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11. 发明申请

WO2012102343A1 シリコン融液接触部材、その製法、および結晶シリコンの製造方法审中-公开
标题翻译：硅胶接触件及其生产工艺及其制造方法
公开(公告)号：WO2012102343A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/JP2012/051669
申请日：2012-01-26
申请人：国立大学法人山口大学 , 株式会社トクヤマ , 小松隆一 , 伊東洋典 , 東正信
发明人：小松　隆一 , 伊東　洋典 , 東　正信
IPC分类号： C30B29/06 , C01B33/02 , C04B38/06 , C30B11/00 , H01L21/208 , H01L31/04
CPC分类号： C30B11/002 , C01B33/02 , C04B38/0615 , C04B2111/00612 , C30B9/04 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , C04B35/584 , C04B38/0054 , C04B38/0074
摘要：シリコン融液に対する撥液性を大幅に増大させ、しかもその撥液性を永続的に持続させることのできる、結晶シリコン製造に好適なシリコン融液接触部材を提供し、当該シリコン融液接触部材による結晶シリコン、特に高結晶性の球状の結晶シリコンを効率的に製造する方法を提供する。多数の空孔、好ましくは、３０～８０％の孔占有面積割合で、平均円相当直径１～２５μｍの大きさの孔が分散し、各孔が連結して深さ５μｍ以上の連通孔を形成している、窒化ケイ素を主成分とする厚み１０～５００μｍの多孔質焼結体層が、その表面に存在する、好適には、該焼結体層が窒化アルミニウム等のセラミック基板上に存在するシリコン融液接触部材。
摘要翻译：提供：硅熔体接触构件，其极大地改善了硅熔体的疏液性，并且其中液体排斥性可以永久地保持，并且其适用于晶体硅的制造; 以及使用硅熔融接触构件以高效率生产结晶硅，特别是具有高结晶度的球形结晶硅的方法。在其表面上具有多孔烧结材料层的硅熔体接触部件，优选在由诸如氮化铝的陶瓷材料构成的基板上，其中多孔烧结材料层含有氮化硅作为主要成分，其厚度为10〜 500μm，并且在30-80％的空隙占据面积比中分散有优选具有1-25μm的平均当量圆直径的多个空隙孔，并且其中所述空隙彼此连通以形成连通孔每个具有5μm或更大的深度。

12. 发明申请

WO2011128296A1 HERSTELLUNG EINES KRISTALLINEN HALBLEITERWERKSTOFFS 审中-公开
标题翻译：制备结晶半导体材料
公开(公告)号：WO2011128296A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055636
申请日：2011-04-11
申请人： SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH , KERAT, Uwe , SCHMID, Christian , HAHN, Jochem
发明人： KERAT, Uwe , SCHMID, Christian , HAHN, Jochem
IPC分类号： B22D27/04 , C01B33/02 , C30B15/00 , C30B29/02
CPC分类号： C30B11/02 , C01B33/02 , C30B11/001 , C30B11/007 , C30B11/08 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B29/06
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines kristallinen Halbleiterwerkstoffs, bei dem Partikel aus dem Halbleiterwerkstoff und/oder einer Vorläuferverbindung des Halbleiterwerkstoffs in einen Gasstrom eingespeist werden, der eine ausreichend hohe Temperatur aufweist, um die Partikel aus dem Halbleiterwerkstoff aus dem festen in den flüssigen und/oder gasförmigen Zustand zu überführen und/oder um die Vorläuferverbindung thermisch zu zersetzen. In einem weiteren Schritt wird flüssiger Halbleiterwerkstoff aus dem Gasstrom auskondensiert und/oder abgetrennt und in einen festen Zustand überführt unter Ausbildung von mono- oder polykristallinen Kristall strukturen.
摘要翻译：本发明公开了一种用于制造晶体半导体材料的方法，在半导体材料和/或具有足够高的温度，半导体材料的从固体到液体和/颗粒在气流中的半导体材料的前体的颗粒供给转让或气态和/或所述前体化合物的热分解。在进一步的步骤中，液体半导体材料从气流中冷凝和/或分离，并转移到一个固体状态与形成单晶或多晶的晶体结构的。

13. 发明申请

WO2009015168A1 METHODS FOR MANUFACTURING GEOMETRIC MULTI-CRYSTALLINE CAST MATERIALS 审中-公开
标题翻译：制造几何多晶体铸件材料的方法
公开(公告)号：WO2009015168A1
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：PCT/US2008/070809
申请日：2008-07-23
申请人： BP CORPORATION NORTH AMERICA INC. , STODDARD, Nathan, G.
发明人： STODDARD, Nathan, G.
IPC分类号： C30B11/14 , C30B29/06 , H01L31/18
CPC分类号： C30B11/14 , C30B11/02 , C30B29/06 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Methods are provided for casting one or more of a semiconductor, an oxide, and an intermetallic material. With such methods, a cast body of a geometrically ordered multi-crystalline form of the one or more of a semiconductor, an oxide, and an intermetallic material may be formed that is free or substantially free of radially- distributed impurities and defects and having at least two dimensions that are each at least about 10 cm.
摘要翻译：提供用于铸造半导体，氧化物和金属间材料中的一种或多种的方法。通过这种方法，可以形成半导体，氧化物和金属间化合物材料中的一种或多种的几何有序的多晶形式的铸造体，其是游离的或基本上没有径向分布的杂质和缺陷，并且具有至少两个尺寸至少约10厘米。

14. 发明申请

WO2016028764A1 MAGNESIUM SINGLE CRYSTAL FOR BIOMEDICAL APPLICATIONS AND METHODS OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：用于生物医学应用的镁晶体晶体及其制备方法
公开(公告)号：WO2016028764A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/US2015/045671
申请日：2015-08-18
申请人： UNIVERSITY OF CINCINNATI
发明人： SHANOV, Vesselin, N. , CHASWAL, Vibhor , SALUNKE, Pravahan , JOSHI, Madhura , ZHANG, Guangqi , SCHULZ, Mark, J , YARMOLENKO, Sergey, N. , NIENABER, Doug
IPC分类号： A61L27/04 , A61L27/58 , A61L31/02 , A61L31/14 , A61F2/82 , C30B11/00 , C30B13/00 , C30B15/00 , C22C23/00
CPC分类号： A61L27/047 , A61B17/80 , A61B17/86 , A61B2017/00526 , A61F2/3099 , A61F2002/0858 , A61L27/58 , A61L31/02 , A61L31/022 , A61L31/148 , C25D11/30 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B23/00 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B33/005
摘要： A biomedical implant (16, 18) is formed from magnesium (Mg) single crystal (10). The biomedical implant (16, 18) may be biodegradable. The biomedical implant (16, 18) may be post treated to control the mechanical properties and/or corrosion rate thereof said Mg single crystal (10) without changing the chemical composition thereof. A method of making a Mg single crystal (10) for biomedical applications includes filling a single crucible (12) with more than one chamber with polycrystalline Mg, melting at least a portion of said polycrystalline Mg, and forming more than one Mg single crystal (10) using directional solidification.
摘要翻译：生物医学植入物（16,18）由镁（Mg）单晶（10）形成。生物医学植入物（16,18）可以是可生物降解的。可以对生物医学植入物（16,18）进行后处理以控制所述Mg单晶（10）的机械性能和/或腐蚀速率，而不改变其化学组成。制造用于生物医学应用的Mg单晶（10）的方法包括用多晶Mg填充具有多于一个室的单个坩埚（12），熔化所述多晶Mg的至少一部分，并形成多于一个Mg单晶（ 10）使用定向凝固。

15. 发明申请

WO2015119692A9 LAYERED MANUFACTURING OF SINGLE CRYSTAL ALLOY COMPONENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2015119692A9
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/US2014065205
申请日：2014-11-12
申请人： GEN ELECTRIC
发明人： ROCKSIROH TODD JAY , GIGLIOTTI MICHAEL FRANCIS XAVIER , CARTER WILLIAM THOMAS , ABBOTT DAVID HENRY , KELKAR RAJENDRA MACHUKAR
IPC分类号： C30B11/00 , B22F3/105 , B29C67/00 , C30B29/52
CPC分类号： B23K26/342 , B22F3/1055 , B22F2003/1057 , B23K26/0853 , B23K26/0869 , B23K26/144 , B23K26/702 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y80/00 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/005 , C30B11/02 , C30B28/06 , C30B29/52 , F05D2220/32 , F05D2230/31 , F05D2240/24 , F05D2300/175 , H05B3/0061 , H05B6/101 , Y02P10/295
摘要： A method of making a component (C) includes: depositing a metallic powder (P) on a workplane (128); directing a beam from a directed energy source (124) to fuse the powder (P) in a pattern corresponding to a cross-sectional layer of the component (C); repeating in a cycle the steps of depositing and fusing to build up the component (C) in a layer-by layer fashion; and during the cycle of depositing and melting, using an external heat control apparatus (144, 146, 150, 154) separate from the directed energy source (124) to maintain a predetermined temperature profile of the component (C), such that the resulting component (C) has a directionally-solidified or single-crystal microstructure.

16. 发明申请

WO2015127157A2 MULTI-ZONE VARIABLE POWER DENSITY HEATER APPARATUS CONTAINING AND METHODS OF USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：包含多区可变功率密度加热装置及其使用方法
公开(公告)号：WO2015127157A2
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/US2015/016733
申请日：2015-02-20
申请人： MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS INC.
发明人： LU, Zhong-Hao , BHOSALE, Rohit, Arun , MORE, Jacqueline, M. , NATARAJAN, Sudarshan , REYES, Joseph, Patrick
IPC分类号： H04L29/06 , H04L29/08
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , C30B11/02 , C30B29/42 , H05B3/12 , H05B3/26 , H05B2203/005 , H05B2203/013 , H05B2203/037
摘要： A heater comprises a plurality of zones with at least two zones having a variable power density gradient different from one another. The heater having zones of different variable power density gradients allows for controlling the heat output and temperature profile of the heater in one or more directions of the heater. The heater can be used, for example, to control the temperature profile in a vertical direction.
摘要翻译：加热器包括具有至少两个具有彼此不同的可变功率密度梯度的区域的多个区域。具有不同功率密度梯度的区域的加热器允许在加热器的一个或多个方向上控制加热器的热输出和温度分布。例如，加热器可以用于在垂直方向上控制温度分布。

17. 发明申请

WO2015119692A2 LAYERED MANUFACTURING OF SINGLE CRYSTAL ALLOY COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：单晶合金成分的分层制造
公开(公告)号：WO2015119692A2
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/US2014/065205
申请日：2014-11-12
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： ROCKSIROH, Todd, Jay , GIGLIOTTI, Michael, Francis Xavier , CARTER, William, Thomas , ABBOTT, David, Henry , KELKAR, Rajendra, Machukar
CPC分类号： B23K26/342 , B22F3/1055 , B22F2003/1057 , B23K26/0853 , B23K26/0869 , B23K26/144 , B23K26/702 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y80/00 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/005 , C30B11/02 , C30B28/06 , C30B29/52 , F05D2220/32 , F05D2230/31 , F05D2240/24 , F05D2300/175 , H05B3/0061 , H05B6/101 , Y02P10/295
摘要： A method of making a component (C) includes: depositing a metallic powder (P) on a workplane (128); directing a beam from a directed energy source (124) to fuse the powder (P) in a pattern corresponding to a cross-sectional layer of the component (C); repeating in a cycle the steps of depositing and fusing to build up the component (C) in a layer-by layer fashion; and during the cycle of depositing and melting, using an external heat control apparatus (144, 146, 150, 154) separate from the directed energy source (124) to maintain a predetermined temperature profile of the component (C), such that the resulting component (C) has a directionally-solidified or single-crystal microstructure.
摘要翻译：制备组分（C）的方法包括：在工作平面（128）上沉积金属粉末（P）; 引导来自定向能量源（124）的光束以对应于部件（C）的横截面层的图案熔合粉末（P）; 在循环中重复沉积和熔融以逐层构建组分（C）的步骤; 并且在沉积和熔化的循环期间，使用与定向能量源（124）分离的外部热控制装置（144,146,150,154）以保持部件（C）的预定温度分布，使得所得到的组分（C）具有定向凝固或单晶微结构。

18. 发明申请

WO2015036799A1 SYNTHESIS AND PARTICLE ENGINEERING OF COCRYSTALS 审中-公开
标题翻译：椰子的合成和颗粒工程
公开(公告)号：WO2015036799A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/GB2014/052799
申请日：2014-09-16
申请人： HOVIONE INTERNATIONAL LTD , KING, Lawrence
发明人： DUARTE, Iris , PEREIRA, Maria José , PADRELA, Luis , TEMTEM, Márcio
IPC分类号： A61K9/16 , B01D9/00
CPC分类号： A61K9/1688 , A61K9/1617 , A61K31/194 , A61K31/455 , A61K31/522 , A61K31/55 , A61K31/60 , B01D9/0009 , B01D9/0063 , C30B11/02 , C30B29/54
摘要： The present invention discloses a scalable and solvent-free method to produce cocrystals in a particulate form. A method of making cocrystals comprises the steps of: a) feeding a molten mixture of at least a first substance and a second substance which are able to form cocrystals to an atomizer; b) atomizing the molten mixture to droplets; c) solidifying the droplets to particles; d) collecting the said particles. The invention also provides the use of cocrystals made according to the method of the invention in the formulation of a pharmaceutical composition. The invention also provides cocrystals obtainable or obtained by the method of the present invention, in particular cocrystals in the form of particles. Also provided is a pharmaceutical composition comprising cocrystals made according to the method of the invention, in particular, a pharmaceutical composition comprising cocrystals in the form of particles made according to the method of the invention.
摘要翻译：本发明公开了一种可扩展且无溶剂的方法来生产颗粒形式的共晶体。制备共晶体的方法包括以下步骤：a）将能够形成共晶体的至少第一物质和第二物质的熔融混合物送入雾化器; b）将熔融混合物雾化成液滴; c）将液滴固化成颗粒; d）收集所述颗粒。本发明还提供根据本发明的方法制备的共晶在药物组合物的制剂中的用途。本发明还提供了可通过本发明的方法获得或获得的共晶体，特别是颗粒形式的共晶体。还提供了包含根据本发明的方法制备的共晶体的药物组合物，特别是包含根据本发明方法制备的颗粒形式的晶体的药物组合物。

19. 发明申请

WO2014028831A1 SYSTEM AND METHOD OF GROWING SILICON INGOTS FROM SEEDS IN A CRUCIBLE AND MANUFACTURE OF SEEDS USED THEREIN 审中-公开
标题翻译：在种子的种子和制造中种子生长硅的系统和方法
公开(公告)号：WO2014028831A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/US2013/055323
申请日：2013-08-16
申请人： GTAT CORPORATION
发明人： WITTING, Ian, T. , SINGH, Vikram , DUANMU, Ning
IPC分类号： C30B15/02 , C30B13/08 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/14 , B28D5/0023 , C30B11/02 , C30B29/06 , C30B33/06 , C30B35/00
摘要： Systems and methods that reduce the overall cost of producing a silicon ingot are provided herein. More specifically, one or more surface pieces may be sliced from a silicon boule in relation to a plurality of nodes at a particular orientation. These one or more surface pieces may then be formed into one or more seeds having a specific length, width and thickness usable in a silicon ingot growth process. By utilizing these pieces to form one or more seeds, pieces of a boule which would have been previously discarded may now be used to form high quality seeds for use in a silicon ingot grow process.
摘要翻译：本文提供了降低生产硅锭的总成本的系统和方法。更具体地，一个或多个表面片可以相对于多个节点在特定方位从硅晶片切片。然后可以将这些一个或多个表面片形成为具有可用于硅锭生长过程中的特定长度，宽度和厚度的一个或多个种子。通过利用这些片形成一个或多个种子，可以使用先前已经丢弃的块的块来形成用于硅锭生长过程的高质量种子。

20. 发明申请

WO2013079976A1 PRODUCTION OF MONO-CRYSTALLINE SILICON 审中-公开
标题翻译：单晶硅的生产
公开(公告)号：WO2013079976A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/GB2012/052985
申请日：2012-12-03
申请人： REC WAFER PTE. LTD , GILL JENNINGS & EVERY LLP
发明人： SAUAR, Erik , FEFELOV, Oleg , LODE, Canel
IPC分类号： C30B11/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/14 , B28D5/045 , C30B11/002 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , H01L31/0312 , H01L31/036 , Y10T117/1092
摘要： A crystalline silicon ingot is produced using a directional solidification process. In particular, a crucible is loaded with silicon feedstock above a seed layer of uniform crystalline orientation. The silicon feedstock and an upper part of the seed layer are melted forming molten material in the crucible. This molten material is then solidified, during which process a crystalline structure based on that of the seed layer is formed in a silicon ingot. The seed layer is arranged such that a {110} crystallographic plane is normal to the direction of solidification. It is found that offers a substantial improvement in the proportion of mono- crystalline silicon formed in the ingot as compared to alternative crystallographic orientations and leads to highly uniform solar cells after an isotropic texture.
摘要翻译：使用定向凝固工艺制造晶体硅锭。特别地，坩埚在均匀晶体取向的种子层上方加载有硅原料。将硅原料和种子层的上部熔化成在坩埚中形成熔融材料。然后将该熔融材料固化，在此过程中，以硅锭形成基于籽晶层的晶体结构。种子层被布置成使得{110}晶面垂直于凝固方向。已经发现，与替代晶体取向相比，在锭中形成的单晶硅的比例提供了显着的改进，并且导致各向同性织构之后的高度均匀的太阳能电池。

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