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21. 发明申请

WO2007017763A2 METHOD OF PRODUCTION OF A FILM 审中-公开
标题翻译：生产薄膜的方法
公开(公告)号：WO2007017763A2
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/IB2006/003071
申请日：2006-07-06
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , AULNETTE, Cécile , CAYREFOURCQ, Ian , MAZURE, Carlos
发明人： AULNETTE, Cécile , CAYREFOURCQ, Ian , MAZURE, Carlos
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of producing a film intended for applications in electronics, optics or optronics starting from an initial wafer, which includes a step of implanting atomic species through one of the faces of the wafer, which method comprises the following stages: (a) formation of a step of determined height around the periphery of the wafer, the mean thickness of the wafer at the step being less than the mean thickness of the rest of the wafer; (b) protection of said step against the implantation of atomic species; and (c) implantation of atomic species through that face of the wafer having said step, so as to form an implanted zone at a determined implant depth, said film being determined, on one side, by the implanted face of the wafer and, on the other side, by the implanted zone. The invention also relates to a wafer obtained by said method.
摘要翻译：本发明涉及一种从初始晶片开始制造旨在用于电子器件，光学器件或光电子器件的膜的方法，其包括通过晶片的一个面注入原子种类的步骤，该方法包括以下阶段：（a）围绕晶片的周边形成确定高度的台阶，该台阶处的晶片的平均厚度小于晶片的其余部分的平均厚度; （b）保护所述步骤免于植入原子种类; （c）通过具有所述台阶的晶片的所述表面注入原子种类，以在确定的注入深度处形成注入区，所述膜在一侧上由晶片的注入面确定，并且在另一侧，植入区。本发明还涉及通过所述方法获得的晶片。

22. 发明申请

WO2006103256A1 PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT, ET SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：基板生产方法和基板
公开(公告)号：WO2006103256A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/EP2006/061142
申请日：2006-03-29
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , BOURDELLE, Konstantin , MAZURE, Carlos
发明人： BOURDELLE, Konstantin , MAZURE, Carlos
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02694
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat comprenant une couche superficielle en un premier matériau et une couche sous- jacente en un deuxième matériau, dont le paramètre de maille est différent du paramètre de maille du premier matériau, caractérisé en ce que : • ledit procédé comprend : è une étape d'amorphisation de la couche superficielle, de manière à créer dans ladite couche superficielle une région amorphe s'étendant entre la surface de la couche superficielle et une interface d'amorphisation, la structure cristalline de la région de la couche superficielle qui se trouve sous ladite interface étant préservée de ladite amorphisation, è une étape de recristallisation de ladite région amorphisée, • l'étape de recristallisation permet de créer au niveau de ladite interface un réseau de défauts, • ledit réseau définissant une frontière pour les dislocations de la structure cristalline de la couche superficielle et permettant de confiner lesdites dislocations dans la région de la couche superficielle qui se trouve sous ladite interface.
摘要翻译：本发明涉及一种生产基材的方法，其包括由第一材料制成的表面层和由具有不同于第一材料的晶格参数的第二材料制成的下层。本发明的特征在于该方法包括以下步骤：包括表面层的非晶化的步骤，例如在所述表面层中形成非晶区域，其在其表面和非晶化界面之间延伸，由此晶体位于所述界面下方的表层的区域的结构被保护以抵抗非晶化; 以及包括非晶化区域的重结晶的步骤。本发明的特征还在于再结晶步骤可用于在界面处产生缺陷网络。本发明的特征还在于，上述网络限定了表面层的晶体结构中的位错的边界，并且可以用于将所述位错限制在位于界面下方的表面层的区域。

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