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1. 发明申请

WO2011043610A2 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 审中-公开
标题翻译：太阳能发电装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2011043610A2
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/KR2010/006870
申请日：2010-10-07
申请人： 엘지이노텍주식회사 , 최철환
发明人： 최철환
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/022425 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 다수 개의 제 1 중간층들; 상기 후면전극층 상에 배치되고, 상기 제 1 중간층들 사이에 각각 배치되는 다수 개의 제 2 중간층들; 상기 제 1 중간층들 및 상기 제 2 중간층들 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함한다.
摘要翻译：公开了一种光伏发电装置及其制造方法。一种光伏器件包括衬底; 设置在基板上的后电极层; 设置在后电极层上的多个第一中间层; 多个第二中间层，设置在后电极层上并分别设置在第一中间层之间; 设置在第一中间层和第二中间层上的光吸收层; 以及设置在光吸收层上的前电极层。

2. 发明申请

WO2011122853A2 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 审中-公开
标题翻译：太阳能光伏器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011122853A2
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：PCT/KR2011/002188
申请日：2011-03-30
申请人： 엘지이노텍주식회사 , 최철환
发明人： 최철환
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/02168 , H01L31/046 , H01L31/1888 , Y02E10/52
摘要： 태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치 돌기 패턴; 상기 돌기 패턴에 배치되며, 제 1 두께를 가지는 제 1 반사 방지막; 및 상기 돌기 패턴에 배치되며, 상기 제 1 두께보다 더 작은 제 2 두께를 가지는 제 2 반사 방지막을 포함한다.
摘要翻译：公开了一种太阳能光伏器件及其制造方法。太阳能光伏器件包括：背面电极层; 设置在背面电极层上的光吸收层; 设置在所述光吸收层上的突出图案; 第一防反射膜，其设置在突出图案上并具有第一厚度; 以及设置在突出图案上并具有小于第一厚度的第二厚度的第二防反射膜。

3. 发明申请

WO2012015149A2 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 审中-公开
标题翻译：用于使用太阳能产生电力的装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2012015149A2
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/KR2011/003100
申请日：2011-04-27
申请人： 엘지이노텍주식회사 , 최철환
发明人： 최철환
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/065 , H01L31/022466 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： 태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되고 제 1 산화물을 포함하는 제 1 윈도우층; 및 상기 제 1 윈도우층 상에 배치되고 상기 제 1 산화물보다 산소 조성비가 더 높은 제 2 산화물을 포함하는 제 2 윈도우층을 포함한다.
摘要翻译：公开了一种使用太阳能发电的装置及其制造方法。使用太阳能发电的装置包括：基板; 设置在基板上的反面电极层; 设置在所述反面电极层上的光吸收层; 设置在所述光吸收层上并包括第一氧化物的第一窗口层; 以及第二窗口层，其设置在所述第一窗口层上并且包括具有大于所述第一氧化物的氧的组成比的第二氧化物。

4. 发明申请

WO2012015151A2 태양전지 및 이의 제조방법 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2012015151A2
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/KR2011/003125
申请日：2011-04-27
申请人： 엘지이노텍주식회사 , 최철환
发明人： 최철환
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02168 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01L31/022483 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 태양전지가 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하며, 상기 윈도우층은 다수 개의 도전성 입자들을 포함한다. 도전성 입자들에 의해서, 윈도우층의 광학적 및 전기적인 특성이 향상된다.
摘要翻译：
太阳能电池启动。该太阳能电池包括衬底; 设置在基板上的背电极层; 设置在背电极层上的光吸收层; 以及设置在光吸收层上的窗口层，其中窗口层包括多个导电颗粒。导电颗粒改善了窗口层的光学和电学性能。

5. 发明申请

WO2011081385A2 트리클로로실란의 정제 방법 및 정제 장치 审中-公开
标题翻译：纯化三氯硅烷的方法和设备
公开(公告)号：WO2011081385A2
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/KR2010/009374
申请日：2010-12-27
申请人： 주식회사 엘지화학 , 최철환 , 이정석 , 최광욱 , 신준호 , 김동규
发明人： 최철환 , 이정석 , 최광욱 , 신준호 , 김동규
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10778 , B01D3/143
摘要： 본 발명은 트리클로로실란의 생성 반응의 반응 생성물로부터 트리클로로실란 및 테트라클로로실란을 주성분으로 하는 클로로실란 혼합물을 분리시키는 전처리 단계; 상기 클로로실란 혼합물을 미량의 불순물 및 트리클로로실란의 혼합물로 이루어진 제1상부 스트림과 테트라클로로실란을 주 성분으로 하는 제1하부 스트림으로 분리시키는 제1정제 단계; 상기 제1상부 스트림을 미량의 저비점의 불순물과 트리클로로실란의 혼합물로 이루어진 제2상부 스트림과, 미량의 고비점의 불순물과 트리클로로실란의 혼합물로 이루어진 제2하부 스트림으로 분리시키는 제2정제 단계; 및 상기 제2하부 스트림을 트리클로로실란을 주성분으로 하는 제3상부 스트림과, 미량의 고비점의 불순물 및 트리클로로실란 혼합물로 이루어진 제3하부 스트림으로 분리시키는 제3정제 단계를 포함하며, 이때, 상기 제3정제 단계는 상기 제2정제 단계보다 높은 압력 조건 하에서 수행되고, 상기 제2하부 스트림과 상기 제3상부 스트림 사이에 열 교환이 이루어지는 것을 특징으로 하는 트리클로로실란의 정제 방법을 제공한다.
摘要翻译：
本发明的分离的主要硅烷和从所得的三氯硅烷的反应的反应产物四氯硅烷的三氯硅烷组成的氯硅烷混合物的预处理步骤; 用于分离第一塔底第一纯化步骤，以流式传输的第一顶部物流和四氯硅烷选自氯硅烷混合物中杂质和三氯与硅烷为主要成分的混合物的微量; 第一塔顶料流分离成第二塔底料流包含第二顶部物流的第二纯化步骤，和高沸点的自由硅烷的混合物与硅烷的混合物与低沸点的少量的杂质和三氯乙烷少量的杂质和三氯乙烷。和分离所述第三顶部物流和由具有高沸点的少量的杂质和三氯乙烷的硅烷混合物为主要成分的三氯硅烷的第二底部物流的第三底部物流，其中的第三纯化步骤中，其中第三纯化步骤在比第二纯化步骤更高的压力条件下进行，并且在第二底部流和第三顶部流之间进行热交换。

6. 发明申请

WO2011040782A3 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2011040782A3
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/KR2010/006709
申请日：2010-09-30
申请人： 엘지이노텍주식회사 , 최철환
发明人： 최철환
IPC分类号： H01L31/042
摘要： 태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 합금층; 상기 합금층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함한다.

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