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    • 13. 发明申请
    • DISPOSITIF D'ÉCHANTILLONNAGE ÉLECTRO-OPTIQUE D'UN SIGNAL HYPERFRÉQUENCE.
    • 用于微波频率信号的电光采样的装置
    • WO2014057090A1
    • 2014-04-17
    • PCT/EP2013/071281
    • 2013-10-11
    • THALESUNIVERSITÉ PIERRE ET MARIE CURIE (PARIS 6)
    • COMBRIÉ, SylvainDE ROSSI, AlfredoTRIPON, CharlotteCHAZELAS, Jean
    • G01R13/34
    • G02B6/35G01R29/0885G08C19/36H03K17/78
    • L'invention concerne un dispositif d'échantillonnage électro-optique d'un signal hyperfréquence comprenant une ligne hyperfréquence (20) de transmission d'un signal hyperfréquence, ladite ligne hyperfréquence comportant une zone d'interruption (22) apte à être rendue conductrice sous l'effet d'un signal optique de commande de manière à réaliser une fonction d'interrupteur à commande optique. Le dispositif selon l'invention comporte, dans ladite zone d'interruption, une couche (42) en matériau semi-conducteur nanostructuré, comportant un pavage périodique ou quasi-périodique de nanostructures (38). La couche (42) en matériau semi-conducteur nanostructuré est posée, au niveau de ladite zone d'interruption, en suspension ou sur un matériau diélectrique (36) d'indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction dudit matériau semi-conducteur, ladite couche (42) en matériau semi-conducteur nanostructuré étant apte à réaliser ladite fonction d'interrupteur à commande optique. Selon un mode de réalisation, la couche (42) en matériau semi-conducteur nanostructuré comporte au moins une cavité optique résonante (44) formée par modification dans le pavage de nanostructures.
    • 本发明涉及一种用于微波频率信号的电光取样的装置,包括用于传输微波信号的微波线(20),所述微波线包括能够在光学效应下导通的中断区(22) 控制信号,以便执行光控断路器的功能。 根据本发明的装置在所述中断区域中包括纳米结构半导体材料的层(42),其包括纳米结构(38)的周期性或准周期性平铺。 纳米结构半导体材料的层(42)在所述中断区域的水平处被放置在悬浮液中或在比所述半导体材料的折射率低的折射率的介电材料(36)上,所述纳米结构的所述层(42) 半导体材料能够执行光控断路器的所述功能。 根据一个实施例,纳米结构半导体材料的层(42)包括通过纳米结构的平铺中的修改而形成的至少一个谐振光学腔(44)。