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21. 发明申请

WO2011139501A3 PAD CONDITIONING SWEEP TORQUE MODELING TO ACHIEVE CONSTANT REMOVAL RATE 审中-公开
标题翻译： PAD调节SWEEP扭矩建模以实现恒定移除速率
公开(公告)号：WO2011139501A3
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/US2011032319
申请日：2011-04-13
申请人： APPLIED MATERIALS INC , DHANDAPANI SIVAKUMAR , MENK GREGORY E , CHO SANG J , FUNG JASON GARCHEUNG , COCCA CHRISTOPHER D , TSAI STAN D , CHANG SHOU-SUNG , GARRETSON CHARLES C
发明人： DHANDAPANI SIVAKUMAR , MENK GREGORY E , CHO SANG J , FUNG JASON GARCHEUNG , COCCA CHRISTOPHER D , TSAI STAN D , CHANG SHOU-SUNG , GARRETSON CHARLES C
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/042
摘要： A method and apparatus for conditioning a polishing pad in a CMP system is provided. In one embodiment, a method for conditioning a polishing pad includes applying a down force to the conditioning disk that urges the conditioning disk against the polishing pad, measuring a torque required to sweep the conditioning disk across the polishing pad, determining a change in down force by comparing the measured torque to a model force profile (MFP), and adjusting the down force that the conditioning disk applies against the polishing pad in response to the determined change.
摘要翻译：提供了一种用于调节CMP系统中的抛光垫的方法和装置。在一个实施例中，一种用于调节抛光垫的方法包括向调节盘施加向下的力，该调节盘将调节盘推向抛光垫，测量扫过经过抛光垫的调节盘所需的扭矩，确定向下力的变化通过将测量的扭矩与模型力分布（MFP）进行比较，并且响应于确定的变化来调节调节盘对抛光垫施加的向下的力。

22. 发明申请

WO2012005289A1 シリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液审中-公开
标题翻译：抛光硅波的方法和抛光方法在该方法中的应用
公开(公告)号：WO2012005289A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/JP2011/065476
申请日：2011-07-06
申请人：株式会社SUMCO , 谷本竜一 , 緒方晋一 , 後藤勇 , 山下健児 , 浅利昌弘
发明人：谷本　竜一 , 緒方　晋一 , 後藤　勇 , 山下　健児 , 浅利　昌弘
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/042 , B24B37/08 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要：　有砥粒のアルカリ性水溶液に水溶性高分子を添加した研磨液を、硬質の研磨布に供給しながらシリコンウェーハの被研磨面を粗研磨するので、高い研磨レートでの研磨とウェーハ外周部のロールオフとを同時に満足できる。
摘要翻译：对硅晶片进行抛光的表面进行大致抛光，同时向硬质抛光布提供通过将水溶性聚合物添加到磨料颗粒的碱性水溶液中制备的抛光溶液。因此，可以同时实现高抛光速度的抛光和晶片的外周部的滚降。

23. 发明申请

WO2012001913A1 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および吸着具审中-公开
标题翻译：制造信息记录介质的玻璃基板的方法和接收实施
公开(公告)号：WO2012001913A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/JP2011/003546
申请日：2011-06-21
申请人：コニカミノルタオプト株式会社 , 小松隆史 , 牛島良太 , 青木和也
发明人：小松　隆史 , 牛島　良太 , 青木　和也
IPC分类号： B24B37/04 , G11B5/84
CPC分类号： B24B37/345 , B24B7/241 , B24B37/042 , B25J15/0616 , G11B5/8404
摘要：　本発明は、吸着部で情報記録媒体用ガラス基板を吸着した際に、情報記録媒体用ガラス基板の表面に付着する異物や傷等の数が多量に増加するおそれが少ない情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、および、情報記録媒体用ガラス基板を研磨装置の研磨パッドから取り外し易い吸着具及の提供を目的とする。本発明の吸着具１は、吸着パッド３２を備えている。吸着パッド３２は、中心孔３２ａと、その中心孔３２ａから当該当接パッド３２の外周端に延ばされた溝３２ｂとを備えている。
摘要翻译：提供了一种制造用于信息记录介质的玻璃基板的方法，使得当用于信息记录介质的玻璃基板被抽吸部分吸入时，其风险低于粘附在外部的异物数量的大幅增加，以及在用于信息记录介质的玻璃基板的表面上发生的缺陷。还提供了一种能够从抛光装置中的抛光垫移除用于信息记录介质的玻璃基板的抽吸工具。所述抽吸工具（1）装有吸盘（32）。吸盘（32）配备有从中心孔（32a）延伸到抵接垫（32）的外周端的中心孔（32a）和槽（32b）。

24. 发明申请

WO2011146213A2 ENDPOINT CONTROL OF MULTIPLE SUBSTRATES WITH MULTIPLE ZONES ON THE SAME PLATEN IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING 审中-公开
标题翻译：在化学机械抛光中在同一板上具有多个区域的多个基板的端点控制
公开(公告)号：WO2011146213A2
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：PCT/US2011/034212
申请日：2011-04-27
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , LEE, Harry Q. , ZHANG, Jimin , DAVID, Jeffrey Drue , SWEDEK, Boguslaw A.
发明人： LEE, Harry Q. , ZHANG, Jimin , DAVID, Jeffrey Drue , SWEDEK, Boguslaw A.
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/042
摘要： A plurality of substrates are polished simultaneously on the same polishing pad. A sequence of spectra is measured from each zone of each substrate, and for each measured spectrum in the sequence of spectra for each zone of each substrate, a best matching reference spectrum is determined from a library of reference spectra. For each zone of each substrate, a linear function is fit to a sequence of index values associated with the best matching reference spectra. For at least one zone, a projected time at which the zone will reach a target index value is determined based on the linear function, and the polishing parameter for at least one zone on at least one substrate is adjusted such that the at least one zone of the at least one substrate has closer to the target index at the projected time than without such adjustment.
摘要翻译：多个基板在同一抛光垫上同时被抛光。从每个底物的每个区域测量光谱序列，并且对于每个底物的每个区域的光谱序列中的每个测量的光谱，从参考光谱库确定最佳匹配的参考光谱。对于每个衬底的每个区域，线性函数适合于与最佳匹配参考光谱相关联的索引值序列。对于至少一个区域，基于线性函数确定区域将达到目标指标值的预计时间，并且调整至少一个基底上的至少一个区域的抛光参数，使得至少一个区域的至少一个基板在投影时间比没有这种调整更接近于目标指标。

25. 发明申请

WO2011142764A1 METHOD FOR CMP USING PAD IN A BOTTLE 审中-公开
标题翻译：用于在瓶中使用浆料的CMP的方法
公开(公告)号：WO2011142764A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/US2010/034975
申请日：2010-05-14
申请人： ARACA, INC. , BORUCKI, Leonard , SAMPURNO, Yasa
发明人： BORUCKI, Leonard , SAMPURNO, Yasa
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/24
摘要： A method of CMP wherein the polishing pad is partially or wholly replaced by a counter face made of a smooth hard material, and beads or particles of a hard material are suspended in the polishing slurry to provide asperities for the polishing process.
摘要翻译：一种CMP的方法，其中抛光垫部分或全部由由光滑硬质材料制成的对面替代，并且硬质材料的珠粒或颗粒悬浮在抛光浆料中以提供抛光过程的粗糙度。

26. 发明申请

WO2011094590A3 HIGH SENSITIVITY REAL TIME PROFILE CONTROL EDDY CURRENT MONITORING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：高灵敏度实时配置文件控制EDDY电流监控系统
公开(公告)号：WO2011094590A3
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：PCT/US2011022994
申请日：2011-01-28
申请人： APPLIED MATERIALS INC , XU KUN , IRAVANI HASSAN G , SWEDEK BOGUSLAW A , WANG YUCHUN , TU WEN-CHIANG
发明人： XU KUN , IRAVANI HASSAN G , SWEDEK BOGUSLAW A , WANG YUCHUN , TU WEN-CHIANG
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/042 , B24B49/105 , H01L21/3212 , H01L22/14 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of chemical mechanical polishing a metal layer on a substrate includes polishing the metal layer on the substrate at first and second polishing stations, monitoring thickness of the metal layer during polishing at the first and second polishing station with first and second eddy current monitoring systems having different resonant frequencies, and controlling pressures applied by a carrier head to the substrate during polishing at the first and second polishing stations to improve uniformity based on thickness measurements from the first and second eddy current monitoring systems.
摘要翻译：在基板上进行化学机械抛光金属层的方法包括：在第一和第二抛光台处抛光基板上的金属层，在第一和第二抛光站用第一和第二涡流监测系统监测在抛光过程中金属层的厚度具有不同的谐振频率，以及在第一和第二抛光站的抛光过程中由载体头施加到基底上的压力，以改善基于来自第一和第二涡流监测系统的厚度测量的均匀性。

27. 发明申请

WO2011128217A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产半导体晶片
公开(公告)号：WO2011128217A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055151
申请日：2011-04-04
申请人： SILTRONIC AG , SCHWANDNER, Jürgen
发明人： SCHWANDNER, Jürgen
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304 , H01L21/306 , B24B9/06
CPC分类号： B24B37/042 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe, umfassend in der angegebenen Reihenfolge: (a) gleichzeitig beidseitige Material abtragende Bearbeitung der von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe; (b) Verrunden der Kante der Halbleiterscheibe mittels einer Profilschleifscheibe; (c) Behandlung beider Seiten der Halbleiterscheibe mit einem alkalischen Medium; (d) Politur beider Seiten der Halbleiterscheibe mittels Poliertüchern, die fest gebundene Abrasive mit einer mittleren Korngröße von 0,1 µm bis 1,0 µm beinhalten; (e) Politur der Kante der Halbleiterscheibe mittels eines Poliertuchs, das fest gebundene Abrasive mit einer mittleren Korngröße von 0,1 µm bis 1,0 µm beinhaltet; (f) beidseitige Politur der Halbleiterscheibe mit einem auf einem oberen Polierteller befindlichen oberen Poliertuch und einem auf einem unteren Polierteller befindlichen unteren Poliertuch, die keine fest gebundene Abrasive beinhalten, wobei die Vorderseite der Halbleiterscheibe mit dem oberen Poliertuch poliert wird, während eine Poliermittelsuspension enthaltend Abrasive zugeführt wird; (g) Politur der Kante der Halbleiterscheibe mittels eines Poliertuchs, das keine Abrasive beinhaltet und unter Zufuhr einer Poliermittelsuspension, die Abrasive umfasst; (h) chemisch-mechanische Politur (CMP) wenigstens der Vorderseite.
摘要翻译：一种用于制造半导体晶片，其特征在于，为了处理：（1）同时在一个单晶半导体晶片的分离的材料去除加工的两侧; （B）通过砂轮的手段四舍五入的半导体晶片的边缘; （C）治疗与碱性介质的半导体晶片的两侧; （D）包括在半导体晶片的两面的抛光由抛光布牢固粘结的磨料具有0.1微米的平均粒径为1.0微米; （E）由研磨布，其包括磨料具有0.1微米的平均颗粒尺寸为1.0微米牢固地结合的手段抛光半导体晶片的边缘; （F）与在上研磨板的容器，该上抛光布和位于下部研磨板研磨布的底，它不涉及强烈粘结的磨料，其中，所述半导体晶片的前侧由上抛光布抛光的半导体晶片的双面抛光，同时抛光剂的悬浮液含磨料是供给; 在半导体晶片的边缘的（G）通过抛光研磨布不含有磨料，包括提供抛光剂悬浮液磨料的装置; （H）化学 - 机械抛光（CMP）的至少前部。

28. 发明申请

WO2011056485A3 ENDPOINT METHOD USING PEAK LOCATION OF SPECTRA CONTOUR PLOTS VERSUS TIME 审中-公开
标题翻译：使用峰值位置的端点方法维持时间的端点方法
公开(公告)号：WO2011056485A3
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/US2010053863
申请日：2010-10-22
申请人： APPLIED MATERIALS INC , DAVID JEFFREY DRUE , LEE HARRY Q , BENVEGNU DOMINIC J , SWEDEK BOGUSLAW A
发明人： DAVID JEFFREY DRUE , LEE HARRY Q , BENVEGNU DOMINIC J , SWEDEK BOGUSLAW A
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/304
CPC分类号： G05B19/418 , B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/205 , B24B49/12 , G05B2219/45232
摘要： In one aspect, a method of polishing includes polishing a substrate, and receiving an identification of a selected spectral feature and a characteristic of the selected spectral feature to monitor during polishing. The method includes measuring a sequence of spectra of light reflected from the substrate while the substrate is being polished, where at least some of the spectra of the sequence differ due to material being removed during the polishing. The method of polishing includes determining a value of a characteristic of the selected spectral feature for each of the spectra in the sequence of spectra to generate a sequence of values for the characteristic, fitting a function to the sequence of values, and determining either a polishing endpoint or an adjustment for a polishing rate based on the function.
摘要翻译：在一个方面，抛光方法包括抛光衬底，以及接收所选择的光谱特征的识别和所选择的光谱特征的特征以在抛光期间进行监测。该方法包括测量在衬底被抛光时从衬底反射的光的光谱序列，其中序列的至少一些光谱由于在抛光期间被去除的材料而不同。抛光方法包括确定光谱序列中的每个光谱的所选光谱特征的特征值，以产生特征值的序列，将功能拟合到值序列，以及确定抛光端点或基于该功能的抛光速率的调整。

29. 发明申请

WO2010121029A2 CYCLIC SELF-LIMITING CMP REMOVAL AND ASSOCIATED PROCESSING TOOL 审中-公开
标题翻译：循环自动限定CMP去除和相关加工工具
公开(公告)号：WO2010121029A2
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/US2010/031246
申请日：2010-04-15
申请人： SINMAT, INC. , University of Florida Research Foundation, Inc.
发明人： SINGH, Rajiv, K. , SINGH, Deepika , MISHRA, Abhudaya
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/77 , B24B37/042 , H01L21/3212 , H01L21/76819 , H01L21/7684
摘要： A cyclic method of chemical mechanical polishing (CMP) a wafer having a surface includes placing the wafer on a platen in a CMP apparatus and then performing a multi-step CMP comprising process. The multi-step CMP process includes delivering a first chemical composition onto the wafer while on the platen for a first time duration, and without removing the wafer from the platen, delivering a second chemical composition different from the first composition onto the wafer for a second time duration after the first time duration. The multi-step CMP comprising process includes CMP removal using a slurry during one of the first and second time durations and a non-polishing process during the other of the first and second time durations. The multi-step CMP comprising process is repeated a plurality of times.
摘要翻译：具有表面的晶片的化学机械抛光（CMP）的循环方法包括将晶片放置在CMP装置中的压板上，然后执行包括工艺的多步骤CMP。多步CMP工艺包括将第一化学成分在压板上第一时间内提供到晶片上，并且不从压板移除晶片，将不同于第一组合物的第二化学组合物输送到晶片上以进行第二次第一个持续时间后的持续时间。包括多步骤CMP的方法包括在第一和第二持续时间之一期间使用浆料进行CMP去除以及在第一和第二持续时间中的另一个期间的非抛光工艺。多步骤CMP包括处理重复多次。

30. 发明申请

WO2010119833A1 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产硅外延层的方法
公开(公告)号：WO2010119833A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/JP2010/056517
申请日：2010-04-12
申请人：株式会社SUMCO , 奥内茂 , 緒方晋一
发明人：奥内　茂 , 緒方　晋一
IPC分类号： H01L21/304 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/56 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/186 , B24B37/042 , C30B29/06 , H01L21/02024 , H01L21/30625
摘要：　本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる成長工程Ｆと、前記成長工程の前に前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面を無砥粒で研磨する第１研磨工程Ｄと、前記成長工程の後に前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面を仕上げ研磨する第２研磨工程Ｇと、を有する。
摘要翻译：公开了一种用于制造硅外延晶片的方法，其包括：生长步骤F，其中在硅单晶衬底上生长外延层; 第一抛光步骤D，其中在生长步骤之前至少研磨硅单晶基板的表面而不使用磨料颗粒; 以及第二研磨工序G，在生长工序后，至少使硅单晶衬底的表面进行精加工。

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