10% greater than the damping measured in a simple layer of the same material having the same geometry for magnetic excitation having wavelengths equal to or less than the extent of the cone or cylinder of current that flows through the stack that constitutes the magnetoresistive device.
摘要翻译：该射频振荡器包括其中自旋极化电流流动的磁阻器件。该装置至少包括：具有固定磁化方向的第一所谓的“锚定”磁性层（1），第二磁性层（2），插入在上述两层之间的磁性层（3）旨在确保所述层的磁解耦。该振荡器还包括使垂直于这些层的所述层中的电子流的方法，以及如果适用的话，向该结构施加外部磁场。第二磁性层（2）具有比在具有等于或小于锥体或圆柱体的范围的磁激励具有相同几何形状的相同材料的简单层中测量的阻尼大至少10％的激励阻尼因子的电流流过构成磁阻器件的叠层。

6. 发明申请

WO2005086171A1 MEMOIRE MAGNETIQUE A JONCTION TUNNEL MAGNETIQUE A ECRITURE ASSISTEE THERMIQUEMENT ET PROCEDE POUR SON ECRITURE 审中-公开
标题翻译：具有磁性隧道结的磁性记忆体在一个热辅助手册中书写，以及用于书写的方法
公开(公告)号：WO2005086171A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/FR2005/050103
申请日：2005-02-17
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , NOZIERES, Jean-Pierre , DIENY, Bernard , REDON, Olivier , SOUSA, Ricardo , PREJBEANU, Ioan-Lucian
发明人： NOZIERES, Jean-Pierre , DIENY, Bernard , REDON, Olivier , SOUSA, Ricardo , PREJBEANU, Ioan-Lucian
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/1675 , G11C11/5607
摘要： Cette mémoire magnétique à écriture assistée thermiquement, dont chaque point mémoire (40) est constitué d'une jonction tunnel magnétique, et dont la section parallèlement au plan des couches constitutives de la jonction tunnel est circulaire ou sensiblement circulaire, ladite jonction tunnel comprend au moins : - une couche piégée (44), dont l'aimantation est de direction fixe, - une couche libre (42), dont la direction d'aimantation est variable, - une couche isolante (43), interposée entre la couche libre (42) et la couche piégée (44), dans laquelle la couche libre (42) est formée d’au moins une couche magnétique douce et d’une couche de piégeage (41), les deux couches étant couplées magnétiquement par contact, et dans laquelle la température de fonctionnement de la mémoire en lecture ou au repos est choisie en dessous de la température de blocage des couches respectivement libre et piégée.
摘要翻译：本发明涉及以热辅助方式写入的磁存储器，每个存储点（40）由磁性隧道结组成，并且存储器的横截面平行于形成隧道结的层的平面为圆形或基本上圆。所述隧道结包括具有固定磁化方向的至少一个捕获层（44），具有可变磁化方向的自由层（42）和布置在所述自由层（42）和所述被俘获层之间的绝缘层（43） 44）。根据本发明，自由层（42）由至少一个软磁层和捕获层（41）形成，所述两层通过接触磁耦合，并且选择读取存储器或休息存储器的工作温度使其低于分别游离和捕获的层的阻挡温度。

7. 发明申请

WO2010001018A1 ELEMENT MAGNETIQUE TRICOUCHES, PROCEDE POUR SA REALISATION, CAPTEUR DE CHAMP MAGNETIQUE, MEMOIRE MAGNETIQUE ET PORTE LOGIQUE MAGNETIQUE METTANT EN OEUVRE UN TEL ELEMENT 审中-公开
标题翻译：三层磁性元件，其制造方法，磁场传感器，磁记忆体和使用这些元件的磁逻辑门
公开(公告)号：WO2010001018A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/FR2009/051062
申请日：2009-06-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , RODMACQ, Bernard , AUFFRET, Stephane , DIENY, Bernard , NISTOR, Lavinia Elena
发明人： RODMACQ, Bernard , AUFFRET, Stephane , DIENY, Bernard , NISTOR, Lavinia Elena
IPC分类号： H01L43/06 , H01L43/14 , H01F10/12 , G11C11/02 , G01R33/07
CPC分类号： H01L43/06 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11C11/18 , H01F10/3218 , H01F10/3236 , H01F10/3286 , H01F41/32 , H01L43/14
摘要： Cet élément magnétique tricouches, comporte, sur un substrat, une première couche d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure O, surmontée d'une couche métallique magnétique M, elle-même surmontée soit d'une seconde couche d'oxyde, d'hydrure ou de nitrure O', soit d'une couche métallique non ferromagnétique M'. La couche M est continue, présente une épaisseur comprise entre 1 et 5 nanomètres, et a son aimantation parallèle au plan des couches en l'absence des couches O et O'. II existe, pour une gamme de température égale ou supérieure à la température ambiante, une anisotropie magnétique interfaciale perpendiculaire au plan des couches aux interfaces O/M et M/0', apte à diminuer le champ démagnétisant effectif de la couche M ou à orienter l'aimantation de la couche M sensiblement perpendiculairement au plan des couches.
摘要翻译：本发明的三层磁性元件在基板上包括其上安装有金属磁性层M的第一氢化物 - 氧化物或氮化物 - 氧化物层O，后者具有第二氢化物 - 氧化物或氮化物 - 氧化物层 O'或非铁磁性金属层M'。层M是连续的，具有1至5nm的厚度，并且在没有层O和O'的情况下具有与层平面平行的磁化。对于等于或大于室温的温度范围，在能够减小层M的实际退磁场的接口O / M和M / O'上垂直于层平面的界面磁各向同性或以基本上垂直于层平面的方式取向层M的磁化。

8. 发明申请

WO2008087345A3 MULTILAYER MAGNETIC DEVICE, PROCESS FOR THE PRODUCTION THEREOF, MAGNETIC FIELD SENSOR, MAGNETIC MEMORY AND LOGIC GATE USING SUCH A DEVICE 审中-公开
标题翻译：多层磁体装置，其制造方法，磁场传感器，使用这种装置的磁性存储器和逻辑门
公开(公告)号：WO2008087345A3
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/FR2007052602
申请日：2007-12-21
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NAT RECH SCIENT , RODMACQ BERNARD , AUFFRET STEPHANE , DIENY BERNARD , MORITZ JEROME
发明人： RODMACQ BERNARD , AUFFRET STEPHANE , DIENY BERNARD , MORITZ JEROME
IPC分类号： H01F10/32 , G01R33/032 , G01R33/07 , G01R33/09 , G11C11/18 , H01F41/30 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/14
CPC分类号： H01F10/3236 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/0322 , G01R33/0325 , G01R33/07 , G01R33/093 , G11C11/18 , G11C11/5607 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01F41/30 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/14 , Y10T428/115
摘要： This multilayer magnetic device comprises, on a substrate, alternating magnetic metallic layers M and oxide, hydride or nitride layers O. The number of M layers is at least equal to two. The M layers are continuous, have a thickness of less than or equal to 5 nanometres and their magnetization would be parallel to the plane of the layers in the absence of the O layers. Moreover, there is, for a temperature range equal to or greater than ambient temperature, an interfacial magnetic anisotropy perpendicular to the plane of the layers at the M/O and O/M interfaces, capable of orienting the magnetization of the M layers substantially perpendicular to the plane of the layers.
摘要翻译：该多层磁性器件在衬底上包括交替的磁性金属层M和氧化物，氢化物或氮化物层O.M层的数量至少等于2。 M层是连续的，具有小于或等于5纳米的厚度，并且在没有O层的情况下它们的磁化将平行于层的平面。此外，在等于或大于环境温度的温度范围内，存在垂直于M / O和O / M界面处的层的平面的界面磁各向异性，其能够使M层的磁化基本上垂直到层的平面。

9. 发明申请

WO2009007323A1 CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE À FAIBLE BRUIT 审中-公开
标题翻译：低噪声磁场传感器
公开(公告)号：WO2009007323A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/EP2008/058701
申请日：2008-07-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DIENY, Bernard , BARADUC, Claire , PETIT, Sébastien , THIRION, Christophe
发明人： DIENY, Bernard , BARADUC, Claire , PETIT, Sébastien , THIRION, Christophe
IPC分类号： G01R33/09 , G11B5/39
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/398 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： La présente invention concerne un capteur magnétorésistif comprenant une première couche magnétique d aimantation piégée (410) et une couche magnétique d aimantation libre (430), dite couche sensible, séparées par une première couche séparatrice (420) de découplage magnétique. Le capteur comprend en outre une seconde couche magnétique d' aimantation piégée (450),séparée de ladite couche sensible par une seconde couche séparatrice (440) de découplage magnétique, les première et seconde couches séparatrices étant situées de part et d'autre de ladite couche sensible, et les aimantations respectives de la première couche magnétique d'aimantation piégée et de la couche sensible, en absence de champ extérieur, étant sensiblement orthogonales. L'orientation de l'aimantation de la seconde couche piégée est choisie.
摘要翻译：磁阻传感器技术领域本发明涉及一种磁阻传感器，其包括第一磁化磁化层（410）和称为敏感层的自由磁化磁性层（430），它们被第一磁解耦隔离层（420）隔开。传感器还包括通过第二磁解耦分离器层（440）与所述敏感层分离的第二捕获磁化磁性层（450），所述第一和第二隔离层位于所述敏感层的任一侧，并且在不存在外部场的情况下，第一俘获磁化磁性层和敏感层的各自的磁化大致正交。选择该第二捕获层的磁化方向。

10. 发明申请

WO2008087345A2 DISPOSITIF MAGNÉTIQUE MULTICOUCHES, PROCÉDÉ POUR SA RÉALISATION, CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE, MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET PORTE LOGIQUE METTANT EN OEUVRE UN TEL DISPOSITIF 审中-公开
标题翻译：多层磁体装置，其制造方法，磁场传感器，使用这种装置的磁性存储器和逻辑门
公开(公告)号：WO2008087345A2
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/FR2007/052602
申请日：2007-12-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RODMACQ, Bernard , AUFFRET, Stéphane , DIENY, Bernard , MORITZ, Jérôme
发明人： RODMACQ, Bernard , AUFFRET, Stéphane , DIENY, Bernard , MORITZ, Jérôme
IPC分类号： H01F10/32 , H01F41/30 , H01L43/10 , H01L43/14 , G01R33/032 , G01R33/06 , G11C11/18
CPC分类号： H01F10/3236 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/0322 , G01R33/0325 , G01R33/07 , G01R33/093 , G11C11/18 , G11C11/5607 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/18 , H01F41/30 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/14 , Y10T428/115
摘要： Ce dispositif magnétique multicouches, comporte, sur un substrat, une alternance de couches métalliques magnétiques M et d'oxydes, d'hydrures ou de nitrures O. Le nombre de couches M est au moins égal à deux, les couches M sont continues, présentent une épaisseur inférieure ou égale à 5 nanomètres, et auraient leur aimantation parallèle au plan des couches en l'absence des couches O. En outre, il existe, pour une gamme de température égale ou supérieure à la température ambiante, une anisotropie magnétique interfaciale perpendiculaire au plan des couches aux interfaces M/O et O/M, apte à orienter l'aimantation des couches M sensiblement perpendiculairement au plan des couches.
摘要翻译：该多层磁性器件在衬底上包括交替的磁性金属层M和氧化物，氢化物或氮化物层O.M层的数量至少等于2。 M层是连续的，具有小于或等于5纳米的厚度，并且在没有O层的情况下它们的磁化将平行于层的平面。此外，在等于或大于环境温度的温度范围内，存在垂直于M / O和O / M界面处的层的平面的界面磁各向异性，其能够使M层的磁化基本上垂直到层的平面。

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