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51. 发明申请

WO2022126754A1 芯片封装结构、芯片封装方法及电子设备审中-公开
公开(公告)号：WO2022126754A1
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：PCT/CN2020/140816
申请日：2020-12-29
申请人：闻泰科技（深圳）有限公司
发明人：何文卿
IPC分类号： H01L23/31
摘要：一种芯片封装结构（100）、芯片封装方法及电子设备，芯片封装结构（100）包括基板（110）、第一芯片（120）、第二芯片（130）及天线（140），第一芯片（120）设置于基板（110）上且与基板（110）电连接，第二芯片（130）设置于第一芯片（120）上且与第一芯片（120）电连接，天线（140）设置于第二芯片（130）上且与第二芯片（130）电连接。第一芯片（120）设置为输入或者输出中频信号，第二芯片（130）设置为转换中频信号和毫米波信号，天线（140）设置为发射或者接收毫米波信号。芯片封装结构（100）及对应的芯片封装方法通过将第一芯片（120）和第二芯片（130）集成设置，从很大程度上缩短二者之间的物理距离，从而有效减小在二者之间传播的中频信号的衰减，保证芯片封装结构（100）内部的通信质量。电子设备包括上述的芯片封装结构（100），具有信号衰减小，通信质量高的特点。

52. 发明申请

WO2022126017A2 3D PACKAGING WITH SILICON DIE AS THERMAL SINK FOR HIGH-POWER LOW THERMAL CONDUCTIVITY DIES 审中-公开
公开(公告)号：WO2022126017A2
公开(公告)日：2022-06-16
申请号：PCT/US2021/063095
申请日：2021-12-13
申请人： QORVO US, INC.
发明人： MAXIM, George , COSTA, Julio C. , LEIPOLD, Dirk Robert Walter , SCOTT, Baker
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/03 , H01L23/66 , H01L23/367 , H01Q1/22 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L2223/6644 , H01L2223/6677 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/3736 , H01L23/3738 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01Q1/2283 , H01Q21/065
摘要： The present disclosure relates to a three-dimensional (3D) package that has a die-on-die configuration, and includes a first die and at least one second die deposed underneath the first die. The first die includes a back-end-of-line (BEOL) portion, a device region over the BEOL portion, a substrate over the device region, and a substrate tie structure that extends through the device region and at least extends into the substrate. The substrate and the substrate tie structure each has a high thermal conductivity higher than 50W/mK. The at least one second die is configured to be coupled to the BEOL portion of the first die, such that heat generated by the second die can propagate through the BEOL portion and the substrate tie structure, and radiate out of the first substrate.

53. 发明申请

WO2022118749A1 封止用樹脂組成物および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022118749A1
公开(公告)日：2022-06-09
申请号：PCT/JP2021/043352
申请日：2021-11-26
申请人：住友ベークライト株式会社
发明人：河村　信哉
IPC分类号： C08G59/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08K5/3472 , C08K5/54 , C08L63/00 , C08K3/013
摘要：本発明の封止用樹脂組成物は、（Ａ）３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾールと、（Ｂ）エポキシ樹脂と、を含む。

54. 发明申请

WO2022113661A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022113661A1
公开(公告)日：2022-06-02
申请号：PCT/JP2021/040269
申请日：2021-11-01
申请人：ローム株式会社
发明人：二村　羊水
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/50
摘要：半導体装置は、導電体、半導体装置、封止樹脂を備える。前記導電体は、第１端縁を有する主面、厚さ方向において前記主面から離間し且つ第２端縁を有する裏面、前記第１端縁および前記第２端縁につながる中間面を含む。前記半導体素子は、前記主面に支持される。前記封止樹脂は、前記中間面の少なくとも一部、前記主面、および前記半導体素子を覆う。前記導電体の前記裏面は前記封止樹脂から露出する。前記厚さ方向に視て、前記第１端縁は前記第２端縁よりも外方に位置する。前記第１端縁に直交する断面において、前記中間面は、前記第１端縁と前記第２端縁の間に位置する第１点と、前記第１端縁と前記第１点の間に位置する第２点とを含む。前記主面から前記第１点に至る前記厚さ方向の第１距離は、前記主面から前記第２点に至る前記厚さ方向の第２距離よりも小である。

55. 发明申请

WO2022102697A1 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022102697A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/JP2021/041498
申请日：2021-11-11
申请人：住友ベークライト株式会社
发明人：杉野　遼介 , 鵜木　君光 , 佐藤　一史
IPC分类号： C08G59/62 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08L63/00 , C08K3/22
摘要：エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、硬化促進剤と、アルミナ粉末と、を含む半導体封止用樹脂組成物であって、当該半導体封止用樹脂組成物の硬化物のα線量が、０．００２ｃｏｕｎｔ／ｃｍ２・ｈ以下であり、当該半導体封止用樹脂組成物の硬化物のレーザフラッシュ法により測定した場合の熱伝導率が、４．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である、半導体封止用樹脂組成物。

56. 发明申请

WO2022096102A1 POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SUPER-HYDROPHOBIC PROTECTIVE LAYER AND POWER MODULE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022096102A1
公开(公告)日：2022-05-12
申请号：PCT/EP2020/081141
申请日：2020-11-05
申请人： HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
发明人： BELLINI, Marco , KNOLL, Lars , SCHUDERER, Jürgen , LOPEZ SANCHEZ, Oriol
IPC分类号： H01L23/31
摘要： In at least one embodiment, the power semiconductor device (1) comprises - a semiconductor body (2), and - a protection layer (3) at the semiconductor body (2), wherein - the protection layer (3) comprises a material having a surface energy of at most 0.1 mJ/m2, and - the protection layer (3) comprises a geometric structuring (33) having a feature size (F) of at least 0.04 µm and of at most 0.1 mm, seen in top view of the protection layer (3).

57. 发明申请

WO2022085532A1 封止用樹脂組成物、及び電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：WO2022085532A1
公开(公告)日：2022-04-28
申请号：PCT/JP2021/037872
申请日：2021-10-13
申请人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社
发明人：木佐貫　敦 , 大橋　光 , 前田　泰明
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , C08L9/00 , C08L9/06 , C08L63/00 , C08K3/013
摘要：硬化物を低弾性率化しやすく、かつ成形時の粘度を上昇させにくい封止用樹脂組成物、及び電子デバイスを提供する。封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、硬化助剤（Ｃ）と、共役ジエン化合物を含む重合性化合物（ｄ１）の重合体であるラジカル重合性成分（Ｄ）と、ラジカル重合開始剤（Ｅ）と、無機充填材（Ｆ）と、を含有する。封止用樹脂組成物は、１００℃での粘度が、０．１５Ｐａ・ｓ以下である。

58. 发明申请

WO2022075453A1 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022075453A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/JP2021/037352
申请日：2021-10-08
申请人：昭和電工マテリアルズ株式会社
发明人：井上　裕紀子 , 大下　毅 , 姜　東哲
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , C08K5/3492 , C08K5/50 , C08L61/00 , C08L101/00 , C08L63/00 , C08K3/013
摘要：硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂と、下記一般式（Ａ）で表される化合物と、を含む。一般式（Ａ）中、Ｒ１１～Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素原子、－ＣＨ２ＯＨ又は－ＣＨ２ＯＲ１７を表し、Ｒ１７は炭素原子が１～３のアルキル基を表す。Ｒ１１～Ｒ１６の少なくとも１つが、－ＣＨ２ＯＲ１７を表す。

59. 发明申请

WO2022075383A1 エステル化合物及び樹脂組成物审中-公开
公开(公告)号：WO2022075383A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/JP2021/037068
申请日：2021-10-06
申请人：味の素株式会社
发明人：小椋　一郎
IPC分类号： C08G59/06 , C08G59/40 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08G63/197 , C08G63/91 , H05K1/03 , H05K3/46 , C07C69/90
摘要：本発明は、新規のエポキシ樹脂硬化剤を提供する。本発明は、式（１）で表される構造と、式（２）で表される構造と、式（３）で表される構造と、を１分子中に含有する化合物を提供する（各記号は明細書に記載の通り）。

60. 发明申请

WO2022062990A1 一种芯片封装结构及其制备方法、以及电子器件审中-公开
公开(公告)号：WO2022062990A1
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：PCT/CN2021/118483
申请日：2021-09-15
申请人：青岛歌尔微电子研究院有限公司
发明人：陈建超 , 于上家
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L25/16
摘要：本申请公开一种芯片封装结构及其制备方法、以及电子器件，所述芯片封装结构包括基板、元器件以及塑封体，元器件包括第一组元器件和第二组元器件，第一组元器件和第二组元器件间隔分布于基板的安装侧，第一组元器件包括沿远离基板的方向上依次排布的底层元器件和高层元器件，高层元器件朝向基板的一侧相对于基板的高度低于第二组元器件的高度；塑封体设于基板的安装侧，塑封体包括第一塑封体和第二塑封体，第一塑封体包裹底层元件设置，第二塑封体包裹高层元件和所述第二组元器件设置。

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