专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明申请

WO2013104583A3 APPARATUS AND METHOD FOR SURFACE PROCESSING OF A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：基板表面加工的装置和方法
公开(公告)号：WO2013104583A3
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/EP2013050152
申请日：2013-01-07
申请人： ZEISS CARL SMT GMBH , ZEISS CARL MICROSCOPY GMBH
发明人： CHUNG HIN YIU ANTHONY , ALIMAN MICHEL , FEDOSENKO GENNADY , RANCK ALBRECHT , GORKHOVER LEONID
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/52 , G01N21/94 , G03F7/20 , H01J37/32 , H01J49/02 , H01J49/42
CPC分类号： H01J37/32009 , C23C16/405 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01J37/32963 , H01J37/32981 , H01J37/3299 , H01J49/027
摘要： The invention relates to an apparatus (1) for surface processing on a substrate (2), for example for applying a coating (14) to the substrate (2) or for removing a coating (14) from the substrate (2), wherein the apparatus (1) comprises: a chamber (5) enclosing an interior (4) and serving for arranging the substrate (2) for the surface processing, a process gas analyser (13a, 13b) for detecting at least one gaseous constituent of a residual gas atmosphere formed in the interior (4), wherein the process gas analyser (13a, 13b) comprises an ion trap (18) for storing the gaseous constituent to be detected, and an ionization device (17) for ionizing the gaseous constituent. The invention also relates to an associated method for monitoring surface processing on a substrate (2).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在衬底（2）上进行表面处理的设备（1），例如用于将涂层（14）施加到衬底（2）或从衬底（2）去除涂层（14），其中装置（1）包括：封闭内部（4）并用于布置用于表面处理的基板（2）的室（5），用于检测至少一种气体成分的处理气体分析器（13a，13b）在内部形成的残留气体气氛（4），其中处理气体分析器（13a，13b）包括用于存储要检测的气态成分的离子阱（18）和用于离子化气态成分的离子化装置（17）。本发明还涉及用于监测衬底（2）上的表面处理的相关方法。

12. 发明申请

WO2013157901A1 4 족 전이금속-함유 전구체 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 전구체 조성물, 및 이를 이용하는 박막의 증착 방법 审中-公开
标题翻译：包含第4组过渡金属的前体化合物，其制备方法，含有其的前体组合物和使用其沉积薄膜的方法
公开(公告)号：WO2013157901A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：PCT/KR2013/003398
申请日：2013-04-22
申请人： 주식회사 유피케미칼
发明人： 한원석
IPC分类号： C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/18
CPC分类号： C07F7/00 , C23C16/405 , C23C16/45553
摘要： 본원은 4 족 전이금속-함유 전구체 화합물, 상기 전구체 화합물의 제조 방법, 상기 전구체 화합물을 포함하는 박막 증착용 전구체 조성물, 및 상기 전구체 화합물을 이용하는 박막의 증착 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及含有第4族过渡金属的前体化合物，前体化合物的制备方法，沉积含有前体化合物的薄膜的前体组合物，以及使用前体化合物沉积薄膜的方法。

13. 发明申请

WO2013138027A1 GYROSCOPE AND DEVICES WITH STRUCTURAL COMPONENTS COMPRISING HfO2-TiO2 MATERIAL 审中-公开
标题翻译：具有包含HfO 2 -TiO 2材料的结构组分的晶体和器件
公开(公告)号：WO2013138027A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/US2013/026836
申请日：2013-02-20
申请人： SYSTRON DONNER INERTIAL , PAINTER, Chris
发明人： PAINTER, Chris
IPC分类号： G01C19/5691
CPC分类号： C23C16/22 , C23C16/405 , C23C28/042 , C23C28/42 , G01C19/5691
摘要： Disclosed are devices, materials, systems, and methods, including a device that includes one or more structural components, at least one of the one or more structural components comprising substantially HfO 2 -TiO 2 material. Also disclosed is a hemispherical resonator that includes a hemisphere including one or more structural components with at least one of the one or more structural components comprising substantially HfO 2 -TiO 2 material, a forcer electrode configured to apply an electrical force on the hemisphere to cause the hemisphere to oscillate, and one or more sensor electrodes disposed in proximity to the hemisphere and configured to sense an orientation of a vibration pattern of the hemispherical resonator gyroscope.
摘要翻译：公开了装置，材料，系统和方法，包括包括一个或多个结构部件的装置，所述一个或多个结构部件中的至少一个包括基本上HfO 2 -TiO 2材料。还公开了一种半球形谐振器，其包括半球，该半球包括一个或多个结构组分，其中所述一个或多个结构组分中的至少一个包含基本上HfO 2 -TiO 2材料，构造成在半球上施加电力以引起半球的锻造电极以及一个或多个设置在该半球附近并被配置为感测半球谐振器陀螺仪的振动图案的取向的传感器电极。

14. 发明申请

WO2013109401A1 SILICON CONTAINING COMPOUNDS FOR ALD DEPOSITION OF METAL SILICATE FILMS 审中-公开
标题翻译：含有金属硅酸盐膜的ALD沉积的含硅化合物
公开(公告)号：WO2013109401A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：PCT/US2012/072051
申请日：2012-12-28
申请人： DUSSARRAT, Christian , KUCHENBEISER, Glenn , PALLEM, Venkateswara, R. , OMARJEE, Vincent, M. , BESANCON, Brian , WANG, Ziyun
发明人： DUSSARRAT, Christian , KUCHENBEISER, Glenn , PALLEM, Venkateswara, R. , OMARJEE, Vincent, M. , BESANCON, Brian , WANG, Ziyun
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02208 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L21/02148 , H01L21/02219 , H01L21/0228
摘要： Disclosed are silicon containing compounds and their use in vapor deposition methods of hafnium silicate films having a desired silicon concentration. More particularly, deposition of hafnium silicate films by atomic layer deposition using moisture and the disclosed silicon containing compounds produce films having a desired silicon concentration.
摘要翻译：公开了含硅化合物及其在具有期望的硅浓度的硅酸铪膜的气相沉积方法中的用途。更具体地，通过使用水分的原子层沉积来沉积硅酸铪膜，并且所公开的含硅化合物产生具有期望的硅浓度的膜。

15. 发明申请

WO2011161311A1 COATING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：涂装装置
公开(公告)号：WO2011161311A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/FI2011/050570
申请日：2011-06-16
申请人： BENEQ OY , SEPPÄLÄINEN, Erkki , TIMONEN, Paavo , ILMARINEN, Joonas , TOIVANEN, Kai
发明人： SEPPÄLÄINEN, Erkki , TIMONEN, Paavo , ILMARINEN, Joonas , TOIVANEN, Kai
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/54 , C03C17/00
CPC分类号： C23C16/45591 , C03C17/00 , C03C2218/152 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/4486 , C23C16/45563
摘要： An Aerosol Assisted Chemical Vapor Deposition (AACVD) apparatus (A) for forming a coating (2) on a substrate (1). The apparatus comprises an atomizer (3) for turning the liquid precursor into droplets (5), an atomizer chamber (4) for mixing the aerosol and a deposition chamber (6) for depositing the coating (2) on the substrate (1). The deposition chamber (6) is placed downward from the atomizer chamber (4), and the atomizer chamber (4) is restricted in the direction of the aerosol flow by the wall (Wl) next to the deposition chamber (6) and an opposite wall (W2). The distance of the atomized spray (3S) from the wall (Wl) next to the deposition chamber (6) is shorter than the distance from the opposite wall (W2) in at least one part of the atomizer chamber (4).
摘要翻译：用于在基材（1）上形成涂层（2）的气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）装置（A）。该装置包括用于将液体前体转变为液滴（5）的雾化器（3），用于混合气溶胶的雾化室（4）和用于将涂层（2）沉积在基底（1）上的沉积室（6）。沉积室（6）从雾化室（4）向下放置，并且雾化器室（4）通过靠近沉积室（6）的壁（W1）沿气溶胶流动的方向被限制，并且相反墙（W2）。雾化喷雾（3S）与沉积室（6）旁边的壁（W1）的距离比在雾化室（4）的至少一部分距离相对壁（W2）的距离短。

16. 发明申请

WO2011055011A1 A METHOD FOR FORMING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE FILM, AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE FILM, AND USES FOR THE SAME 审中-公开
标题翻译：形成电导电氧化膜，电导电氧化膜的方法及其用途
公开(公告)号：WO2011055011A1
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：PCT/FI2010/050874
申请日：2010-11-02
申请人： BENEQ OY , MAULA, Jarmo
发明人： MAULA, Jarmo
IPC分类号： C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C28/00 , C23C30/00 , C23C16/455 , C23C16/44
CPC分类号： H01B1/08 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4408 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C28/00 , C23C28/04 , C23C30/00
摘要： A method for forming an electrically conductive oxide film (1) on a substrate (2), the method comprising the steps of, bringing the substrate (2) into a reaction space, forming a preliminary deposit on a deposition surface of the substrate (2) and treating the deposition surface with a chemical. The step of forming the preliminary deposit on the deposition surface of the substrate (2) comprises forming a preliminary deposit of transition metal oxide on the deposition surface and subsequently purging the reaction space. The step of treating the deposition surface with a chemical comprises treating the deposition surface with an organometallic chemical and subsequently purging the reaction space, to form oxide comprising oxygen, first metal and transition metal. The steps of forming the preliminary deposit and treating the deposition surface being alternately repeated such that a film (1) of electrically conductive oxide is formed on the substrate (2).
摘要翻译：一种在基板（2）上形成导电氧化物膜（1）的方法，所述方法包括以下步骤：将基板（2）进入反应空间，在基板（2）的沉积表面上形成预沉积物）并用化学品处理沉积表面。在基材（2）的沉积表面上形成初步沉积物的步骤包括在沉积表面上形成过渡金属氧化物的初步沉积物，随后清洗反应空间。用化学品处理沉积表面的步骤包括用有机金属化学品处理沉积表面，随后吹扫反应空间，以形成包含氧，第一金属和过渡金属的氧化物。交替地重复形成预沉积和处理沉积表面的步骤，使得在基板（2）上形成导电氧化物膜（1）。

17. 发明申请

WO2011034536A1 FABRICATION OF SEMICONDUCTOR STACKS WITH RUTHENIUM-BASED MATERIALS 审中-公开
标题翻译：用基于金属的材料制造半导体堆叠
公开(公告)号：WO2011034536A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/US2009/057371
申请日：2009-09-18
申请人： INTERMOLECULAR, INC. , ELPIDA MEMORY, INC. , KUMAR, Pragati , CHEN, Hanhong , FUCHIGAMI, Nobi , SHANKER, Sunil , MALHOTRA, Sandra , HASHIM, Imran
发明人： KUMAR, Pragati , CHEN, Hanhong , FUCHIGAMI, Nobi , SHANKER, Sunil , MALHOTRA, Sandra , HASHIM, Imran
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/108
CPC分类号： C23C16/45531 , C23C16/0272 , C23C16/0281 , C23C16/405 , H01L21/02186 , H01L21/02194 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/65 , H01L28/75
摘要： This disclosure provides a method of fabricating a semiconductor stack and associated device such as a capacitor and DRAM cell. In particular, a bottom electrode upon which a dielectric layer is to be grown may have a ruthenium-based surface. Lattice matching of the ruthenium surface with the dielectric layer (e.g., titanium oxide, strontium titanate or barium strontium titanate) helps promote the growth of rutile-phase titanium oxide, thereby leading to higher dielectric constant and lower effective oxide thickness. The ruthenium-based material also provides a high work function material, leading to lower leakage. To mitigate nucleation delay associated with the use of ruthenium, an adherence or glue layer based in titanium may be employed. A pretreatment process may be further employed so as to increase effective capacitor plate area, and thus promote even further improvements in dielectric constant and effective oxide thickness ("EOT").
摘要翻译：本公开提供了制造半导体堆叠和相关设备（诸如电容器和DRAM单元）的方法。特别地，要生长电介质层的底部电极可以具有钌基表面。钌表面与电介质层的晶格匹配（例如氧化钛，钛酸锶钛酸钡或钛酸钡锶）有助于促进金红石相氧化钛的生长，从而导致较高的介电常数和较低的有效氧化物厚度。钌基材料还提供高功函数材料，导致较低的泄漏。为了减轻与使用钌有关的成核延迟，可以采用基于钛的粘附层或胶层。可以进一步采用预处理工艺，以增加有效的电容器板面积，从而进一步提高介电常数和有效的氧化物厚度（“EOT”）。

18. 发明申请

WO2011011299A1 COMPOSITIONS AND METHODS OF USE FOR FORMING TITANIUM- CONTAINING THIN FILMS 审中-公开
标题翻译：用于形成含钛薄膜的组合物和方法
公开(公告)号：WO2011011299A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/US2010/042384
申请日：2010-07-19
申请人： SIGMA-ALDRICH CO. , HEYS, Peter, Nicholas , ODEDRA, Rajesh , KINGSLEY, Andrew
发明人： HEYS, Peter, Nicholas , ODEDRA, Rajesh , KINGSLEY, Andrew
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/455 , C07B63/04
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45553
摘要： Compositions and methods for forming titanium-containing thin films are provided. The compositions comprise at least one precursor selected from the group consisting of (methylcyclopentadienyl)Ti(NMe 2 ) 3 , (ethylcyclopentadienyl)Ti (NMe 2 ) 3 , (isopropylcyclopentadienyl)Ti(NMe 2 ) 3 , (methylcyclopentadienyl)Ti(NEt 2 ) 3 , (methylcyclopentadienyl)Ti(NMeEt) 3 , (ethylcyclopentadienyl)Ti(NMeEt) 3 and (methylcyclopentadienyl)Ti(OMe) 3 ; and at least one liquification co-factor other than the at least one precursor; wherein the at least one liquification co-factor is present in amount sufficient to co-act with the at least one precursor, and in combination with the at least one precursor, forms a liquid composition.
摘要翻译：提供了用于形成含钛薄膜的组合物和方法。该组合物包含至少一种选自（甲基环戊二烯基）Ti（NMe 2）3，（乙基环戊二烯基）Ti（NMe 2）3，（异丙基环戊二烯基）Ti（NMe 2）3，（甲基环戊二烯基）Ti（NEt 2）3，（甲基环戊二烯基）Ti（NMeEt）3，（乙基环戊二烯基）Ti（NMeEt）3和（甲基环戊二烯基）Ti（OMe）3; 和至少一种除所述至少一种前体之外的液化辅因子; 其中所述至少一种液化辅助因子以足以与所述至少一种前体共同作用的量存在，并且与所述至少一种前体组合形成液体组合物。

19. 发明申请

WO2011007709A1 成膜方法审中-公开
标题翻译：电影制作方法
公开(公告)号：WO2011007709A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/JP2010/061595
申请日：2010-07-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 三好秀典 , 原正道
发明人：三好　秀典 , 原　正道
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C16/02 , C23C16/0236 , C23C16/04 , C23C16/042 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/405 , H01L21/28556 , H01L21/76849 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　銅を使用している配線と絶縁膜とが表面に露出している基板に対してマンガン含有膜を成膜する成膜方法を開示する。この成膜方法は、銅を使用している配線上に、マンガン化合物を用いたＣＶＤ法を用いてマンガン含有膜を形成する工程（ステップ２）を備える。
摘要翻译：公开了一种成膜方法，其中在含有铜的绝缘膜和布线从表面露出的基板上形成含锰膜。成膜方法包括通过使用锰化合物的CVD法在含铜的布线上形成含锰膜的工序（工序2）。

20. 发明申请

WO2011005653A1 SOLUTION BASED PRECURSORS 审中-公开
标题翻译：基于解决方案的前提
公开(公告)号：WO2011005653A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：PCT/US2010/040765
申请日：2010-07-01
申请人： LLINDE AKTIENGESELLSCHAFT , MA, Ce , KIM, Kee-Chan , MCFARLANE, Graham, Anthony
发明人： MA, Ce , KIM, Kee-Chan , MCFARLANE, Graham, Anthony
IPC分类号： C07F9/00
CPC分类号： C07F17/00 , C23C16/34 , C23C16/405 , C23C16/45553
摘要： Solution-based precursors for use as starting materials in film deposition processes, such as atomic layer deposition, chemical vapor deposition and metalorganic chemical vapor deposition. The solution-based precursors allow for the use of otherwise solid precursors that would be unsuitable for vapor phase deposition processes because of their tendency to decompose and solidify during vaporization.
摘要翻译：用于原子层沉积，化学气相沉积和金属有机化学气相沉积的成膜方法中的起始材料的基于溶液的前体。基于溶液的前体允许使用不适合于气相沉积过程的其它固体前体，因为它们在蒸发期间趋于分解和固化。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式