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    • 21. 发明申请
    • ENERGIEERZEUGENDE EINRICHTUNG FÜR EIN REIFENSENSORMODUL
    • 发电装置的轮胎传感器模块
    • WO2008083872A1
    • 2008-07-17
    • PCT/EP2007/062145
    • 2007-11-09
    • ROBERT BOSCH GMBHPANNEK, Thorsten
    • PANNEK, Thorsten
    • B60C23/04
    • B60C23/041H01L41/1134H02N2/18
    • Die Erfindung betrifft eine energieerzeugende Einrichtung (14) für ein Reifensensormodul (4) eines Fahrzugreifens (1), die aufweist: ein Piezoelement (7), das zwischen einer ersten stabilen Biegestellung und einer zweiten stabilen Biegestellung verstellbar ist und bei der Verstellung zwischen den stabilen Biegestellungen eine elektrische Piezospannung (Up) ausgibt, und eine Rückstelleinrichtung (12) zur mechanischen Verstellung des Piezoelementes (7) von der ersten stabilen Biegestellung in die zweite stabile Biegestellung, wobei die Rückstelleinrichtung (12) durch eine auf die energieerzeugende Einrichtung (14) einwirkende Deformation aktivierbar ist. Diese Deformation kann insbesondere in einem deformierten Reifenbereich (11) des Fahrzeugreifens (1) oberhalb seiner Reifenaufstandsfläche (3) auftreten. Vorteilhafterweise ist das Piezoelement (7) mit seinen Endbereichen (8, 9) in Aufnahmen (5a, b) eingespannt und weist zwei entgegengesetzt gewölbte stabile Biegestellungen mit instabilen Zwischenzuständen auf. Hierbei sind die Rückstelleinrichtung (12) und die Aufnahmen (5a,b) vorzugsweise in zwei relativ zueinander verstellbaren Gehäusebereichen (5, 6) angebracht.
    • 本发明涉及一种用于轮胎传感器模块的发电装置(14)(4)的驱动存取的(1),包括:压电元件(7),其是第一稳定弯曲位置和第二稳定之间的调整期间的弯曲位置和稳定之间调节 弯曲位置,电压电电压(向上)输出,以及用于压电元件的机械调整的复位装置(12)(7)从第一稳定弯曲位置到第二稳定弯曲位置,所述返回装置(12)由所述能量产生装置作用(14) 是激活的变形。 特别是在高于其轮胎足迹(3)车辆轮胎(1)的变形轮胎区域(11),可能会发生这种变形。 有利的是,与它的端部区域(8,9)到容器内的压电元件(7)(图5a,b)中夹住,并且具有两个与不稳定的中间状态相对稳定的抛出弯曲位置。 在此,返回装置(12)和所述容器(5a,5b中),优选在两个相对可调节的壳体部分(5,6),其安装。
    • 25. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE MEMBRANSENSOR
    • 方法的半导体元件和半导体元件,特别是干簧管传感器
    • WO2003016203A2
    • 2003-02-27
    • PCT/DE2002/002731
    • 2002-07-25
    • ROBERT BOSCH GMBHBENZEL, HubertWEBER, HeribertARTMANN, HansPANNEK, ThorstenSCHAFER, Frank
    • BENZEL, HubertWEBER, HeribertARTMANN, HansPANNEK, ThorstenSCHAFER, Frank
    • B81B3/00
    • B81C1/00182B81B2203/0127B81B2203/0315B81C2201/0115B81C2201/0136G01L9/0042
    • s wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleitertrager (1) vorgeschlagen, bei welchem fur die Ausbildung von frei tragenden Strukturen (3) fur ein Bauelementeine flächige poröse Membranschicht (3) und eine Kavität (2) unter der porösen Membranschicht (3) erzeugt wird. Die Erfindung hat die Aufgabe, eine Membranbeschädigung bei der Herstellung oder bei regelmässig auftrenden Anwendungsfällen zu vermeiden. Diese Aufgabe kann durch unterschiedliche Vorgehensweisen gelöst werden. Bei einer ersten Lösung erhält der Halbleiterträger (1) im Membranbereich im Vergleich zur Kavität eine unterschiedliche Dotierung, womit sich unterschiedliche Porengrössen und/oder Porositäten herstellen lassen, was bei der Kavitätserzeugung fur einen verbesserten Ätzgastransport genutzt werden kann. Die Aufgabe kann jedoch auch dadurch gelöst werden, dass im Membranbereich Mesoporen und im späteren Kavitätsbereich Nanporen als Hilfsstruktur erzeugt werden. Im Weiteren wird unter anderem ein Halbleiterbauelement vorgeschlagen, das auf einem oder mehreren dieser Verfahren basiert.
    • s的提出一种制造半导体器件包括半导体发射器的方法(1),其中,所述用于自支撑结构的形成(3)的组件的平面多孔质膜层(3)和多孔质膜层(2)下方的空腔(3) 被生成。 本发明具有避免损害到膜在制造或在定期auftrenden应用的对象。 该目的可以通过不同的方法来实现。 在第一解决方案中,半导体衬底(1)是在膜区域与具有不同掺杂的空腔中,使不同的孔尺寸和/或孔隙度可以产生,这可在Kavitätserzeugung用于改进Ätzgastransport比较。 然而,对象也可以解决该Nanporen可以如在后面的空腔部分的膜区域和中孔辅助结构生成。 此外,除其他外,半导体装置,提出了一种基于一个或多个这些方法。