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71. 发明申请

WO99001931A1 IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT FOR POWER AMPLIFIER 审中-公开
标题翻译：用于功率放大器的阻抗匹配电路
公开(公告)号：WO99001931A1
公开(公告)日：1999-01-14
申请号：PCT/US1998/012971
申请日：1998-06-24
IPC分类号： H03H7/075 , H03H7/38 , H03H7/46 , H03H11/30 , H04B1/04 , H04B1/40
CPC分类号： H03F1/56 , H03F3/24 , H03F2200/111 , H03F2200/387 , H03H7/38 , H03H7/46 , H03H11/30 , H04B1/005 , H04B1/0458 , H04B1/406
摘要： An impedance matching circuit for a multi-band power amplifier has an input port for receiving RF signals from an amplifier, a first path for communicating RF signals in a first frequency band to a first output port, and at least one second path for communicating RF signals in a second frequency band to a second output port. The first path includes impedance matching circuitry for matching the impedance of the first output port and the input port in the first frequency band, and the second path includes impedance matching circuitry for matching the impedance of the second output port and the input port in the second frequency band. The first path contains circuitry which blocks RF signals in the second frequency band; and the second path contains circuitry which blocks RF signals in the first frequency band. A multiband power amplifier includes a multi-band amplifier coupled with an impedance matching circuit for a multiband power amplifier.
摘要翻译：用于多频带功率放大器的阻抗匹配电路具有用于从放大器接收RF信号的输入端口，用于将第一频带中的RF信号传送到第一输出端口的第一路径以及用于通信RF的至少一个第二路径在第二频带中的信号到第二输出端口。第一路径包括用于匹配第一输出端口和第一频带中的输入端口的阻抗的阻抗匹配电路，并且第二路径包括用于匹配第二输出端口和第二输入端口中的输入端口的阻抗的阻抗匹配电路频带。第一路径包含阻挡第二频带中的RF信号的电路; 并且第二路径包含阻挡第一频带中的RF信号的电路。多频带功率放大器包括与用于多频带功率放大器的阻抗匹配电路耦合的多频带放大器。

72. 发明申请

WO2018128764A1 LOW-NOISE AMPLIFIER (LNA) WITH CAPACITIVE ATTENUATOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018128764A1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：PCT/US2017/066246
申请日：2017-12-14
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： HANAFI, Bassel , ABDELHALEM, Sherif , LAKDAWALA, Hasnain
IPC分类号： H03F3/193 , H03F3/26 , H03F1/22 , H03F1/56 , H03F3/21 , H03F3/24 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03G3/30
CPC分类号： H03G1/0005 , H03F1/0205 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/265 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/213 , H03F2200/222 , H03F2200/231 , H03F2200/294 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/546 , H03G1/0017 , H03G3/3052 , H03G2201/103 , H03G2201/106
摘要： Certain aspects of the present disclosure generally relate to a multi-output amplifier (400) implemented using a capacitive attenuator (414). For example, the multi-output amplifier (400) generally includes a first capacitive attenuator (414) coupled to an input node of the multi-output amplifier (400). In certain aspects, the multi-output amplifier (400) also includes a first amplification stage (416) having an input coupled to a tap node of the first capacitive attenuator (414) and an output coupled to a first output node of the multi-output amplifier (400), and a second amplification stage (418) having an output coupled to a second output node of the multi-output amplifier (400). For certain aspects, the multi-output amplifier includes a second capacitive attenuator coupled to the input node of the multi-output amplifier, and the second amplification stage has an input coupled to a tap node of the second capacitive attenuator.

73. 发明申请

WO2018080732A1 LOW IMPEDANCE ADAPTIVE BIAS SCHEME FOR POWER AMPLIFIER 审中-公开
标题翻译：低阻抗功率放大器自适应偏置方案
公开(公告)号：WO2018080732A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/US2017/054552
申请日：2017-09-29
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： KIM, Woonyun
IPC分类号： H03F1/02 , H03F3/19 , H03F3/24
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/0266 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/50 , H03F2200/111 , H03F2200/18 , H03F2200/451 , H04B1/0028 , H04B1/04 , H04B1/38 , H04B2001/0408
摘要： An adaptive bias circuit (400) for a power amplifier (470) may include a terminal node (432) coupled to the power amplifier (470). The adaptive bias circuit (400) may also include a low impedance bias circuit (410) coupled to the terminal node (432). The adaptive bias circuit (400) may further include a high drive bias circuit (440) coupled to the low impedance bias circuit (410) through the terminal node (432). A separation device (430) may be arranged between the low impedance bias circuit (410) and the high drive bias circuit (440).
摘要翻译：用于功率放大器（470）的自适应偏置电路（400）可以包括耦合到功率放大器（470）的终端节点（432）。自适应偏置电路（400）还可以包括耦合到终端节点（432）的低阻抗偏置电路（410）。自适应偏置电路（400）可以进一步包括通过终端节点（432）耦合到低阻抗偏置电路（410）的高驱动偏置电路（440）。分离装置（430）可以布置在低阻抗偏置电路（410）和高驱动偏置电路（440）之间。

74. 发明申请

WO2018017026A1 TOWER MOUNTED BOOSTER FOR WIDE COVERAGE AREA BASE STATION 审中-公开
标题翻译： TOWER MOUNTED BOOSTER宽覆盖区域基站
公开(公告)号：WO2018017026A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：PCT/TH2016/000064
申请日：2016-07-22
申请人： RUNGSEE, Grisada
发明人： RUNGSEE, Grisada
IPC分类号： H03F3/62
CPC分类号： H03F3/24 , H03F3/189 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H04W88/085
摘要： A tower mounted booster for a wide coverage area base station according to the present invention comprises a base station that is connected with the tower mounted booster for a wide coverage area base station that are separated into a downlink that is connected with the transmit antenna and a uplink that is connected with a receive antenna, wherein the entry point of the downlink is provided with an input signal detecting unit while the output point of the downlink is provided with an output signal detecting unit. Inside the base station, there is provided an RF power amplifier signal guiding and blocking unit and the downlink frequency band filter as well as RF switches, in that at the input and output part of the uplink, there is provided RF switches inside of which have a low noise amplifier and an uplink frequency band filter and the RF switches are connected to the signal guiding and blocking unit of the downlink.
摘要翻译：根据本发明的用于宽覆盖区域基站的塔架安装助力器包括基站，该基站与用于宽覆盖区域基站的塔架安装助力器连接，所述基站被分成下行链路，与发射天线和与接收天线连接的上行链路连接，下行链路的入口点设有输入信号检测单元，下行链路的输出点设有输出信号检测单元。在基站内部，提供了RF功率放大器信号引导和阻止单元以及下行链路频带滤波器以及RF开关，其中在上行链路的输入和输出部分处提供了RF开关，其内部具有低噪声放大器和上行链路频带滤波器，并且RF开关连接到下行链路的信号引导和阻塞单元。

75. 发明申请

WO2016204053A1 高周波フロントエンド回路审中-公开
标题翻译：高频前端电路
公开(公告)号：WO2016204053A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/JP2016/067160
申请日：2016-06-09
申请人：株式会社村田製作所
发明人：竹中功
IPC分类号： H04B1/403 , H04B1/52
CPC分类号： H04B1/0057 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F2200/111 , H03F2200/387 , H03H7/0115 , H03H7/0138 , H03H7/38 , H03H7/463 , H04B1/006 , H04B1/0458 , H04B1/401 , H04B1/403 , H04B1/52 , H04B2001/0408 , H04L5/1461
摘要：高周波フロントエンド回路（１０）は、通信バンド選択回路（１１）、高周波処理回路（１２）、およびマルチバンド増幅器（２０）を備える。マルチバンド増幅器（２０）は、複数の通信バンドの高周波信号を増幅する。通信バンド選択回路（１１）は、マルチバンド増幅器（２０）の出力端に接続されている。通信バンド選択回路（１１）は、通信バンド選択スイッチを含む。高周波処理回路（１２）は、マルチバンド増幅器（２０）と通信バンド選択回路（１１）とを接続する第１接続ラインと接地電位との間に接続されている。高周波処理回路（１２）は、受動素子（７１）と、インピーダンス選択スイッチ（３２）を備える。受動素子（７１）は、第１接続ラインと接地電位との間に接続されている。インピーダンス選択スイッチ（３２）は、受動素子（７１）と第１接続ラインとを接続する第２接続ラインに第１端子が接続され、接地電位に第２端子が接続されている。
摘要翻译：高频前端电路（10）具有通信频带选择电路（11），高频处理电路（12）和多频带放大器（20）。多频带放大器（20）放大多个通信频带的高频信号。通信频带选择电路（11）连接到多频带放大器（20）的输出端。通信频带选择电路（11）包括通信频带选择开关。高频处理电路（12）连接在接地电位和将多频带放大器（20）与通信频带选择电路（11）连接的第一连接线路之间。高频处理电路（12）设置有无源元件（71）和阻抗选择开关（32）。无源元件（71）连接在第一连接线和接地电位之间。阻抗选择开关（32）具有第一端子，其连接到将无源元件（71）和第一连接线彼此连接的第二连接线以及连接到接地电位的第二端子。

76. 发明申请

WO2016131027A1 ENHANCED AMPLIFIER EFFICIENCY THROUGH CASCODE CURRENT STEERING 审中-公开
标题翻译：通过CASCODE电流转向提高了放大器的效率
公开(公告)号：WO2016131027A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：PCT/US2016/017914
申请日：2016-02-13
申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人： LEHTOLA, Philip, John , RIPLEY, David, Steven
IPC分类号： H03F1/02 , H03F1/22 , H03F3/68
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F1/22 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H03F2203/7209
摘要： According to some implementations, a power amplifier (PA) includes a common emitter configured to receive a radio-frequency (RF) signal. The PA also includes a carrier amplifier coupled to the common emitter to form a carrier cascode configuration, a collector of the carrier amplifier provided with a first supply voltage. The PA further includes a peaking amplifier coupled to the common emitter to form a peaking cascode configuration, a collector of the peaking amplifier provided with a second supply voltage greater than the first supply voltage.
摘要翻译：根据一些实现方式，功率放大器（PA）包括被配置为接收射频（RF）信号的公共发射器。 PA还包括耦合到共发射极以形成载流子共源共栅配置的载波放大器，载体放大器的集电极设置有第一电源电压。 PA还包括耦合到共发射极的峰化放大器以形成峰值共源共栅结构，峰值放大器的集电极具有大于第一电源电压的第二电源电压。

77. 发明申请

WO2016114832A1 QUASI-SWITCHED, MULTI-BAND, HIGH-POWER AMPLIFIER AND METHOD 审中-公开
标题翻译： QUASI开关，多通道，大功率放大器和方法
公开(公告)号：WO2016114832A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/US2015/056894
申请日：2015-10-22
申请人： RAYTHEON COMPANY
发明人： PETRUCELLI, Anthony M. , TALCOTT, Mark A. , TONOMURA, Samuel D. , HANG, Cynthia Y. , FRASCHILLA, John
IPC分类号： H03F3/72 , H03F1/56 , H03F3/21
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/318 , H03F2200/405 , H03F2200/429 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H03F2203/7209 , H04B1/005 , H04B1/18
摘要： A quasi-switched, multi-band, high-power amplifier (100) includes an input matching network (102), a low band path (106), a high band path (108), and an output matching network (104). The input matching network includes a single input port that is configured to receive an input signal (116). The input signal includes at least one tone within a specified frequency band. The low band path is configured, when the specified frequency band is a low frequency band, to amplify the input signal to generate a low band amplified signal. The high band path is configured, when the specified frequency band is a high frequency band, to amplify the input signal to generate a high band amplified signal. The output matching network is configured to filter at least one of the low band amplified signal and the high band amplified signal into a load (112) through a single output port.
摘要翻译：准开关多频带大功率放大器（100）包括输入匹配网络（102），低频带路径（106），高频带路径（108）和输出匹配网络（104）。输入匹配网络包括被配置为接收输入信号（116）的单个输入端口。输入信号包括指定频带内的至少一个音调。当指定的频带是低频带时，配置低频带路径，以放大输入信号以产生低频带放大信号。当指定的频带是高频带时，配置高频带路径，以放大输入信号以产生高频带放大信号。输出匹配网络被配置为通过单个输出端口将低频带放大信号和高频带放大信号中的至少一个滤波成负载（112）。

78. 发明申请

WO2016105060A1 단일 입력 다중 출력 구조를 갖는 증폭 장치 审中-公开
标题翻译：具有单输入和多输出结构的放大器件
公开(公告)号：WO2016105060A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/KR2015/014051
申请日：2015-12-21
申请人： 주식회사 쏠리드
发明人： 이환선
IPC分类号： H03F3/68 , H03F1/32
CPC分类号： H03G3/3036 , H03F1/3247 , H03F3/189 , H03F3/68 , H03F2200/111 , H03F2200/171 , H03F2200/411 , H03F2200/429 , H03G3/3052
摘要： 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 증폭 장치는, 입력된 멀티 밴드 신호를 제1 레벨로 증폭하는 제1 증폭부, 제1 레벨로 증폭된 멀티 밴드 신호를 제1 밴드 신호와 제2 밴드 신호로 분리하는 분리부, 및 제2 밴드 신호를 제2 레벨로 증폭하는 제2 증폭부를 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的技术思想的一种模式，放大装置包括：第一放大单元，用于将输入的多频带信号放大到第一级; 分离单元，用于将已被放大到第一电平的多频带信号分离成第一频带信号和第二频带信号; 以及用于将第二频带信号放大到第二电平的第二放大单元。

79. 发明申请

WO2016079906A1 送信機、信号合成回路および信号合成方法审中-公开
标题翻译：发射机，信号合成电路和信号合成方法
公开(公告)号：WO2016079906A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/JP2015/003833
申请日：2015-07-30
申请人：日本電気株式会社
发明人：元井　桂一
IPC分类号： H03F3/68 , H03F3/217 , H03F3/24 , H03H7/46 , H04B1/04
CPC分类号： H04B1/04 , H03F1/565 , H03F3/211 , H03F3/2173 , H03F3/2178 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F2200/111 , H03F2200/336 , H03F2200/387 , H03H7/0153 , H03H7/09 , H03H7/175 , H03H7/1775 , H03H7/38
摘要：　ベースバンド信号を変調回路にて変調して生成した、無線周波数帯の成分を含む多ビットデジタル信号を、ビットごとにスイッチモード増幅器（１００－１，１００－２）にて増幅し、増幅した信号それぞれを周波数可変な可変帯域制限部（２０１－１，２０１－２）にて帯域制限した後、可変容量を備えた電圧電流源変換部（２０２－１，２０２－２）にてそれぞれ電圧→電流の変換を施し、さらに、電流変換されたそれぞれの信号を合成点Ｘにて信号合成を行い、しかる後、インピーダンス補正部（２０３）にてインピーダンス補正して、送信信号として負荷（３００）のアンテナに出力する。これにより、回路規模を増大させることなく、複数のスイッチモード増幅器の出力信号を、複数の送信周波数に対して、インピーダンス特性を保ちつつ、信号合成して、送信することが可能な送信機を提供する。
摘要翻译：通过由调制电路调制基带信号并且包括无线电频带中的组件而产生的多位数字信号由开关模式放大器（100-1,100-2）逐位地放大放大信号由频率可变频带限制单元（201-1,201-2）进行频带限制，然后通过电压/电流源转换单元（202-1,202-2）进行电压 - 电流转换，设有可变电容，转换为电流的信号在合成点X合成，并且所得到的信号由阻抗校正单元（203）进行阻抗校正，并作为发送信号输出到负载（300）的天线。因此，本发明提供了一种能够合成来自多个开关模式放大器的输出信号并且在不增加电路尺寸的同时保持相对于多个发送频率的阻抗特性的结果信号的发送器。

80. 发明申请

WO2016076962A1 RECEIVER FRONT END ARCHITECTURE FOR INTRA BAND CARRIER AGGREGATION 审中-公开
标题翻译：接收机前端结构用于内部载波聚合
公开(公告)号：WO2016076962A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/US2015/053286
申请日：2015-09-30
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： RAJENDRAN, Gireesh , SAHOTA, Gurkanwal Singh , KUMAR, Rakesh
IPC分类号： H04B1/00 , H03F1/22
CPC分类号： H04L27/0002 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/3205 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/492 , H03F2200/541 , H03F2203/7209 , H04B1/006 , H04L5/0042 , H04L27/2649
摘要： A receiver front end architecture for intra band carrier aggregation is disclosed. In an exemplary embodiment, an apparatus includes a first transistor having a gate terminal to receive an input signal, drain terminal to output an amplified signal, and a source terminal connected to a signal ground by a source degeneration inductor. The apparatus also includes a second transistor having a source terminal connected to the drain terminal of the first transistor and a drain terminal connected to a first load. The apparatus also includes a third transistor having a gate terminal connected to the drain terminal of the first transistor, a drain terminal connected to a second load and a source terminal connected to a signal ground.
摘要翻译：公开了用于带内载波聚合的接收机前端架构。在示例性实施例中，一种装置包括：第一晶体管，其具有用于接收输入信号的栅极端子，用于输出放大信号的漏极端子以及由源极退化电感器连接到信号地的源极端子。该装置还包括具有连接到第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接到第一负载的漏极端子的第二晶体管。该装置还包括具有连接到第一晶体管的漏极端的栅极端子的第三晶体管，连接到第二负载的漏极端子和连接到信号地的源极端子。

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