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1. 发明申请

WO2013114892A1 Ｒ－Ｔ－Ｂ－Ｇａ系磁石用原料合金およびその製造方法审中-公开
标题翻译： R-T-B-Ga系磁体材料合金及其制造方法
公开(公告)号：WO2013114892A1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/JP2013/000568
申请日：2013-02-01
申请人：中電レアアース株式会社
发明人：佐口　明彦 , 禰宜　教之 , 米村　光治
IPC分类号： B22F1/00 , C22C38/00 , H01F1/057
CPC分类号： H01F1/0571 , B22F1/0007 , B22F1/0055 , B22F3/24 , B22F9/04 , B22F2003/248 , B22F2201/10 , B22F2201/20 , B22F2301/355 , C22C33/0278 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005
摘要：Ｒ－Ｔ－Ｂ－Ｇａ系磁石用原料合金（但し、ＲはＹを含む希土類元素のうち少なくとも１種、ＴはＦｅを必須とする１種以上の遷移元素である）において、主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ相３と、Ｒが濃縮されたＲリッチ相（１および２）とを含み、Ｒリッチ相内の非結晶相１におけるＧａ含有率（質量％）が、Ｒリッチ相内の結晶相２におけるＧａ含有率（質量％）よりも高くすることにより、原料として用いた希土類磁石において磁気特性を向上できるとともに、磁気特性のバラツキを低減できる。チル晶の形成およびα－Ｆｅの晶出を抑制するため、Ｒ－Ｔ－Ｂ－Ｇａ系磁石用原料合金の平均厚みが０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であるのが好ましい。
摘要翻译：一种RTB-Ga基磁体材料合金（其中R为至少一种包括Y的稀土类元素，T为至少一种需要Fe的过渡元素），其中该合金包括R2T14B相（3）为通过使富R相中的非晶相（1）的Ga含量比（质量％）比Ga更高，其中R浓缩的主相和富R相（1和2）在富R相中的结晶相（2）的含有比例（质量％）可以提高作为材料的稀土类磁铁的磁特性，降低磁性方差。为了最小化冷却晶体的形成和α-Fe结晶，优选R-T-B-Ga系磁铁材料合金的平均厚度不小于0.1mm且不大于1.0mm。

2. 发明申请

WO2013111573A1 希土類系合金片の製造方法审中-公开
标题翻译：生产稀土基合金薄膜的方法
公开(公告)号：WO2013111573A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/JP2013/000298
申请日：2013-01-23
申请人：中電レアアース株式会社
发明人：佐々木　英雄
IPC分类号： B22D11/06 , B22D11/00 , B22D11/11
CPC分类号： B22F9/08 , B22D11/00 , B22D11/0611 , B22D11/11 , B22F1/0055 , B22F2301/45
摘要：原料を加熱してＲ－Ｔ－Ｂ系合金溶湯とし、この溶湯を急冷ロールに供給して凝固させることによりインゴットを鋳造するにあたり、急冷ロールの表面における算術平均粗さＲａおよび凹凸の平均間隔Ｓｍのうちの少なくとも一方に応じて溶湯の温度を調整し、得られる合金片の結晶組織におけるＲ－リッチ相間隔を目標値に制御することにより、急冷ロールの消耗に起因して得られる合金片の結晶組織がばらつくのを抑制できる。算術平均粗さＲａおよび凹凸の平均間隔Ｓｍのうちの少なくとも一方に応じて溶湯の温度を調整する際、Δｔ＝－７×（｜ΔＲａ｜×｜ΔＳｍ｜）０．５／αにより溶湯の温度を調整するのが好ましい。ここで、Δｔは溶湯温度の調整量（℃）、ΔＲａは算術平均粗さＲａの変化量（μｍ）、ΔＳｍは凹凸の平均間隔Ｓｍの変化量（μｍ）、αは相関係数である。
摘要翻译：当通过加热起始材料以形成熔融的RTB基合金并通过将熔融合金固化为快速冷却辊的结果来铸造锭时，可以抑制所获得的合金片的晶体结构的变化由于通过根据快速冷却辊的表面的算术平均粗糙度（Ra）和/或凹凸之间的平均间隔（Sm）调节熔融合金的温度，并且通过将获得的合金片的晶体结构中的富R相的间隔控制为目标值。当根据算术平均粗糙度（Ra）和/或凹凸之间的平均间隔（Sm）调节熔融合金的温度时，优选根据等式Deltat调节熔融合金的温度 = -7×（| DeltaRa |×| DeltaSm |）0.5 /α，其中Deltat表示调节熔融合金的温度的程度（℃），ΔRa表示算术平均粗糙度（Ra）变化时，DeltaSm表示凹凸和凹凸之间的平均间隔（Sm）变化的量（mum），α表示相关系数。

3. 发明申请

WO2012153544A1 合金片製造装置およびそれを用いた希土類系磁石用原料合金片の製造方法审中-公开
标题翻译：合金生产装置及其制造方法，用于稀土磁体的原材料合金
公开(公告)号：WO2012153544A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/JP2012/003106
申请日：2012-05-11
申请人：中電レアアース株式会社 , 山本和寛 , 渡部繁治
发明人：山本　和寛 , 渡部　繁治
IPC分类号： B22F1/00 , B22F9/04
CPC分类号： B22F1/0085 , B22F1/0055 , B22F9/04 , H01F1/0571
摘要：供給される合金片の合金結晶組織を所望の状態に制御する結晶制御手段（２）と、結晶制御手段（２）から排出された合金片を冷却する冷却手段（３）と、これらを減圧または不活性ガス雰囲気に維持するチャンバーとを備えた合金片製造装置（１）であって、結晶制御手段（２）が、円筒形であって供給される合金片を加熱する回転式加熱用ドラム（２１）と、加熱用ドラム（２１）の内壁側に供給された合金片を貯留するか、または排出するかを切り換える切換手段（２３）とを有することにより、インゴットを破砕した直後の合金片に長時間にわたる熱処理を均一に施すことができる。加熱用ドラム（２１）は、その回転に伴って内壁側に供給された合金片を掻き上げる掻き上げ羽根板（２２）を有するのが好ましい。
摘要翻译： 1.一种合金片制造装置（1），其特征在于，包括：以期望的状态控制所提供的合金片的合金晶体结构的结晶度控制装置（2）冷却从结晶性控制装置（2）排出的合金片的冷却装置（3）; 以及将其保持在减压或惰性气体气氛中的室。因为结晶度控制装置（2）具有：具有圆柱形状的旋转式加热鼓（21）并且加热所供应的合金件，因此热处理可以在锭被压碎之后立即均匀地施加到合金片上 ; 以及切换装置（23），其在供给到加热鼓（21）的内壁侧的合金片的保持和排出之间切换。加热滚筒（21）希望具有刷上刮板（22），该刮板将加热滚筒（21）的旋转的内壁侧的合金片刷上。

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