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1. 发明申请

WO2012133074A1 抵抗体および抵抗素子审中-公开
标题翻译：电阻和电阻元件
公开(公告)号：WO2012133074A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2012/057260
申请日：2012-03-22
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬　左京
IPC分类号： H01C7/00 , H01C7/04 , H01C7/18
CPC分类号： H01C7/18 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/047 , H01C17/12
摘要：　比較的任意の温度で、ある程度の温度幅をもって、大きな抵抗変化率を示す、抵抗素子を提供する。　抵抗素子（１）は、ＶＯ２を主成分とし、かつ、Ｗ、Ｎｂ、ＭｏおよびＴｉの少なくとも１種を添加元素として含む、薄膜からなる抵抗体（３）を備える。薄膜は、複数の層状領域（４，５）をその厚み方向に分布させていて、これら層状領域（４，５）は、隣り合うものの間で、上記添加元素の添加量が互いに異ならされている。抵抗体（３）の複数の層状領域（４，５）を横切る電流が流れるように、端子電極（６，７）が設けられる。好ましくは、複数の層状領域（４，５）の分布間隔が、８ｎｍ以上かつ３５ｎｍ以下に選ばれる。
摘要翻译：提供了一种电阻元件，其在相对任何温度下具有一定温度范围并且具有高电阻变化率。电阻元件（1）具有电阻体（3），该电阻体由以VO2为主要成分的薄膜形成，并含有W，Nb，Mo，Ti中的至少一种作为添加元素。薄膜具有沿其宽度方向分布的多个层状区域（4,5），并且相邻的层状区域（4,5）中添加的元素的量彼此不同，。端子电极（6,7）设置成电流流过电阻器（3）的多个层状区域（4,5）。优选地，选择8〜35nm作为多个层状区域（4,5）的分布间隔。

2. 发明申请

WO2010095295A1 抵抗記憶素子およびその使用方法审中-公开
标题翻译：电阻记忆元件及其使用
公开(公告)号：WO2010095295A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/JP2009/065633
申请日：2009-09-08
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬　左京
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1233 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L27/101 , H01L45/147
摘要：　抵抗変化率が大きく、かつ優れたメモリー効果を有する、抵抗記憶素子を提供する。　素体（２）と、素体（２）の少なくとも一部を介して対向する少なくとも１対の電極（３，４）とを備える、抵抗記憶素子（１）であって、素体（２）は、一般式：Ｔｉ１－ｘＭｘＯ２（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕのうちの少なくとも１種。０．００５≦ｘ≦０．０５）で示される組成を有する、多結晶体としての酸化物半導体から構成される。第１の電極（３）は、素体（２）との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料から構成され、第２の電極（４）は、第１の電極（３）と比較して、素体（２）に対してよりオーミックな接合が得られる材料から構成される。
摘要翻译：公开了具有高电阻变化率和优异记忆效应的电阻式存储元件。具体公开的是一种电阻式存储元件（1），其包括元件体（2）和至少一对电极（3,4），它们通过元件体（2）的至少一部分彼此面对。元件体（2）由具有以下通式表示的组成的多晶氧化物半导体形成：Ti1-xMxO2（其中M表示Fe，Co，Ni和Cu中的至少一种，x满足0.005 = x = 0.05）。第一电极（3）由能够形成肖特基势垒的材料形成，该肖特基势垒可以在与元件体（2）的界面区域具有整流性和电阻变化特性。第二电极（4）由与第一电极（3）相比能够与元件体（2）获得更多欧姆结的材料形成。

3. 发明申请

WO2010107073A1 磁気インピーダンス素子およびそれを用いた磁気センサ审中-公开
标题翻译：磁阻元件和使用相同的磁传感器
公开(公告)号：WO2010107073A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/JP2010/054588
申请日：2010-03-17
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬　左京
IPC分类号： H01L43/00 , G01R33/02
CPC分类号： G01R33/063
摘要：　室温以上で大きな磁気インピーダンス効果を得ることが可能な磁気インピーダンス素子を提供するために、磁気インピーダンス素子は、化学式がＳｒ 2-x Ｂａ x Ｆｅ y Ｍｏ z Ｏ 6 （０．８≦ｘ≦２．０，ｙ+ｚ＝２）で示されるセラミックス素体（３）と、セラミックス素体（３）の両側に設けられた少なくとも２つの電極端子（１，２）とを備える。
摘要翻译：能够在室温以上获得大的磁阻效应的磁阻抗元件。磁阻抗元件设置有由化学式Sr2-xBaxFeyMozO6（0.8 = x = 2.0，y + z = 2）表示的陶瓷体（3），以及设置在两端的至少两个电极端子（1,2）陶瓷体（3）的端部。

4. 发明申请

WO2010095296A1 抵抗記憶素子およびその使用方法审中-公开
标题翻译：电阻记忆元件及其使用
公开(公告)号：WO2010095296A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/JP2009/065634
申请日：2009-09-08
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬　左京
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/147 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/06 , H01L45/1233
摘要：　抵抗変化率が大きく、かつ優れたメモリー効果を有する、抵抗記憶素子を提供する。　素体（２）と、素体（２）の少なくとも一部を介して対向する少なくとも１対の電極（３，４）とを備える、抵抗記憶素子（１）であって、素体（２）は、一般式：（Ｂａ１－ｘＳｒｘ）Ｔｉ１－ｙＭｙＯ３（Ｍは、Ｍｎ、ＦｅおよびＣｏのうちの少なくとも１種。０≦ｘ≦１．０かつ０．００５≦ｙ≦０．０５）で示される組成を有する酸化物半導体から構成される。第１の電極（３）は、素体（２）との界面領域において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成し得る材料から構成され、第２の電極（４）は、第１の電極（３）と比較して、素体（２）に対してよりオーミックな接合が得られる材料から構成される。
摘要翻译：公开了具有高电阻变化率和良好记忆效应的电阻式存储元件。具体公开的是一种电阻式存储元件（1），其包括元件体（2）和至少一对通过元件体（2）的至少一部分彼此面对的电极（3,4）。元件体（2）由具有由以下通式表示的组成的氧化物半导体形成：（Ba1-xSrx）Ti1-yMyO3（其中M表示Mn，Fe和Co中的至少一种，x满足0 = x = 1.0，y满足0.005 = y = 0.05）。第一电极（3）由能够形成肖特基势垒的材料形成，该肖特基势垒可以在与元件体（2）的界面区域具有整流性和电阻变化特性。第二电极（4）由与第一电极（3）相比能够与元件体（2）获得更多欧姆结的材料形成。

5. 发明申请

WO2011052518A1 抵抗素子、赤外線センサおよび電気機器审中-公开
标题翻译：电感元件，红外光传感器和电气设备
公开(公告)号：WO2011052518A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/JP2010/068806
申请日：2010-10-25
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬　左京
IPC分类号： G01J5/20 , H01C7/04
CPC分类号： H01C7/043 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/20 , H01C17/06533
摘要：　たとえば赤外線センサにおいて用いられる負の温度係数を有する抵抗素子について、任意の温度で大きな抵抗変化を実現し得るようにする。　ＲＢａＭｎ 2 Ｏ 6 （Ｒは、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹから選ばれる少なくとも１種。）で示される酸化物導電体を主成分とし、負の温度係数を有する素体（２）と、素体（２）の表層部（７）に電界を印加するために設けられる、１対の電極（３，４）とを備える、抵抗素子（５）を、たとえば赤外線センサ（１）において使用するとき、素体（２）に電界強度１００Ｖ／ｃｍ以上の電界を印加した際に素体（２）の抵抗に相関する素体（２）に流れる電流を測定するようにして、赤外線を検出する。
摘要翻译：公开了一种具有负温度系数的电阻元件，其用于例如红外光传感器中并且能够在任意温度下产生大的电阻变化。具体公开的是一种电阻元件（5），它包括：主要由由RBaMn2O6表示的氧化物导体（其中R表示选自Nd，Sm，Eu，Gd，Tb， Dy，Ho和Y），具有负温度系数; 以及为了向元件体（2）的表面部分（7）施加电场而设置的一对电极（3,4）。例如，当在红外光传感器（1）中使用电阻元件（5）时，通过根据元件体（2）的电阻来测量流过元件体（2）的电流来感测红外光，对元件体（2）施加场强不小于100V / cm的电场。

6. 发明申请

WO2008123139A1 抵抗記憶素子审中-公开
标题翻译：电阻记忆元件
公开(公告)号：WO2008123139A1
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：PCT/JP2008/055272
申请日：2008-03-21
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬左京
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01C7/10 , H01C7/1006 , H01C7/18 , H01C17/06533 , H01L45/04 , H01L45/147 , H01L45/1608
摘要：　スイッチング電圧が比較的高く、かつ比較的高い抵抗変化率を実現できる、抵抗記憶素子を提供する。　素体（２）と、素体（２）の少なくとも一部を介して対向する対向電極（３，４）とを備え、素体（２）は、一般式：{（Ｓｒ１－ｘＭｘ）１－ｙＡｙ }（Ｔｉ１－ｚＢｚ）Ｏ３（Ｍは、ＢａおよびＣａの少なくとも一方。Ａは、Ｙおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素。Ｂは、ＮｂおよびＴａの少なくとも一方。）で表され、かつ、０＜ｘ≦０．５のとき、０．００１≦ｙ＋ｚ≦０．０２（ただし、０≦ｙ≦０．０２、０≦ｚ≦０．０２）、０．５＜ｘ≦０．８のとき、０．００３≦ｙ＋ｚ≦０．０２（ただし、０≦ｙ≦０．０２、０≦ｚ≦０．０２）、および０．８＜ｘ≦１．０のとき、０．００５≦ｙ＋ｚ≦０．０１（ただし、０≦ｙ≦０．０２、０≦ｚ≦０．０２）という条件を満たす半導体セラミックからなる。
摘要翻译：公开了一种电阻存储元件，其具有相对高的开关电压并且可以实现相对较高的电阻变化率。电阻存储元件包括通过至少一部分基材（2）彼此相对的基底材料（2）和相对的电极（3,4），其中基底材料（2）包括半导体陶瓷材料由以下通式表示：{（Sr 1-x M x x）1-y A y（x）其中M表示Ba或Ca中的至少一种;其中M表示Ba或Ca中的至少一种; A表示选自Y和稀土元素中的至少一种元素; 并且B表示Nb和Ta中的至少一种]，并且其中x，y和z满足以下要求：当0

7. 发明申请

WO2004019350A1 バリスタ用磁器組成物及びバリスタ审中-公开
标题翻译：用于变压器和变压器的PORCELAIN组合物
公开(公告)号：WO2004019350A1
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：PCT/JP2003/010280
申请日：2003-08-13
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京 , 中山晃慶 , 白露幸祐
发明人：廣瀬左京 , 中山晃慶 , 白露幸祐
IPC分类号： H01C7/10
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3244 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/6025 , H01C7/044 , H01C7/112 , H01C17/06546
摘要：　酸化亜鉛を主成分とし、副成分として、プラセオジムを全体の０．０５～３．０原子％、コバルトを全体の０．５～１０原子％、カリウム、ナトリウム及びリチウムのうち少なくとも１種を総量で全体の０．００５～０．５原子％、アルミニウム、ガリウム及びインジウムのうち少なくとも１種を総量で全体の２×１０ −５～０．５原子％、及び、ジルコニウムを全体の０．００５～５．０原子％の範囲で含むバリスタ用磁器組成物を用いて、低電圧駆動に対応でき、漏れ電流が小さく、高ＥＳＤ耐量及び高サージ耐量を実現し得るバリスタを提供する。
摘要翻译：一种用于包含氧化锌作为主要成分的压敏电阻的瓷组合物，并且还包含作为辅助成分的0.05至3.0原子％，相对于总量为0.5至10原子％的镨的总量为钴， 0.005〜0.5原子％，相对于钾，钠和锂中的至少一种，总和的2×10 -5至0.5原子％铝，镓和铟中的一种，基于锆的总量为0.005〜5.0原子％。该陶瓷组合物能够提供能够应对低电压驱动的变阻器，显示出减小的漏电流并且能够实现高ESD电阻和高浪涌电阻。

8. 发明申请

WO2012056797A1 半導体セラミックおよび抵抗素子审中-公开
标题翻译：半导体陶瓷和电阻元件
公开(公告)号：WO2012056797A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/JP2011/068850
申请日：2011-08-22
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬　左京
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01L29/66 , H01C7/04 , H01C7/043
摘要：　突入電流耐性に優れ、定常状態での発熱を抑制し得る抵抗素子を提供する。　抵抗素子（１）の素子本体（２）を、主成分が化学式Ｒ１１－ｘＲ２ｘＢａＭｎ２Ｏ６で示される構造を有する半導体セラミックで構成する。Ｒ１がＮｄ、Ｒ２がＳｍ、ＥｕおよびＧｄのうちの少なくとも１種であるとき、ｘが０．０５≦ｘ≦１．０。Ｒ１がＮｄ、Ｒ２がＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹのうちの少なくとも１種であるとき、０．０５≦ｘ≦０．８。Ｒ１がＳｍ、ＥｕおよびＧｄのうちの少なくとも１種、Ｒ２がＴｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹのうちの少なくとも１種であるとき、０≦ｘ≦０．４。Ｒ１がＳｍ、ＥｕおよびＧｄのうちの少なくとも１種からなり、Ｒ２がＳｍ、ＥｕおよびＧｄのうちのＲ１として選ばれなかった残りの少なくとも１種からなるとき、０≦ｘ≦１．０。
摘要翻译：能够很好地抵抗浪涌电流的电阻元件，从而使稳态发热最小化。所述电阻元件（1）的主体（2）包括半导体陶瓷，其结构的主要成分由化学式R11-xR2xBaMn2O6表示。当R1表示钕时，R2表示钐，铕和钆中的至少一种，x满足0.05 = x = 1.0。当R1表示钕，R2表示铽，镝，钬，铒和钇中的至少一种时，x满足0.05 = x = 0.8。当R1表示钐，铕和钆中的至少一种，R 2表示铽，镝，钬和钇中的至少一种时，x满足0 = x = 0.4。当R 1包含钐，铕和钆中的至少一种时，R 2包括对于R1不选择钐，铕和钆中的至少一种，x满足0 = x = 1.0。

9. 发明申请

WO2012056796A1 半導体セラミックおよび抵抗素子审中-公开
标题翻译：半导体陶瓷和电阻元件
公开(公告)号：WO2012056796A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/JP2011/068849
申请日：2011-08-22
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬　左京
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/04 , C04B35/016 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3263 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , H01C7/008 , H01C7/043 , H01C17/06533
摘要：　表面実装可能な小型のチップ状のものであっても、突入電流耐性に優れた抵抗素子を提供する。　抵抗素子（１）の素子本体（２）を、主成分が、化学式（Ｎｄ１－ｘＭｘ）ｙＢａｚＭｎ２Ｏ６（Ｍは希土類元素であるＳｍ、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹから選ばれる少なくとも１種）で示されるＭｎ化合物で構成され、上記化学式において、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ、０．０５≦ｘ≦０．４、０．８０≦ｙ≦１．２および０．８０≦ｚ≦１．２の条件を満たす、半導体セラミックで構成する。
摘要翻译：甚至以小表面安装芯片形式的电阻元件能够很好地承受涌流。所述电阻元件（1）的主体（2）包括半导体陶瓷，其主要由化学式（Nd1-xM x）y Ba z Mn 2 O 6表示的锰化合物（其中M表示至少一种稀土选自钐，钆，铕，铽，镝，钬，铒和钇的元素），其中x，y和z满足条件0.05 = x = 0.4,0.80 = y = 1.2，0.80 = z = 1.2 ，分别。

10. 发明申请

WO2010147073A1 抵抗スイッチング・メモリー素子审中-公开
标题翻译：电阻开关存储器件
公开(公告)号：WO2010147073A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/JP2010/060019
申请日：2010-06-14
申请人：株式会社村田製作所 , 廣瀬左京
发明人：廣瀬　左京
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L29/8615 , H01L27/101 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/147
摘要：　２個の電極しか備えない抵抗スイッチング・メモリー素子では、制御電圧を印加することにより抵抗状態を変化させる場合と、電流や信号を流すための駆動電圧を印加する場合との双方において、２個の電極を共通して使用しなければならないため、制御電圧印加時には、電極を電流ラインまたは信号ラインから一時的に切断する必要があるという煩雑さに遭遇する。　抵抗スイッチング・メモリー素子（１１）に第１ないし第３の電極（１３～１５）を設ける。第１の電極（１３）は、酸化物半導体（１２）との界面（１７）において整流性と抵抗変化特性とを発現し得るショットキー障壁を形成する。第３の電極（１５）は、酸化物半導体（１２）に対してオーミック接合が得られる材料からなる。制御電圧は第１および第２の電極（１３，１４）間に印加され、駆動電圧は第１および第３の電極（１３，１５）間に印加されるようにする。
摘要翻译：在仅设置有两个电极的电阻式开关存储器件中，通过施加控制电压来改变电阻状态的两种情况之间共用这两个电极，并且用于提供电流或信号的驱动电压被申请;被应用。因此，当施加控制电压时，出现必须暂时断开电极与电流线或信号线的麻烦。第一至第三电极（13至15）提供给电阻式开关存储器件（11）。第一电极（13）形成可以在第一电极（13）和氧化物半导体（12）之间的界面（17）中产生整流性和电阻变化特性的肖特基势垒。第三电极（15）由能够使第三电极（15）与氧化物半导体（12）发生欧姆接触的材料制成。在第一和第二电极（13和14）之间施加控制电压，并且在第一和第三电极（13和15）之间施加驱动电压。

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