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1. 发明申请

WO2021151584A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ELEKTRO-OPTISCHEN EINRICHTUNG UND ELEKTRO-OPTISCHE EINRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2021151584A1
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：PCT/EP2020/086611
申请日：2020-12-17
申请人： GESELLSCHAFT FÜR ANGEWANDTE MIKRO- UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG - AMO GMBH
发明人： SCHALL, Daniel , REHA HEPGÜLER, Galip
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/112 , G02B6/12 , G02B6/136 , G02F1/025
摘要： Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektro-optischen Einrichtung, insbesondere eines Photodetektors (6) oder elektro-optischen Modulators (6), bei dem ein Wellenleiter (3) bereitgestellt wird (S1), eine zumindest einen Abschnitt des Wellenleiters (3) übergreifende Planarisierungsschicht (7) hergestellt wird (S2), bevorzugt, indem ein Beschichtungsmaterial aufgebracht, die Planarisierungsschicht (7) mit einer Spin-on-Glas-Beschichtung (9) versehen wird (S3), zumindest im Bereich der Spin-on-Glas-Beschichtung (9) eine bevorzugt trockenchemische Ätzbehandlung erfolgt, optional die Schritte des Versehens der Planarisierungsschicht (7) mit einer Spin-on-Glas-Beschichtung (9) und der Ätzbehandlung wenigstens ein Mal wiederholt werden (S5, S6), und auf oder oberhalb der Planarisierungsschicht (7) und oberhalb des Wellenleiters (3) ein aktives Element (10) vorgesehen wird (S7), welches wenigsten ein Material umfasst oder aus wenigstens einem Material besteht, das elektromagnetische Strahlung wenigstens einer Wellenlänge absorbiert und infolge der Absorption ein elektrisches Photosignal erzeugt, und/oder dessen Brechungsindex sich in Abhängigkeit einer Spannung und/oder dem Vorhandensein von Ladung(en) und/oder einem elektrischen Feld ändert.

2. 发明申请

WO2022023407A1 ELEKTRO-OPTISCHE EINRICHTUNG, HALBLEITEREINRICHTUNG UND HALBLEITERVORRICHTUNG, ELEKTRO-OPTISCHE ANORDNUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2022023407A1
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：PCT/EP2021/071123
申请日：2021-07-28
申请人： GESELLSCHAFT FÜR ANGEWANDTE MIKRO- UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG - AMO GMBH
发明人： SCHALL, Daniel , SUCKOW, Stephan
IPC分类号： G02B6/122 , G02F1/035 , H01L31/0224
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Elektro-optische Einrichtung (1) mit zwei Wechselwirkungsbereichen (2), die jeweils einen Wellenleiterlängsabschnitt (3) und eines oder zwei aktive Elemente (5), das oder das jeweils wenigstens ein elektro-optisch aktives Material, insbesondere Graphen, umfasst oder daraus besteht, umfassen, wobei die Wellenleiterlängsabschnitte (3) der beiden Wechselwirkungsbereiche (2) voneinander beabstandet angeordnet sind, und sich das oder das jeweilige aktive Element (5) zumindest abschnittsweise oberhalb und/oder unterhalb und/oder innerhalb des Wellenleiterlängsabschnitts (3) des jeweiligen Wechselwirkungsbereiches (2) erstreckt, und wobei zwei oder mehr Kontaktelemente (6) vorgesehen sind, die jeweils mit wenigstens einem der aktiven Elemente (5) in Kontakt stehen.

3. 发明申请

WO2018150205A1 INTEGRATED PLASMO-PHOTONIC BIOSENSOR AND METHOD OF USE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018150205A1
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：PCT/GR2018/000007
申请日：2018-02-20
申请人： ARISTOTLE UNIVERSITY OF THESSALONIKI-RESEARCH COMMITTEE, E.L.K.E. , AMO GMBH GESELLSCHAFT FÜR ANGEWANDTE MIKRO- UND OPTOELEKTRONIC MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG)
发明人： PLEROS, Nikolaos , TSIOKOS, Dimitrios , NTAMPOS, Georgios , KETZAKI, Dimitra , GIESECKE, Anna-Lena
IPC分类号： G01N21/45 , G01N21/77
摘要： The invention relates to a device comprising a first optical Mach-Zehnder interferometric sensor (MZI1) with a large FSR, wherein a plasmonic waveguide (107) thin-film or hybrid slot, is incorporated as transducer element planar integrated on Si3N4 photonic waveguides and a second optical interferometric Mach-Zehnder (MZI2), both comprising thermo-optic phase shifters (104, 106) for optimally biasing said MZI sensor (MZI1) and MZI as variable optical attenuator VOA. It further comprises an overall chip (112), being remarkable in that it comprises a set of Photonic waveguides (103) with a high index silicon nitride strip (303, 603), which is sandwiched between a low index oxide substrate (Si02) and a low index oxide superstrate (LTO); Optical coupling structures (102, 109) at both ends of the sensor acting as the optical l/Os; an Optical splitter (102) and an optical combiner (109) for optical splitting at the first junction (102) of said first sensor (MZI1) and optical combining at the second junction (109) of said first MZI (MZI1); a variable optical attenuator (VOA) with said additional second MZI (MZI2), which is nested into said MZI1 (sensor)), deploying an optical splitter and an optical combiner for optical splitting at the first junction of said additional second MZI (MZI2), and optical combining at the second junction of said second MZI (MZI2); a set of Thermo-optic phase shifters (104, 106) to tune the phase of the optical signal in the reference arm (104, 106) of each said MZI (MZI1, MZI2-VOA); wherein Thermo-optic phase shifters are formed by depositing two metallic stripes parallel to each other on top of a section of the photonic waveguide and along the direction of propagation of light; and a plasmonic waveguide (107) in the upper branch (103) of said first MZI (MZI1), that confines light propagation through coupling to Surface Plasmon Polaritons (SPP) at the metal-analyte interface, and method associated thereto.

4. 发明申请

WO2018138275A1 METALL-ISOLATOR-GRAPHEN DIODE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018138275A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：PCT/EP2018/051976
申请日：2018-01-26
申请人： AMO GMBH
发明人： WANG, Zhenxing , NEUMAIER, Daniel , RIBEIRO, Mário, Alberto, Oliveira
IPC分类号： H01L45/00
摘要： Die Metall- Isolator-Graphen Diode besteht aus einer Metallelektrode (34), die eine Elektrodenfläche hat, einer Isolatorschicht (28), die mit einer ersten Hauptfläche (30) in flächigem Kontakt mit der Elektrodenfläche ist, und einer Graphenschicht (22), die eine Kontaktfläche (26) hat. Diese Kontaktfläche (26) ist in linienhaftem Kontakt mit einer zweiten, der Metallelektrode (34) gegenüber liegenden Hauptfläche (30, 32) der Isolatorschicht (28). Die Graphenschicht (22) weist mindestens eine zweidimensionale Monoschicht auf. Die Flächenebene der Graphenschicht (22) verläuft quer zu den Hauptflächen (30, 32).

5. 发明申请

WO2021151594A1 HALBLEITERVORRICHTUNG UND HALBLEITEREINRICHTUNG SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SOLCHER 审中-公开
公开(公告)号：WO2021151594A1
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：PCT/EP2020/087445
申请日：2020-12-21
申请人： GESELLSCHAFT FÜR ANGEWANDTE MIKRO- UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG - AMO GMBH
发明人： SCHALL, Daniel
IPC分类号： G02B6/132 , G02F1/035 , H01L31/09
摘要： Die vorliegende Anmeldung betrifft eine Halbleitervorrichtung umfassend einen Wafer (1) mit einem bevorzugt einteiligen Halbleiter-, insbesondere Siliziumsubstrat (2) und wenigstens einem integrierten elektronischen Bauteil (3), das sich in und/oder auf dem Halbleitersubstrat (2) erstreckt, wobei der Wafer (1) ein das oder wenigstens eines der integrierten elektronischen Bauteile (3) umfassendes Front-End-of-Line (5) und ein darüber liegendes Back-End-of-Line (6) aufweist, und eine auf der von dem Front-End-of-Line (5) abgewandten Oberseite (9) des Wafers (1) hergestellte photonische Plattform (8), die wenigstens einen Wellenleiter (12) und wenigstens eine elektro-optischen Einrichtung (15), insbesondere wenigstens einen Photodetektor und/oder wenigstens einen elektro-optischen Modulator, aufweist, wobei die oder wenigstens eine der elektro-optischen Einrichtungen (15) der photonischen Plattform (8) mit dem oder wenigstens einem der integrierten elektronischen Bauteile (3) des Wafers (1) verbunden ist.

6. 发明申请

WO2018150205A8 INTEGRATED PLASMO-PHOTONIC BIOSENSOR AND METHOD OF USE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018150205A8
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：PCT/GR2018/000007
申请日：2018-02-20
申请人： ARISTOTLE UNIVERSITY OF THESSALONIKI-RESEARCH COMMITTEE, E.L.K.E. , AMO GMBH GESELLSCHAFT FÜR ANGEWANDTE MIKRO- UND OPTOELEKTRONIC MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG)
发明人： PLEROS, Nikolaos , TSIOKOS, Dimitrios , NTAMPOS, Georgios , KETZAKI, Dimitra , GIESECKE, Anna Lena
IPC分类号： G01N21/45 , G01N21/77
摘要： The invention relates to a device comprising a first optical Mach-Zehnder interferometric sensor (MZI1) with a large FSR, wherein a plasmonic waveguide (107) thin-film or hybrid slot, is incorporated as transducer element planar integrated on Si3N4 photonic waveguides and a second optical interferometric Mach-Zehnder (MZI2), both comprising thermo-optic phase shifters (104, 106) for optimally biasing said MZI sensor (MZI1) and MZI as variable optical attenuator VOA. It further comprises an overall chip (112), being remarkable in that it comprises a set of Photonic waveguides (103) with a high index silicon nitride strip (303, 603), which is sandwiched between a low index oxide substrate (Si02) and a low index oxide superstrate (LTO); Optical coupling structures (102, 109) at both ends of the sensor acting as the optical l/Os; an Optical splitter (102) and an optical combiner (109) for optical splitting at the first junction (102) of said first sensor (MZI1) and optical combining at the second junction (109) of said first MZI (MZI1); a variable optical attenuator (VOA) with said additional second MZI (MZI2), which is nested into said MZI1 (sensor)), deploying an optical splitter and an optical combiner for optical splitting at the first junction of said additional second MZI (MZI2), and optical combining at the second junction of said second MZI (MZI2); a set of Thermo-optic phase shifters (104, 106) to tune the phase of the optical signal in the reference arm (104, 106) of each said MZI (MZI1, MZI2-VOA); wherein Thermo-optic phase shifters are formed by depositing two metallic stripes parallel to each other on top of a section of the photonic waveguide and along the direction of propagation of light; and a plasmonic waveguide (107) in the upper branch (103) of said first MZI (MZI1), that confines light propagation through coupling to Surface Plasmon Polaritons (SPP) at the metal-analyte interface, and method associated thereto.

7. 发明申请

WO2011036250A1 ELEKTROOPTISCHES BAUELEMENT, VERWENDUNG UND HERSTELLUNG DES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：电子光学组件，使用和部件的制造
公开(公告)号：WO2011036250A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/EP2010/064143
申请日：2010-09-24
申请人： RWTH AACHEN , GESELLSCHAFT FÜR ANGEWANDTE MIKRO- UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG - AMO GMBH , WÄCHTER, Markus , MATHEISEN, Christopher , NAGEL, Michael , KURZ, Heinrich , BOLTEN, Jens , WAHLBRINK, Thorsten
发明人： WÄCHTER, Markus , MATHEISEN, Christopher , NAGEL, Michael , KURZ, Heinrich , BOLTEN, Jens , WAHLBRINK, Thorsten
IPC分类号： G02F1/35 , G02F1/355 , H01L21/3065
CPC分类号： G02F1/3556 , B82Y20/00 , G02F1/353 , G02F2203/13 , H01L21/306
摘要： Die Erfindung betrifft ein elektrooptisches Bauelement (1, 2, 3, 4, 5, 6) - insbesondere Strahlungsquelle, Detektor und/oder Modulator - zur optischen Signalerzeugung, Modulation bzw. Detektion im Millimeterwellenlängenbereich, Terahertz (THz)-Frequenzbereich und/oder Infrarotbereich, mit einer Silizium und/oder Germanium basierten Anordnung (100, 200, 300, 400, 500, 600), vorzugsweise als Wellenleiteranordnung. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Silizium und/oder Germanium basierte Anordnung (100, 200, 300, 400, 500, 600) aufweist: ein Silizium- und/oder Germaniummaterial (102, 202, 302, 402, 502, 602) mit einer Oberfläche (101, 201, 301, 401, 501, 601 ); wobei die Oberfläche (101, 201, 301, 401, 501, 601 ) mit einer Halogenanreicherung chemisch modifiziert und mit dem Silizium- und/oder Germaniummaterial (102, 202, 302, 402, 502, 602) elektrooptisch aktiviert ist.
摘要翻译：本发明涉及的电光学元件（1，2，3，4，5，6） - 特别是辐射源，检测器和/或调制器 - 在毫米波长范围内，太赫兹频率范围内和/或红外区域中的光信号生成，调制或检测，用硅和/或锗基装置（100，200，300，400，500，600），优选作为波导装置。根据本发明，它提供的是，硅和/或锗基装置（100，200，300，400，500，600），其包括：一个硅和/或锗材料（102，202，302，402，502，602）与一表面（101，201，301，401，501，601）; 其中，所述表面（101，201，301，401，501，601）被化学地被卤素富集和与硅和/或锗材料（102，202，302，402，502，602）改性是电光激活。

8. 发明申请

WO2010091754A1 PHOTOLEITENDE MESSSPITZE, MESSAUFBAU UND VERWENDUNG DER PHOTOLEITENDEN MESSSPITZE UND/ODER DES MESSAUFBAUS 审中-公开
标题翻译：照片整理测量尖，测量安装和使用PHOTO官员的测定芯片和/或测量结构之间的
公开(公告)号：WO2010091754A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/EP2009/066721
申请日：2009-12-09
申请人： NAGEL, Michael , WÄCHTER, Markus , GESELLSCHAFT FÜR ANGEWANDTE MIKRO- UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG - AMO GMBH
发明人： NAGEL, Michael , WÄCHTER, Markus
IPC分类号： G01Q60/22 , G01N21/35 , H01L31/09 , H01Q9/00
CPC分类号： G01Q60/22 , G01N21/3581
摘要： Die Erfindung betrifft eine photoleitende Messspitze zur Felddetektion der elektrischen Komponente eines elektromagnetischen Feldes, mit einer Anordnung wenigstens eines Trägers und einer in lateraler Erstreckung auf dem Träger angeordneter, voneinander isolierten ersten Elektrode und zweiten Elektrode, die über ein photoleitendes Material im Bereich einer photoleitenden Lücke an einem distalen Ende miteinander verbunden sind, wobei wenigstens in einem das vordere Ende der Elektroden umfassenden vorderen Bereich der Anordnung eine laterale Begrenzungsstruktur der ersten und zweiten Elektrode, bezüglich einer Wellenlänge der elektrischen Komponente des zu detektierenden elektro-magnetischen Feldes nicht-wellenlängenangepasst ausgelegt ist, und sich zum distalen Ende hin verkleinert, wobei ein Maß der Verkleinerung stetig verläuft und die Anordnung eine laterale Abmessung am distalen Ende im Bereich der photoleitenden Lücke unterhalb 20 μm hat. Weiter betrifft die Erfindung einen Nahfeld- Messaufbau. Die Erfindung betrifft auch eine Verwendung der Nahfeld-Messspitze und/oder des Nahfeldmessaufbaus.
摘要翻译：本发明涉及一种光导的测量尖端场检测电磁场的电分量的，与在载体上的横向延伸的至少一个载波的配置和布置，相互绝缘的第一电极和在光电导间隙的区域连接到光导材料的第二电极被连接到彼此，其特征在于，至少在包括该装置的前部区域中的电极的前端，所述第一和第二电极相对于所述电部件的波长的横向限制结构被检测电磁场的远端是无波长调整设计和朝向远端，其中，所述减少的测量是连续减小，并且所述组件具有在小于20微米的光导电间隙的区域中的远侧端部的横向尺寸。本发明还涉及一种近场测量设置。本发明还涉及一种使用近场探头尖端和/或Nahfeldmessaufbaus的。

9. 发明申请

WO2010023227A1 VERBESSERTES NANOIMPRINT-VERFAHREN 审中-公开
标题翻译：改进方法纳米压印
公开(公告)号：WO2010023227A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/061005
申请日：2009-08-26
申请人： AMO GMBH , KOO, Namil , KIM, Jung Wuk , MOORMANN, Christian
发明人： KOO, Namil , KIM, Jung Wuk , MOORMANN, Christian
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufbringung einer strukturierten Beschichtung aus Resist (2a, 12a) auf eine Oberfläche eines Substrats (6, 16). Es umfasst wenigstens einen Prägeschritt, bei dem fließfähiges Resist (2, 12) jeweils zwischen einer strukturierten Oberfläche eines Stempels (1, 11) und einem Träger (3, 13) geprägt wird, um die Stempeloberfläche mit einer strukturierten Resistbeschichtung (2, 12) zu versehen, einen jeweils nachfolgenden Trennschritt, bei dem der Stempel mit einem ersten Teil (2a, 12a) der strukturierten Resistbeschichtung und der Träger mit einem zweiten Teil (2b, 12b) der Resistbeschichtung voneinander getrennt werden, einen nachfolgenden Transferschritt, bei dem der erste Teil (2a, 12a) der strukturierten Resistbeschichtung auf der Oberfläche des Stempels (1, 11) gegen die Oberfläche des Substrats (6, 16) gedrückt wird, um die strukturierte Resistbeschichtung (2a, 12a) auf die Oberfläche des Substrats (6, 16) zu übertragen, einen Härteschritt, bei dem der erste Teil (2a, 12a) der strukturierten Resistbeschichtung (2a, 12a) ausgehärtet wird sowie einen Entformungsschritt, bei dem der Stempel (1, 11) von dem ersten Teil (2a, 12a) der strukturierten Resistbeschichtung getrennt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在基板（6,16）的表面上施加抗蚀剂（图2a，12a）的图案化涂层。它包括至少一个压印步骤，与所述可流动的压花抗蚀剂（2，12）中的冲头（1，11）和支撑件（13 3）到印模表面与图案化的纹理化表面之间的每一个情况下的抗蚀剂涂层（2，12）以提供相应的随后的分离步骤，其中具有所述图案化的第一部分（2a，12a）的冲头抗蚀剂涂层和载体与第二部分（图2b，12b）的彼此，随后的转印步骤中分离的抗蚀剂涂层，在其中，所述第一图案化的部分（2a，12a）的抗蚀剂涂敷的冲头（1,11）相对于所述基板的所述表面的表面上的（6，16）被压向图案化的抗蚀剂涂层（2A，12A）（基片6，16的表面上要被发送），固化步骤，其中该图案化的第一部分（2a，12a）的抗蚀剂涂层（2A，12A）被固化和脱模步骤，其中，所述从图案化的第一部分（2a，12a）的标记（1，11）的抗蚀剂涂层被分离。

10. 发明申请

WO2021180464A1 PHOTODETEKTOR, MODULATOR, HALBLEITEREINRICHTUNG UND HALBLEITERVORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2021180464A1
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：PCT/EP2021/054457
申请日：2021-02-23
申请人： GESELLSCHAFT FÜR ANGEWANDTE MIKRO- UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG - AMO GMBH
发明人： SCHALL, Daniel
IPC分类号： G02F1/13
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Photodetektor (3) umfassend einen Längsabschnitt (12) eines Wellenleiters (11), der zwei sich in Längsrichtung und zumindest im Wesentlichen parallel zueinander erstreckende Wellenleitersegmente (12a, 12b), die bevorzugt in Querrichtung unter Bildung eines sich zwischen ihnen erstreckenden Spaltes (14) voneinander beabstandet sind, umfasst oder dadurch gebildet wird, und ein aktives Element (13), welches den Längsabschnitt (12) des Wellenleiters übergreift und wenigsten ein Material umfasst oder aus wenigstens einem Material besteht, das elektromagnetische Strahlung wenigstens einer Wellenlänge absorbiert und infolge der Absorption ein elektrisches Photosignal erzeugt, wobei die beiden Wellenleitersegmente (12a, 12b) jeweils an wenigstens einer Seite, insbesondere an der dem aktiven Element (14) zugewandten Seite zumindest abschnittsweise mit einer bevorzugt Silizium umfassenden oder aus Silizium bestehenden Gateelektrode (15a, 15b) in Kontakt stehen.

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