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11. 发明申请

WO2011134458A1 ORGANISCHES HALBLEITENDES MATERIAL UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：有机半导体材料和电子元器件
公开(公告)号：WO2011134458A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/DE2011/000441
申请日：2011-04-27
申请人： NOVALED AG , SENSIENT IMAGING TECHNOLOGIES GMBH , WERNER, Ansgar , DOROK, Sascha , ROTHE, Carsten , FELICETTI, Michael , LISCHEWSKI, Volker , TSCHUNARJEW, Mirko
发明人： WERNER, Ansgar , DOROK, Sascha , ROTHE, Carsten , FELICETTI, Michael , LISCHEWSKI, Volker , TSCHUNARJEW, Mirko
IPC分类号： C09K11/06 , C07C13/04 , H01L51/00 , H05B33/14
CPC分类号： H01L51/005 , B82Y10/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/185 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0092 , H01L51/4253 , H01L51/5052 , H05B33/14 , Y02E10/549
摘要： Organisches halbleitendes Material umfassend zumindest ein Matrixmaterial und zumindest ein Dotierungsmaterial, wobei das Dotierungsmaterial aus einer 3-Radialenverbindung ausgewählt wird, und wobei das Matrixmaterial aus einer Terphenyldiaminverbindung ausgewählt wird, sowie ein organisches Bauelement und eine Mischung zur Herstellung einer dotierten Halbleiterschicht.
摘要翻译：有机半导体材料包含至少一种基质材料和至少一种掺杂剂，其中掺杂剂是从3-径向选择，并且其中所述基质材料从Terphenyldiaminverbindung选择，有机成分，以及用于掺杂的半导体层的制备的混合物。

12. 发明申请

WO2009135466A1 LICHTEMITTIERENDES ORGANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN 审中-公开
标题翻译：发光有机成分及其制造方法
公开(公告)号：WO2009135466A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/DE2009/000600
申请日：2009-05-05
申请人： NOVALED AG , BIRNSTOCK, Jan , WERNER, Ansgar , ROTHE, Carsten
发明人： BIRNSTOCK, Jan , WERNER, Ansgar , ROTHE, Carsten
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/50 , H01L2251/5346 , H01L2251/5361 , H01L2251/558
摘要： Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes organisches Bauelement, insbesondere lichtemittierende organische Diode, mit einer sich über eine Elektrodenfläche ausbreitenden Elektrode (2) und einer sich über eine Gegenelektrodenfläche ausbreitenden Gegenelektrode (3) sowie einer zwischen der Elektrode (2) und der Gegenelektrode (3) und in elektrischem Kontakt hiermit gebildeten organischen Schichtanordnung (4), wobei in einer im wesentlichen parallel zur Elektrodenfläche verlaufenden Richtung ein elektrischer Widerstandsgradient (5) in einem mit der Elektrodenfläche wenigstens teilweise überlappenden Bereich der organischen Schichtanordnung gebildet ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden organischen Bauelementes.
摘要翻译：本发明涉及一种发光有机成分，特别是有机发光二极管，其经由电极表面电极（2）传播以及扩频反电极表面相对电极（3）和所述电极（2）和对电极（3）之间（4），（5）形成在电接触有机层排列形成与其在一个与该电极面积的有机层布置的至少部分重叠区域在基本平行于电阻梯度的电极表面的方向。此外，本发明涉及一种用于制造发光有机组分的方法。

13. 发明申请

WO2008061518A2 DITHIOLENÜBERGANGSMETALLKOMPLEXE UND SELEN-ANALOGE VERBINDUNGEN, DEREN VERWENDUNG ALS DOTAND, ORGANISCHES HALBLEITENDES MATERIAL ENTHALTEND DIE KOMPLEXE, SOWIE ELEKTRONISCHE ODER OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENT ENTHALTEND EINEN KOMPLEX 审中-公开
标题翻译： DITHIOLENÜBERGANGSMETALLKOMPLEXE和硒的易模拟连接，它们的使用AS掺杂有机材料含有该复合导电半和电子或光电子器件含有复合
公开(公告)号：WO2008061518A2
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/DE2007/002109
申请日：2007-11-20
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , WERNER, Ansgar , HARTMANN, Horst , WILLMANN, Steffen
发明人： ZEIKA, Olaf , WERNER, Ansgar , HARTMANN, Horst , WILLMANN, Steffen
IPC分类号： C07F11/00 , H01L51/00
CPC分类号： C07C323/03 , H01L51/002 , H01L51/0083 , H01L51/0084 , H01L51/0091 , H01L51/5016 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Dithiolenübergangsmetallkomplexe und deren Selenanalogen Verbindungen gemäß den Strukturen (1) und (2), sowie deren Verwendung insbesondere als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, das organische halbleitende Matrixmaterial sowie elektronische und optoelektronische Bauelemente enthaltend die Verbindunen.
摘要翻译：本发明涉及Dithiolenübergangsmetallkomplexe并根据结构他们的硒类似物的化合物（1）和（2），和它们的用途特别是含有作为用于掺杂有机半导体基质材料，有机半导体基质材料，以及电子和光电子器件的Verbindunen的掺杂剂。

14. 发明申请

WO2008061517A2 VERWENDUNG VON DITHIOLENÜBERGANGSMETALLKOMPLEXEN UND SELEN- ANALOGER VERBINDUNGEN ALS DOTAND 审中-公开
标题翻译：作者DITHIOLENÜBERGANGSMETALLKOMPLEXEN和模拟连接硒作为掺杂剂使用
公开(公告)号：WO2008061517A2
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/DE2007/002108
申请日：2007-11-20
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , WERNER, Ansgar , HARTMANN, Horst , WILLMANN, Steffen
发明人： ZEIKA, Olaf , WERNER, Ansgar , HARTMANN, Horst , WILLMANN, Steffen
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： H01L51/441 , H01L27/301 , H01L51/447 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von Dithiolenübergangsmetallkomplexen, Selen-analoger Verbindungen derselben als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials.
摘要翻译：本发明涉及使用Dithiolenübergangsmetallkomplexen，硒 - 模拟化合物及其作为用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂。

15. 发明申请

WO2008058525A2 VERWENDUNG EINER KOORDINATIONSVERBINDUNG ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBLEITERN 审中-公开
标题翻译：连接到掺杂有机半导体协调性使用
公开(公告)号：WO2008058525A2
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/DE2007/002056
申请日：2007-11-13
申请人： NOVALED AG , WERNER, Ansgar
发明人： WERNER, Ansgar
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/52
CPC分类号： H01L51/002 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0083 , H01L51/0086 , H01L51/0092 , H01L51/5052 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung einer Koordinationsverbindung als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, als Ladungsinjektionsschicht, als Elektrodenmaterial oder als Speichermaterial in elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen, sowie organische halbleitende Materialien, elektronische und optoelektronische Bauelemente.
摘要翻译：本发明涉及使用一个配位化合物作为用于掺杂有机半导体基质材料，作为电荷注入层，作为电极材料或作为电子或光电子器件的存储器材料，且有机半导体材料，电子和光电子器件的掺杂剂。

16. 发明申请

WO2007076960A1 ORGANISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：有机组分
公开(公告)号：WO2007076960A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/EP2006/012403
申请日：2006-12-21
申请人： NOVALED AG , MURANO, Sven , BIRNSTOCK, Jan , WERNER, Ansgar , VEHSE, Martin , HOFMANN, Michael
发明人： MURANO, Sven , BIRNSTOCK, Jan , WERNER, Ansgar , VEHSE, Martin , HOFMANN, Michael
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L51/5092
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein organisches Bauelement, insbesondere lichtemittierendes organisches Bauelement, mit einer Elektrode (1; 2) und einer Gegenelektrode (2; 1) sowie einer Anordnung organischer Schichten (3), die zwischen der Elektrode (1; 2) und der Gegenelektrode (2; 1) angeordnet ist und die mit der Elektrode (1; 2) und der Gegenelektrode (2; 1) in elektrischem Kontakt ist, wobei die Anordnung organischer Schichten (3) Ladungsträgertransportschichten (4, 8) zum Transportieren von aus der Elektrode (1; 2) und aus der Gegenelektrode (2; 1) in die Anordnung organischer Schichten (3) injizierten Ladungsträgern umfasst, und wobei in der Anordnung organischer Schichten (3) zwischen der Elektrode (1; 2) und einer der Elektrode (1; 2) gegenüberliegend angeordneten Ladungsträgertransportschicht (4; 8) eine Injektionsschicht (5; 9) aus einem molekularen Dotierungsmaterial gebildet ist, die in Kontakt mit der der Elektrode (1; 2) gegenüberliegend angeordneten Ladungsträgertransportschicht (4; 8) ist, wobei das molekulare Dotierungsmaterial ein Molekulargewicht von mindestens 300 g/mol aufweist.
摘要翻译：本发明涉及的有机成分，特别是发光有机成分，具有电极（1; 2）和一个反电极（2; 1）和所述电极之间的有机层（3）的装置（1; 2）与所述反电极（2; 1）被布置并连接到所述电极（1; 2）与对置电极（2; 1）是在电接触，其中的有机层（3）载流子传输层（4,8），用于从所述运送装置电极（1; 2）与对置电极（2; 1）包括，在有机层注入（3）载流子的结构中，并且其中，在所述电极之间的有机层（3）的排列;和（电极的一个（1 2） 1; 2）相对设置的载流子传输层（4; 8）具有注入层（5; 9）由一个分子掺杂材料与在接触（电极1形成; 2）相对地布置Ladungsträgert ransportschicht（4; 8），其中具有至少300克/摩尔的分子量的分子掺杂材料。

17. 发明申请

WO2007071450A1 ELECTRONIC DEVICE WITH A LAYER STRUCTURE OF ORGANIC LAYERS 审中-公开
标题翻译：具有层状结构的电子器件
公开(公告)号：WO2007071450A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：PCT/EP2006/012516
申请日：2006-12-22
申请人： NOVALED AG , MURANO, Sven , BIRNSTOCK, Jan , WERNER, Ansgar , BURGHART, Markus
发明人： MURANO, Sven , BIRNSTOCK, Jan , WERNER, Ansgar , BURGHART, Markus
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/002 , H01L27/3209 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/0085 , H01L51/5052 , H01L51/5278 , H01L2251/554
摘要： The invention relates to an electronic device comprising a layer structure of organic layers, wherein said layer structure comprises a p-n-junction between an n-type doped organic layer provided as an organic matrix material doped with an n-type dopant and a p-type doped organic layer provided as a further organic matrix material doped with a p-type dopant, and wherein the n-type dopant and the p-type dopant both are molecular dopants, a reduction potential of the p-type dopant is equal or larger than about 0 V vs. Fc / Fc + , and an oxidation potential of the n-type dopant is equal or smaller than about -1.5 V vs. Fc / Fc + .
摘要翻译：本发明涉及一种包括有机层的层结构的电子器件，其中所述层结构包括在作为掺杂有n型掺杂剂的有机基质材料提供的n型掺杂有机层与p型结构之间的pn结掺杂有机层作为掺杂有p型掺杂剂的另外的有机基质材料，其中n型掺杂剂和p型掺杂剂都是分子掺杂剂，p型掺杂剂的还原电位等于或大于约0V对Fc / Fc + +，并且n型掺杂剂的氧化电位等于或小于约-1.5V对Fc / Fc 。

18. 发明申请

WO2007054345A1 DOTIERTES ORGANISCHES HALBLEITERMATERIAL 审中-公开
标题翻译：掺杂的有机半导体材料
公开(公告)号：WO2007054345A1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：PCT/EP2006/010816
申请日：2006-11-10
申请人： NOVALED AG , LUX, Andrea , WERNER, Ansgar , SALBECK, Josef
发明人： LUX, Andrea , WERNER, Ansgar , SALBECK, Josef
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0072 , H01L51/002 , H01L51/0026 , H01L51/0052 , H01L51/0077 , H01L51/5048 , H01L51/5052 , H01L2251/308
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein dotiertes organisches Halbleitermaterial umfassend mindestens ein organisches Matrixmaterial, das mit mindestens einem Dotanden dotiert ist, wobei das Matrixmaterial ausgewählt ist aus einer Gruppe bestehend aus bestimmten Phenanthrolin-Derivaten; sowie eine organische Leuchtdiode, die ein solches Halbleitermaterial umfaßt.
摘要翻译：本发明涉及一种包括掺杂有至少一种掺杂剂，其中所述基质材料是从由一定菲咯啉衍生物的一组中选择的至少一种有机基质材料中的掺杂的有机半导体材料; 和有机发光器件，包括这样的半导体材料。

19. 发明申请

WO2007048624A1 ABSCHEIDEN EINER SCHICHT AUS DOTTIERTEM ORGANISCHEN MATERIAL AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：去除有机物材料层在基底上DOTTIERTEM
公开(公告)号：WO2007048624A1
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/EP2006/010368
申请日：2006-10-27
申请人： NOVALED AG , WERNER, Ansgar , LEO, Karl , BOETTCHER, Horst , WOEHRLE, Dieter , THIEL, Carolin , WARK, Michael
发明人： WERNER, Ansgar , LEO, Karl , BOETTCHER, Horst , WOEHRLE, Dieter , THIEL, Carolin , WARK, Michael
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： H01L51/002 , C23C14/06 , C23C14/12 , H01L51/0009 , H01L51/001 , H01L51/5012 , H01L51/5036 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus einem dotierten organischen Material auf einem Substrat mittels Abscheiden, wobei das dotierte organische Material mindestens ein Matrixmaterial und mindestens ein Dotierungsmaterial enthält, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung des Matrixmaterials und des Dotierungsmaterials in einer gemeinsamen Verdampfungsquelle in eine Dampfphase überführt und anschließend auf dem Substrat abgeschieden wird, wobei mindestens eines des Matrixmaterials oder des Dotierungsmaterials vor der Überführung in die Dampfphase in einer porösen Trägersubstanz eingelagert wird; sowie die Verwendung eines solchen Verfahrens.
摘要翻译：本发明涉及一种通过沉积在基底上产生一个掺杂的有机材料的层的方法，该掺杂的有机材料，其包含至少一种基质材料和至少一种掺杂剂，其特征在于，所述基质材料的掺杂剂材料在一个共同的蒸发源的混合物和转移到汽相，然后沉积在基底，其中所述基质材料或掺杂材料中的至少一个先于转移入在多孔质载体的气相存储; 和使用这种方法的。

20. 发明申请

WO2005036667A1 N- DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBLEITERN 审中-公开
标题翻译： n型掺杂有机半导体的
公开(公告)号：WO2005036667A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/DE2004/002247
申请日：2004-10-08
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN , WERNER, Ansgar , PFEIFFER, Martin , HARADA, Kentaro , LEO, Karl
发明人： WERNER, Ansgar , PFEIFFER, Martin , HARADA, Kentaro , LEO, Karl
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0086 , B82Y10/00 , H01L51/002 , H01L51/0046 , H01L51/0077 , H01L51/0078
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von dotierten organischen Halbleitermaterialien mit erhöhter Ladungsträgerdichte und effektiver Ladungsträgerbeweglichkeit durch Dotierung mit einem Dotanden, wobei der Dotand im wesentlichen durch Elektrokristallisation in einem ersten Schritt hergestellt wird, der Dotand ausgewählt ist aus einer Gruppe organischer Verbindungen mit einem geringen Oxidationspotential, und wobei ein organisches Halbleitermaterial mit dem Dotanden in einem zweiten Schritt dotiert wird. Ferner betrifft die Erfindung dotierte organische Halbleitermaterialien mit erhöhter Ladungsträgerdichte und effektiver Ladungsträgerbeweglichkeit, hergestellt durch das vorbezeichnete Verfahren. Ferner betrifft die Erfindung eine organische Diode, umfassend dotierte organische Halbleitermaterialien, welche nach dem vorbezeichneten Verfahren hergestellt wurden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产具有由有掺杂剂，其中掺杂剂基本上由电结晶在第一步骤中制备的掺杂的增加的载流子密度和有效电荷载流子迁移率掺杂有机半导体材料的方法，所述掺杂剂是由具有低氧化电位的基团的有机化合物的选择且其中有机半导体材料掺杂有在第二步骤中掺杂剂。此外，本发明涉及掺杂具有增加的电荷载流子密度和有效电荷载流子迁移率，通过预先规定的顺序制作有机半导体材料。此外，本发明涉及包含已准备通过上述方法掺杂有机半导体材料的有机二极管。

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