本说明书涉及一种有机晶体管，并且所述气体传感器被施加它包括含有由式1表示的化合物的有机半导体层

A示出了一个足够的载流子迁移，在元件之间的性能变化很小，这是一个目的是提供一种电力消耗被抑制的底栅型有机半导体晶体管。 和栅极绝缘层，其具有与所述栅极绝缘层接触的布置的有机半导体层，在栅极的有机半导体层侧表面绝缘层的底栅有机半导体晶体管，所述表面 自由能为20〜50mN / m时，算术平均粗糙度Ra为2nm的或更小，所述有机半导体层包括3000或更少由下述通式（1）中，底栅有机半导体晶体管表示的化合物的分子量。 X，Y和Z代表特定的环组分原子。 [R ^{1 和R 2 是氢原子，烷基，烯基，炔基，芳基或杂芳基，R 3 和 R 4表示卤素原子，烷基，烯基，炔基，芳基或杂芳基。 m和n是从0到2的整数。}

栅电极，形成在栅极上的栅绝缘层，栅极上的导体和感光性有机成分的绝缘层 使用栅电极作为掩模从基板的背面对导电膜进行曝光的步骤，对露出的导电膜进行显影以形成源电极和漏电极的步骤 ;以及通过涂布方法在源电极和漏电极之间形成半导体层的步骤，由此可以通过简单的工艺来制造场效应晶体管的制造方法 并且可以提供迁移率高并且栅极电极和源极/漏极电极以高精度对准的FET，半导体器件和RFID。

本发明包括由式（1）表示的单元A包括基于Isokinorino - 异喹啉（IQIQ）的骨架结构，通过单键与单元链接的 和脂肪链单元B，通过单键与一个单元中，具有至少一个单元C是含有环状结构或氢原子的脂肪族链和/或基团的有机半导体材料连接; 有机半导体材料呈现液晶性。 有很深的LUMO能级，优选被用作n型有机材料Torajisuta，提供了一种有机半导体材料，其表现出液晶性。 本发明还提供了新化合物。