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41. 发明申请

WO2002094455A1 PROCESS FOR PLASMA TREATMENT AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译：等离子体处理和装置的方法
公开(公告)号：WO2002094455A1
公开(公告)日：2002-11-28
申请号：PCT/RU2002/000237
申请日：2002-05-17
申请人： PLASMA TECH CO., LTD. , ALEXANDROV, Andrei F. , BUGROV, Gleb E. , VAVILIN, Konstantin V. , KONDRANIN, Sergei G. , KRALKINA, Elena A. , PAVLOV, Vladimir B. , PLAKSIN, Vadim J. , SERGIENKO, Vladimir J. , TIMOFEEV, Igor B.
发明人： ALEXANDROV, Andrei F. , BUGROV, Gleb E. , VAVILIN, Konstantin V. , KONDRANIN, Sergei G. , KRALKINA, Elena A. , PAVLOV, Vladimir B. , PLAKSIN, Vadim J. , SERGIENKO, Vladimir J. , TIMOFEEV, Igor B.
IPC分类号： B05D3/14
CPC分类号： H01J37/3244 , B08B7/0035 , B29C59/14 , B29C2059/145 , C23C16/515 , H05H1/2406 , H05H2001/2412 , H05H2240/10 , H05H2245/123
摘要： A process for plasma treatment of materials involves supplying of a working gas stream into a discharge gap and igniting a pulsating electric discharge by means of an ignitor electrode (4). An elongated discharge electrode is arranged opposite to the surface to be treated and is preferably formed as a steel string (1). A cyclically variable voltage is supplied to the string (1) for maintaining an extended pulsating discharge under atmospheric pressure. The gas stream is introduced at an angle of 10 0 to 60 0 to the longitudinal axis of symmetry of the string (1) and directed toward the surface to be treated. A gas distributing means of the apparatus for treating materials comprises a housing (5) of dielectric material in which inclined gas supply channels (8) are formed. Outlet openings of inclined channels (8) are uniformly distributed over the surface of the housing (5) and arranged opposite to the string (1) lengthwise thereof. The invention permits modification of the surface properties of the material to be treated to a high level of uniformity.
摘要翻译：用于等离子体处理材料的方法包括将工作气体流供应到放电间隙中，并通过点火器电极（4）点燃脉动放电。细长放电电极与待处理的表面相对地布置，并且优选地形成为钢丝串（1）。向串（1）供给循环可变电压，用于在大气压下保持延长的脉动放电。气流以与串（1）的纵向对称轴线成100°的角度被引导，并指向待处理的表面。用于处理材料的设备的气体分配装置包括形成倾斜气体供应通道（8）的电介质材料的壳体（5）。倾斜通道（8）的出口开口均匀地分布在壳体（5）的表面上，并且沿纵向方向与串（1）相对布置。本发明允许将要处理的材料的表面性质改变为高水平的均匀性。

42. 发明申请

WO2002091809A2 PROCEDE ET DISPOSITIF DE GENERATION D'UN RIDEAU DE GAZ ACTIVE POUR TRAITEMENT DE SURFACE 审中-公开
标题翻译：用于产生活化气体表面处理表面处理的方法和装置
公开(公告)号：WO2002091809A2
公开(公告)日：2002-11-14
申请号：PCT/IB2002/001482
申请日：2002-05-03
申请人： APIT CORP. S.A. , KOULIK, Pavel , SAMSONOV, Mikhaïl , EVGUENIA, Zorina
发明人： KOULIK, Pavel , SAMSONOV, Mikhaïl , EVGUENIA, Zorina
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H05H1/48 , H05H2245/123
摘要： Un dispositif pour le traitement de surface comporte des électrodes (24a, 24b) pour l'amorcement d'un arc électrique de plasma stabilisé (14), un canal stabilisant (12) dans un corps (10) pour confiner l'arc électrique de plasma stabilisé, des conduits (38, 39) dans le corps pour l'introduction uniformément distribuée le long dudit arc d'un gaz de traitement Q 1 en amont dudit arc dans une direction essentiellement perpendiculaire à l'axe A dudit arc de manière à former un rideau de gaz activé (8), des moyens d'introduction d'un gaz de traitement complémentaire Q 2 en aval dudit arc électrique et un support (28) pour le maintien de l'objet ou du matériau à traiter et pour le positionnement de la surface à traiter dudit objet ou matériau par rapport au corps (10).
摘要翻译：本发明涉及一种表面处理装置，包括：电极（24a，24b），用于启动电弧稳定的等离子体（14）; 稳定通道（12），其设置在主体（10）中，以限制稳定等离子体的电弧; 管道（38,39），其设置在主体中并且用于沿着基本上垂直于所述电弧的轴线A的方向引入沿弧线均匀分布的弧线上游的处理气体Q1，形成活化气幕（8）; 用于在电弧下游引入互补处理气体Q2的装置; 以及用于将待处理物体或材料保持在适当位置并且相对于主体（10）定位被处理物体或材料表面的支撑件（28）。

43. 发明申请

WO2018147553A1 대상물 처리 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2018147553A1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：PCT/KR2017/015679
申请日：2017-12-28
申请人： 주식회사 필옵틱스
发明人： 한동희
IPC分类号： C03C23/00 , C03B35/20 , B65G49/06
CPC分类号： B65G49/064 , B65G2201/0214 , C03B35/20 , C03C23/006 , H05H2245/123 , Y02P40/57
摘要： 본 기재의 대상물 처리 장치는 곡면 부분과 평면 부분으로 이루어진 대상물에 플라즈마로 박막을 코팅하는 대상물 처리 장치에 있어서, 대상물이 안착되는 안착 부재, 상기 안착 부재로부터 이격되게 위치된 몸체 부재, 상기 몸체 부재에 결합되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 부재, 상기 플라즈마 발생 부재가 상기 대상물에 대하여 다양한 각도로 위치될 수 있도록 상기 플라즈마 발생 부재를 다방향으로 회전시키는 회전 모듈 및 상기 몸체 부재와 상기 안착 부재 중 적어도 어느 하나가 상대 이동될 수 있게 하는 이동 모듈을 포함하는 제1 플라즈마 발생 유닛을 포함한다.

44. 发明申请

WO2017019149A1 METHOD AND APPARATUS FOR GAS ABATEMENT 审中-公开
标题翻译：用于气体消耗的方法和装置
公开(公告)号：WO2017019149A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/US2016/032091
申请日：2016-05-12
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： WANG, Rongping , ZENG, Jibing , HOU, David Muquing , COX, Michael S. , YUAN, Zheng , L'HEUREUX, James
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44
CPC分类号： H05H1/2406 , H01J37/3211 , H01J37/32348 , H01J2237/022 , H01J2237/327 , H01J2237/335 , H05H1/46 , H05H2001/2468 , H05H2001/4667 , H05H2245/1225 , H05H2245/123
摘要： Embodiments disclosed herein include a plasma source, an abatement system and a vacuum processing system for abating compounds produced in semiconductor processes. In one embodiment, a plasma source includes a dielectric tube and a coil antenna surrounding the tube. The coil antenna includes a plurality of turns, and at least one turn is shorted. Selectively shorting one or more turns of the coil antenna helps reduce the inductance of the coil antenna, allowing higher power to be supplied to the coil antenna that covers more processing volume. Higher power supplied to the coil antenna and larger processing volume lead to an improved DRE.
摘要翻译：本文公开的实施例包括用于减轻半导体工艺中产生的化合物的等离子体源，减排系统和真空处理系统。在一个实施例中，等离子体源包括介电管和围绕管的线圈天线。线圈天线包括多个匝，并且至少一匝短路。选择性地短路一圈或多圈线圈天线有助于降低线圈天线的电感，从而允许更高的功率供应到覆盖更多处理量的线圈天线。提供给线圈天线的较高功率和较大的处理量导致改进的DRE。

45. 发明申请

WO2016205729A1 SURFACE PROCESSING IN ADDITIVE MANUFACTURING WITH LASER AND GAS FLOW 审中-公开
标题翻译：表面加工与添加剂制造与激光和气体流动
公开(公告)号：WO2016205729A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/US2016/038206
申请日：2016-06-17
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： SWAMINATHAN, Bharath , NG, Eric , PATIBANDLA, Nag B. , NG, Hou T. , JOSHI, Ajey M. , KUMAR, Ashavani , FREY, Bernard , KRISHNAN, Kasiraman
IPC分类号： B29C67/00 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , B33Y50/02 , B33Y10/00
CPC分类号： H01J37/3056 , B23K10/003 , B23K10/006 , B23K26/0066 , B23K26/0084 , B23K26/032 , B23K26/0884 , B23K26/127 , B23K26/352 , B23K26/36 , B23K2203/05 , B23K2203/14 , B23K2203/26 , B23K2203/42 , B23K2203/52 , B25J9/0096 , B33Y40/00 , H01J37/321 , H01J37/32366 , H01J2237/3174 , H01J2237/31749 , H05H1/2406 , H05H1/30 , H05H2001/245 , H05H2245/123 , Y10S901/42
摘要： An apparatus for surface modification includes a support to hold a workpiece, a plasma source to generate a plasma in a localized region that is smaller than the workpiece, and a six-axis robot to manipulate relative positioning of the workpiece and the plasma source. The six-axis robot is coupled to at least one of the support and the plasma source.
摘要翻译：用于表面改性的装置包括用于保持工件的支撑件，等离子体源以在小于工件的局部区域中产生等离子体;以及六轴机器人来操纵工件和等离子体源的相对定位。六轴机器人耦合到支撑件和等离子体源中的至少一个。

46. 发明申请

WO2016133494A1 HIGH EFFICIENCY RADIATION-INDUCED TRIGGERING FOR SET-ON-COMMAND COMPOSITIONS AND METHODS OF USE 审中-公开
标题翻译：用于组合命令的高效辐射诱导触发和使用方法
公开(公告)号：WO2016133494A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/US2015/016150
申请日：2015-02-17
申请人： HALLIBURTON ENERGY SERVICES, INC.
发明人： LEWIS, Samuel J.
IPC分类号： E21B33/13 , B28B11/24
CPC分类号： E21B33/13 , H05H7/001 , H05H7/04 , H05H2007/002 , H05H2007/045 , H05H2245/123
摘要： Systems and methods that produce bremsstrahlung radiation may facilitate the setting of a settable composition. For example, a method may include providing a settable composition in a portion of a wellbore penetrating a subterranean formation, a portion of the subterranean formation, or both; conveying an electron accelerator tool along the wellbore proximal to the settable composition; producing an electron beam in the electron accelerator tool with a trajectory that impinges a converter material, thereby converting the electron beam to bremsstrahlung photons; manipulating the trajectory of the electron beam in a radial direction, an axial direction, or both of the wellbore with a rastoring device of the electron accelerator tool; and irradiating the settable composition with the bremsstrahlung photons.
摘要翻译：产生bre致辐射辐射的系统和方法可以有助于设定可固化组合物。例如，方法可以包括在穿透地下地层，地下地层的一部分或两者的井眼的一部分中提供可固化组合物; 沿着靠近可凝固组合物的井筒输送电子加速器工具; 在电子加速器工具中产生电子束，其具有撞击转换器材料的轨迹，从而将电子束转换成bre致辐射光子; 利用电子加速器工具的纵横装置来操纵电子束在径向，轴向或两者上的轨迹; 并用bre致辐射光子照射可固化组合物。

47. 发明申请

WO2016064860A2 COMPOSITION FOR FORMING A PATTERNED METAL FILM ON A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在基材上形成图案化金属膜的组合物
公开(公告)号：WO2016064860A2
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：PCT/US2015/056438
申请日：2015-10-20
申请人： ORELTECH LTD. , M&B IP ANALYSTS, LLC
发明人： ZAMOSHCHIK, Natalia
CPC分类号： C09D11/52 , B41M3/006 , B41M5/0023 , B41M5/0047 , B41M5/007 , B41M7/00 , B41M7/0081 , C09D11/037 , C09D11/322 , C23C4/02 , C23C4/134 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/14 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2245/123
摘要： A composition for forming a patterned thin metal film on a substrate is presented. The composition includes metal cations; and at least one solvent, wherein the patterned thin metal film is adhered to a surface of the substrate upon exposure of the at least metal cations to a low-energy plasma.
摘要翻译：介绍了用于在基板上形成图案化的金属薄膜的组合物。该组合物包含金属阳离子; 和至少一种溶剂，其中当至少金属阳离子暴露于低能等离子体时，图案化的薄金属膜粘附至基底的表面。

48. 发明申请

WO2015141641A1 プラズマＣＶＤ装置审中-公开
标题翻译：等离子体CVD装置
公开(公告)号：WO2015141641A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/JP2015/057760
申请日：2015-03-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：久野　裕彦 , 小泉　雅史
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/455 , H01J37/32541 , H01J37/32577 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2245/123
摘要：　高電圧を使用した場合においても異常放電を抑制することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。プラズマＣＶＤ装置１００は、プラズマ空間を形成するチャンバー６１と、チャンバー６１の壁６１ａを貫通する端子導入孔６２に配置される電力導入端子１０と、を備え、電力導入端子１０は、貫通孔２２を有する碍子２１と、貫通孔２２に挿通される棒状導電体１１と、を有し、棒状導電体１１の一端はチャンバー６１内に配置され、棒状導電体１１の他端はチャンバー６１内に電力を供給する電源Ｅと電気的に接続され、碍子２１の内壁面２１１と棒状導電体１１との隙間は２ｍｍ未満であり、碍子２１におけるチャンバー６１内のプラズマ空間に配置される一端から、碍子２１と棒状導電体１１との接点２２１までの距離は１０ｍｍより大きいことを特徴とする。
摘要翻译：提供即使在使用高电压的情况下也能够抑制异常放电的等离子体CVD装置。该等离子体CVD装置（100）包括：形成等离子体空间的室（61）以及布置在穿过所述室（61）的壁（61a）的端子引入孔（62）中的电力引入端子（10）。电力引入端子（10）包括：具有通孔（22）的绝缘体（21）; 以及穿过所述通孔（22）的杆状导电体（11）。棒状导电体（11）的一端设置在室（61）的内部，棒状导电体（11）的另一端电连接到供给电力的电源（E）所述室（61）。绝缘体（21）的内壁面（211）与杆状导电体（11）之间的间隙小于2mm。布置在室（61）内的等离子体空间中的绝缘体（21）的一端到绝缘体（21）和棒状导电体（11）之间的接触点（221）的距离大于 10毫米。

49. 发明申请

WO2014115050A4 APPARATUS FOR PRODUCING A PLASMA AND HAND-HELD DEVICE HAVING THE APPARATUS 审中-公开
标题翻译：用于产生等离子体和手持设备的装置
公开(公告)号：WO2014115050A4
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/IB2014058115
申请日：2014-01-08
申请人： REINHAUSEN PLASMA GMBH
发明人： NETTESHEIM STEFAN , KORZEC DARIUSZ , BURGER DOMINIK
IPC分类号： H01L41/107 , H01L41/312 , H01L41/313 , H05H1/24
CPC分类号： H05H1/24 , H01L41/053 , H01L41/107 , H05H2001/2481 , H05H2240/10 , H05H2245/123
摘要： The invention relates to an apparatus (1) for producing a plasma (P), comprising a control circuit (3) which is electrically connected to a piezoelectric transformer in order to excite the piezoelectric transformer (5). The invention further relates to a hand-held device (100) that uses the apparatus (1). The piezoelectric transformer (5) is constructed of several layers (S1, S2,..., SN). The control circuit (3) is implemented on a circuit board (7), and the piezoelectric transformer (5) is held over the circuit board (7) by means of a region (6B) of a first end (6). A high voltage is applied to a second free end (8) of the piezoelectric transformer (5), wherein the plasma (P) is produced at atmospheric pressure.
摘要翻译：它是一种用于通过控制电路（3）产生等离子体（P）的装置（1），其与压电变压器（5）的激励电连接。还公开了使用该设备（1）的手持机（100）。压电变压器（5）由若干层（S1，S2，...，SN）组成。在板（7）上实现控制电路（3），压电变压器（5）由板（7）上方的第一端（6）的一部分（6B）支撑。在压电变压器（5）的第二自由端（8）处于高电压，其中等离子体（P）在大气压下产生。

50. 发明申请

WO2013068085A8 PLASMA TREATMENT OF SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：基板等离子体处理
公开(公告)号：WO2013068085A8
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/EP2012004579
申请日：2012-11-02
申请人： DOW CORNING FRANCE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： MASSINES FRANCOISE , GAUDY THOMAS , DESCAMPS PIERRE , LEEMPOEL PATRICK , KAISER VINCENT , ASAD SYED SALMAN
IPC分类号： H05H1/00 , H05H1/42 , H05H1/48
CPC分类号： C23C16/50 , H05H1/2406 , H05H1/42 , H05H1/48 , H05H2001/2418 , H05H2245/123
摘要： An apparatus for plasma treating a substrate comprises a high voltage source of frequency 3kHz to 30kHz connected to at least one needle electrode (11) positioned within a channel (16) inside a dielectric housing (14) having an inlet for process gas and an outlet. The channel (16) has an entry (16a) which forms the said inlet for process gas and an exit (16e) into the dielectric housing arranged so that process gas flows from the inlet through the channel (16) past the electrode (11) to the outlet of the dielectric housing. The apparatus includes means for introducing an atomised surface treatment agent in the dielectric housing, and support means (27, 28) for the substrate (25) adjacent to the outlet of the dielectric housing. The needle electrode (11) extends from the channel entry (16a) to a tip (11t) close to the exit (16e) of the channel and projects outwardly from the channel (16) so that the tip (11t) of the needle electrode is positioned in the dielectric housing close to the exit (16e) of the channel at a distance outside the channel of at least 0.5mm up to 5 times the hydraulic diameter of the channel. The channel (16) has a ratio of length to hydraulic diameter greater than 10:1.
摘要翻译：用于等离子体处理衬底的装置包括频率为3kHz至30kHz的高电压源，其连接到位于电介质壳体（14）内部的通道（16）内的至少一个针电极（11），所述电极具有用于处理气体的入口和出口。通道（16）具有形成用于处理气体的所述入口的入口（16a）和布置成使得处理气体从入口通过通道（16）流过电极（11）的入口（16e）到介电壳体的出口。该装置包括用于将介电壳体中的雾化表面处理剂引入的装置和用于与介质壳体的出口相邻的衬底（25）的支撑装置（27,28）。针状电极（11）从通道入口（16a）延伸到靠近通道出口（16e）的尖端（11t），并从通道（16）向外突出，使针电极（11t）的尖端位于介质壳体中，靠近通道的出口（16e），通道外通道的距离至少为0.5mm至通道的液压直径的5倍。通道（16）的长度与水力直径之比大于10：1。

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