专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明申请

WO2014073883A1 저항기 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：电阻及其制造方法
公开(公告)号：WO2014073883A1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：PCT/KR2013/010077
申请日：2013-11-07
申请人： 스마트전자 주식회사
发明人： 정종일 , 강두원 , 안규진 , 진상준 , 김현창 , 이경미
IPC分类号： H01C7/00 , H01C17/02
CPC分类号： H01C1/024 , B23K1/0016 , B23K1/19 , B23K35/0222 , B23K35/3006 , H01C1/014 , H01C1/026 , H01C1/08 , H01C1/144 , H01C17/02 , H01C17/28 , H01H85/048
摘要： 본 발명은 저항기 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 세라믹 소재의 세라믹 튜브관을 사용하고, 세라믹 튜브관과 밀봉전극을 브레이징 링에 의해 접합하기 때문에 접합강도 및 내구성이 향상되고, 방열 특성이 우수하여 고전압에서도 안정적으로 사용할 수 있는 저항기 및 그 제조방법에 관한 것이다.
摘要翻译：电阻器及其制造方法技术领域本发明涉及一种电阻器及其制造方法，更具体地涉及一种电阻器及其制造方法，其中使用陶瓷管，陶瓷管和密封电极通过钎焊接合，从而显着增加接头强度和耐久性，并且具有极好的耐热性，以便在高电压下稳定使用。

12. 发明申请

WO2012053712A1 세포 채취용 필터 용기 审中-公开
标题翻译：用于收集细胞的过滤容器
公开(公告)号：WO2012053712A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/KR2011/003381
申请日：2011-05-06
申请人： 주식회사 패스텍 , 김현창
发明人： 김현창
IPC分类号： G01N33/48 , G01N1/18
CPC分类号： G01N1/4077 , C12M47/02 , G01N2001/4088
摘要： 본 발명은 상,하부가 서로 분리 및 조립 가능한 착탈식 결합구조로 되어 있으며 막부재와 필터부재를 이용하여 세포 보존 용액 내에 함유된 세포와 이물질을 간편하게 분리시킬 수 있고, 분리된 세포를 용이하게 슬라이드에 채취할 수 있다.
摘要翻译：本发明包括一个可拆卸的连接结构，包括上部和下部，可以分离和组装，并且可以容易地将包含在溶液中的细胞和异物分离，以使用膜构件和过滤构件，并容易地将分离的细胞收集在载玻片上。

13. 发明申请

WO2012124913A2 신규한 4-비이 족 유기금속화합물 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：新颖的4-二价有机金属化合物及其制备方法
公开(公告)号：WO2012124913A2
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/KR2012/001566
申请日：2012-03-02
申请人： 주식회사 메카로닉스 , 안대준 , 김현창
发明人： 안대준 , 김현창
IPC分类号： C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/18 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02189 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/405 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02205 , H01L21/0228
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 4-비이 족 유기금속화합물 및 그의 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 화학 기상 증착법 (Chemical vapor deposition : CVD) 또는 원자층 증착법(Atomic layer deposion : ALD)에 적용 가능하고 열적, 화학적으로 안정한 4—비이 족 유기금속화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 합성된 4-비이 족 유기금속화합물은 고휘발성이며 열적으로 안정하여 4-비이 족 금속 산화물 박막 제조에 유리하게 사용할 수 있다. 상기 화학식 1에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고; R 1 는 C 1 -C 4 의 알킬기이고; R 2 및 R 3 는 서로 독립적으로 C 1 -C 6 의 알킬기이다.
摘要翻译：本发明涉及由下述通式（1）表示的新型4-bya有机金属化合物及其制备方法，并且更具体地涉及制备4- 本发明涉及适用于原子层沉积（ALD）并且热和化学稳定的4位有机金属化合物及其制备方法。根据本发明合成的4-二价有机金属化合物具有高挥发性和热稳定性，并且可以有利地用于制备4-二价金属氧化物薄膜。在式1中，M是Ti，Zr或Hf; R 1是C 1 -C 4烷基; R 1是C 1 -C 4烷基。 [R ^{2 和R ^{3 各自独立地为烷基C组<子> 1 -C <子> 6 的}}

14. 发明申请

WO2011111889A1 CIGS 박막 제조방법 审中-公开
标题翻译：制造薄膜薄膜的方法
公开(公告)号：WO2011111889A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/KR2010/001544
申请日：2010-03-12
申请人： 주식회사 메카로닉스 , 장혁규 , 김현창 , 이주영
发明人： 장혁규 , 김현창 , 이주영
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C16/18 , C23C16/305 , C23C16/45531 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 각 전구체를 챔버 내부에 동시 공급 또는 순차 공급하면서 화학기상 증착법 또는 원자층 증착법을 이용하여 CIGS 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 진공 챔버 내에 장착된 기판상에 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체, 갈륨(Ga) 전구체, 및 셀레늄(Se) 전구체를 동시에 또는 이들 중 2가지 이상의 조합으로 공급하면서 화학기상 증착법을 이용하여 박막을 제조하거나, 1) 진공 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 상기 기판을 특정한 반응 온도로 유지하는 단계; 2) 진공 챔버 내부로 구리 전구체를 공급하고 반응시키는 단계; 3) 미반응 물질 및 부산물을 제거하는 제1 퍼징 단계; 4) 진공 챔버 내부로 인듐 전구체를 공급하고 반응시키는 단계; 5) 미반응 물질 및 부산물을 제거하는 제2 퍼징 단계; 6) 진공 챔버 내부로 갈륨 전구체를 공급하고 반응시키는 단계; 7) 미반응 물질 및 부산물을 제거하는 제3 퍼징 단계; 8) 진공 챔버 내부로 셀레늄 전구체를 공급하고 반응시키는 단계; 및 9) 미반응 물질 및 부산물을 제거하는 제4 퍼징 단계;를 포함하고, 원자층 증착법을 이용하여 기판상에 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 제조시간이 짧고, 생산성이 높으며, 제조단가가 낮고, 막질이 우수한 대면적 박막을 제공할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及使用化学气相沉积或原子层沉积制造CIGS薄膜的方法，该方法是通过同时或顺序地将各种前体进料到室中。更具体地说，本发明涉及一种使用化学气相沉积制造CIGS薄膜的方法，该方法是通过同时供给铜（Cu）前体，铟（In）前体，镓（Ga）前体和硒（Se）或者通过馈送至少两种前体的组合，或者涉及通过使用原子层沉积在衬底上制造CIGS薄膜的方法，其中该方法包括以下步骤： 1）将基板定位在真空室中并将基板保持在特定的反应温度; 2）将铜前体进料到真空室中，并允许铜前体与基底反应; 3）进行第一吹扫以除去未反应的物质和副产物; 4）将铟前体进料到真空室中并使铟前体与基底反应; 5）进行第二吹扫以去除未反应的物质和副产物; 6）将镓前体进料到真空室中并使镓前体与基底反应; 7）进行第三吹扫以除去未反应的物质和副产物; 8）将硒前体供应到真空室中并使硒前体与基底反应; 和9）进行第四吹扫以除去未反应的物质和副产物。根据本发明，可以提供大面积的薄膜，其制造时间短，生产率高，制造成本低，膜质优异。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式