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    • 1. 发明申请
    • PROJEKTIONSOPTIK FÜR DIE MIKROLITHOGRAFIE MIT INTENSITÄTS-KORREKTUREINRICHTUNG
    • 投影镜头与强度校正FACILITY微光刻
    • WO2009135556A1
    • 2009-11-12
    • PCT/EP2009/001684
    • 2009-03-10
    • CARL ZEISS SMT AGFIOLKA, Damien
    • FIOLKA, Damien
    • G03F7/20G02B27/00
    • G03F7/70308G02B27/0025G03F7/70083G03F7/70216
    • Eine Projektionsoptik (8) für die Mikrolithografie dient zur Abbildung eines Objektfeldes (5) in einer Objektebene (6) in ein Bildfeld in einer Bildebene (10). Eine Intensitäts-Korrektureinrichtung (25; 32; 35; 36) dient zur Korrektur einer Intensitätsbeaufschlagung einer Feldbeleuchtung. Die Intensitäts-Korrektureinrichtung (25; 32; 35; 36) ist im Bereich mindestens einer Korrektur-Feldebene (23, 24, 10) der Projektionsoptik (8) angeordnet. Die Korrektur-Feldebene ist der Objektebene (6) nachgeordnet. Es resultiert eine Projektionsoptik, bei der eine Korrektur von unerwünschten Variationen von Beleuchtungsparametern, insbesondere eine Korrektur einer unerwünschten Variation einer FeId-Beleuchtungsintensitätsverteilung, möglich ist.
    • 的投影光学系统(8)的用于微光刻用于在图像平面(10)中的对象平面(6)对对象成像的场(5)转换成的像场。 强度校正装置(25; 32; 35; 36)用于校正一个Intensitätsbeaufschlagung一个场照明。 强度校正装置(25; 32; 35; 36)是在布置在投射光学系统中的至少一个校正场平面(23,24,10)的范围内(8)。 校正场平面物体面(6)下游。 这导致投影光学系统,其中的照明参数不必要的变化的修正,特别是FEID照明强度分布的不期望的变化的校正是可能的。