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    • 86. 发明申请
    • 光センサ及び該光センサを備えた液晶パネル
    • 光学传感器和配有光学传感器的液晶面板
    • WO2012046628A1
    • 2012-04-12
    • PCT/JP2011/072390
    • 2011-09-29
    • シャープ株式会社高岩 徳寿藤原 正弘
    • 高岩 徳寿藤原 正弘
    • H01L31/10G02F1/1333G02F1/1335G02F1/135
    • H01L27/14643G02F1/13338G02F1/1354H01L31/022408H01L31/105H01L31/1055H01L31/1133
    •  フォトダイオードの順方向と平行な方向における真性半導体領域の実質的な長さが短くても、受光面積を確保して、光検出感度を向上させることができる、新規な構造の光センサ及び該光センサを備えた液晶パネルを提供することを、目的とする。p型半導体領域(28p)と真性半導体領域(28i)とn型半導体領域(28n)とを有する半導体膜(28)を備えるフォトダイオード(26)と、真性半導体領域(28i)の上方に形成されて、負の電圧が印加される第一のゲート配線(38a)と、真性半導体領域(28i)の上方に形成されて、正の電圧が印加される第二のゲート配線(38b)とを備えており、真性半導体領域(28i)の上方において、第一のゲート配線(38a)と第二のゲート配線(38b)との間に所定の隙間が形成されている。
    • 本发明的目的是提供:具有新颖结构的光学传感器,其中可以确保光接收表面积,因此即使在本发明的本征半导体区域的实质长度 平行于光电二极管正向的方向很短; 以及配备有该光学传感器的液晶面板。 光传感器包括光电二极管(26),其包括由p型半导体区域(28p),本征半导体区域(28i)和n型半导体区域(28n)组成的半导体膜(28),第一栅极 形成在本征半导体区域(28i)上方并且施加负电压的布线(38a)和形成在本征半导体区域(28i)上方的第二栅极布线(38b) 施加电压,其中在本征半导体区域(28i)之上的第一栅极布线(38a)和第二栅极布线(38b)之间形成给定的空隙。
    • 87. 发明申请
    • 表示装置
    • 显示设备
    • WO2011145507A1
    • 2011-11-24
    • PCT/JP2011/060921
    • 2011-05-12
    • シャープ株式会社臼倉 奈留杉田 靖博田中 耕平加藤 浩巳根本 紀
    • 臼倉 奈留杉田 靖博田中 耕平加藤 浩巳根本 紀
    • G06F3/041G02F1/133G02F1/135G06F3/042G09F9/00G09F9/30G09G3/20G09G3/34G09G3/36
    • G06F3/0416G06F3/0412G06F3/042
    •  個々の光検出素子のばらつきを補償しつつ、光センサのダイナミックレンジを広く確保できる表示装置を提供する。1フレーム期間の動作モードとして、センサ信号を得るためのセンサ駆動モードと、第1の補正用データを取得する第1の補正用データ取得モードと、第2の補正用データを取得する第2の補正用データ取得モードとを有する光センサ付きの表示装置である。この表示装置は、周囲環境を所定の条件に制御した状態で前記3つのモードのそれぞれで前記光センサを駆動して得られた光センサ信号レベルを、オフセット解消用データとして記憶したメモリをさらに備える。信号処理回路が、前記第1の補正用データおよび前記第2の補正用データと、前記オフセット解消用データにより補正された信号レベルとを用いて、前記センサ駆動モード時の光センサ信号を補正する。
    • 公开了具有高动态范围的光传感器的显示装置,其中补偿各个光检测元件之间的变化。 所述装有传感器的显示装置具有以下单帧操作模式:用于获得传感器信号的传感器驱动模式; 用于获取第一校正数据的第一校正数据获取模式; 以及用于获取第二校正数据的第二校正数据获取模式。 显示装置还具有存储偏移去除数据的存储器,该偏移去除数据包括通过将上述三种模式中的每一种驱动上述光传感器而获得的光传感器信号电平,其中周围环境被控制到规定条件。 信号处理电路使用第一校正数据,第二校正数据和通过偏移消除数据校正的信号电平来校正来自上述传感器驱动模式的光传感器信号。
    • 88. 发明申请
    • 表示装置
    • 显示设备
    • WO2011065555A1
    • 2011-06-03
    • PCT/JP2010/071319
    • 2010-11-30
    • シャープ株式会社臼倉 奈留加藤 浩巳
    • 臼倉 奈留加藤 浩巳
    • G06F3/041G02F1/133G02F1/1333G02F1/135G06F3/042
    • G06F3/0412G02F1/13318G02F1/133603G06F3/0416G06F3/042G09G3/3406G09G3/3648G09G2310/0237
    •  光環境に依存しない入力機能を有する表示装置を提供するために、指定された検知期間では光を検知し、それ以外では検知した光量を保持するセンサ画素回路を画素領域に複数個ずつ配置する。センサ画素回路を用いた入力を行うフレームでは、バックライトを1フレーム期間に1回所定時間だけ点灯させて、1フレーム期間に1回ずつ第1の検知期間A1と第2の検知期間A2を設定する。差分回路を用いて、第1の検知期間A1における光量と第2の検知期間A2における光量との差を求める。第1の検知期間A1の最初はバックライトを消灯した状態とし、第1の検知期間A1の途中の時刻tBLにおいて、バックライトの点灯を開始する。
    • 公开了具有独立于照明环境的输入功能的显示装置,其中在不检测时检测特定检测周期并保持检测到的光量的多个传感器像素电路被布置在 像素区域。 在传感器像素电路用于输入的帧中,每帧周期只有一个背光源点亮一段预定的持续时间,并且每帧周期分别设置第一检测周期(A1)和第二检测周期(A2)。 使用差分电路来确定第一检测周期(A1)中的光量与第二检测周期(A2)中的光量之差。 背光源在第一检测周期(A1)开始时关闭,并且在第一检测周期(A1)期间一次点亮(tBL)。
    • 89. 发明申请
    • フォトダイオードおよびその製造方法、表示パネル用基板、表示装置
    • 用于其的光电及其制造方法,用于显示面板的基板和显示装置
    • WO2011065057A1
    • 2011-06-03
    • PCT/JP2010/062094
    • 2010-07-16
    • シャープ株式会社加藤 純男
    • 加藤 純男
    • H01L31/10G02F1/1333G02F1/135G02F1/1368
    • H01L31/101G02F1/13338G02F1/1368G02F2001/136245G02F2201/58H01L27/14632H01L27/14678H01L27/14692
    •  第3の半導体層(14)は、第2の半導体層(13)の受光面(13a)と平面視において少なくとも一部が重なるように、第2の半導体層(13)の受光面(13a)に形成されており、第1の半導体層(10)は、受光面(13a)および第3の半導体層(14)と平面視において少なくとも一部が重なるように、第2の半導体層(13)における受光面(13a)の対向面に形成されており、第2の半導体層(13)は、光の各波長における相対的な受光感度が赤外線領域のある波長において最高値を有する。したがって、検出対象物に照射する赤外線領域の光の強度を上げずに、上記赤外線領域の光でフォトダイオードのセンシングをしたとしても、受光データのノイズに対する比であるS/N比が高く、検出精度の高いフォトダイオードを実現できる。
    • 第三半导体层(14)形成在第二半导体层(13)的光接收表面(13a)上,使得至少一个部分与第二半导体层(13)的光接收表面(13a)重叠在平面 视图。 第一半导体层(10)形成在第二半导体层(13)的与光接收表面(13a)相对的表面上,使得至少一个部分与光接收表面(13a)和第三半导体层 14)在平面视图中。 在第二半导体层(13)中,对于红外范围的波长,相对入射光灵敏度为最大值。 因此,即使利用红外范围的光进行光电二极管的感测,也可以在不增加被检测物体上的红外线范围内的光的强度的情况下进行高精度检测,S / N比为比例 的入射光数据对噪声较高。
    • 90. 发明申请
    • 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置を備えた表示装置
    • 半导体器件及其制造方法,以及用半导体器件提供的显示器件
    • WO2011040273A1
    • 2011-04-07
    • PCT/JP2010/066205
    • 2010-09-17
    • シャープ株式会社松木薗 広志
    • 松木薗 広志
    • H01L31/10G02F1/135G02F1/1368G09F9/00G09F9/30
    • H01L27/1214G02F1/1365
    •  本発明の半導体装置が備える薄膜ダイオード(10A)は、第1、第2および第3半導体領域を有する半導体層と、半導体層上に形成された絶縁層(22A、23A)と、絶縁層(22A、23A)を貫通する第1および第2コンタクトホールとを有し、第1半導体領域は第1導電型不純物を第1の濃度で含有し、第2半導体領域は第1導電型と異なる第2導電型不純物を第2の濃度で含有し、第3半導体領域は第1導電型不純物を第1の濃度よりも低い第3の濃度で含有し、または、第2導電型不純物を第2の濃度よりも低い第3の濃度で含有し、第1半導体領域が第1コンタクトホールに整合している、あるいは、第2半導体領域が第2コンタクトホールに整合している。
    • 提供给所公开的半导体器件的薄膜二极管(10A)具有:具有第一,第二和第三半导体区域的半导体层; 在半导体层上形成的绝缘层(22A,23A) 以及穿过绝缘层(22A,23A)的第一和第二接触孔。 第一半导体区域具有第一浓度的第一导电杂质,第二半导体区域具有不同于第二浓度的第一导电杂质的第二导电杂质,并且第三半导体区域具有第三导电杂质的第三导电杂质 低于第一浓度的浓度或低于第二浓度的第三浓度的第二导电杂质。 第一半导体区域与第一接触孔对准,或者第二半导体区域与第二接触孔对准。