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    • 11. 发明申请
    • 기판 프로세싱 장치
    • 基板加工设备
    • WO2016080729A1
    • 2016-05-26
    • PCT/KR2015/012337
    • 2015-11-17
    • 주식회사 테라세미콘
    • 이병일박경완강호영박준규
    • H01L21/02H01L21/324H01L21/67
    • H01L21/02H01L21/324H01L21/67
    • 기판 프로세싱 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 프로세싱 장치는, 기판 프로세싱 장치로서, 챔버(101) 내에 기판 프로세싱 가스를 공급하는 가스 인릿(inlet; 300); 챔버(101) 내의 기판 프로세싱 가스를 외부로 배출하는 가스 아웃릿(outlet; 400); 챔버(101) 내에 배치되며 챔버(101) 내부를 가열하는 히터(200); 및 챔버(101)의 외측면에 배치되며 챔버벽의 온도를 제어하는 온도 컨트롤러(500)를 포함하며, 온도 컨트롤러(500)는, 상기 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 챔버(101)의 내벽에 응축되지 않도록, 챔버(101)의 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지하는 것을 특징으로 한다.
    • 公开了一种基板处理装置。 根据本发明的基板处理装置包括:用于将基板处理气体引入到室(101)中的入口(300); 用于将所述室(101)内的基板处理气体排出到外部的出口(400) 设置在所述腔室(101)内的加热器,用于加热所述腔室(101)的内部; 以及设置在所述室(101)的外表面上用于控制所述室壁温度的温度控制器(500),其中所述温度控制器(500)保持所述室(101)的内壁的温度 ),使得在室内蒸发或干燥的基板上的材料不会在室(101)的内壁上冷凝。