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1. 发明申请

WO2006069736A1 VERSTÄRKERSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：放大电路
公开(公告)号：WO2006069736A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/EP2005/013894
申请日：2005-12-22
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , BROMBERGER, Christoph
发明人： BROMBERGER, Christoph
IPC分类号： H03F1/22 , H03F1/32
CPC分类号： H03F1/32 , H03F1/22
摘要： Verstärkerschaltung zur Verstärkung eines Eingangssignals mit einer vertikal integrierten Kaskode (10), die - ein Kollektorhalbleitergebiet eines Kollektors (c), - ein erstes, an das Kollektorhalbleitergebiet angrenzendes Basishalbleitergebiet einer ersten Basis (B1), - ein zweites Basishalbleitergebiet einer zweiten Basis (B2), - ein sowohl an das erste Basishalbleitergebiet als auch an das zweite Basishalbleitergebiet angrenzendes Zwischenbasishalbleitergebiet, und - ein an das zweite Basishalbleitergebiet angrenzendes Emitterhalbleitergebiet eines Emitters (E) aufweist, wobei - ein Signaleingang mit der zweiten Basis (B2) verbunden ist, und - die erste Basis (B1) sowohl mit einer, von dem Eingangssignal unabhängigen Spannungsquelle (Vret) als auch mit dem Kollektor (C) elektrisch gekoppelt ist.
摘要翻译：放大器电路，用于与垂直整合的共源共栅（10），放大输入信号 - 的集电极（C）的一个集电极半导体区域， - 第一，邻近于第一基座（B1）的基底半导体区域的集电极半导体区域， - 第二基底的第二基底半导体区域（B2） - 一个对所述第一基半导体区域和所述第二基极半导体区域相邻的中间基半导体区域，以及 - 相邻于所述第二基底半导体区域上的发射极（E），其中的发射极半导体区域 - 输入到第二基站（B2）的信号连接，以及 - 第一基部（B1）被电耦合到两个输入信号的电压源（V REF）的一个独立的和集电极（C）。

2. 发明申请

WO2006099993A1 VERSTÄRKERSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：放大电路
公开(公告)号：WO2006099993A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/EP2006/002445
申请日：2006-03-17
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , BROMBERGER, Christoph
发明人： BROMBERGER, Christoph
IPC分类号： H03F1/22 , H03F1/32 , H03F3/195 , H01L27/082
CPC分类号： H03F1/22 , H01L27/0744 , H01L27/0823 , H03F1/32 , H03F3/195 , H03F2200/18
摘要： Verstärkerschaltung zur Verstärkung eines Eingangssignals (i EIN ) mit einer vertikal integrierten Kaskode (10), die: ein Kollektorhalbleitergebiet (1) eines Kollektors (C), ein erstes, an das Kollektorhalbleitergebiet (1) angrenzendes Basishalbleitergebiet (2) einer ersten Basis(B1), ein zweites Basishalbleitergebiet (4) einer zweiten Basis (B2) , ein sowohl an das erste Basishalbleitergebiet (2) als auch an das zweite Basishalbleitergebiet (4) angrenzendes Zwischenbasishalbleitergebiet (3) , und ein an das zweite Basishalbleitergebiet (4) angrenzendes Emitterhalbleitergebiet (5) eines Emitters (E) aufweist, wobei: ein Signaleingang (EIN) mit der zweiten Basis (B2) verbunden ist, und die erste Basis (Bl) über ein Netzwerk (NW) derart mit der zweiten Basis verbunden ist, dass eine Kleinsignalspannung ( U Bl ) an der ersten Basis (Bl) mit einer Kleinsignalspannung (U b2 ) an der zweiten Basis (B2) und /oder ein Kleinsignalstrom (i B2 ) durch die zweite Basis (B2) gekoppelt ist.
摘要翻译：放大器电路（I _{A ）配有用于放大输入信号，一个垂直整合的共源共栅（10），其中：a集电极半导体区域（1）的集电极（C）中，首先，向集电极的半导体区域（1）的相邻基底半导体区域（的（2）的第一底座（B1），第二基半导体区域（4）的第二基B2的），一个（到第一基半导体区域2）和所述第二基半导体区域（4）相邻的中间基半导体区域（3），并以第二基半导体区域（4）邻近的发射极半导体区域（5），其具有发射极（E），其特征在于：一信号输入（EIN）到第二基站（B2）连接，并且所述第一基站（BL）经由网络（NW）被连接到第二基极连接到的小信号电压（U _{BL ）到第一基座（BL）具有小信号电压（U _{B2 ）到第二基站（B2）和/或小信号电流通过TW（I _{B2 ）是耦合EITE碱（B2）。}}}}

3. 发明申请

WO2011134635A1 VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG EINES ANPASSNETZWERKS BASIEREND AUF POINCARÉ - KREISEN VON REFLEXIONSFAKTOREN 审中-公开
标题翻译：方法基于庞加莱匹配的厘定 - 反射因子之圈
公开(公告)号：WO2011134635A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/EP2011/002074
申请日：2011-04-24
申请人： BROMBERGER, Christoph
发明人： BROMBERGER, Christoph
IPC分类号： H03H7/38
CPC分类号： G06F17/5077 , H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03H7/38 , H03H2260/00
摘要： Elektronische Schaltung und Verfahren zur Auslegung einer elektronischen Schaltung, - mit einem ersten Quellenelement (Q 1 ), einem zweiten Quellenelement (Q 2 ), einem ersten Anpassnetzwerk (M 1 ) und einem zweiten Anpassnetzwerk (M 2 ), - bei der das erste Anpassnetzwerk (M 1 ) und das zweite Anpassnetzwerk (M 2 ) durch ein Verfahren unter Verwendung des Poincaré-Abstands ausgelegt sind, - bei der das zweite Quellenelement (Q 2 ) zur Ausgabe eines Signals (S) mit einer Mittenfrequenz (f) ausgebildet ist, - bei der die Last (L) eine Lastimpedanz (Z L ) aufweist, - bei der das zweite Anpassnetzwerk (M 2 ) leitungsartige Serienelemente (L S1 ...L S20 ) aufweist, die das Signal (S) führen, - wobei die leitungsartigen Serienelemente (L S1 ...L S20 ) ausschließlich Leitungsimpedanzen (Z S1 ...Z S20 ) kleiner als die Lastimpedanz (Z L ) aufweisen oder - wobei eine Summe der elektrischen Längen derjenigen leitungsartigen Serienelemente (L S1 ...L S20 ), die jeweils eine Leitungsimpedanz (Z S1 ...Z S20 ) größer als die Lastimpedanz (Z L ) aufweisen, kleiner ist als ein Viertel einer dem Signal (S) zugehörigen Wellenlänge (λ).
摘要翻译：与第一源元件（Q1），第二源元件（Q2），一第一匹配网络（M1）和第二匹配网络（M2）， - - 用于设计电子电路，电子电路和方法，其中所述第一匹配网络（M1），以及形成在所述第二源元件（Q2）（S），用于输出具有一中心频率（f），信号 - - 所述第二匹配网络（M2）通过使用庞加莱距离的方法设计成在载荷其中（L ）的负载阻抗（ZL）， - 其中，所述第二匹配网络（M2）线状串联元件（LS1 ... LS20），其导致该信号（S）， - 其中，所述线状串联元件（LS1 ... LS20）专门的线路阻抗包括（ZS1 ... ZS20）大于负载阻抗（ZL），或更小的 - 其中这些线状串联元件（LS1 ... LS20），每个具有一个线阻抗（ZS1 ... ZS20）的电气长度之和大于所述Lastim更大阻抗（ZL），其是比信号（S）相关联的波长的四分之一的情况下（？）。

4. 发明申请

WO2005020330A1 VERFAHREN ZUR VERBESSERUNG ELEKTRISCHER EIGENSCHAFTEN AKTIVER BIPOLARBAUELEMENTE 审中-公开
标题翻译：方法提高电性能活跃双极
公开(公告)号：WO2005020330A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/EP2004/009041
申请日：2004-08-12
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , BROMBERGER, Christoph
发明人： BROMBERGER, Christoph
IPC分类号： H01L29/70
CPC分类号： H01L27/0825 , H01L29/747
摘要： Verfahren zur Verbesserung elektrischer Eigenschaften aktiver Bipolarbauelemente. Bei den bisher bekannten Verfahren zur Verbesserung elektrischer Eigenschaften aktiver Bipolarbauelemente wird die Steuerfähigkeit eines Eingangssignales über ein Ausgangssignal stark beeinträchtigt, oder es wird, vor allem im Hochfrequenzbereich, das transiente Verhalten bei gegebener Sperrfähigkeit nur geringfügig verbessert. Bei dem neuen Verfahren werden dreischichtige durch fünfschichtige Halbleiteranordnungen ersetzt, während gleichzeitig mithilfe eines Heteroüberganges die Neigung fünfschichtiger Halbleiteranordnungen zu thyristorähnlichem Verhalten unterdrückt wird. Durch das neue Verfahren werden insbesondere die Hochfrequenzeigenschaften und die Sperrfähigkeit aktiver Bipolarbauelemente verbessert, während die Steuerfähigkeit eines Eingangssignales über ein Ausgangssignal weitgehend erhalten wird.
摘要翻译：改善活性的双极型器件的电性能的方法。在用于通过输出信号改善的输入信号的有源双极可控的电特性的迄今已知的方法是大大受损，否则会，尤其是在高频率范围内，在给定的阻断能力的瞬时响应仅略有改善。在该新方法是三层由五层半导体器件代替，而在同一时间的五层的半导体器件的倾斜朝向晶闸管行为通过使用异质结抑制。通过特别是新的方法中，当一个输入信号的控制能力基本保持在一个输出信号中的高频特性和活性双极的阻挡能力得到改善。

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