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51. 发明申请

WO2021223415A1 导电胶带、叠瓦组件及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021223415A1
公开(公告)日：2021-11-11
申请号：PCT/CN2020/130887
申请日：2020-11-23
申请人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
发明人：范圣凯 , 何志富 , 申佳林 , 赵小强 , 施海旋 , 曹国进 , 朱琛 , 吕俊
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/18
摘要：本公开涉及一种导电胶带(10)、叠瓦组件及其制备方法，涉及新型叠瓦组件互联的技术领域。包括：PET膜(11)、第一胶水层(12)、第二胶水层(13)以及离型膜(14)，其中所述第一胶水层(12)和第二胶水层(13)分别设置在所述PET膜(11)的两侧，所述离型膜(14)作为所述导电胶带(10)的衬底，且所述离型膜(14)与所述第一胶水层(12)相连，所述PET膜(11)上设有多个孔洞，所述孔洞内填充有导电物体(15)。本公开有利于控制叠瓦电池互叠后应力集中及机载可靠性风险且成本低。

52. 发明申请

WO2021213168A1 一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片及制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021213168A1
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：PCT/CN2021/084708
申请日：2021-03-31
申请人：中威新能源（成都）有限公司
发明人：杜俊霖 , 刘正新 , 孟凡英 , 付昊鑫 , 孙林 , 程琼
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/042 , H01L31/18
摘要：一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片及制备方法，主要涉及单晶制绒领域，包括预清洗、制绒、圆角化处理、氢氟酸清洗、慢拉提和烘干等步骤，其中在圆角化处理工序中，综合了硝酸CP和臭氧CP各自的特点；使用所述方法对制绒后的硅片进行金字塔圆角化处理，使金字塔顶和金字塔谷都得到了圆滑，在沉积非晶硅薄膜时可以降低缺陷态密度，提高硅片的钝化质量和少子寿命，从而获得更高的电池转换效率。

53. 发明申请

WO2021209082A1 VERFAHREN ZUR VERBESSERUNG DES OHMSCHEN KONTAKTVERHALTENS ZWISCHEN EINEM KONTAKTGITTER UND EINER EMITTERSCHICHT EINER SILIZIUMSOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021209082A1
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：PCT/DE2021/000070
申请日：2021-04-01
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG EINGETRAGENER VEREIN , CE CELL ENGINEERING GMBH
发明人： ZHAO, Hongming , STÖCKEL, Stefan , HOFMÜLLER, Eckehard , KRASSOWSKI, Eve , TUREK, Marko , HAGENDORF, Christian , GROSSER, Stephan
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H02S50/15
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle, wobei in einem Behandlungsschritt unter Vorspannung und Beleuchtung der Siliziumsolarzelle ein Behandlungsstromfluss mit einer auf den Behandlungsausschnitt bezogenen Stromdichte von 200 A/cm2 bis 20.000 A/cm2 induziert wird. Aufgabe der Erfindung ist es, das Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle zu verbessern. Insbesondere soll bei der Durchführung des Verfahrens eine Quantifizierung der durch das Verfahren erreichten Verbesserung möglich sein. Weiterhin soll bei der Durchführung des Verfahrens eine mögliche Schädigung durch Anwendung ungünstiger Verfahrensparameter erkannt werden. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass vor und/oder nach dem Behandlungsschritt ein Messschritt ausgeführt wird und bei diesem Messschritt über eine Beleuchtung der sonnenzugewandten Seite der Siliziumsolarzellen und eine Vorspannung ein Messstromfluss mit einer Stromstärke von 1 mA/cm2 bis 500 mA/cm2 induziert wird und eine Stromstärke dieses Messstromflusses mit einem Strommessgerät erfasst und dem jeweiligen Messausschnitt zugeordnet abgespeichert wird.

54. 发明申请

WO2021206056A1 半導体素子および半導体素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021206056A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：PCT/JP2021/014502
申请日：2021-04-05
申请人：株式会社カネカ
发明人：阿部　祐介
IPC分类号： B41M1/12 , B41M1/34 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0747 , H01L21/28 , H01L29/41
摘要：スクリーン印刷法を用いて形成したマスクを用いてパターニングを行っても、パターン化された半導体層または電極層に空隙（かすれ）が形成されることを低減することができる半導体素子を提供する。半導体素子は、基板上に、パターン化された半導体層２５または電極層２８が形成された半導体素子であって、半導体層２５または電極層２８は、長尺形状をなし、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン２５Ａまたは２８Ａと、長手方向に交差する帯状の第２パターン２５Ｂまたは２８Ｂとを有し、第２パターン２５Ｂまたは２８Ｂにおける９０％の部分が第１パターン２５Ａまたは２８Ａに対してなす角度のうち鋭角側の角度は、９０度未満である。

55. 发明申请

WO2021205101A1 DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À GRADIENT LATÉRAL DE CONCENTRATION EN CADMIUM DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021205101A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：PCT/FR2021/050586
申请日：2021-04-02
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： LOBRE, Clément , ROCHETTE, Florent
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/103 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： Dispositif de photo-détection (100) comportant un substrat semiconducteur (110) en CdxHg1-xTe, avec une région d'absorption dopée N (120), une région dopée P (130), et un caisson concentré (150) localisé uniquement dans la région dopée P et présentant une concentration moyenne en cadmium supérieure à la concentration moyenne en cadmium dans la région dopée N. Selon l'invention, le caisson concentré (150) présente un gradient de concentration en cadmium, définissant dans ce dernier au moins une zone de gap intermédiaire (151) et au moins une zone fort gap (152), et la zone de gap intermédiaire (151) est en contact physique direct avec un plot de contact électrique (170). On combine ainsi une forte réduction du courant d'obscurité et une collecte optimale des porteurs de charge.

56. 发明申请

WO2021203813A1 一种P型钝化接触太阳能电池及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021203813A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：PCT/CN2021/074602
申请日：2021-02-01
申请人：浙江正泰太阳能科技有限公司 , 海宁正泰新能源科技有限公司
发明人：廖晖 , 马玉超 , 单伟 , 何胜 , 徐伟智
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种P型钝化接触太阳能电池及其制备方法，方法包括: 在制绒后的P型硅衬底正表面进行扩散沉积预处理得到用于形成N+层的扩散沉积层; 去除用于制备正面金属栅线的位置处的扩散沉积层，在该位置处制备 SiO 2 隧穿层，在 SiO 2 隧穿层表面设置N型多晶硅层; 并使扩散沉积层形成 N+ 层; 在 N+ 层表面沉积第一钝化层，在 P型硅衬底背表面沉积第二钝化层; 在N型多晶硅层上制备正面电极，在 P 型硅衬底背表面制备背面电场。本发明仅在衬底正表面用于制备正面金属栅线的位置处设置N型钝化接触结构，以减少N型多晶硅层对太阳光的吸收，从而提高电池对太阳光的利用率，进而提高电池的电流密度和转换效率。

57. 发明申请

WO2021191597A1 SUBSTRATE FOR A TWO-TERMINAL DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021191597A1
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：PCT/GB2021/050707
申请日：2021-03-23
申请人： POWER ROLL LIMITED
发明人： MCARDLE, Trevor
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/047 , H01L31/05 , H01L31/18 , H01L31/035281 , H01L31/0504 , H01L31/1876
摘要： This present invention relates to a substrate for a two-terminal electronic device. In particular, the two-terminal electronic device may be an optoelectronic device. The substrate comprises at least one series of grooves, provided on a first surface of said substrate, each groove comprising first and second opposing groove faces extending between a proximal end and a distal end across a transverse direction of said substrate, and comprising a groove base at a predetermined first depth from said first surface. The substrate also comprises at least one channel, provided on said first surface of said substrate, comprising first and second opposing channel faces, spaced apart by a predetermined channel width at a predetermined second depth from said first surface, and a channel base at a third depth from said first surface, said at least one channel being configured to transect at least one of said at least one series of grooves at a distal end portion or a proximal end portion. Said third depth is greater than said predetermined first depth, and said third depth is determined by a predetermined coating angle relative to an axis normal to said groove base, and said predetermined channel width. A shim for embossing a surface of a UV-curable coating to form a substrate for a two-terminal electronic device, and a method of forming a substrate for a two-terminal electronic device is also disclosed.

58. 发明申请

WO2021190945A1 PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
公开(公告)号：WO2021190945A1
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：PCT/EP2021/056160
申请日：2021-03-11
申请人： MEYER BURGER (GERMANY) GMBH
发明人： LACHENAL, Damien
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/1804 , H01L31/202
摘要： The invention relates to interdigitated back contact (IBC) photovoltaic devices and modules that are based on a silicon structured device (1) which comprises: a silicon-based substrate (3), an intrinsic amorphous silicon layer a-Si:H(i) (5) situated on substrate (3) a first patterned silicon layer (2), and a second patterned nano-crystalline silicon layer (4) on the first patterned silicon layer (2). The second patterned layer (4) is of the same type of doping than said first patterned silicon layer (2) The first patterned layer (2) and the second patterned layer (4) form photovoltaic structures (12a, 12g), of which at least one constitutes a fiducial mark (10) having, in a predetermined wavelength range, a different optical reflectivity (R1), than the reflectivity (R0) of the intrinsic amorphous silicon (a-Si:H(i)) layer portions interstices (5a-5f) between said photovoltaic structures (12a, 12g). The invention relates also to a photovoltaic device (1), to photovoltaic modules and to a method of fabrication of said photovoltaic device.

59. 发明申请

WO2021185025A1 光电探测基板及其制作方法、光电探测装置审中-公开
公开(公告)号：WO2021185025A1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：PCT/CN2021/077213
申请日：2021-02-22
申请人：京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
发明人：梁魁 , 孙拓 , 张宜驰
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/18
摘要：本公开提供了一种光电探测基板及其制作方法、光电探测装置。所述光电探测基板包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的半导体层，其中，所述半导体层用于将光信号转换为电信号。

60. 发明申请

WO2021167176A1 태양전지 셀의 태빙방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021167176A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：PCT/KR2020/008228
申请日：2020-06-24
申请人： 전자부품연구원
发明人： 김성현
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/042 , H01L23/00
摘要： 본 발명에 따른 태양전지 셀의 태빙방법은, 와이어를 재단하는 와이어 재단과정; 상기 와이어의 제1 부분을 압연하는 와이어 압연과정; 상기 와이어의 제1 부분이 서로 인접하는 제1 및 제2 태양전지 셀의 경계부분에 위치하도록, 상기 와이어를 상기 제1 태양전지 셀의 상면 및 제2 태양전지 셀의 배면에 정렬하는 와이어 정렬과정; 및 상기 정렬된 와이어를 상기 태양전지 셀에 솔더링하는 와이어 솔더링과정을 포함한다.

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