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41. 发明申请

WO2009019129A1 METHOD FOR PERFORMING A MEASUREMENT BY A COMMUNICATION DEVICE AND COMMUNICATION DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于通过通信设备和通信设备执行测量的方法
公开(公告)号：WO2009019129A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/EP2008/059567
申请日：2008-07-22
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , CHOI, Hyung-Nam
发明人： CHOI, Hyung-Nam
IPC分类号： H04L12/56
CPC分类号： H04W24/08 , H04W24/10 , H04W72/0446
摘要： A method for performing a measurement by a communication device is provided comprising selecting at least one measurement type of a plurality of measurement types, wherein each measurement type is assigned to a time slot, wherein the at least one measurement type is selected for a time interval which is pre-defined as a transmission gap of a receiver of the communication device for carrying out measurements by the receiver corresponding to the time slot; and performing a measurement of the at least one measurement type during the time interval.
摘要翻译：提供了一种通过通信装置进行测量的方法，包括：选择多个测量类型的至少一种测量类型，其中每个测量类型被分配给时隙，其中所述至少一种测量类型在时间间隔其被预定义为通信设备的接收机的传输间隙，用于由对应于时隙的接收机进行测量; 以及在所述时间间隔期间执行所述至少一种测量类型的测量。

42. 发明申请

WO2008030534A2 SYSTEM AND METHOD FOR POWER AMPLIFIER OUTPUT POWER CONTROL 审中-公开
标题翻译：用于功率放大器输出功率控制的系统和方法
公开(公告)号：WO2008030534A2
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/US2007/019473
申请日：2007-09-07
申请人： AXIOM MICRODEVICES, INC. , INFINEON TECHNOLOGIES AG , MAGOON, Rahul , AOKI, Ichiro , LYU, John , KEE, Scott , APARICO JOO, Roberto , BAKALSKI, Winfried , BRUDER, Thomas
发明人： MAGOON, Rahul , AOKI, Ichiro , LYU, John , KEE, Scott , APARICO JOO, Roberto , BAKALSKI, Winfried , BRUDER, Thomas
CPC分类号： H03G3/3047 , H03F1/02 , H03F1/52 , H03F3/19 , H03F2200/102 , H03F2200/451 , H03F2200/462 , H03F2200/471 , H03F2200/541 , H03F2200/99
摘要： A system for controlling amplifier power is provided. The system includes a voltage envelope detector that receives a voltage signal and generates a voltage envelope signal. A current envelope detector receives a current signal and generates a current envelope signal. A power amplifier level controller receives the greater of the voltage envelope signal and the current envelope signal, such as by connecting the output of the voltage envelope detector and the current envelope detector at a common point and conducting the high frequency current components to ground via a capacitor. A power amplifier level control signal is then generated based on the voltage drop across the capacitor.
摘要翻译：提供了一种用于控制放大器功率的系统。该系统包括接收电压信号并产生电压包络信号的电压包络检测器。电流包络检测器接收电流信号并产生电流包络信号。功率放大器电平控制器接收较大的电压包络信号和电流包络信号，例如通过在公共点连接电压包络检测器的输出和电流包络检测器，并将高频电流分量经由电容。然后基于电容器两端的电压降产生功率放大器电平控制信号。

43. 发明申请

WO2006087065A3 POWER SEMICONDUCTOR ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：功率半导体组装
公开(公告)号：WO2006087065A3
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/EP2006000457
申请日：2006-01-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BAYERER REINHOLD , THOBEN MARKUS
发明人： BAYERER REINHOLD , THOBEN MARKUS
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L24/73 , H01L24/24 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L25/072 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/37099
摘要： The invention relates to a power semiconductor assembly comprising a support (50), a first semiconductor chip (10) and a second semiconductor chip (20). The first semiconductor chip (10) has a first main connection (11) and a second main connection (12) that are disposed on opposite sides of the first semiconductor chip (10). The second semiconductor chip (20) has a first main connection (21) and a second main connection (22) that are disposed on opposite sides of the second semiconductor chip (20). The first side (51) of the carrier (50) is provided with a metallized structure (60) that has a first section (61) and a spaced-apart second section (62). The first semiconductor chip (10) is disposed on the first side (51) of the carrier (50) and is mechanically and electrically connected to the first section (61) via its second main connection (12). The second semiconductor chip (20) is disposed on the first side (51) of the carrier (50) and is mechanically and electrically connected to the second section (62) via its second main connection (22). The first connection (11) of the semiconductor chip (10) and the first main connection (21) of the second semiconductor chip (20) are electrically connected to each other and to a first connection contact (71) provided for connecting an external load (100) or an external supply voltage.
摘要翻译：本发明涉及与载体（50），第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的功率半导体器件。这里，第一主端子（11）和第二主端子（12），其被布置在第一半导体芯片（10）的相对侧上的第一半导体芯片（10）。第二半导体芯片（20）具有一个第一主端子（21）和第二主端子（22），其被布置在第二半导体芯片（20）的相对两侧。该载体（50）的第一侧（51）上设置有结构化的金属化（60）具有第一部分（61）和由其（62）间隔开的第二部分。在第一半导体芯片（10）被布置在所述载体（50）的第一侧（51），并通过它的第二主端子（12）机械地和导电地连接到所述第一部分（61）的装置。第二半导体芯片（20）被布置在所述载体（50）的第一侧（51）和通过它的第二主端子（22）机械地和导电地连接到所述第二部分（62）的装置。在第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的第一主端子（21）的第一主端子（11）被提供给彼此和一个外部负载（100）或外部电源第一端子触点（71）的连接导电互联。

44. 发明申请

WO2007076791A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VERBINDUNGSHALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTORS MIT EINER FIN-STRUKTUR UND VERBINDUNGSHALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT EINER FIN-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：方法制备化合物半导体场效应晶体管，鳍状结构及相关半导体场效应晶体管，鳍状结构
公开(公告)号：WO2007076791A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/DE2006/002221
申请日：2006-12-12
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , NAWAZ, Muhammad
发明人： NAWAZ, Muhammad
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/812 , H01L29/66795 , H01L29/66856 , H01L29/785 , H01L29/78681
摘要： Die Erfindung stellt ein Verfahren bereit zum Herstellen eines Verbindungshalbleiter- Feldeffekttransistors mit einer Fin-Struktur, welches aufweist: Bilden einer ersten Schicht auf oder über einem Substrat, wobei die erste Schicht ein erstes Verbindungshalbleiter-Material aufweist; Bilden einer zweiten Schicht auf der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein zweites Verbindungshalbleiter-Material aufweist; Bilden einer dritten Schicht auf der zweiten Schicht, wobei die dritte Schicht ein drittes Verbindungshalbleiter-Material aufweist; Bilden einer Bedeckungsschicht auf zumindest einem Teilbereich der dritten Schicht, wobei die Bedeckungsschicht ein viertes Verbindungshalbleiter-Material aufweist; Bilden einer Fin-Struktur durch Strukturieren der zweiten Schicht, der dritten Schicht und der Bedeckungsschicht; Bilden eines ersten Source/Drain-Bereiches aus einem ersten Teilbereich der Bedeckungsschicht und Bilden eines zweiten Source/Drain- Bereiches aus einem zweiten Teilbereich der Bedeckungsschicht; und Bilden eines Gate-Bereiches auf zumindest einem Teilbereich mindestens einer Seitenwand der Fin-Struktur und/oder auf einem Teilbereich einer oberen Oberfläche der dritten Schicht.
摘要翻译：本发明提供了一种生产化合物半导体的场效应晶体管具有鳍状结构的方法，包括：上或在衬底上，其中所述第一层包括第一化合物半导体材料形成的第一层; 形成所述第一层上的第二层，所述包含第二化合物半导体材料的第二层; 形成在第二层上的第三层，所述第三层包括第三化合物半导体材料; 在第三层，其中所述覆盖层包括第四化合物半导体材料的至少一部分上形成的覆盖层; 形成通过图案化所述第二层，第三层和覆盖层的鳍式结构; 形成覆盖层的第一部分区域的第一源极/漏极区域以及形成第二源极/漏极覆盖层的第二部分区域的区域; 和在鳍结构的和/或在所述第三层的上表面的部分的至少一个侧壁的至少一部分上形成栅区。

45. 发明申请

WO2007074352A1 ELECTRONIC COMPONENT AND A METHOD OF FABRICATING AN ELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
标题翻译：电子元件和制造电子元件的方法
公开(公告)号：WO2007074352A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/IB2005/003907
申请日：2005-12-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , LOW, Jeffrey Khai Huat
发明人： LOW, Jeffrey Khai Huat
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L21/565 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： Electronic component and a method of fabricating an electronic component An electronic component comprises a lead frame assembly, an insert, a semiconductor chip and an encapsulation compound. The lead frame assembly includes a mounting hole (7), a die pad, a plurality of bonding fingers (11) and a plurality of lead fingers (12). The insert (6) has a hollow centre and is located at the mounting hole (7) of the lead frame assembly. The semiconductor chip (8) is placed on the die pad. The semiconductor chip (8) has contact areas on the surface of the semiconductor chip. A plurality of electrical contact means (13) links the contact areas of the semiconductor chip (8) to the bonding fingers (11) of the lead frame assembly. An encapsulating compound encloses the insert (6), the semiconductor chip (8), and the contact means (13) but however leaving the hollow centre of the insert (6) uncovered.
摘要翻译：电子部件和电子部件的制造方法电子部件包括引线框架组件，插入件，半导体芯片和封装化合物。引线框架组件包括安装孔（7），管芯焊盘，多个接合指（11）和多个引线指（12）。插入件（6）具有中空的中心并且位于引线框架组件的安装孔（7）处。将半导体芯片（8）放置在管芯焊盘上。半导体芯片（8）在半导体芯片的表面上具有接触区域。多个电接触装置（13）将半导体芯片（8）的接触区域与引线框组件的接合指（11）连接。封装化合物包围插入件（6），半导体芯片（8）和接触装置（13），但是留下插入件（6）的中空中心未被覆盖。

46. 发明申请

WO2007073259A1 MIXER CIRCUIT AND RF TRANSMITTER USING SUCH MIXER CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：使用这种混频器电路的混频器电路和RF发射器
公开(公告)号：WO2007073259A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：PCT/SE2005/002017
申请日：2005-12-22
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , VAN WAASEN, Stefan , LANN, Anna-Maria , STEPHANSSON, Paul , PUSA, Fredrik , DAHLIN, Jan
发明人： VAN WAASEN, Stefan , LANN, Anna-Maria , STEPHANSSON, Paul , PUSA, Fredrik , DAHLIN, Jan
IPC分类号： H03D7/14 , H04B1/04 , H03F3/45 , H03G3/30
CPC分类号： H03D7/1441 , H03D7/1433 , H03D7/1458 , H03D7/165 , H03D2200/0025 , H03D2200/0033 , H03D2200/0084 , H03F1/02 , H03F3/19 , H03F3/24 , H03F3/45188 , H04B2001/045
摘要： The invention relates to a mixer circuit comprising a mixer core 440 for mixing an input frequency signal with a local oscillator signal. The mixer circuit 400 further comprises a variable current block 430 arranged to feed the mixer core 440 with an amplified input signal, said variable current block 430 comprising transistors M100, M101, M102,..., Mn and switches S0, S1, S2,..., Sn enabling provision of a variable current. By means of the invention the current consumption can be reduced by varying the current required in accordance with power output need. The invention also relates to a RF transmitter comprising such mixer circuit.
摘要翻译：本发明涉及一种混频器电路，该混频器电路包括用于将输入频率信号与本地振荡器信号混合的混频器核心440。混频器电路400还包括可变电流块430，其被布置为向混频器核心440馈送放大的输入信号，所述可变电流块430包括晶体管M100，M101，M102，...，Mn以及开关S0，S1，S2， ...，Sn使能提供可变电流。通过本发明，可以通过根据功率输出需要改变所需的电流来减少电流消耗。本发明还涉及一种包括这种混频器电路的RF发射机。

47. 发明申请

WO2007068714A3 METHOD OF MAKING A CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2007068714A3
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：PCT/EP2006/069648
申请日：2006-12-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KLEE, Veit , KNOEFLER, Roman , SCHROEDER, Paul Uwe
发明人： KLEE, Veit , KNOEFLER, Roman , SCHROEDER, Paul Uwe
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/027
摘要： To form a semiconductor device, an insulating layer is formed over a conductive region and a pattern transfer layer is formed over the insulating layer. The pattern transfer layer is patterned in the reverse tone of a layout of recesses to be formed in the insulating layer such that the pattern transfer layer remains over regions where the recesses are to be formed. A mask material is formed over the insulating layer and is aligned with the pattern transfer layer. Remaining portions of the pattern transfer layer are removed and recesses are etched in the insulating layer using the mask material as a mask.

48. 发明申请

WO2006122941A3 CONTROLLING OUT OF ORDER EXECUTION PIPELINES USING SKEW PARAMETERS 审中-公开
标题翻译：使用SKEW参数控制订单执行管道
公开(公告)号：WO2006122941A3
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/EP2006062356
申请日：2006-05-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , ARNOLD ROGER , HASTIE NEIL STUART , NORDEN ERIK , OBER ROBERT E
发明人： ARNOLD ROGER , HASTIE NEIL STUART , NORDEN ERIK , OBER ROBERT E
IPC分类号： G06F9/38
CPC分类号： G06F9/3017 , G06F9/3836 , G06F9/3838 , G06F9/3853 , G06F9/3857 , G06F9/3867 , G06F9/3873
摘要： A method and system of controlling out of order execution pipelines using pipeline skew parameters is disclosed. The pipeline skew parameters track the relative position of a load/store instruction in a load/store pipeline and a simultaneously issued integer instruction in a variable length integer pipeline. The pipeline skew parameters are used to improve data hazard detection, pipeline stalling, and instruction cancellation.
摘要翻译：公开了一种使用流水线偏移参数来控制异步执行流水线的方法和系统。流水线偏移参数跟踪加载/存储管道中的加载/存储指令的相对位置以及可变长度整数流水线中的同时发出的整数指令。流水线偏移参数用于改进数据危害检测，流水线停止和指令取消。

49. 发明申请

WO2007062944A1 3-DIMENSIONALES MEHRCHIP-MODUL 审中-公开
标题翻译： 3-DIMENSIONAL更多芯片模块
公开(公告)号：WO2007062944A1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：PCT/EP2006/067882
申请日：2006-10-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BARTH, Hans-Joachim
发明人： BARTH, Hans-Joachim
IPC分类号： H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/34 , H01L2225/06513 , H01L2225/06589 , H01L2924/0002 , H01L2924/01079 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein 3-dimensionales Mehrchip-Modul mit einem ersten integrierten Schaltkreis-Chip (ICl) der zumindest einen ersten Hochtemperatur-Funktionsbereich (HTBl) und einen ersten Niedertemperatur-Funktionsbereich (NTBl) aufweist, und zumindest einem zweiten integrierten Schaltkreis-Chip (IC2) mit einem zweiten Hochtemperatur- Funktionsbereich (HTB2) und einem zweiten Niedertemperatur- Funktionsbereich (NTB2), wobei der zweite Hochtemperatur- Funktionsbereich (HTB2) gegenüber dem ersten Niedertemperatur-Funktionsbereich (NTBl) angeordnet ist. Alternativ kann auch zwischen dem ersten und zweiten Chip (ICl, IC2) zumindest ein Niedertemperatur-Chip angeordnet sein, der nur einen Niedertemperatur-Funktionsbereich aufweist .
摘要翻译：本发明涉及一种具有第一个集成电路芯片（ICL），包括至少一个第一高温的工作范围（HTBL）和第一低温的工作范围（NTBl）的3维的多芯片模块，和至少一个第二个集成电路芯片（IC2）与第二高的工作温度范围（HTB2）和第二低温操作范围（NTB2），其中所述第二高的工作温度范围（HTB2）在第一低温的工作范围（NTBl）布置。可替代地，至少一个低温芯片也可以被布置在第一和第二芯片（IC2 ICl的，），它仅具有低的工作温度范围之间。

50. 发明申请

WO2007033829A3 POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：功率半导体模块与方法研究
公开(公告)号：WO2007033829A3
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/EP2006009195
申请日：2006-09-21
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KEMPER ALFRED , STROTMANN GUIDO
发明人： KEMPER ALFRED , STROTMANN GUIDO
IPC分类号： H01L21/48 , B23K20/10 , H01L21/607 , H05K3/32
CPC分类号： H05K3/328 , B23K20/10 , B23K2201/40 , H01L21/4853 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48458 , H01L2224/48464 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H05K1/0306 , H05K3/4046 , H05K2201/1028 , H05K2201/10287 , H05K2203/0285 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： The invention relates to a method for producing a power semiconductor module (1), wherein a contact (40-43) is formed between a contact area (20-23) and a contact element (30-32) in the form of an ultrasound-welded contact, a sonotrode (50) used for the ultrasound welding process is also used for assembling the contact areas (20-23) with contact ends (33, 34) and, thereby for assembling contacts (40, 42) with base areas (F, F1-F3).
摘要翻译：提出一种方法，用于制造功率半导体模块（1），其中一个接触区域（20-23）和一个接触元件（30-32）之间的接触（40-43）形成为通过超声焊极的超声波焊接接头（50）用于超声波焊接过程中，也对接触区域（20 - 22）的接合的触点（40，42）和根部分（F，FL - F3）的接合与所述接触端（33，34），并且因此被使用。

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