专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明申请

WO2014126284A1 워터젯을 이용한 실리콘 플레이트의 불순물 제거 방법 审中-公开
标题翻译：使用水射流的硅板去除方法
公开(公告)号：WO2014126284A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/KR2013/001273
申请日：2013-02-18
申请人： 주식회사 클린솔루션
发明人： 한성욱
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/301
CPC分类号： C30B29/06 , B24C1/08 , C30B33/00
摘要： 본 발명은 태양광용 실리콘 잉곳 제조에 있어서 실리콘 용해과정에서의 불순물이 분포하는 부위를 워터젯을 이용하여 불순물을 제거하고 이를 재사용하는 기술에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명의 실리콘 플레이트의 불순물 제거 방법은 다결정 실리콘 블록으로부터 절단된 부분인 불순물이 포함되어 있는 실리콘 플레이트의 상면까지 물에 잠긴 상태에서 상기 불순물을 워터젯을 이용하여 제거하고, 상기 워터젯으로부터 분사되는 물은 연마제를 포함한다.
摘要翻译：在制造太阳能电池用硅锭的情况下，本发明涉及通过在包含杂质的位置使用水射流来从硅溶解工艺中去除和再利用杂质的技术。为此，本发明的硅板杂质去除方法需要将水浸入到包含由多晶硅块切割的部分构成的杂质的硅板的上表面，并且在该状态下，通过使用水射流从包含研磨剂的水射流喷射的水。

12. 发明申请

WO2014037793A1 PSEUDO SUBSTRATE WITH IMPROVED EFFICIENCY OF USAGE OF SINGLE CRYSTAL MATERIAL 审中-公开
标题翻译：具有提高单晶材料使用效率的PSEUDO基板
公开(公告)号：WO2014037793A1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：PCT/IB2013/001940
申请日：2013-09-06
申请人： SOITEC
发明人： LETERTRE, Fabrice , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L21/18 , C30B33/00 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/76251 , B32B7/12 , B32B9/04 , B32B2457/14 , C30B29/68 , C30B33/00 , C30B33/06 , H01L21/02002 , H01L21/185 , H01L27/1203 , H01L33/0079 , Y10T156/1062 , Y10T428/24942
摘要： The invention relates to a method for fabricating a pseudo-substrate (109) comprising the steps of providing a single crystal ingot (101), providing a handle substrate (102), cutting a thin slice (105) from the single crystal ingot (101), and attaching the thin slice (105) to the handle substrate (102) to form a pseudo-substrate (109). According to the invention, the thickness of the thin slice (105) is substantially equal or inferior to a critical thickness below which the slice (105), if taken alone, is no longer mechanically stable. The invention further relates to a semiconductor structure (109).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造伪衬底（109）的方法，包括以下步骤：提供单晶锭（101），提供手柄衬底（102），从单晶锭（101）切割薄片（105）），并且将薄片（105）附接到手柄衬底（102）以形成伪衬底（109）。根据本发明，薄片（105）的厚度基本上等于或低于临界厚度，在该临界厚度之下，如果单独使用切片（105）不再机械稳定的临界厚度。本发明还涉及一种半导体结构（109）。

13. 发明申请

WO2014024829A1 ウエハの処理方法审中-公开
标题翻译： WAFER的处理方法
公开(公告)号：WO2014024829A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/JP2013/071123
申请日：2013-08-05
申请人：積水化学工業株式会社
发明人：利根川　亨 , 麻生　隆浩 , 上田　洸造 , 藪口　博秀
IPC分类号： H01L21/02 , C09J7/02 , C09J11/02 , C09J201/00 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/683
CPC分类号： C30B33/00 , C09J5/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C30B29/06 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：本発明は、接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定した状態でウエハを処理するウエハの処理方法であって、より高い生産効率を実現したウエハの処理方法を提供することを目的とする。本発明は、接着剤成分と、紫外線を照射することにより気体を発生する気体発生剤とを含有する接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定する支持板固定工程と、前記支持板に固定されたウエハに処理を施すウエハ処理工程と、前記処理後のウエハに紫外線を照射して前記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから剥離する支持板剥離工程とを有するウエハの処理方法であって、前記支持板剥離工程において、照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２以上の点状又は線状の紫外線を用いてウエハの全面を走査するように照射するウエハの処理方法である。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种晶片的处理方法，该晶片在将晶片通过粘合剂组合物固定在支撑板上的状态下处理晶片，并且实现更高的生产效率。本发明是一种晶片的处理方法，其特征在于，具有：支撑板固定工序，其中，所述晶片经由所述粘合剂组合物固定在所述支撑板上，所述粘合剂组合物包括粘合剂成分和气体发生剂，所述粘合剂成分和气体发生剂通过被紫外光线; 晶片加工步骤，其中在固定到所述支撑板上的所述晶片上进行加工; 以及支撑板分离步骤，其中通过在处理之后用紫外线照射晶片，并且将支撑板从晶片分离，气体发生剂产生气体。在支撑板剥离工序中，使用照射强度为100mW / cm 2以上的点状或线状紫外线进行照射，以扫描晶片的整个表面。

14. 发明申请

WO2013052878A1 HYDROGEN PASSIVATION OF NONLINEAR OPTICAL CRYSTALS 审中-公开
标题翻译：氢化非线性光学晶体的钝化
公开(公告)号：WO2013052878A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/US2012/059072
申请日：2012-10-05
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION
发明人： CHUANG, Yung-ho , DRIBINSKI, Vladimir
IPC分类号： G02F1/35
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666
摘要： The present invention includes an expcssure chamber configured to contain a passivating gas having a selected hydrogen concentration, the exposure chamber further configured to contain at least one NLO crystal for exposure to the passivating gas within the chamber, a passivating gas source fluldicaUy connected to the exposure chamber, the passivating gas source configured to supply passivating gas to an interior portion of the exposure chamber, and a substrate configured to hold the NLO crystal within the chamber,, the substrate further configured to maintain a temperature of the NLO crystal at or near a selected temperature, the selected temperature being below a melting temperature of the NLO crystal.
摘要翻译：本发明包括配置成容纳具有选定的氢浓度的钝化气体的曝气室，所述曝光室进一步配置为容纳至少一个用于暴露于所述室内的钝化气体的NLO晶体，连接到曝光的钝化气体源fluldica 所述钝化气体源构造成向所述曝光室的内部供应钝化气体;以及衬底，其被配置为将所述NLO晶体保持在所述室内，所述衬底还被配置为将所述NLO晶体的温度保持在或接近所选择的温度，所选择的温度低于NLO晶体的熔融温度。

15. 发明申请

WO2012176755A1 炭化珪素基板の製造方法审中-公开
标题翻译：生产碳化硅基材的方法
公开(公告)号：WO2012176755A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/JP2012/065595
申请日：2012-06-19
申请人：住友電気工業株式会社 , 沖田恭子 , 藤原伸介
发明人：沖田　恭子 , 藤原　伸介
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02021 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/06 , H01L29/045 , H01L29/1608
摘要：　炭化珪素基板の製造方法は、単結晶炭化珪素のインゴットを準備する工程と、インゴットを切断することにより炭化珪素基板（３）を得る工程と、炭化珪素基板（３）の外周面を含む領域に面取り部（３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ）を形成する工程とを備え、炭化珪素基板（３）を得る工程では、炭化珪素基板（３）の主面（３Ａ）が｛０００１｝面に対して１０°以上の角度をなすようにインゴットが切断される。
摘要翻译：碳化硅基板的制造方法包括：制备单晶碳化硅锭的工序; 通过切割锭获得碳化硅衬底（3）的步骤; 以及在包括碳化硅衬底（3）的外周表面的区域中形成倒角（3C，3D，3E）的步骤，其中在获得碳化硅衬底（3）的步骤期间，切割锭，使得碳化硅衬底（3）的主面（3A）相对于{0001}面成10°C以上的角度。

16. 发明申请

WO2012120775A1 結晶性評価方法、結晶性評価装置、及びそのコンピュータソフト审中-公开
标题翻译：晶体评估方法，晶体评估装置和计算机软件
公开(公告)号：WO2012120775A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/JP2012/000752
申请日：2012-02-03
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 , 川島孝啓 , 河内玄士朗 , 尾田智彦 , 西谷輝
发明人：川島　孝啓 , 河内　玄士朗 , 尾田　智彦 , 西谷　輝
IPC分类号： G01N21/65 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： G01N21/65 , C30B33/00 , H01L22/12 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　本発明の結晶性評価方法等は、半導体膜に固有のフォノンモードに対応するラマンバンドのピーク波形をラマン分光法により測定する第１工程と、ガウス関数を用いて、測定したラマンバンドのピーク波形をフィッティングすることで、ガウス関数によりフィッティングされた波形である第１フィッティング波形を生成する第２工程と、第１フィッティング波形のピーク値を抽出する第３工程と、抽出したピーク値を用いて、ローレンツ関数によりラマンバンドのピーク波形をフィッティングすることで、ローレンツ関数によるフィッティングされた波形である第２フィッティング波形を生成する第４工程と、第２フィッティング波形の半値幅等を出力する第５工程と、第５工程で出力された半値幅等に基づき、半導体膜の結晶性を評価する第６工程と、を含む。
摘要翻译：这种结晶评估方法等包括：通过拉曼光谱测量与半导体膜特有的声子模式对应的拉曼带的峰值波形的第一步骤; 第二步骤，通过使用高斯函数拟合所测量的拉曼频带的峰值波形来产生作为由高斯函数拟合的波形的第一拟合波形; 提取第一拟合波形的峰值的第三步骤; 第四步骤，通过利用所提取的峰值将洛伦兹波段的峰值波形拟合为洛伦兹函数，产生作为由洛伦兹函数拟合的波形的第二拟合波形; 输出第二拟合波形的半值宽度等的第五步骤; 以及第五步骤，基于在第五步骤中输出的半值宽度来评估半导体膜的晶体。

17. 发明申请

WO2009141563A3 SURFACE TREATMENT OF SILICON NANOPARTICLES 审中-公开
标题翻译：硅纳米粒子的表面处理
公开(公告)号：WO2009141563A3
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/FR2009050831
申请日：2009-05-05
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , HERLIN-BOIME NATHALIE CHANTAL , MAURICE VINCENT MARC
发明人： HERLIN-BOIME NATHALIE CHANTAL , MAURICE VINCENT MARC
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/02 , C30B29/06 , C30B29/605 , C30B33/00
摘要： The present invention relates to the treatment of photoluminescent silicon nanoparticles in order to give them surface functionalities, for example amine radicals or other radicals, that favour their use especially in biology for labelling applications. A reaction is then applied to the nanoparticles in order to create a surface coating that gives the nanoparticles these functionalities, especially a protection against dissolution in an aqueous medium. The process in the sense of the invention comprises, prior to this coating reaction, a passivation of the silicon nanoparticles that favours the creation of bonds of Si-OH type at the surface, this type of bond making it possible to obtain a multiplicity of functionalities including, in particular, amines, thiols, polyethylene glycol, as surface radicals.
摘要翻译：本发明涉及光致发光硅纳米颗粒的处理，以使它们具有表面官能团，例如胺基或其它基团，其有利于其用于生物学用于标记应用。然后将反应施加到纳米颗粒上，以便产生表面涂层，其给予纳米颗粒这些功能，特别是防止在水性介质中溶解的保护。本发明意义上的方法包括在该涂覆反应之前，有利于在表面产生Si-OH型键的硅纳米颗粒的钝化，这种类型的键可以获得多种官能团尤其包括作为表面自由基的胺，硫醇，聚乙二醇。

18. 发明申请

WO2009141563A2 TRAITEMENT DE SURFACE DE NANOPARTICULES DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：硅纳米粒子的表面处理
公开(公告)号：WO2009141563A2
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/FR2009/050831
申请日：2009-05-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , HERLIN-BOIME, Nathalie, Chantal, Marie , MAURICE, Vincent, Marc
发明人： HERLIN-BOIME, Nathalie, Chantal, Marie , MAURICE, Vincent, Marc
IPC分类号： C01B33/02 , B82B3/00 , C09K11/59 , C01B33/027 , C09C1/28 , C09C3/12
CPC分类号： C01B33/02 , C30B29/06 , C30B29/605 , C30B33/00
摘要： La presente invention concerne le traitement de nanoparticules de silicium photoluminescentes pour leur confrer des fonctionnalits de surface, par exemple des radicaux d'amines, ou autres, favorisant leur utilisation notamment en biologie pour des applications de marquage. On applique alors aux nanoparticules une raction pour crer un enrobage en surface procurant aux nanoparticules ces fonctionnalits, notamment une protection contre la dissolution en milieu aqueux. Le procd au sens de l'invention comporte, pralablement cette raction d'enrobage, une passivation des nanoparticules de silicium favorisant la cration de liaisons de type Si OH en surface, ce type de liaison permettant d'accder une multiplicit de fonctionnalits incluant notamment les amines, les thiols, le polythylne glycol, en tant que radicaux de surface.
摘要翻译：本发明涉及光致发光硅纳米颗粒的处理，以使它们具有表面官能团，例如胺基或其它基团，其有利于其用于生物学用于标记应用。然后将反应施加到纳米颗粒上，以便产生表面涂层，其给予纳米颗粒这些功能，特别是防止在水性介质中溶解的保护。本发明意义上的方法包括在该涂覆反应之前，有利于在表面上产生Si-OH型键的硅纳米颗粒的钝化，这种类型的键使得可以获得多种官能团尤其包括作为表面自由基的胺，硫醇，聚乙二醇。

19. 发明申请

WO2009092926A1 PROCÉDÉ ET APPAREILLAGES ASSOCIÉS, DESTINÉ À LA FABRICATION DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS, POLY OU MONOCRISTALLINS MINCES 审中-公开
标题翻译：用于制造薄多晶或单晶半导体衬底的方法和相关设备
公开(公告)号：WO2009092926A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/FR2008/050084
申请日：2008-01-21
申请人： ROCHE, Michel
发明人： ROCHE, Michel
IPC分类号： C30B33/00 , C30B35/00 , H01L21/762
CPC分类号： C30B33/00 , C30B31/22
摘要： L' invention concerne un procédé de production de substrats semiconducteurs minces, mono ou polycristallins, déposés sur une couche isolante (SOI) ou sur une couche métallique (SOM). Il consiste essentiellement à utiliser une implantation d'ions (protons, hélions, etc.) par des moyens (3) à partir de la surface d un lingot semiconducteur massif (1), de forme parallélépipédique, ayant une énergie convenable pour pénétrer à une profondeur (ε) égale à l épaisseur de la couche désirée. En fin de course, ces ions restent piégés dans une couche (15) dite ≤couche de séparation≥ qu' ils contribuent à fragiliser. Une couche ≤raidisseur≥ (9) est alors collée, fixée ou soudée à la surface du lingot (1). Une traction sur la bicouche(8) et (9), dans un mouvement de déroulement, effectuée au moyen de galets motorisés (4) sépare la couche (8) du lingot (1), par arrachement ou déchirement au niveau de la couche de séparation (15). L'invention peut être utilisée pour la fabrication de substrats SOI ou SOM. Les premiers étant plus spécialement destinés à la fabrication de composants numériques à très haute densité, et les seconds à la fabrication de diodes photovoltaïques et de composants discrets (diodes, IGBT, MOSFET, etc.).
摘要翻译：本发明涉及沉积在隔离层（SOI）上或金属层（SOM）上的薄多晶或单晶半导体衬底的制造方法。该方法基本上包括使用来自具有平行六面体形状的固体半导体块（1）的表面的装置（3）进行离子注入（质子，结核等），其能量足以穿透深度（e ）等于所需层的厚度。在行程结束时，这些离子仍然被捕获到所谓的分离层（15）中，使其成为它们所贡献的脆化。然后将所谓的加强层（9）胶合，附接或焊接到锭（1）的表面。使用用于通过在分离层的水平处剥离或撕裂（8）从铸锭（1）分离层（8）的动力辊（4）在牵引运动中在双层（8,9）上施加牵引力 15）。本发明可用于制造SOI或SOM衬底。第一种更特别是用于制造非常高密度的数字化合物，第二种用于制造光伏二极管和分立元件（二极管，IGBT，MOSFET等）。

20. 发明申请

WO2008055067A3 METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A SILICON WAFER 审中-公开
标题翻译：用于形成硅波的方法和装置
公开(公告)号：WO2008055067A3
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/US2007082666
申请日：2007-10-26
申请人： EVERGREEN SOLAR INC , VAN GLABBEEK LEO , ATCHLEY BRIAN , JANOCH ROBERT E , ANSELMO ANDREW P , REITSMA SCOTT
发明人： VAN GLABBEEK LEO , ATCHLEY BRIAN , JANOCH ROBERT E , ANSELMO ANDREW P , REITSMA SCOTT
IPC分类号： C30B15/00 , C30B33/00
CPC分类号： C30B15/005 , C30B15/34 , C30B33/00 , Y10T117/102
摘要： A furnace for growing a ribbon crystal has a channel for growing a ribbon crystal at a given rate in a given direction, and a separating mechanism for separating a portion from the growing ribbon crystal. At least a part of the separating mechanism moves at about the given rate and in about the given direction while separating the portion from the growing ribbon crystal.
摘要翻译：用于生长带状晶体的炉具有用于沿给定方向以给定速率生长带状晶体的通道和用于从生长的带状晶体分离部分的分离机构。分离机构的至少一部分以大约给定速率和大约给定方向移动，同时将该部分与生长的带状晶体分离。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式