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31. 发明申请

WO1980000642A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO1980000642A1
公开(公告)日：1980-04-03
申请号：PCT/DE1979000103
申请日：1979-09-08
申请人： BBC BROWN BOVERI & CIE , GRUST G
发明人： BBC BROWN BOVERI & CIE
IPC分类号： H01L25/08
CPC分类号： H01L23/051 , H01L24/72 , H01L25/074 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device comprises a ceramic case (2) of which the upper and lower parts are each sealed by a press-mounted electric and thermal conductor disc (1, 14). The device comprises two semiconductor discs (6, 10) mounted in series, each semiconductor disc having at least one pn junction. These discs are press-mounted with interlayers of molybdenum blanks (4, 8, 12) and silver ductile sheets (5, 7, 9 11) between the conductor discs (1, 14). A current lead (16) is fixed to that of the molybdenum blanks (8) which is between the semi-conductor discs (6, 10). This lead penetrates the case (2) by means of an insulating traverse (17) in order to distribute this voltage at each semi-conductor disc by outer connection.

32. 发明申请

WO2014024108A1 LED PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译： LED封装和制造方法
公开(公告)号：WO2014024108A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/IB2013/056353
申请日：2013-08-02
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V. , PHILIPS DEUTSCHLAND GMBH
发明人： SCHUG, Josef Andreas
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/16
CPC分类号： H01L25/167 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L25/0753 , H01L25/165 , H01L27/0248 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/13025 , H01L2224/13244 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13395 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/8185 , H01L2224/94 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1304 , H01L2924/351 , H05B33/083 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： An LED package (40) and manufacturing method in which the package has LED substrate (50) and a circuit substrate (54) bonded together, with the LED over the integrated circuit, and with electrical connection between the LED and corresponding integrated circuit. The package has package terminals (56a, 56b) on one face only with through vias (58a, 58b) providing connection between the LED substrate and the circuit substrate.
摘要翻译：一种LED封装（40）以及其中所述封装具有LED基板（50）和电路基板（54）结合在一起的制造方法，所述LED在所述集成电路上，以及所述LED与相应的集成电路之间的电连接。该封装在一个面上仅具有提供LED基板和电路基板之间的连接的通孔（58a，58b）的封装端子（56a，56b）。

33. 发明申请

WO2013168796A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2013168796A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/JP2013/063160
申请日：2013-05-10
申请人：ローム株式会社
发明人：中野　佑紀 , 中村　亮太
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/283 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/18 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/8083 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/85375 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：【課題】最表面に配置される金属電極の表面を平坦もしくは滑らかにすることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体素子（ＭＯＳＦＥＴ）が配置された最表面に高低差Ｈ１に基づいて形成された凹凸形状を有するＳｉＣエピタキシャル層３と、ＳｉＣエピタキシャル層３上に形成された金属材料からなるソース電極１３とを含む半導体装置１において、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面３１とソース電極１３との間に、前記凹凸形状に比べて滑らかな表面１２１を有するポリシリコン層１２を設ける。
摘要翻译：提供一种半导体装置，其中布置在最外表面上的金属电极的表面可以平坦或平滑; 以及制造所述半导体器件的方法。该半导体装置（1）包括：在配置有半导体元件（MOSFET）的最表面上，基于高差（H1）形成有凹凸形状的SiC外延层（3）和由金属材料制成并形成在SiC外延层（3）上的源电极（13）。在SiC外延层（3）的表面（31）和源电极（13）之间设置具有比所述不平坦形状更平滑的表面（121）的多晶硅层（12）。

34. 发明申请

WO2013058232A1 チップダイオードおよびダイオードパッケージ审中-公开
标题翻译：芯片二极管和二极管封装
公开(公告)号：WO2013058232A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/JP2012/076684
申请日：2012-10-16
申请人：ローム株式会社
发明人：山本　浩貴
IPC分类号： H01L29/861 , H01L23/28 , H01L29/06 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/872 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L27/067 , H01L27/0722 , H01L27/1021 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/24 , H01L28/40 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/417 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L29/866 , H01L2223/54413 , H01L2223/54433 , H01L2223/54473 , H01L2223/54493 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05144 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/06181 , H01L2224/11009 , H01L2224/11464 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：【課題】外部との電気接続用のパッドに大きなストレスが加わっても、半導体層に形成されたｐｎ接合の破壊を防止したり、特性の変動を抑制したりできるチップダイオードおよびそれを備えるダイオードパッケージを提供すること。【解決手段】ダイオード素子２９を構成するｐｎ接合２８が形成されたエピタキシャル層２１と、エピタキシャル層２１の表面２２に沿って配置され、ｐｎ接合２８のｐ側の極であるダイオード不純物領域２３に電気的に接続されており、外部との電気接続用のパッド３７を有するアノード電極３４と、ｐｎ接合２８のｎ側の極であるエピタキシャル層２１に電気的に接続されたカソード電極４１とを含む、チップダイオード１５において、パッド３７を、ｐｎ接合２８の直上位置から離れた位置に設ける。
摘要翻译：为了提供可以防止形成在半导体层上的p-n结被破坏并且特性波动可以最小化的芯片二极管，即使用于与外部电连接的焊盘受到显着的应力; 并提供具有芯片二极管的二极管封装。解决方案：一种芯片二极管（15），包括：外延层（21），其设置有构成二极管元件（29）的p-n结（28）; 沿着外延层（21）的表面（22）设置并电连接到作为pn结（28）的p侧极的二极管杂质区（23）的阳极电极（34），阳极电极具有用于与外部建立电连接的垫（37）; 以及与p-n结（28）的n侧极相连的外延层（21）电连接的阴极电极（41）。其中，所述垫（37）设置在与所述p-n结（28）正上方的位置相距一定距离的位置。

35. 发明申请

WO2013047606A1 表面実装型発光装置用樹脂成形体およびその製造方法ならびに表面実装型発光装置审中-公开
标题翻译：用于表面安装的发光装置的模制树脂体，其制造方法和表面安装的发光装置
公开(公告)号：WO2013047606A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/074757
申请日：2012-09-26
申请人：株式会社カネカ
发明人：戸澤　友和 , 岩原　孝尚 , 大越　洋 , 平林　和彦 , 尾崎　修平 , 射場　聡明 , 金井　和章 , 掛橋　泰 , 眞鍋　貴雄 , 堀　充啓 , 成田　涼一
IPC分类号： H01L33/60 , B29C45/02 , C08G77/04 , C08L83/05
CPC分类号： H01L33/62 , B29C45/14655 , B29C45/372 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08G77/54 , C08K5/34924 , C08L83/04 , H01L24/97 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/01322 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H05K13/00 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851 , Y10T428/24917 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , C08L83/00 , C08L83/14
摘要：　樹脂硬化体と複数のリードとが一体成形され、底部に前記複数のリードが露出する凹部を有し、凹部開口面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１μｍ～１０μｍであり、樹脂硬化体のガラス転移温度が１０℃以上であり、ガラス転移温度が、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用い、温度範囲－５０～２５０℃、昇温速度５℃／分および試料サイズ長１～５ｍｍの条件で測定された値であり、かつ、凹部の開口面の４６０ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、樹脂成形体を１８０℃で７２時間加熱した後の凹部開口面における光反射率の保持率が９０％以上である表面実装型発光装置用樹脂成形体。
摘要翻译：用于表面安装的发光装置的该模制树脂体包括与多个引线一体形成的固化树脂体，并且具有多个引线在底部露出的凹部。凹部的开口面为10点平均粗糙度（Rz）为1μm〜10μm，固化树脂体的玻璃化转变温度为10℃以上，玻璃化转变温度为在温度范围为-50〜250℃，加热速度为5℃/分钟，试样长度为1-5mm的条件下，使用热机械分析仪（TMA）测定。凹部的开放面在460nm处的光反射率等于或高于80％，并且将模制树脂体在180℃下加热72小时后的光学反射率的保持率等于或更高超过90％。

36. 发明申请

WO2012060509A1 A LIGHT EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：发光二极管组件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012060509A1
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：PCT/KR2010/008815
申请日：2010-12-09
申请人： SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. , LEE, Kyu Ho , SUH, Dae Woong , CHOI, Jae Ryang , KIM, Chang Hoon
发明人： LEE, Kyu Ho , SUH, Dae Woong , CHOI, Jae Ryang , KIM, Chang Hoon
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/17 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L2924/01029 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： The present invention is directed to a light emitting diode (LED) assembly and a method for fabricating the same. According to the present invention, there is provided an LED assembly comprising an LED comprising at least an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer; and bumps provided on the LED and electrically connected to the semiconductor layers, wherein the bump comprises a first region made of a gold (Au) compound including tin (Sn) and a second region made of gold.
摘要翻译：本发明涉及发光二极管（LED）组件及其制造方法。根据本发明，提供一种LED组件，其包括至少包括N型半导体层和P型半导体层的LED; 和设置在LED上并电连接到半导体层的凸起，其中凸块包括由包含锡（Sn）的金（Au）化合物和由金制成的第二区域制成的第一区域。

37. 发明申请

WO2011111516A1 発光装置の製造方法、発光装置、照明装置、バックライト、液晶パネル、表示装置、表示装置の製造方法、表示装置の駆動方法および液晶表示装置审中-公开
标题翻译：发光装置制造方法，发光装置，照明装置，背光，液晶面板，显示装置，显示装置制造方法，显示装置驱动方法和液晶显示装置
公开(公告)号：WO2011111516A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/JP2011/053792
申请日：2011-02-22
申请人：シャープ株式会社 , 根岸哲 , 柴田晃秀 , 小宮健治 , 吉岡史善 , 岩田浩 , 高橋明
发明人：根岸　哲 , 柴田　晃秀 , 小宮　健治 , 吉岡　史善 , 岩田　浩 , 高橋　明
IPC分类号： H01L33/62 , G02F1/13357 , H01L33/20
CPC分类号： G02F1/133603 , F21K9/00 , G02F1/133605 , G02F2001/133612 , G02F2001/133614 , G02F2001/133628 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
摘要：　絶縁性基板７２０の直線領域Ｓに金属配線７３１を形成すると共に、金属配線７３１に所定の間隔をあけて略平行に金属配線７３２を形成する。棒状構造発光素子７１０Ａ～７１０Ｄのｎ型の半導体コア７０１に金属配線７３１が接続され、ｐ型の半導体層７０２に金属配線７３２が接続されている。絶縁性基板７２０を複数の分割基板に分割することによって、分割基板上に複数の棒状構造発光素子７１０が配置された発光装置を複数形成する。複数の発光素子のうち、基板分割工程において切断されても所望の発光量に影響しない棒状構造発光素子７１０が絶縁性基板７２０の切断領域に配置され、切断により破損した棒状構造発光素子７１０が発光しなくとも、切断されていない他の複数の棒状構造発光素子７１０により発光が行われる。
摘要翻译：金属布线（731）形成在绝缘基板（720）的直线区域（S）中，并且金属布线（732）以大致平行的方式从金属布线（731）以预定间隔形成。金属配线（731）与杆状发光元件（710A〜710D）的n型半导体芯（701）连接，金属配线（732）与p型半导体层（702）连接。通过将绝缘基板（720）分割成多个分割的基板，形成多个发光装置，以便包括位于分开的基板上的棒状发光元件（710）。在多个发光元件中，即使在基板分割工序中切断也不影响其期望的发光量的棒状发光元件（710）被设置在绝缘的切割区域衬底（720），并且即使由于由切割引起的损伤，棒状发光元件（710）不再发射光，剩余的多个未形成的棒状发光元件发出光被砍了

38. 发明申请

WO2011072976A1 VERFAHREN ZUR PLANARISIRUNG EINES HALBLEITERCHIPS MITTELS EINER LOTVERBINDUNG UND EIN HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法PLANARISIRUNG半导体芯片使用焊料连接和半导体芯片
公开(公告)号：WO2011072976A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/067728
申请日：2010-11-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , PLÖßL, Andreas
发明人： EISSLER, Dieter , PLÖßL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , B23K1/00 , H01L21/60 , H01L33/62 , H01L33/40 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/0079 , B23K1/0008 , B23K2201/40 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L33/005 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/27849 , H01L2224/83005 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： Die vorliegende Offenbarung beschreibt eine Verwendung einer Lotverbindung als Planarisierungsebene in einem Halbleiterchip. Es werden ein Halbleiterchip und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips beschrieben, wobei eine metallische Planarisierungsebene ein Planarisierungsmaterial (200) mit einem Schmelzpunkt unterhalb 600°C aufweist.
摘要翻译：本公开描述了一种使用焊料连接在一个半导体芯片的平坦化层的。将描述半导体芯片和制造半导体芯片，的方法，其中具有具有低于600℃的熔点的平坦化材料（200）的金属层平面化

39. 发明申请

WO2011066178A2 DIODE LEADFRAME FOR SOLAR MODULE ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：太阳能模块组件的二极管引线
公开(公告)号：WO2011066178A2
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/US2010/057327
申请日：2010-11-19
申请人： MiaSolé , HALSTEAD, Whitfield , CROFT, Steven , EVERSON, Shawn
发明人： HALSTEAD, Whitfield , CROFT, Steven , EVERSON, Shawn
IPC分类号： H01L31/05
CPC分类号： H01L24/34 , H01L23/3107 , H01L23/49551 , H01L23/49568 , H01L23/562 , H01L24/37 , H01L31/044 , H01L2224/32245 , H01L2224/37599 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/15747 , Y02E10/50 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
摘要： A leadframe design for a diode or other semiconductor device that reduces stress on the device and provides increased heat dissipation is provided. According to various embodiments, the leadframe has a contoured profile including a recessed area and a raised surface within the recessed area. The surface supports the device such that the edges of the device extend past the surface. Also provided are device assemblies including the novel leadframes. In certain embodiments, the assemblies include one or more leadframes attached via a solder joint to a device. According to various embodiments, the leadframes are attached to the front side of the device, back side of the device or both. In particular embodiments, the device is a bypass diode for one or more solar cells in a solar module.
摘要翻译：提供了一种二极管或其他半导体器件的引线框设计，可减少器件上的应力并提高散热。根据各种实施例，引线框架具有包括凹陷区域和凹陷区域内的凸起表面的波形轮廓。表面支撑设备，使得设备的边缘延伸越过表面。还提供了包括新型引线框架的器件组件。在某些实施例中，组件包括经由焊接接头连接到设备的一个或多个引线框架。根据各种实施例，引线框架附接到设备的前侧，设备的背面或两者。在具体实施例中，该装置是用于太阳能模块中的一个或多个太阳能电池的旁路二极管。

40. 发明申请

WO2011001588A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2011001588A1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/JP2010/003296
申请日：2010-05-17
申请人：株式会社デンソー , 小山雅紀 , 福田豊
发明人：小山雅紀 , 福田豊
IPC分类号： H01L29/96 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H02M7/48
CPC分类号： H01L29/7391 , H01L24/73 , H01L29/0834 , H01L29/7397 , H01L2224/48472 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
摘要：　半導体装置は、第１半導体層（１１）と第一表面（１１ａ）に形成された第２半導体層（１２）を有する半導体基板（１０）と、第一電極（２０）と第二電極（２１）とを有するダイオード（３０）と、制御パッド（４２）と、該制御パッド（４２）と電気的に接続された制御電極（４１）と、絶縁部材（４４、４６）とからなる。第一電極（２０）は、前記第１半導体層（１１）の第二表面（１１ｂ）に形成され、第二電極（２１）は、第一表面（１１ａ）に形成される。前記第１電極（２０）と前記第２電極（２１）との間に電流が流れる。制御パッド（４２）は、第一表面（１１ａ）に配置され、前記第１半導体層に流入するキャリアの注入量を制御する制御信号を入力する。絶縁部材（４４、４６）は、該制御電極（４１）と前記第２電極（２１）、及び前記制御電極（４１）と前記半導体基板（１０）を絶縁する。
摘要翻译：公开了一种半导体器件，其包括：半导体衬底（10），其具有形成在第一表面（11a）中的第一半导体层（11）和第二半导体层（12）; 具有第一电极（20）和第二电极（21）的二极管（30）; 控制板（42）; 控制电极（41），其与所述控制焊盘（42）电连接; 和绝缘构件（44,46）。第一电极（20）形成在第一半导体层（11）的第二表面（11b）上，第二电极（21）形成在第一表面（11a）上。电流在第一电极（20）和第二电极（21）之间流动。控制焊盘（42）布置在第一表面（11a）上，并且输入用于控制流入第一半导体层的载流子量的控制信号。绝缘构件（44,46）使控制电极（41）与第二电极（21）绝缘，同时使控制电极（41）与半导体衬底（10）绝缘。

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