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12. 发明申请

WO2004070804A1 ニッケルシリサイド膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびニッケルシリサイド膜のエッチング方法审中-公开
标题翻译：形成尼龙硅胶膜的方法，制造半导体器件的方法和蚀刻镍硅酸盐的方法
公开(公告)号：WO2004070804A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/JP2004/001315
申请日：2004-02-09
申请人：日本電気株式会社 , 寺島浩一 , 三浦喜直
发明人：寺島浩一 , 三浦喜直
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L29/4933 , H01L29/665
摘要：基板シリコン中のシリコン原子の消費量をできるだけ少なくして、なおかつ十分な厚さをもった低抵抗のニッケルシリサイド膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびニッケルシリサイド膜のエッチング方法を提供する。表面に半導体領域および絶縁膜領域を有する基板上に、シリサイド反応を起こさない第１の基板温度で少なくとも各１層よりなるニッケル層とシリコン層を交互に積層する積層膜形成工程と、その積層膜をニッケルモノシリサイドが生成する第２の基板温度で熱処理するシリサイド反応工程と、ウェットエッチングによって絶縁膜上に形成された膜を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、積層膜形成工程において、積層膜全体のシリコン原子数に対するニッケル原子数の比を１または１より大きくすることによって、上記課題を解決した。
摘要翻译：一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括层叠膜形成工序，在其表面上交替地层叠一层以上的镍层和一层以上的硅层，所述衬底在其表面上具有第一衬底的半导体区域和绝缘膜区域温度不引起硅化物形成反应的硅化物反应步骤，在适合于形成镍一硅化镍的第二衬底温度下对层压膜进行热处理的硅化物反应步骤，以及通过湿蚀刻去除在绝缘膜区上形成的膜的步骤其中，在层压薄膜形成工序中，将整个层叠薄膜的镍原子数与硅原子数的比例设定为1以上; 上述半导体装置的制造方法中包含的硅化镍膜的形成方法，以及蚀刻硅化镍膜的方法。上述方法允许形成具有令人满意的厚度的低电阻的硅化镍膜，硅衬底中硅原子的消耗最小。

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