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1. 发明申请

WO2007133307A1 ADJUSTABLE PULSE-SHAPER 审中-公开
标题翻译：可调脉冲形状
公开(公告)号：WO2007133307A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/US2007/003758
申请日：2007-02-12
申请人： COHERENT, INC. , RESAN, Bojan , AUSTIN, Russel, R. , WATSON, Jason, P.
发明人： RESAN, Bojan , AUSTIN, Russel, R. , WATSON, Jason, P.
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： G02F1/1313 , G02F2203/12 , G02F2203/26 , H01S3/0057
摘要： An optical pulse-shaper (10) includes a prism (12), a delay line (14) having positive optical power and a spatial light modulator (26). In one arrangemen the delay line (14) has selectively variable optical path length for accommodating pulses of different spectral bandwidth and positive optical power is provided by a concave mirror (20). In another arrangement, the dela line includes a zoom-mirror arranged to provide selectively variable optical power for accommodating pulses of different spectral bandwidth.
摘要翻译：光学脉冲整形器（10）包括棱镜（12），具有正光焦度的延迟线（14）和空间光调制器（26）。在一个配置中，延迟线（14）具有用于容纳不同光谱带宽的脉冲的选择性可变光路长度，并且正光功率由凹面镜（20）提供。在另一种布置中，德拉线包括放大镜，其布置成提供用于适应不同光谱带宽的脉冲的选择性可变光功率。

2. 发明申请

WO2005124948A2 INGAN DIODE-LASER PUMPED II-VI SEMICONDUCTOR LASERS 审中-公开
标题翻译： INGAN二极管激光泵II-VI半导体激光器
公开(公告)号：WO2005124948A2
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：PCT/US2005/018738
申请日：2005-05-27
申请人： COHERENT, INC. , SPINELLI, Luis, A. , ZHOU, Hailong , AUSTIN, Russel, R.
发明人： SPINELLI, Luis, A. , ZHOU, Hailong , AUSTIN, Russel, R.
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S3/094057 , H01S3/0941 , H01S5/005 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4025
摘要： A semiconductor laser includes a multilayer semiconductor laser heterostructure including at least one active layer of a II-VI semiconductor material and is optically pumped by one or more indium gallium nitride (InGaN) diode-lasers. Group II elements in the II-VI semiconductor material are zinc, cadmium, magnesium, beryllium, strontium, and barium. Group VI elements in the II-VI semiconductor material are Sulfur, Selenium, and Tellurium. In one example of the laser an edge emitting heterostructure includes two active layers of zinc cadmium selenide, two waveguide layers of zinc magnesium sulfoselenide, and two cladding layers, also of zinc magnesium sulfoselenide. Proportions of elements in the cladding layer material and the waveguide layer material are selected such that the waveguide layer material has a higher bandgap than the material of the waveguide layers. In another example, a two dimensional array of InGaN diode-lasers is arranged to optically pump a one dimensional array of II-VI edge-emitting heterostructure lasers.
摘要翻译：半导体激光器包括包含至少一个II-VI半导体材料的有源层的多层半导体激光异质结构，并被一个或多个铟镓氮（InGaN）二极管激光器光泵浦。 II-VI族半导体材料中的II族元素是锌，镉，镁，铍，锶和钡。 II-VI族半导体材料中的VI族元素是硫，硒和碲。在激光器的一个实例中，边缘发射异质结构包括两个硒化锌镉活性层，两个磺酸锌镁纳米波导层和两个包层，也是锌硫酸镁镁。选择包层材料和波导层材料中的元素的比例使得波导层材料具有比波导层的材料更高的带隙。在另一个示例中，布置了InGaN二极管激光器的二维阵列以光学泵浦II-VI边缘发射异质结构激光器的一维阵列。

3. 发明申请

WO2005124948A3 INGAN DIODE-LASER PUMPED II-VI SEMICONDUCTOR LASERS 审中-公开
标题翻译： INGAN二极管激光泵II-VI半导体激光器
公开(公告)号：WO2005124948A3
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/US2005018738
申请日：2005-05-27
申请人： COHERENT INC , SPINELLI LUIS A , ZHOU HAILONG , AUSTIN RUSSEL R
发明人： SPINELLI LUIS A , ZHOU HAILONG , AUSTIN RUSSEL R
IPC分类号： H01S5/347 , H01S3/0941 , H01S5/00 , H01S5/04 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/343 , H01S5/40
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S3/094057 , H01S3/0941 , H01S5/005 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4025
摘要： A semiconductor laser includes a multilayer semiconductor laser heterostructure including at least one active layer of a II-VI semiconductor material (26) and is optically pumped by one or more indium gallium nitride (InGaN) diode-lasers (38). Group II elements in the II-VI semiconductor material are zinc, cadmium, magnesium, beryllium, strontium, and barium. Group VI elements in the II-VI semiconductor material are Sulfur, Selenium, and Tellurium. In one example of the laser an edge emitting heterostructure includes two active layers of zinc cadmium selenide, two waveguide layers of zinc magnesium sulfoselenide, and two cladding layers, also of zinc magnesium sulfoselenide. Proportions of elements in the cladding layer material and the waveguide layer material are selected such that the waveguide layer material has a higher bandgap than the material of the waveguide layers. In another example, a two dimensional array of InGaN diode-lasers is arranged to optically pump a one-dimensional array of II-VI edge-emitting heterostructure lasers.
摘要翻译：半导体激光器包括包含至少一个II-VI半导体材料（26）的有源层的多层半导体激光异质结构，并由一个或多个氮化铟镓（InGaN）二极管激光器（38）进行光泵浦。 II-VI族半导体材料中的II族元素是锌，镉，镁，铍，锶和钡。 II-VI族半导体材料中的VI族元素是硫，硒和碲。在激光器的一个实例中，边缘发射异质结构包括两个硒化锌镉活性层，两个磺酸锌镁纳米波导层和两个包层，也是锌硫酸镁镁。选择包层材料和波导层材料中的元素的比例使得波导层材料具有比波导层的材料更高的带隙。在另一示例中，布置了InGaN二极管激光器的二维阵列以光学泵浦II-VI边缘发射异质结构激光器的一维阵列。

4. 发明申请

WO2010144536A3 ARRANGEMENT FOR RF POWER DELIVERY TO A GAS DISCHARGE LASER WITH CASCADED TRANSMISSION LINE SECTIONS 审中-公开
标题翻译：射频功率输送到气体放电激光器的安排，带有传输线路部分
公开(公告)号：WO2010144536A3
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/US2010037910
申请日：2010-06-09
申请人： COHERENT INC , HAUER FREDERICK W , TRACY PATRICK T , AUSTIN RUSSEL R
发明人： HAUER FREDERICK W , TRACY PATRICK T , AUSTIN RUSSEL R
IPC分类号： H03H7/38 , H01S3/097 , H01S3/0975 , H01S3/223 , H03H7/48
CPC分类号： H01S3/097 , H01P5/12 , H01S3/09702 , H01S3/2232
摘要： RF power is transmitted to a CO2 gas discharge laser (18) from a source of RF power (12) via a series combination of transmission line sections (32, 34). The lenghts and characteristics impedances of the transmission line sections (32, 34) are selected to transform the impedance of the RF power source (12) to the operating impedance of the laser (18).
摘要翻译： RF功率经由传输线段（32,34）的串联组合从RF功率源（12）传输到CO 2气体放电激光器（18）。选择传输线路段（32,34）的长度和特性阻抗，以将RF电源（12）的阻抗转换成激光器（18）的工作阻抗。

5. 发明申请

WO2010144536A2 ARRANGEMENT FOR RF POWER DELIVERY TO A GAS DISCHARGE LASER WITH CASCADED TRANSMISSION LINE SECTIONS 审中-公开
标题翻译：射频功率输送到气体放电激光器的安排，带有传输线路部分
公开(公告)号：WO2010144536A2
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/US2010/037910
申请日：2010-06-09
申请人： COHERENT, INC. , HAUER, Frederick, W. , TRACY, Patrick, T. , AUSTIN, Russel, R.
发明人： HAUER, Frederick, W. , TRACY, Patrick, T. , AUSTIN, Russel, R.
IPC分类号： H03H7/38
CPC分类号： H01S3/097 , H01P5/12 , H01S3/09702 , H01S3/2232
摘要： RF power is transmitted to a CO 2 gas discharge laser form a source of RF power via a series combination of transmission line sections. The lengths and characteristic impedances of the transmission line sections are selected to transform the impedance of the RF power source to the operating impedance of the laser.
摘要翻译： RF功率通过传输线路段的串联组合传输到形成RF功率源的CO 2气体放电激光器。选择传输线段的长度和特性阻抗，以将RF功率源的阻抗转换为激光器的工作阻抗。

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