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21. 发明申请

WO2015016542A1 이중 소자 융합형 텐덤 태양 전지 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：双元件熔融型TANDEM太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2015016542A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/KR2014/006834
申请日：2014-07-25
申请人： 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 최경진 , 박종혁
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/06 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01G9/2072 , H01L31/035227 , Y02E10/542
摘要： 본 발명은 높은 광전 변환 효율과 낮은 가격의 이중 소자 융합형 텐덤 태양 전지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 이중 소자 융합형 텐덤 태양 전지에 있어서, 나노와이어 태양 전지; 상기 나노와이어 태양 전지 상단에 형성되는 터널 정션의 정션층; 및 상기 터널 정션 상단에 형성되는 염료 감응형 태양 전지가 배치되는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供具有高光电转换效率和低价格的双元件熔融型串联太阳能电池。为此，本发明涉及一种双元素融合型串联太阳能电池，包括：纳米线太阳能电池; 设置在纳米线太阳能电池顶部的隧道结的接合层; 以及形成在隧道结顶部的染料敏化太阳能电池。

22. 发明申请

WO2014103670A1 化合物系薄膜太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：复合薄膜太阳能电池的生产方法
公开(公告)号：WO2014103670A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/JP2013/082884
申请日：2013-12-06
申请人：昭和シェル石油株式会社
发明人：浅野　明彦
IPC分类号： H01L31/06 , C23C28/00
CPC分类号： H01L31/03923 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , H01L31/0326 , H01L31/03928 , H01L31/0445 , H01L31/06 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：　本化合物系薄膜太陽電池の製造方法は、鉄を主成分としアルミニウム（Ａｌ）及びクロム（Ｃｒ）を含有した金属基板を用意し、前記金属基板の素子形成面に絶縁材料を焼成して絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、第１の電極層を製膜する工程と、前記第１の電極層上に、化合物系光吸収層を製膜する工程と、前記化合物系光吸収層上に、第２の電極層を製膜する工程と、を有し、前記絶縁層を形成する工程において、前記絶縁材料を焼成中に前記金属基板の少なくとも裏面にアルミナ層を熱酸化によって形成する。
摘要翻译：本发明的复合薄膜太阳能电池的制造方法具有：制作以铁为主成分并含有铝（Al）和铬（Cr）的金属基板的步骤，将绝缘材料煅烧形成绝缘体在金属基板的元件形成表面上的层; 在绝缘层上形成第一电极层作为膜的步骤; 在第一电极层上形成复合光吸收层作为膜的步骤; 以及在复合光吸收层上形成作为膜的第二电极层的步骤。在形成绝缘层的步骤中的绝缘材料的煅烧期间，通过热氧化在金属基板的至少相反侧形成氧化铝层。

23. 发明申请

WO2014006503A3 RADIAL NANOWIRE ESAKI DIODE DEVICES AND METHODS 审中-公开
标题翻译： RADIAL NANOWIRE ESAKI DIODE装置和方法
公开(公告)号：WO2014006503A3
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：PCT/IB2013001856
申请日：2013-07-05
申请人： QUNANO AB
发明人： WERNERSSON LARS-ERIK , LIND ERIK , OHLSSON JONAS , SAMUELSON LARS , BJOERK MIKAEL , THELANDER CLAES , DEY ANIL
IPC分类号： H01L29/885 , B82Y10/00 , H01L29/06 , H01L31/0693
CPC分类号： H01L27/0629 , B82Y10/00 , H01L29/0669 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/122 , H01L29/205 , H01L29/517 , H01L29/66977 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78642 , H01L29/885 , H01L31/035227 , H01L31/06 , H01L31/068 , H01L31/0687 , Y02E10/50
摘要： A radial nanowire Esaki diode device includes a semiconductor core of a first conductivity type and a semiconductor shell of a second conductivity type different from the first conductivity type. The device may be a TFET or a solar cell.
摘要翻译：径向纳米线Esaki二极管器件包括第一导电类型的半导体核心和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体外壳。该器件可以是TFET或太阳能电池。

24. 发明申请

WO2013110803A3 PHOTOCONVERSION DEVICE BASED ON GRAPHENE WITH ENHANCED PHOTON ABSORPTION 审中-公开
标题翻译：基于具有增强光吸收的石墨的光电转换装置
公开(公告)号：WO2013110803A3
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/EP2013051532
申请日：2013-01-28
申请人： FUNDACIO INST DE CIENCIES FOTONIQUES , CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACION
发明人： KOPPENS FRANK , GARCIA DE ABAJO FRANCISCO JAVIER
IPC分类号： H01L31/0232 , G01J5/12 , H01L27/142 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/052 , H01L31/06 , H01L31/09
CPC分类号： H01L31/02327 , G01J3/28 , G01J5/046 , G01J5/0853 , G01J5/10 , H01L31/028 , H01L31/035209 , H01L31/0475 , H01L31/0547 , H01L31/06 , H01L31/09 , Y02E10/52 , Y02E10/547
摘要： An infrared photoconversion device comprising a collector with at least an active layer made of a single sheet of doped single-layer, bilayer, or multilayer graphene patterned as nanodisks or nanoribbons. The single sheet of doped graphene presents high absorbance and thus, the efficiency of devices such as photovoltaic cells, photodetectors, and light emission devices can be improved by using graphene as the central absorbing or emitting element. These devices become tunable because their peak absorption or emission wavelength is changed via electrostatic doping of the graphene.
摘要翻译：一种红外光转换装置，其包括具有至少一层有源层的集电极，所述有源层由单片掺杂的单层，双层或多层石墨烯构成，其被图案化为纳米磁盘或纳米带。单片掺杂的石墨烯呈现高吸光度，因此可以通过使用石墨烯作为中心吸收或发射元件来改善诸如光伏电池，光电检测器和发光器件的器件的效率。由于它们的峰值吸收或发射波长通过石墨烯的静电掺杂而改变，所以这些器件变得可调谐。

25. 发明申请

WO2013110803A2 PHOTOCONVERSION DEVICE WITH ENHANCED PHOTON ABSORPTION 审中-公开
标题翻译：具有增强光吸收的照相装置
公开(公告)号：WO2013110803A2
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/EP2013/051532
申请日：2013-01-28
申请人： FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES , CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
发明人： KOPPENS, Frank , GARCÍA DE ABAJO, Francisco, Javier
IPC分类号： H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/02327 , G01J3/28 , G01J5/046 , G01J5/0853 , G01J5/10 , H01L31/028 , H01L31/035209 , H01L31/0475 , H01L31/0547 , H01L31/06 , H01L31/09 , Y02E10/52 , Y02E10/547
摘要： An infrared photoconversion device comprising a collector with at least an active layer made of a single sheet of doped single-layer, bilayer, or multilayer graphene patterned as nanodisks or nanoribbons. The single sheet of doped graphene presents high absorbance and thus, the efficiency of devices such as photovoltaic cells, photodetectors, and light emission devices can be improved by using graphene as the central absorbing or emitting element. These devices become tunable because their peak absorption or emission wavelength is changed via electrostatic doping of the graphene.
摘要翻译：一种红外光转换装置，其包括具有至少一层有源层的集电极，所述有源层由单片掺杂的单层，双层或多层石墨烯构成，其被图案化为纳米磁盘或纳米带。单片掺杂的石墨烯呈现高吸光度，因此可以通过使用石墨烯作为中心吸收或发射元件来改善诸如光伏电池，光电检测器和发光器件的器件的效率。由于它们的峰值吸收或发射波长通过石墨烯的静电掺杂而改变，所以这些器件变得可调谐。

26. 发明申请

WO2010094817A1 MÉTODO PARA LA FABRICACIÓN DE UNA CÉLULA SOLAR DE SILICIO DE BANDA INTERMEDIA 审中-公开
标题翻译：用中间带生产硅太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2010094817A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/ES2010/000035
申请日：2010-02-01
申请人： UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID , MARTÍ VEGA, Antonio , LUQUE LÓPEZ, Antonio , ANTOLÍN FERNÁNDEZ, Elisa , OLEA ARIZA, Javier , PASTOR PASTOR, David , MÁRTIL DE LA PLAZA, Ignacio , GONZÁLEZ DÍAZ, Germán , PUIGDOLLERS GONZÁLEZ, Joaquín , SILVESTRE BERGÉS, Santiago , CASTAÑER MUÑOZ, Luis , UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID , UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE CATALUNYA
发明人： MARTÍ VEGA, Antonio , LUQUE LÓPEZ, Antonio , ANTOLÍN FERNÁNDEZ, Elisa , OLEA ARIZA, Javier , PASTOR PASTOR, David , MÁRTIL DE LA PLAZA, Ignacio , GONZÁLEZ DÍAZ, Germán , PUIGDOLLERS GONZÁLEZ, Joaquín , SILVESTRE BERGÉS, Santiago , CASTAÑER MUÑOZ, Luis
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： H01L31/028 , H01L31/06 , H01L31/075 , Y02E10/547 , Y02E10/548
摘要： Es posible crear materiales de banda intermedia en silicio mediante la implantación iónica en dosis elevadas de elementos que produzcan centros profundos en el silicio. Sin embargo, el material de banda intermedia (4) se crea en la superficie de la oblea implantada (7) planteándose una dificultad técnica ya que, para fabricar una célula solar completa, resulta necesario envolver este material de banda intermedia entre un semiconductor de tipo p (5) y otro de tipo n (6) utilizando un proceso de baja temperatura que evite la segregación y formación de clústeres del elemento implantado. En esta patente, esta dificultad se resuelve creando la estructura p n mediante la deposición de capas de silicio amorfo hidrogenado de calidad a baja temperatura.
摘要翻译：可以通过离子注入从硅中产生中等带材料，并在硅中产生深中心的高剂量元素。然而，在植入晶片（7）的表面上产生中间带材料（4），由于为了制造完整的太阳能电池而需要围绕中间带材料（p型半导体）而产生技术问题 5）和另一种类型n半导体（6），其使用防止植入元件的簇的偏析和形成的低温工艺。在该专利中，通过在低温下沉积高质量非晶氢化硅层来形成p n结构来解决该问题。

27. 发明申请

WO2009075189A1 太陽電池および太陽電池の製造に用いられる組成物审中-公开
标题翻译：用于制造太阳能电池的太阳能电池和组合物
公开(公告)号：WO2009075189A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/JP2008/071534
申请日：2008-11-27
申请人：株式会社ノリタケカンパニーリミテド , 仙田慎嗣 , 岩谷麻美子
发明人：仙田慎嗣 , 岩谷麻美子
IPC分类号： H01B1/22 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01B1/023 , H01B1/22 , H01L31/02168 , H01L31/06 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：　本発明により提供される太陽電池用ペースト状組成物は、レーザー回折法に基づく粒度分布のＤ５０が３μｍ以下であり且つＤ１０とＤ９０との比（Ｄ１０／Ｄ９０）が０．２以上であることを特徴とする小粒径アルミニウム粉末と、Ｄ５０が小粒径アルミニウム粉末のＤ５０の２～６倍であり且つＤ１０／Ｄ９０が０．２以上であることを特徴とする大粒径アルミニウム粉末とを混合することにより調製された混合アルミニウム粉末を含む。
摘要翻译：公开了一种用于太阳能电池的糊状状态的组合物。该组合物含有通过将基于激光分析法的粒径分布（D50）为3μm以下的小粒径的铝粉末材料与D10〜D90（D10 / D90）的比D10〜D90（D10 / D90）混合而成的混合铝粉末材料 0.2以上，以及D50为小粒径铝粉末材料的D50的2〜6倍D D / D 90为0.2以上的大粒径铝粉末材料。

28. 发明申请

WO2008140627A8 THIN FILM SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：薄膜太阳能电池
公开(公告)号：WO2008140627A8
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/US2007089187
申请日：2008-05-02
申请人： TRANSLUCENT PHOTONICS INC , ATANACKOVIC PETAR B
发明人： ATANACKOVIC PETAR B
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/06 , Y02E10/50
摘要： Optimal structures for high efficiency thin film silicon solar energy conversion devices and systems are disclosed. Thin film silicon active layer photoelectron conversion structures using ion implantation are disclosed. Thin film semiconductor devices optimized for exploiting the high energy and ultraviolet portion of the solar spectrum at the earths surface are also disclosed. Solar cell fabrication using high oxygen concentration single crystal silicon substrates formed using in preference the CZ method are used advantageously. Furthermore, the present invention discloses optical coatings for advantageous coupling of solar radiation into thin film solar cell devices via the use of rare-earth metal oxide (REOx), rare-earth metal oxynitride (REOxNy) and rare-earth metal oxy-phosphide (REOxPy) glasses and or crystalline material. The rare-earth metal is chosen from the group commonly known in the periodic table of elements as the lanthanide series.
摘要翻译：公开了用于高效薄膜硅太阳能转换装置和系统的最佳结构。公开了使用离子注入的薄膜硅有源层光电转换结构。还公开了为了利用地球表面的太阳光谱的高能量和紫外线部分而优化的薄膜半导体器件。有利地使用使用优选CZ法形成的高氧浓度单晶硅衬底的太阳能电池制造。此外，本发明公开了通过使用稀土金属氧化物（REOx），稀土金属氮氧化物（REOxNy）和稀土金属氧化膦（REOxNy）和稀土金属氧化物（REOxNy），将太阳辐射有效耦合到薄膜太阳能电池器件中的光学涂层 REOxPy）玻璃和/或结晶材料。稀土金属选自周期表中众所周知的元素作为镧系元素。

29. 发明申请

WO2008061131A4 A METHOD OF FABRICATING A DENSIFIED NANOPARTICLE THIN FILM WITH A SET OF OCCLUDED PORES 审中-公开
标题翻译：一种用一套封闭的聚四氟乙烯薄膜制作方法
公开(公告)号：WO2008061131A4
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/US2007084655
申请日：2007-11-14
申请人： INNOVALIGHT INC , ROGOJINA ELENA V , LEMMI FRANCESCO , KELMAN MAXIM , LI XUEGENG , YU PINGRONG
发明人： ROGOJINA ELENA V , LEMMI FRANCESCO , KELMAN MAXIM , LI XUEGENG , YU PINGRONG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/208 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L31/06 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A method of fabricating a densified nanoparticle thin film (12) with a set of occluded pores in a chamber is disclosed. The method includes positioning a substrate (10) in the chamber; and depositing a nanoparticle ink (11), including a set of Group 14 semiconductor particles and a solvent. The method further includes heating the nanoparticle ink to a first temperature (30-300 -C), for a first time period (Tl) of 5 to 60 minutes, wherein the solvent is substantially removed, and a porous compact with a set of pores is formed. The method also includes heating the porous compact to a second temperature (300-900 -C), for a second time period (T4-T3) of 5 to 15 minutes, and flowing a precursor gas into the chamber at a partial pressure between 13.3 Pa-6.6 kPa (0.1-50 Torr), wherein the precursor gas substantially fills the set of pores (16).
摘要翻译：公开了一种在腔室中制造具有一组闭塞孔的致密纳米颗粒薄膜（12）的方法。该方法包括将衬底（10）定位在腔室中; 以及沉积纳米颗粒油墨（11），其包括一组第14族半导体颗粒和溶剂。该方法还包括将纳米颗粒油墨加热至第一温度（30-300℃），第一时间（T1）为5至60分钟，其中基本上除去溶剂，以及具有一组孔隙的多孔压块形成了。该方法还包括将多孔压块加热至第二温度（300-900℃），持续5至15分钟的第二时间段（T4-T3），并将前体气体以13.3° Pa-6.6kPa（0.1-50托），其中前体气体基本上填充该组孔（16）。

30. 发明申请

WO2009028492A1 光起電力素子审中-公开
标题翻译：光伏装置
公开(公告)号：WO2009028492A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/065180
申请日：2008-08-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 竹田康彦 , 伊藤忠 , 元廣友美 , 長島知理
发明人：竹田康彦 , 伊藤忠 , 元廣友美 , 長島知理
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/0352 , H01L31/06
摘要：　光吸収層におけるキャリアの滞在時間が短くても変換効率を効果的に高めることができるホットキャリア型の光起電力素子を提供する。光起電力素子は、光を吸収して電子および正孔を生成する光吸収層２と、光吸収層２の一方の面に隣接する電子移動層３と、光吸収層２の他方の面に隣接する正孔移動層４と、電子移動層３上に設けられた負電極５と、正孔移動層４上に設けられた正電極６とを備える。電子移動層３は、光吸収層２における伝導帯２ｃのエネルギー幅より狭いエネルギー幅を有しており所定のエネルギー準位Ｅｅの電子を選択的に通過させる伝導帯３ａを有する。正孔移動層４は、光吸収層２における価電子帯２ｄのエネルギー幅より狭いエネルギー幅を有しており所定のエネルギー準位Ｅｈの正孔を選択的に通過させる価電子帯４ａを有する。光吸収層２は、ｐ型不純物またはｎ型不純物を含む。
摘要翻译：即使在光吸收层中的载流子的停留时间短，也能显示出有效提高的转换效率的光载流子型光电器件。光伏力装置包括吸收光并产生电子和空穴的光吸收层（2），与光吸收层（2）的一个表面相邻的电子迁移层（3），空穴迁移层（4）设置在电子迁移层（3）上的负极（5）和设置在空穴迁移层（4）上的正极（6）相邻的另一个表面。电子迁移层（3）的能量窄于光吸收层（2）的导带（2c）的能量宽度，并且具有用于选择性地通过预定能级Ee的电子的导带（3a）。空穴迁移层（4）的能量宽度比光吸收层（2）的价带（2d）的能量窄，并且具有用于选择性地通过预定能级Eh的空穴的价带（4a）。光吸收层（2）含有p型或n型杂质。

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