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31. 发明申请

WO2009139366A1 基板审中-公开
标题翻译：基质
公开(公告)号：WO2009139366A1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/JP2009/058811
申请日：2009-05-12
申请人：日鉱金属株式会社 , 伊森徹 , 日角義幸
发明人：伊森　徹 , 日角　義幸
IPC分类号： H01L21/28 , C23C18/16 , C23C18/31 , H01L21/288 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1603 , C23C18/1605 , C23C18/1642 , C23C18/1692 , C23C18/32 , H01L21/28518 , H01L29/665
摘要：　本発明は、ゲート電極およびソース・ドレイン領域の抵抗を下げることができ、電流効率を上げることができる基板を提供することを目的とする。さらに、微細化が可能であり、煩雑な工程を必要とせずに製造可能である基板を提供することを目的とする。　表面に周囲とは異なる組成の領域部分を有する基材の、特定の一つまたは複数の該組成の領域部分の表面に選択的に、金属を堆積し、熱処理を施して、金属が堆積した領域部分の一部または全てで当該金属と、金属が堆積した基材表面領域部分を構成する元素との化合物を形成してなる基板であり、金属が堆積した領域部分の一部で当該金属と、金属が堆積した基材表面領域部分を構成する元素との化合物を形成し、かつ堆積させた該金属の一部が未反応の金属として残ってなることが好ましい。
摘要翻译：提供了栅极电极和源极/漏极区域的电阻降低并且电流效率增加的衬底。此外，基板使得微小化成为可能，并且可以在不需要复杂工艺的情况下制造。金属被选择性地沉积在由预定组成的一个或多个区域的表面上的基材上，所述基材在表面上具有不同于周围区域的组成的区域，并且进行热处理。在金属沉积的一部分或整个区域上，形成由金属构成的化合物和构成沉积金属的基材表面区域的元素。优选的是，由金属构成的化合物和构成沉积金属的基材表面区域的元素形成在金属沉积区域的一部分上，并且一部分沉积金属留作未反应的金属。

32. 发明申请

WO2009114446A2 A SOLAR CELL AND FABRICATION METHOD USING CRYSTALLINE SILICON BASED ON LOWER GRADE FEEDSTOCK MATERIALS 审中-公开
标题翻译：一种基于较低级材料的晶体硅太阳能电池和制造方法
公开(公告)号：WO2009114446A2
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/US2009036469
申请日：2009-03-09
申请人： CALISOLAR INC , OUNADJELA KAMEL , RAKOTONIAINA JEAN PATRICE , KAES MARTIN , ZICKERMANN DIRK , BLOSSE ALAIN , ZERGA ABDELLATIF , HEUER MATTHIAS , KIRSCHT FRITZ
发明人： OUNADJELA KAMEL , RAKOTONIAINA JEAN PATRICE , KAES MARTIN , ZICKERMANN DIRK , BLOSSE ALAIN , ZERGA ABDELLATIF , HEUER MATTHIAS , KIRSCHT FRITZ
IPC分类号： H01L31/00 , H01L31/042
CPC分类号： C23C18/1692 , C23C18/1603 , C23C18/1605 , C23C18/1653 , C23C18/32 , C25D7/12 , H01L31/02168 , H01L31/02245 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Formation of a solar cell device from upgraded metallurgical grade silicon which has received at least one defect engineering process and including a low contact resistance electrical path. An anti- reflective coating is formed on an emitter layer and back contacts are formed on a back surface of the bulk silicon substrate. This photovoltaic device may be fired to form back surface field temperatures sufficiently low to avoid reversal of previous defect engineering processes. The process further forms openings in the anti-reflective coating and a low contact resistance metal layer, such as nickel layer, over the openings in the coating. The process may anneal the low contact resistance metal layer to form n- doped portion and complete an electrically conduct path to the n-doped layer. This low temperature metallization (e.g.,
摘要翻译：从升级的冶金级硅形成太阳能电池装置，其已经接收了至少一个缺陷工程过程并且包括低接触电阻的电路径。在发射极层上形成抗反射涂层，在体硅衬底的后表面上形成背面触点。该光伏器件可以被烧制以形成足够低的背表面场温度，以避免先前的缺陷工程过程的逆转。该方法在涂层的开口上进一步形成抗反射涂层中的开口和低接触电阻金属层，例如镍层。该工艺可以使低接触电阻金属层退火以形成n掺杂部分并且完成到n掺杂层的导电路径。这种低温金属化（例如，<700℃）支持使用UMG硅用于太阳能装置形成，而不会改变早期的缺陷工程过程。

33. 发明申请

WO2009078448A1 銅導体膜及びその製造方法、導電性基板及びその製造方法、銅導体配線及びその製造方法、並びに処理液审中-公开
标题翻译：铜导体膜及其制造方法，导电基板及其制造方法，铜导体布线及其制造方法及处理方案
公开(公告)号：WO2009078448A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/073006
申请日：2008-12-17
申请人：日立化成工業株式会社 , 中子偉夫 , 山本和徳 , 神代恭 , 町井洋一 , 横澤舜哉 , 江尻芳則 , 増田克之
发明人：中子偉夫 , 山本和徳 , 神代恭 , 町井洋一 , 横澤舜哉 , 江尻芳則 , 増田克之
IPC分类号： H01B5/14 , C23C18/40 , H01B13/00 , H01L21/60 , H05K3/10 , H05K3/12 , H05K3/18
CPC分类号： H05K3/182 , C23C18/1601 , C23C18/1603 , C23C18/1633 , C23C18/1635 , C23C18/1637 , C23C18/1824 , C23C18/1872 , C23C18/30 , C23C18/40 , H01L24/29 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/29347 , H01L2224/8384 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/19043 , H01L2924/203 , H05K3/105 , H05K3/1241 , H05K2203/0315 , H05K2203/0709 , H05K2203/1157 , H05K2203/125 , Y10T428/12014 , Y10T428/12903 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/0002
摘要：　導電性及び配線パターン形成に優れ、配線幅及び配線間スペースが狭くなっても、回路間の絶縁低下のない銅導体膜及びその製造方法並びにパターニングされた銅導体配線を提供する。　還元剤に対して触媒活性を有する金属と銅酸化物を共に含有してなる銅系粒子含有層を、一つの溶液中に銅酸化物をイオン化又は錯体化する薬剤と、銅イオン又は銅錯体を還元し金属銅にする還元剤を含む処理液を用いて処理してなる銅導体膜及びその製造方法並びに銅系粒子含有層が印刷によりパターニングされており、そのパターニングされた粒子含有層を一つの溶液中に銅酸化物をイオン化又は錯体化する薬剤と、銅イオン又は銅錯体を還元し金属銅にする還元剤を共に含む溶液を用いた処理方法により処理して得られるパターニングされた銅導体配線である。
摘要翻译：提供一种铜导体膜及其制造方法以及具有优良的导电性和布线图案形成的图案化的铜导体布线，即使在窄的布线宽度和窄的布线间距下，也不会降低电路之间的绝缘。公开了一种铜导体膜及其制造方法，其中含有对还原剂具有催化活性的金属和含有氧化铜的两者的铜基颗粒含有层使用含有电离的试剂的处理溶液或复合氧化铜和还原剂，其在单个溶液中还原铜离子或铜络合物以形成金属铜，以及通过使用印刷图案化含铜基颗粒的层和通过所述图案化的含有颗粒的图案形成的图案化的铜导体布线层通过使用包含电离或复合氧化铜的试剂和还原剂的溶液进行处理，所述试剂在单一溶液中还原铜离子或铜络合物以形成金属铜。

34. 发明申请

WO2008050715A1 表面金属膜材料とその作製方法、金属パターン材料とその作製方法、ポリマー層形成用組成物、ニトリル基含有ポリマーとその合成方法、ニトリル基含有ポリマーを用いた組成物、及び積層体审中-公开
标题翻译：金属膜包覆材料及其制造方法，金属图案承载材料及其制造方法，聚合物层形成用组合物及其合成方法，含有组合物的组合物
公开(公告)号：WO2008050715A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/070545
申请日：2007-10-22
申请人：富士フイルム株式会社 , 加納丈嘉 , 永▲崎▼ 秀雄 , 佐藤真隆
发明人：加納丈嘉 , 永▲崎▼ 秀雄 , 佐藤真隆
IPC分类号： B32B15/08 , C08F291/00 , C08L57/00 , C23C18/20 , H05K3/18
CPC分类号： B32B27/08 , C08F22/32 , C08F220/28 , C08F220/36 , C08F220/50 , C09D133/18 , C23C18/1603 , C23C18/1653 , C23C18/2086 , C23C18/30 , C23C18/31 , C23C18/405 , H05K3/387 , H05K2203/121 , Y10T428/31551 , Y10T428/31681 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855
摘要：（ａ１）基板上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基を有し、且つ、該基板と直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（ａ２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ａ３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、（ａ４）形成されためっき膜をパターン状にエッチングする工程と、を有し、前記ポリマー層が下記１～４の条件の全てを満たす金属パターン材料の作製方法。条件１：２５°C－５０％での飽和吸水率が０．０１～１０質量％、条件２：２５°C－９５％での飽和吸水率が０．０５～２０質量％、条件３：１００°C煮沸水に１時間浸漬後の吸水率が０．１～３０質量％、条件４：２５°C－５０％で、蒸留水５μＬを滴下し、１５秒静置後の接触角が５０～１５０度。
摘要翻译：一种金属图案承载材料的制造方法，其特征在于，包括以下工序：（a1）在基材上形成由具有与电镀催化剂或其前体相互作用的官能团的聚合物构成的聚合物层，并直接化学键合到将（a2）赋予聚合物层的电镀催化剂或其前体（a3），（a3）电镀镀催化剂或其前体，和（a4）图案化地蚀刻形成的沉积膜，其中聚合物层满足所有的以下要求（1）至（4）。要求1：在25℃下测得的饱和吸水率为0.01-10质量％的50％。要求2：在25℃下测得饱和吸水率，0.05-20质量％为95％。要求3：在100℃沸水中浸渍1小时后具有0.1-30质量％的吸水性。要求4：在25℃和50％下，在其上滴加5μL蒸馏水并静置15秒后测得的接触角为50-150度。

35. 发明申请

WO2006062575A3 MICROFABRICATION USING PATTERNED TOPOGRAPHY AND SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS 审中-公开
标题翻译：使用图形和自组装单体进行微型化
公开(公告)号：WO2006062575A3
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/US2005036575
申请日：2005-10-11
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES CO
发明人： FREY MATTHEW H , NGUYEN KHANH P
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/18 , H05K3/10
CPC分类号： H05K3/108 , B82Y30/00 , C23C18/1603 , C23C18/1608 , C23C18/165 , C23C18/1806 , C23C18/1834 , C23C18/1889 , C23C18/208 , C23C18/31 , C23C18/405 , H01L21/288 , H05K3/184 , H05K2201/0382 , H05K2203/0195 , H05K2203/072 , H05K2203/124 , Y10T428/12 , Y10T428/12514 , Y10T428/261 , Y10T428/31544
摘要： A method of selectively and electrolessly depositing a metal onto a substrate having a metallic microstructured surface is disclosed. The method includes forming a self-assembled monolayer on the metallic microstructured surface, exposing the self-assembled monolayer to an electroless plating solution including a soluble form of a deposit metal, and depositing electrolessly the deposit metal selectively on the metallic microstructured surface. Articles formed from this method are also disclosed.
摘要翻译：公开了一种选择性地和无电沉积金属到具有金属微结构化表面的基底上的方法。该方法包括在金属微结构化表面上形成自组装单层，将自组装单层暴露于包括可溶形式的沉积金属的化学镀溶液中，并将沉积金属选择性地沉积在金属微结构化表面上。还公开了由该方法形成的制品。

36. 发明申请

WO2006051727A1 結晶基板に孔を形成する方法、及びその方法で孔が形成された結晶基板审中-公开
标题翻译：在晶体衬底中形成孔的方法，以及通过方法形成的具有孔的晶体衬底
公开(公告)号：WO2006051727A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/JP2005/020123
申请日：2005-11-01
申请人：国立大学法人大阪大学 , 関西ティー・エル・オー株式会社 , 松村道雄 , 辻埜和也
发明人：松村道雄 , 辻埜和也
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30608 , C23C18/1603 , C23C18/1689 , C23C18/42 , C30B33/00 , H01L21/76898 , Y10T428/249956 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/249986 , Y10T428/268
摘要：直線状又は螺旋状の深い孔３を有する結晶基板１を低コストで提供する。主成分がシリコンからなり、直線孔を形成するときは形成すべき孔の深さ方向に対して（１００）面が直交するように加工された単結晶基板１とフッ化水素濃度が１０％以下のエッチング液を準備し、螺旋孔を形成するときはフッ化水素濃度が２８％以上のエッチング液を準備し、基板表面に銀、白金、パラジウムなどの金属粒子２を無電解メッキ等の手段で付着させた状態で化学エッチングすることを特徴とする。
摘要翻译：一种在晶体基板中形成孔的方法，其特征在于，其包括提供以硅为主要成分的单晶基板（1），其形成为（100）面与深度方向呈矩形的要形成的孔和当形成直线孔时氟化氢浓度为10％以下的蚀刻液，或者当螺旋孔中提供氟化氢浓度为28％以上的蚀刻液时，形成，允许诸如银，铂或钯的金属的颗粒（2）通过诸如无电镀的装置附着在基板的表面上，然后进行化学蚀刻。上述方法可以适当地用于以低成本制备具有线性或螺旋形式的深孔（3）的单晶衬底（1）。

37. 发明申请

WO2005007930A1 ELECTROLESS DEPOSITION METHODS AND SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：电沉积方法和系统
公开(公告)号：WO2005007930A1
公开(公告)日：2005-01-27
申请号：PCT/US2004/020498
申请日：2004-06-25
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. , MARDILOVICH, Peter , HERMAN, Gregory S. , PUNSALAN, David , BERTHANE, Samson
发明人： MARDILOVICH, Peter , HERMAN, Gregory S. , PUNSALAN, David , BERTHANE, Samson
IPC分类号： C23C18/16
CPC分类号： C23C18/1601 , C23C18/1603 , C23C18/1608 , C23C18/161 , C23C18/1658 , C23C18/1678 , C23C18/1879 , C23C18/28 , C23C18/30 , C23C18/31 , C23C18/405 , C23C18/44 , H05K3/182 , H05K2203/013 , H05K2203/1157
摘要： Methods and systems for depositing metal patterns on a substrate are provided. Accordingly, an electroless active layer can be formed on a substrate. Ink-jet techniques can then be used to independently ink-jet at least two components of an electroless deposition composition onto a variety of substrates. A metal composition can be ink-jetted onto the electroless active layer. The metal composition can contain a metal salt and optional additives. A reducing agent composition can be ink-jetted either subsequent to or prior to ink-jetting of the metal composition to form an electroless composition on the substrate. The metal salt and reducing agent react to form a metal pattern which can be used in formation of electronic devices or other products. The described ink-jettable compositions are stable over a wide range of conditions and allow for wide latitude in ink-jet formulations and choice of substrates.
摘要翻译：提供了用于在衬底上沉积金属图案的方法和系统。因此，可以在基板上形成无电活性层。然后可以使用喷墨技术独立地将无电沉积组合物的至少两种组分喷射到各种基底上。可以将金属组合物喷墨到无电活性层上。金属组合物可以含有金属盐和任选的添加剂。还原剂组合物可以在喷墨金属组合物之前或之前喷墨，以在基材上形成无电解组合物。金属盐和还原剂反应形成可用于形成电子器件或其它产品的金属图案。所描述的喷墨组合物在宽范围的条件下是稳定的，并且允许喷墨制剂的广泛范围和底物的选择。

38. 发明申请

WO2017153590A1 LEAD-FRAME STRUCTURE, LEAD-FRAME, SURFACE MOUNT ELECTRONIC DEVICE AND METHODS OF PRODUCING SAME 审中-公开
标题翻译：铅框架结构，铅框架，表面装载电子装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2017153590A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/EP2017/055726
申请日：2017-03-10
申请人： ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人： NEOH, Din-Ghee , BARTHELMES, Jürgen
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48 , C25D5/02 , C25D5/34 , C25D5/48 , C23C18/16 , C23C18/54 , H01L23/31 , C25D3/46 , C23C18/18 , C23C18/42
CPC分类号： H01L23/49582 , C23C18/1603 , C23C18/1614 , C23C18/1689 , C23C18/1893 , C23C18/42 , C23C18/54 , C25D3/46 , C25D5/02 , C25D5/34 , C25D5/48 , H01L21/4821 , H01L23/14 , H01L23/3142 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L23/564
摘要： In order to provide a more reliable and cost-efficient way of producing lead-frames or lead- frames structures which expose treated silver surfaces as well as to provide surface mount electronic devices using such lead-frames or lead-frames structures, a method comprising the following method steps carried out in this order is provided: (a) providing a lead-frame body structure having two main sides, said lead-frame body structure exclusively exposing a copper surface on each one of said main sides; (b) depositing a silver coating on at least one of said main sides, so that said at least one of said main sides at least partially exposes an untreated silver surface; and (c) electrolytically treating said untreated silver surface on said at least one of said main sides generated in method step (b) with a treatment solution containing at least one hydroxide compound selected from alkali metal hydroxides, alkaline earth metal hydroxides, ammonium hydroxides and mixtures thereof, wherein the lead-frame body structure is a cathode, thereby producing a lead-frame structure which comprises at least two lead-frame entities each one having two faces and at least partially exposing said treated silver surface; wherein said at least one of said two faces of at least one of said lead-frame entities either exclusively exposes said treated silver surface or wherein said at least one of said two faces of said at least one of said lead-frame entities partially exposes said treated silver surface and partially exposes said copper surface, wherein, on each one of said two faces of each one of said lead-frame entities which partially exposes said treated silver surface, the area of said copper surface is smaller than the area of said treated silver surface.
摘要翻译：为了提供生产暴露处理过的银表面的引线框架或引线框架结构的更可靠且成本更低的方法，并提供使用这种引线框架的表面安装电子器件或提供了一种包括以下顺序执行的以下方法步骤的方法：（a）提供具有两个主侧面的引线框架主体结构，所述引线框架主体结构独占地暴露每一个说主要方面; （b）在至少一个所述主侧上沉积银涂层，使得所述主侧中的所述至少一个至少部分地暴露未处理的银表面; （c）用包含至少一种选自碱金属氢氧化物，碱土金属氢氧化物，氢氧化铵和碱土金属氢氧化物的氢氧化物化合物的处理溶液电解处理在方法步骤（b）中产生的所述至少一个主侧面上的未处理银表面，由此产生引线框架结构，该引线框架结构包括至少两个引线框架实体，每个引线框架实体具有两个面并且至少部分地暴露所述处理过的银表面; 其中所述引线框架实体中的至少一个的所述两个面中的所述至少一个面专门暴露所述处理过的银表面，或者其中所述引线框架实体中的所述至少一个的所述两个面中的所述至少一个面部分地暴露所述处理的银表面并部分暴露所述铜表面，其中在部分暴露所述处理过的银表面的每个所述引线框架实体的所述两个表面中的每一个表面上，所述铜表面的面积小于所述处理过的银表面的面积银色的表面。

39. 发明申请

WO2016191632A1 METHOD OF PRETREATMENT FOR ELECTROLESS PLATING 审中-公开
标题翻译：电镀镀层预处理方法
公开(公告)号：WO2016191632A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/US2016/034510
申请日：2016-05-27
申请人： MACDERMID, INCORPORATED
发明人： JIN, Lei , LONG, Ernest , KONEFAL, Alexander , YAN, Wei
IPC分类号： B05D5/12
CPC分类号： C23C18/1841 , C23C18/1603 , H05K3/244 , H05K2203/0392 , H05K2203/072
摘要： A method of electrolessly metal plating exposed copper or copper alloy on an article while preventing plating on areas other than the copper or copper alloy of the article to be plated, The method comprises the steps, in order, of a) immersing the article in a ruthenium based activator solution; b) immersing the article in a solution comprising one or more divalent sulfur compounds; and c) electrolessly plating the exposed copper or copper alloy on the article. The article may optionally be cleaned and/or rnicroetched prior to being immersed in the ruthenium based activator solution. This pre treatment method eliminates extraneous plating on the article and reduces the initiation time for plating to begin on the copper or copper alloy during subsequent electroless plating.
摘要翻译：一种在物品上无电镀金属电镀方法，同时防止电镀铜或铜合金以外的区域电镀，该方法包括以下步骤：a）将物品浸入钌基活化剂溶液; b）将制品浸入包含一种或多种二价硫化合物的溶液中; 和c）将暴露的铜或铜合金化学镀在物品上。在浸入基于钌的活化剂溶液之前，该物品可以任选地被清洁和/或微量化。该预处理方法消除了物品上的外部电镀，并且在随后的无电镀期间减少了在铜或铜合金上开始电镀的起始时间。

40. 发明申请

WO2016189023A1 A THERMOPLASTIC POLYMER COMPOSITION, AN ARTICLE MADE THEREOF AND A PROCESS FOR PREPARING THE SAME 审中-公开
标题翻译：热塑性聚合物组合物，其制品及其制备方法
公开(公告)号：WO2016189023A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/EP2016/061774
申请日：2016-05-25
申请人： DSM IP ASSETS B.V.
发明人： VAN DER BURGT, Frank Peter Theodorus Johannes
IPC分类号： C08L77/06 , C08K5/00
CPC分类号： C08L77/06 , C08K3/22 , C08K5/5313 , C08K7/14 , C08K2003/2251 , C08L77/00 , C08L2201/02 , C08L2203/20 , C08L2205/02 , C08L2205/06 , C23C18/1603 , C23C18/1667 , C23C18/31
摘要： The invention relates to a thermoplastic polymer composition comprising A. a polyamide B. a reinforcing agent, and C. an laser direct structuring (LDS) additive wherein the polyamide comprises a blend of - (A.1 ) a semi-crystalline semi-aromatic polyamide, and - (A.2) an amorphous semi-aromatic polyamide or an aliphatic polyamide, or a mixture thereof; or a blend of - (A.3) a semi-crystalline aliphatic polyamide, and - (A.4) an amorphous semi-aromatic polyamide; and D. a metal (di)phosphinate. The present invention further relates an article prepared form the thermoplastic polymer composition, and article made by a LDS process and a process for preparing the same.
摘要翻译：本发明涉及热塑性聚合物组合物，其包含A.聚酰胺B.增强剂，和C.激光直接结构化（LDS）添加剂，其中所述聚酰胺包含 - （A.1）半结晶半芳族化合物聚酰胺和 - （A.2）无定形半芳族聚酰胺或脂族聚酰胺或其混合物; 或 - （A.3）半结晶脂族聚酰胺和 - （A.4）无定形半芳族聚酰胺的混合物; 和D.一种金属（二）次膦酸盐。本发明还涉及由热塑性聚合物组合物制备的制品和由LDS方法制备的制品及其制备方法。

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