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41. 发明申请

WO2016108022A1 CIRCUIT OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES 审中-公开
标题翻译：包含发光二极管的光电路
公开(公告)号：WO2016108022A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/FR2015/053757
申请日：2015-12-24
申请人： ALEDIA
发明人： MERCIER, Frédéric
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0824 , H05B33/0809 , H05B33/083 , H05B33/0845
摘要： L'invention concerne un circuit optoélectronique (56) destiné à recevoir une tension variable (V ALIM ) contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant une pluralité d'ensembles (Dj_) de diodes électroluminescentes et un dispositif de commutation (57) adapté à permettre ou interrompre la circulation d'un courant dans chaque ensemble, le dispositif de commutation étant, en outre, adapté à détecter si ladite tension variable est fournie par un gradateur.
摘要翻译：本发明涉及一种用于接收包含交替增减相位的可变电压（VALIM）的光电子电路（56），所述光电子电路包括多个发光二极管组（Dj）和开关装置（57），用于允许或者中断每个组中的电流的循环，开关装置也适合于检测所述可变电压是否由调光器提供。

42. 发明申请

WO2016108021A1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE A DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES 审中-公开
标题翻译：具有发光二极管的光电器件
公开(公告)号：WO2016108021A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/FR2015/053754
申请日：2015-12-24
申请人： ALEDIA
发明人： HUGON, Xavier
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L25/075 , G02F1/1335 , H01L27/15 , H01L21/762 , H01L33/62 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , G02F1/133603 , H01L21/762 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (40) comprenant un substrat (42) comprenant des première et deuxième faces opposées (44, 46), des éléments (48) d'isolation électrique latérale s 'étendant de la première face (46) à la deuxième face (44) et délimitant dans le support des premières portions semiconductrices ou conductrices (50) isolées électriquement les unes des autres. Le dispositif optoélectronique comprend, en outre, pour chaque première portion, un premier plot conducteur (52) sur la deuxième face au contact de la première portion et un ensemble (D) de diodes électroluminescentes reposant sur la première face et reliées électriquement à la première portion, le dispositif optoélectronique comprenant, en outre, une couche d'électrode (66) conductrice et au moins partiellement transparente recouvrant toutes les diodes électroluminescentes, une couche d' encapsulâtion (70) isolante et au moins partiellement transparente recouvrant la couche d'électrode et au moins un deuxième plot conducteur (52) relié électriquement à la couche d' électrode.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件（40），包括： - 具有第一和第二相对表面（44,46）的衬底（42）; 以及 - 从所述第一表面（46）延伸到所述第二表面（44）并且在所述衬底内限定彼此电绝缘的第一半导电部分或导电部分（50）的电绝缘侧元件（48）。对于每个第一部分，光电子器件还包括： - 与第一部分接触的第二表面上的第一导电接触焊盘（52）; 和 - （D）发光二极管放置在第一表面上并电连接到第一部分。光电子器件还包括： - 覆盖所有发光二极管的导电的至少部分透明的电极层（66） - 覆盖所述电极层的绝缘的，至少部分透明的封装层（70）以及至少一个电连接到所述电极层的第二导电接触焊盘（52）。

43. 发明申请

WO2015101578A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A ELEMENTS SEMICONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：包含半导体元件的光电子器件及其制造工艺
公开(公告)号：WO2015101578A1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：PCT/EP2014/079276
申请日：2014-12-23
申请人： ALEDIA
发明人： DORNEL, Erwan , AMSTATT, Benoît , GILET, Philippe
IPC分类号： H01L33/18 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/18
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (50) comprenant des éléments semiconducteurs (20), chaque élément semiconducteur reposant sur un support (16) au travers d'une ouverture (54) formée dans une portion (52), dont au moins une première partie est isolante et recouvrant au moins partiellement le support, la hauteur (H) de l'ouverture étant supérieure ou égale à 100 nm et inférieure ou égale à 3000 nm et le rapport entre la hauteur (H) et le plus petit diamètre de l'ouverture (L) étant supérieur ou égal à 0,5 et inférieur ou égal à 10.
摘要翻译：本发明涉及一种包括半导体元件（20）的光电子器件（50），每个半导体元件通过形成在部分（52）中的孔（54）而搁置在载体（16）上，其中至少一个第一部分是绝缘的，至少部分地覆盖载体，孔的高度（H）大于或等于100nm且小于或等于3000nm，并且高度（H）与孔径（L）的最小直径的比率高于或等于0.5且低于或等于10。

44. 发明申请

WO2015025007A1 DIODE ELECTROLUMINESCENTE DONT UNE ZONE ACTIVE COMPORTE DES COUCHES D'INN 审中-公开
标题翻译：活跃区域的发光二极管包含内部层
公开(公告)号：WO2015025007A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：PCT/EP2014/067843
申请日：2014-08-21
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , ALEDIA
发明人： ROBIN, Ivan-Christophe , DUSSAIGNE, Amélie
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/08 , H01L33/18
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/32
摘要： Diode électroluminescente (100) comportant une couche d'In Xn Ga (1-Xn) N dopé n (102) et une couche d'In Xp Ga (1-Xp) N dopé p (104), et une zone active (105) disposée entre la couche d'In Xn Ga (1-Xn) N et la couche d'In Xp Ga (1-Xp) N comprenant: - une première couche d'InN (106) d'épaisseur e InN106 ; - une deuxième couche d'InN (108) d'épaisseur e InN108 ; - une couche de séparation (110) disposée entre les couches d'InN et comprenant de l'In Xb Ga (1-Xb) N et une épaisseur X1 Ga (1-X1) N (112) disposée entre la couche d'In Xn Ga (1-Xn) N et la première couche d'InN; - une couche d'In X2 Ga (1-X2) N (114) disposée entre la couche d'In Xp Ga (1-Xp) N et la deuxième couche d'InN; dans laquelle les compositions en indium Xn, Xp, Xb, X1 et X2 sont comprises entre 0 et 0,25, et dans laquelle les épaisseurs e InN106 et e InN108 sont telles que e InN106 InN108 .
摘要翻译： 1.一种发光二极管（100），包括In x Ga（1-Xn）N（102）的n掺杂层和In x p Ga（1-Xp）N（104）的p掺杂层，以及有源区（105）布置在InXnGa（1-Xn）N层和InXpGa（1-Xp）N层之间，包括： - 厚度为eInN106的InN（106）第一层; - 厚度为eInN108的第二层InN（108）; - 设置在InN层之间并且包含In x Sb Ga（1-X b）N并且厚度<3nm的分离层（110）; - 设置在InXnGa（1-Xn）N层和InN的第一层之间的InX1Ga（1-X1）N（112）层; - 设置在InXpGa（1-Xp）N层和InN的第二层之间的InX2Ga（1-X2）N（114）层; 其中铟组合物Xn，Xp，Xb，X1和X2在0和0.25之间，其中eInN106和eInN108的厚度使得eInN106

45. 发明申请

WO2014184486A1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：光电装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2014184486A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/FR2014/051110
申请日：2014-05-13
申请人： ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GILET, Philippe , TCHELNOKOV, Alexei , ROBIN, Ivan-Christophe
IPC分类号： H01L27/15 , B82Y20/00 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32
CPC分类号： H01L27/15 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (50) comprenant: • un substrat (14) semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité; • des plots semiconducteurs (54) ou une couche semiconductrice, en contact avec une face du substrat, dopés/dopée d'un second type de conductivité opposé au premier type; • des éléments semiconducteurs filaires, coniques ou tronconiques (26), dopés du premier type de conductivité, chaque élément étant en contact avec l'un des plots ou avec la couche; • des portions semiconductrices (30) électroluminescentes, chaque portion recouvrant au moins partiellement l'un des éléments semiconducteurs; et • un circuit (S) de polarisation des plots (54) ou de la couche. Les plots, ou la couche, sont choisis parmi: nitrure d'aluminium, nitrure de bore, carbure de silicium, nitrure de magnésium, nitrure de gallium et de magnésium, ou une combinaison de ceux-ci et de leurs composés nitrurés.
摘要翻译：本发明涉及一种光电器件（50），包括：掺杂有第一导电类型的半导体衬底（14）半导体接触焊盘（54）或半导体层，与衬底的表面接触，掺杂有与第一类型相反的第二导电类型; 锥形或截头圆锥形的有线半导体元件（26），掺杂有第一导电类型，每个元件与接触焊盘之一或与该层接触; 发光半导体部分（30），每个部分至少部分地覆盖半导体元件之一; 以及用于使接触焊盘（54）或该层极化的电路（S）。接触焊盘或层选自：氮化铝，氮化硼，碳化硅，氮化镁，镓和氮化镁，或其组合及其氮化物化合物。

46. 发明申请

WO2014154880A1 DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À NANOFILS ACTIFS ET NANOFILS DE CONTACT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：包含活性纳米微粒和接触纳米微粒的电致发光器件和生产方法
公开(公告)号：WO2014154880A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/056330
申请日：2014-03-28
申请人： ALEDIA
发明人： SCARINGELLA, Sylvia , GILET, Philippe , HUGON, Xavier , GIBERT, Philippe
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/38 , B82Y20/00 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/04042 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2924/00014
摘要： L'invention a pour objet un dispositif électroluminescent comprenant un ensemble de nanofils (NTi) sur l'ensemble de la surface d'un substrat (100), caractérisé en ce que : - il comprend au moins une première série de premiers nanofils et une seconde série de seconds nanofils; - ladite première série comprenant des premiers nanofils dits actifs (NTi a ) capables d'émettre de la lumière sous commande électrique, connectés entre un premier type de contact électrique et un second type de contact électrique pour permettre audit dispositif d'émettre de la lumière sous commande électrique, lesdits premiers nanofils étant recouverts d'au moins une couche (300) conductrice transparente à la longueur d'émission dudit dispositif électroluminescent, ladite couche étant en contact avec ledit premier type de contact électrique; - ladite seconde série comprenant des seconds nanofils dits de contact (NTi c ) encapsulés dans une couche de métal (700) permettant de constituer ledit premier type de contact électrique; - le second type de contact électrique étant situé en face arrière dudit substrat, opposée à la face comprenant lesdits nanofils et étant assuré par une couche conductrice au moins en regard de ladite première série de nanofils. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication dudit dispositif électroluminescent.
摘要翻译：本发明涉及一种电致发光器件，其包括在衬底（100）的整个表面上的纳米线阵列（Nti），其特征在于：其包括至少一个第一系列的第一纳米线和一个第二系列的第二纳米线; 所述第一系列包括能够在电气控制下发光的第一纳米线，称为活性纳米线（NTia），所述纳米线连接在第一类型的电接触和第二类型的电接触之间，以便允许所述器件发射所述第一纳米线被所述电致发光器件的发射波长透明的至少一个导电层（300）覆盖，所述层与所述第一类型的电触头接触; 所述第二系列包括被称为接触纳米线（NTic）的第二纳米线，其被封装在允许形成所述第一类型电接触的金属层（700）中; 并且所述第二类型的电接触位于所述衬底的与所述纳米线的一侧相对的背面，并且由至少面向所述第一系列纳米线的导电层形成。本发明还涉及一种用于制造所述电致发光器件的方法。

47. 发明申请

WO2014154657A1 DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT AVEC CAPTEUR INTEGRE ET PROCEDE DE CONTROLE DE L'EMISSION DU DISPOSITIF 审中-公开
标题翻译：具有集成传感器的电致发光器件和用于控制器件发射的方法
公开(公告)号：WO2014154657A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/055907
申请日：2014-03-25
申请人： ALEDIA
发明人： CAGLI, Carlo , ANANIA, Giorgio
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/173 , H01L33/16 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/06 , H01L27/15 , H01L27/156 , H01L31/153 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/32 , H05B33/0854 , H05B33/0872
摘要： L'invention a pour objet un dispositif électroluminescent comportant une structure comprenant un ensemble de nanofils à la surface d'un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend : - une première série de nanofils primaires dits d'émission (NTi e ) comprenant des nanofils connectés à des premiers contacts électriques et capables d'émettre de la lumière sous l'action d'une première tension dite directe issue d'une source de tension ou de courant, dit(e) direct (e); - une seconde série de nanofils secondaires dits de détection (NTi d ) voisins desdits nanofils primaires, connectés à des seconds contacts électriques et capables de générer un photo-courant sous l'action d'une lumière ambiante et/ou d'une partie de la lumière émise par une partie desdits nanofils primaires, sous commande d'une seconde tension, dite inverse issue d'une source de tension ou de courant; - des moyens pour commander ladite tension dite directe en fonction dudit photo-courant. L'invention a aussi pour objet un procédé de contrôle de la luminance d'un dispositif électroluminescent selon l'invention.
摘要翻译：本发明涉及具有在衬底表面上包括一组纳米线的结构的电致发光器件，其特征在于其包括： - 被称为发射纳米线的第一系列初级纳米线（NTie），其包括连接到第一电触点的纳米线，以及能够在称为直流电压或电流的电压源或电流的第一所谓的直流电压的作用下发光; - 被称为与所述初级纳米线相邻的检测纳米线（NTid）的第二系列次级纳米线，其连接到第二电触点并且能够在环境光的作用下产生光电流，和/或由一部分发射的光的一部分产生光电流的所述初级纳米线由来自电压源或电流的第二电压（称为反向电压）控制; - 用于基于所述光电流控制所述所谓的直流电压的装置。本发明还涉及根据本发明的用于控制电致发光器件的亮度的方法。

48. 发明申请

WO2014064263A2 PROCEDE DE CROISSANCE D'AU MOINS UN NANOFIL A PARTIR D'UNE COUCHE D'UN METAL DE TRANSITION NITRURE OBTENUE EN DEUX ETAPES 审中-公开
标题翻译：用于从一个过渡金属层中生成至少一个纳米级的方法，在两个步骤中获得所述层
公开(公告)号：WO2014064263A2
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/072424
申请日：2013-10-25
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ALEDIA
发明人： HYOT, Bérangère , AMSTATT, Benoit , ARMAND, Marie-Françoise , DUPONT, Florian
IPC分类号： H01L29/40
CPC分类号： H01L21/02609 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C30B25/005 , C30B25/183 , C30B29/16 , C30B29/36 , C30B29/403 , C30B29/605 , H01L21/02491 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/02614 , H01L21/02639 , H01L21/02653 , H01L21/02658 , H01L22/12 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Le procédé de croissance d'au moins un nanofil (3) semi-conducteur, ledit procédé de croissance comporte une étape de formation, au niveau d'un substrat (1), d'une couche de nucléation (2) pour la croissance du nanofil (3) et une étape de croissance du nanofil (3). L'étape de formation de la couche de nucléation (2) comporte les étapes suivantes: le dépôt sur le substrat (1) d'une couche d'un métal de transition (4) choisi parmi Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta; la nitruration d'au moins une partie (2) de la couche de métal de transition de sorte à former une couche de métal de transition nitruré présentant une surface destinée à la croissance du nanofil (3).
摘要翻译：本发明涉及一种用于生长至少一个半导体纳米线（2）的方法，包括形成步骤，其中在基底（1）上形成成核层（2）以便生长纳米线（3），并且纳米线（3）生长步骤。成核层（2）形成步骤包括以下步骤：沉积在选自Ti，V，Cr，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta中的过渡金属层的基板（1）上; 过渡金属层的至少部分（2）的氮化，以形成具有用于生长纳米线（3）的表面的过渡氮化物金属层。

49. 发明申请

WO2023062139A1 PROCÉDÉ DE REPORT D'UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2023062139A1
公开(公告)日：2023-04-20
申请号：PCT/EP2022/078533
申请日：2022-10-13
申请人： ALEDIA
发明人： MAYER, Frédéric , TALLET, Clémence , CAICEDO, Nohora
IPC分类号： H01L33/00
摘要： L'invention a pour objet un procédé de transfert d'un dispositif (10) depuis un premier substrat (1) vers un deuxième substrat (2) par l'intermédiaire d'un substrat de manipulation (3). Le procédé comprend: - le collage du dispositif sur le substrat de manipulation (3) par l'intermédiaire d'une couche d'assemblage au niveau d'une surface de collage - la gravure partielle de la couche d'assemblage (30, 40) de façon à conserver une portion étroite (301, 401) intercalée entre le dispositif (10) et le substrat de manipulation (3), ladite portion étroite (301, 401) présentant une section transverse (S301, S401) strictement inférieure à la surface de collage, le procédé étant caractérisé en ce que la couche d'assemblage (30, 40) est formée préalablement sur le substrat de manipulation (3) et uniquement sur le substrat de manipulation (3).

50. 发明申请

WO2023274828A1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2023274828A1
公开(公告)日：2023-01-05
申请号：PCT/EP2022/067146
申请日：2022-06-23
申请人： ALEDIA
发明人： ROBIN, Ivan-Christophe , CHIO, Zheng Sung
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/673 , H01L21/67333 , H01L25/0753 , H01L33/0093
摘要： L'invention a pour objet une structure de transfert (501, 502, 503) comprenant un support (401, 402, 403) et un dispositif optoélectronique (301, 302, 303) attaché au support, le support comprenant une partie de base (42) présentant une face de support (400), et au moins un élément en saillie (41) depuis la face de support (400), le dispositif optoélectronique présentant une première face (301) comprenant une zone centrale (301c) et une zone périphérique (301p) entourant la zone centrale, la structure de transfert étant caractérisée en ce que l'au moins un élément en saillie (41) du support est attaché à la zone périphérique (301p) de la première face du dispositif optoélectronique. L'invention a également pour objet un procédé de transfert de dispositifs optoélectroniques, basé sur la mise en œuvre de structures de transfert.

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