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21. 发明申请

WO2008007508A1 剥離ウェーハを再利用する方法审中-公开
标题翻译：重新移除波浪的方法
公开(公告)号：WO2008007508A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：PCT/JP2007/061623
申请日：2007-06-08
申请人：信越半導体株式会社 , 田村明彦 , 大木好
发明人：田村明彦 , 大木好
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/26 , H01L21/304 , H01L21/322 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/3223 , H01L21/3225
摘要：　本発明は、イオン注入剥離法でＳＯＩウェーハを製造する際に副生された剥離ウェーハ１７に、少なくとも研磨を施す再処理を加え、剥離ウェーハ１７をボンドウェーハ２１として再びＳＯＩウェーハ製造工程で再利用する方法において、少なくとも、ボンドウェーハとして用いるＣＺウェーハ１１を、全面がＮ領域からなる低欠陥ウェーハとし、前記再処理は、ＳＯＩウェーハ製造工程においてボンドウェーハに施される熱酸化膜１２形成時の温度より高温で剥離ウェーハ１７にＲＴＡ処理を施すことを特徴とする剥離ウェーハを再利用する方法である。これにより、２００ｍｍ以上の大直径のＣＺウェーハをボンドウェーハとして用いイオン注入剥離法によりＳＯＩウェーハを作製する際に副生される剥離ウェーハを、繰り返しボンドウェーハとして再利用しても、貼り合わせ不良やＳＯＩ層の品質低下を誘発することのない剥離ウェーハの再利用方法が提供される。　
摘要翻译：在重新利用去除的晶片的方法中，当通过离子注入去除方法制造SOI晶片时，对作为副产品获得的去除的晶片（17）进行至少抛光的再处理，并且将被去除的晶片（17）重复使用作为SOI晶片制造工艺中的接合晶片（21）。在该方法中，至少将用作接合晶片的CZ晶片（11）形成为在整个表面上具有N区域的低缺陷晶片，并且在重新处理中，对被去除的RTA处理晶片（17）的温度高于在SOI晶片制造工艺中在接合晶片上形成热氧化膜（12）时的温度。因此，即使当使用具有200mm以上的大直径的CZ晶片作为接合晶片和SOI晶片作为副产物获得的去除的晶片，通过离子注入去除方法制造时，被重新用作接合晶片不会引起接合失败和SOI层质量的劣化。

22. 发明申请

WO2007091726A1 シリコンウェハの表面層の除去方法审中-公开
标题翻译：去除硅波片表面层的方法
公开(公告)号：WO2007091726A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052659
申请日：2007-02-08
申请人：九州電通株式会社 , 角谷省一 , 山田浩
发明人：角谷省一 , 山田浩
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02079 , H01L21/02032 , H01L21/31116
摘要：本発明は、液剤を使用せず且つ機械的研磨作業及び処理後の洗滌を不要としてドライプロセスでシリコンウェハの表面層を除去でき、多数回再生・除去処理してもシリコン基材を繰り返し使用でき、シリコン基材の有効使用が図れる、シリコンウェハの表面層の除去方法を提供する。例えば、真空容器２内に陰極板３を配置し、同陰極板３上に２００ｎｍ厚みのＳｉＮ膜の表面層１ａを付着させたシリコンウェハ１を置き、真空容器１内にＣＦ 4 ガスを４．７ＣＣＭ導入し、３ｍｔｏｒｒを保持し、磁束密度３００ガウスでＲＦ電源５ｂにより出力２００Ｗを印加して１０分間エッチングする。
摘要翻译：提供了一种去除硅晶片的表面层的方法。可以通过干法除去硅晶片的表面层，而不需要使用溶液，也不需要机械抛光操作，也不需要在工艺之后进行清洁。即使在进行多次回收/除去处理之后，也可以重复使用硅基材料，并且可以有效地使用硅基材料。例如，在真空容器（2）中设置负极板（3），将硅片（1）与厚度为200nm的SiN膜的表面层（1a）粘接在负极板（3）上，放置在负极板（3）上，将4.7CCM的CF 4气体引入真空容器（1）中。将真空容器的内部保持在3morr，通过RF电源（5b）以300高斯的磁通密度施加200W的功率，并进行10分钟的蚀刻。

23. 发明申请

WO2004019404A3 RECYCLING A WAFER COMPRISING A BUFFER LAYER, AFTER HAVING TAKEN OFF A THIN LAYER THEREFROM 审中-公开
标题翻译：回收包含缓冲层的晶片，然后取下薄层
公开(公告)号：WO2004019404A3
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/IB0304143
申请日：2003-08-26
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , GHYSELEN BRUNO , AULNETTE CECILE , OSTERNAUD BENEDITE , LE VAILLANT YVES-MATHIEU , AKATSU TAKESHI
发明人： GHYSELEN BRUNO , AULNETTE CECILE , OSTERNAUD BENEDITE , LE VAILLANT YVES-MATHIEU , AKATSU TAKESHI
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L21/76259
摘要： Method of recycling a donor wafer (10) after taking off at least one useful layer, the donor wafer (10) comprising successively a substrate (1), a buffer structure (1) and, before taking-off, a useful layer. The method comprises removal of substance relating to part of the donor wafer (10) on the side where the taking-off took place, such that, after removal of substance, there remains at least part of the buffer structure (1) capable of being reused as at least part of a buffer structure (1) during a subsequent taking-off of a useful layer. The present document also relates to: - a method of producing a donor wafer (10) which can be recycled according to the invention; - methods of taking a thin layer off a donor wafer (10) which can be recycled according to the invention; - donor wafers (10) which can be recycled according to the invention.
摘要翻译：在取出至少一个有用层之后再循环施主晶片（10）的方法，施主晶片（10）依次包括衬底（1），缓冲结构（1）以及在取下之前的有用层。该方法包括去除与发生取出的一侧上的供体晶片（10）的一部分有关的物质，使得在去除物质之后，至少部分缓冲结构（1）能够存在在随后取出有用层期间作为缓冲结构（1）的至少一部分被重新使用。本发明还涉及： - 制造可根据本发明再循环的施主晶片（10）的方法; - 从根据本发明可以再循环的施主晶片（10）上取下薄层的方法; - 根据本发明可以再循环的供体晶片（10）。

24. 发明申请

WO2004061943A1 RECYCLING BY MECHANICAL MEANS OF A WAFER COMPRISING A TAKING-OFF STRUCTURE AFTER TAKING-OFF A THIN LAYER THEREOF 审中-公开
标题翻译：通过机械手段回收包括取消结构在内的一个薄膜结构的机械手段
公开(公告)号：WO2004061943A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/IB2004/000285
申请日：2004-01-07
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , GHYSELEN, Bruno , AULNETTE, Cécile , OSTERNAUD, Bénédicte , AKATSU, Takeshi , FAURE, Bruce
发明人： GHYSELEN, Bruno , AULNETTE, Cécile , OSTERNAUD, Bénédicte , AKATSU, Takeshi , FAURE, Bruce
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254
摘要： Method of recycling a donor wafer (10) after having taken off a useful layer comprising a material chosen from semiconductor materials. The donor wafer (10) comprising successively a substrate (1) and a taking-off structure (I), the taking-off structure (I) before taking-off comprising the useful layer to take off; The method comprising removal of substance on the side where the taking-off took place, characterized in that the removal of substance comprises employing mechanical means so that, after removal of substance, at least a part of the taking-off structure (I’) remains, this at least part of the taking-off structure (I’) including at least one other useful layer that can be taken off after recycling, without a supplementary step of reforming a useful layer. The present document likewise relates to: -methods of taking-off a thin layer from a donor wafer (10) which may be recycled according to the invention; -donor wafer (10) which may be recycled according to the invention.
摘要翻译：在取下包含选自半导体材料的材料的有用层之后再循环供体晶片（10）的方法。施主晶片（10）连续地包括基板（1）和起飞结构（I），起飞结构（I）在起飞前包括有用层起飞; 所述方法包括在所述起飞的一侧移除物质，其特征在于，物质的去除包括采用机械装置，使得在除去物质之后，至少一部分起飞结构（I'）剩余物，该至少部分的起飞结构（I'）包括至少一个可再循环之后可以取出的其它有用层，而不需要改造有用层的辅助步骤。本文件同样涉及： - 可以从根据本发明再循环的供体晶片（10）中取出薄层的方法; （10），其可以根据本发明再循环。

25. 发明申请

WO2014207988A1 貼り合わせウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造粘结波的方法
公开(公告)号：WO2014207988A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/JP2014/002615
申请日：2014-05-19
申请人：信越半導体株式会社
发明人：小林　徳弘 , 阿賀　浩司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/324 , H01L21/7813 , H01L22/12
摘要：　本発明は、ボンドウェーハの表面に、水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、ボンドウェーハのイオン注入した表面と、ベースウェーハの表面とを直接または絶縁膜を介して貼り合わせた後、熱処理を加えてイオン注入層でボンドウェーハの一部を剥離させることにより、ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、ボンドウェーハとベースウェーハを貼り合わせる前に、ボンドウェーハとベースウェーハの厚さを測定し、両ウェーハの厚さの差が５μｍ未満であるボンドウェーハとベースウェーハとなる組み合わせを選択して貼り合わせる貼り合わせウェーハの製造方法である。これにより、薄膜に発生するマーブル模様の膜厚ムラを抑制し、薄膜の膜厚均一性の高い貼り合わせウェーハを製造できる。
摘要翻译：本发明是一种制造接合晶片的方法，其中通过以下步骤制造在基底晶片上具有薄膜的接合晶片：通过将氢离子和惰性气体离子中的至少一种注入到表面，形成离子注入层接合晶片; 并且在直接或经由绝缘膜将接合晶片的离子注入表面和基底晶片的表面接合之后，进行热处理，然后将部分接合晶片与离子注入层分离，其中，在接合晶片和基底晶片接合在一起之前测量接合晶片和基底晶片，选择两个晶片之间的厚度差小于5μm的接合晶片和基底晶片的组合，并且所选择的接合晶片和基底晶片接合在一起。因此，通过抑制在薄膜中发生的厚度的大理石图案不均匀性，可以制造薄膜厚度均匀性高的接合晶片。

26. 发明申请

WO2014196759A1 기판 재생 방법 및 재생 기판 审中-公开
标题翻译：基板再生方法和再生基板
公开(公告)号：WO2014196759A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/KR2014/004717
申请日：2014-05-27
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 한창석 , 김화목 , 고미소 , 이아람차 , 서대웅
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/12 , H01L33/22
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/0265 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L33/0075 , H01L33/12
摘要： 기판 재생 방법 및 재생 기판이 개시된다. 이 기판 재생 방법은, 에피층으로부터 분리된 표면을 갖는 기판을 준비하는 것을 포함한다. 분리된 표면은 돌출부와 오목부를 포함하고, 돌출부는 오목부에 비해 상대적으로 평탄하다. 분리된 표면 상에 결정성 복원층이 성장된다. 결정성 복원층은 돌출부에서 성장된다. 나아가, 결정성 복원층 상에 연속적인 표면을 갖도록 표면 거칠기 향상층이 성장된다. 이에 따라, 물리적인 연마나 화학적인 식각 기술을 이용하지 않으면서 평탄한 표면을 갖는 재생 기판을 제공할 수 있다.
摘要翻译：公开了基板再生方法和再生基板。基板再生方法包括制备具有与外延层分离的表面的基板。分离面包括凸部和凹部，凸部比凹部比较平坦。在分离的表面上生长晶体恢复层。晶体恢复层在凸部上生长。此外，在结晶恢复层上生长表面粗糙度改善层，从而提供连续的表面。因此，可以提供具有平坦表面的再生基板，而不使用物理抛光或化学蚀刻技术。

27. 发明申请

WO2010103568A1 再生半導体ウエハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造回收半导体波形的方法
公开(公告)号：WO2010103568A1
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：PCT/JP2009/001081
申请日：2009-03-11
申请人：湯之上隆
发明人：湯之上隆
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02032 , B24B37/042 , B24B37/245 , H01L21/02079
摘要：　半導体集積回路装置の製造においては、原材料としてのウエハ投入からウエハ・チップ化工程前の段階で、ラインから外部に排出されるウエハ、すなわち使用済みウエハの全投入ウエハに占める比率が極めて高いことから、使用済みウエハの再生が重要視されている。本願発明は、使用済みウエハの再生方法において、デバイス面（表側主面）上の金属配線および絶縁膜をウエット・エッチングにより除去した後、固定砥粒研磨パッドを用いて、湿式化学機械研磨を実行することにより、デバイス面の平坦化を達成するものである。
摘要翻译：在半导体集成电路器件的制造中，重要的是回收使用的晶片，因为在将晶片从晶片的输入制成晶片的步骤之前的阶段，被排出的晶片的比例作为原材料的晶片，即所使用的晶片，总输入的晶片是非常高的。在二次晶片回收方法中，通过湿蚀刻除去器件表面（前主表面）上的金属布线和绝缘膜，然后通过使用具有固定磨粒的抛光垫对器件表面进行湿化学机械抛光，并且器件表面被平坦化。

28. 发明申请

WO2010089832A1 多層膜付き半導体ウェーハ及びその製造方法並びに半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：具有多层薄膜的半导体薄膜及其制造方法以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2010089832A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/JP2009/006680
申请日：2009-12-08
申请人：信越半導体株式会社 , 三谷清 , 大槻剛 , 高橋亨 , 曲偉峰
发明人：三谷清 , 大槻剛 , 高橋亨 , 曲偉峰
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/0203 , H01L21/02032 , H01L27/1214 , H01L27/1266
摘要：　本発明は、表面部を多孔質層に変化させることにより半導体ウェーハの表面に多孔質層を形成、多孔質層上に半導体膜を形成して多層膜付き半導体ウェーハを製造、半導体膜上に素子を作製、及び、多孔質層で剥離して半導体デバイスを製造、の各工程により半導体デバイスを製造する際に、剥離後の半導体ウェーハを平坦化し、平坦化を行った半導体ウェーハを再利用して多層膜付き半導体ウェーハを製造する方法であって、再利用する半導体ウェーハを用いて製造された多層膜付き半導体ウェーハの全体の厚さが所定の規格内に入るように厚さ調整を行う工程を含む多層膜付き半導体ウェーハの製造方法である。これにより、剥離用半導体ウェーハに多孔質層を形成する方法を採用して半導体デバイス作製用の多層膜付き半導体ウェーハを製造する際、剥離用半導体ウェーハの再利用回数にかかわらず、規格内の全体厚さを有する多層膜付き半導体ウェーハが低コストで提供される。
摘要翻译：提供一种制造具有多层膜的半导体晶片的方法，其中，当通过以下步骤制造半导体器件时，该半导体器件通过将表面部分转变成多孔层在半导体晶片的表面上形成多孔层，具有多层膜的半导体晶片，通过在多孔层上形成半导体膜，在半导体膜上形成元素，剥离多孔层，使被剥离的半导体晶片平坦化，再次使用扁平化的半导体晶片。具有多层膜的半导体晶片的制造方法还包括调整厚度的步骤，使得使用再使用的半导体晶片制造的具有多层膜的整个半导体晶片的厚度在预定范围内。结果，当使用其中在用于剥离的半导体晶片上形成多孔层的方法制造具有用于制造半导体器件的多层膜的半导体晶片时，具有多层膜的半导体晶片，其中整个晶片的厚度为以低成本提供在预定范围内，而不管用于剥离的半导体晶片被重复使用的次数。

29. 发明申请

WO2010062852A1 METHOD FOR PROCESSING A SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：一种加工绝缘子硅结构的方法
公开(公告)号：WO2010062852A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/US2009/065520
申请日：2009-11-23
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. , RIES, Michael J. , STANDLEY, Robert W. , LIBBERT, Jeffrey L. , JONES, Andrew M. , WILSON, Gregory M.
发明人： RIES, Michael J. , STANDLEY, Robert W. , LIBBERT, Jeffrey L. , JONES, Andrew M. , WILSON, Gregory M.
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/3247
摘要： A method is disclosed for processing the cleaved surface of a silicon-on-insulator structure. The silicon-on-insulator structures comprises a handle wafer, a silicon layer, and a dielectric layer between the handle wafer and the silicon layer. The silicon layer has a cleaved surface defining an outer surface of the structure. The methods disclosed include an etching process to reduce the time and cost required to process the silicon-on-insulator structure to remove the surface damage and defects formed when a portion of the donor wafer is separated along a cleave plane from the silicon-on-insulator structure. The method includes, annealing the structure, etching the cleaved surface, and performing a non-contact smoothing process on the cleaved surface.
摘要翻译：公开了一种用于处理绝缘体上硅结构的切割表面的方法。绝缘体上的结构包括处理晶片，硅层和处理晶片和硅层之间的介电层。硅层具有限定结构的外表面的切割表面。所公开的方法包括蚀刻工艺，以减少加工绝缘体上硅结构以消除表面损伤所需的时间和成本，并且当施主晶片的一部分沿着解离平面从硅 - 绝缘体结构。该方法包括：退火结构，蚀刻裂开的表面，以及在切割的表面上执行非接触平滑处理。

30. 发明申请

WO2009007003A1 METHOD FOR RECYCLING A SUBSTRATE, LAMINATED WATER FABRICATING METHOD AND SUITABLE RECYCLED DONOR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于回收衬底的方法，层压水制造方法和适用的再循环衬底
公开(公告)号：WO2009007003A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/EP2008/005107
申请日：2008-06-24
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , AULNETTE, Cécile , RADOUANE, Khalid
发明人： AULNETTE, Cécile , RADOUANE, Khalid
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032
摘要： The invention relates to a method for recycling a substrate with a step-like residue in a first region of its surface, in particular along the edge of the substrate, which protrudes with respect to the surface of a remaining second region of the substrate, and wherein the first region comprises a modified zone, in particular an ion implanted zone, essentially in a plane corresponding to the plane of the surface of the remaining second region of the substrate and/or chamfered towards the edge of the substrate. To prevent the negative impact of contaminants in subsequent laminated wafer fabricating processes, the recycling method comprises a material removal step which is carried out such that the surface of the substrate in the first region is lying lower than the level of the modified zone before the material removal. The invention also relates to a laminated wafer fabricating method using the recycled substrate and to a recycled substrate in which the surface of a first region lies lower than the surface of the second region.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在其表面的第一区域，特别是沿着衬底的边缘相对于衬底的剩余第二区域的表面突出的阶梯状残留物再循环衬底的方法，以及其中所述第一区域包括改性区域，特别是离子注入区域，基本上在与衬底的剩余第二区域的表面的平面相对应的平面中和/或朝向衬底的边缘倒角。为了防止随后的层压晶片制造工艺中的污染物的负面影响，回收方法包括材料去除步骤，其执行为使得第一区域中的基板的表面低于材料之前的改质区域的水平去除。本发明还涉及使用再循环基板和第一区域的表面低于第二区域的表面的再循环基板的层压晶片制造方法。

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