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11. 发明申请

WO2004055922A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ORGANISCHEN FELDEFFEKTTRANSISTOREN MIT TOP-KONTAKT-ARCHITEKTUR AUS LEITFÄHIGEN POLYMEREN 审中-公开
标题翻译：用于生产有机场效应晶体管，导电聚合物顶联络架构
公开(公告)号：WO2004055922A2
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：PCT/DE2003/003936
申请日：2003-11-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter
发明人： HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , ZSCHIESCHANG, Ute , SCHMID, Günter
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0054 , H01L51/0516
摘要： Durch Verwendung einer wässrigen ein leitfähiges Polymer enthaltenden Lösung können aufgrund gegensätzlicher Grenzflächeneigenschaften von hydrophiler Polymerlösung und hydrophoben organischen Halbleiter organische Feldeffekttransistoren mit einer Top-Kontakt-Architektur unter vollständigem Erhalt der elektrischen Eigenschaften des organischen Halbleiters gefertigt werden.
摘要翻译：通过使用含有导电聚合物的水溶液，具有顶部接触结构的有机场效应晶体管可以与由于有机半导体相对的亲水性聚合物溶液和疏水性有机半导体的界面性质的电特性完成的保存来制造。

12. 发明申请

WO2004021751A1 HERSTELLUNG ORGANISCHER ELEKTRONISCHER SCHALTKREISE DURCH KONTAKTDRUCKTECHNIKEN 审中-公开
标题翻译：制造有机电子电路BY接触印刷技术
公开(公告)号：WO2004021751A1
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：PCT/DE2003/002837
申请日：2003-08-25
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , ZSCHIESCHANG, Ute , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter
发明人： ZSCHIESCHANG, Ute , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter
IPC分类号： H05K3/12
CPC分类号： H05K3/207 , H01L51/0021 , H01L51/0022 , H01L51/0512 , H01L51/0541 , H05K3/1275 , H05K2201/0133 , H05K2201/0329 , H05K2203/0113
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Leiterstrecke auf einem Substrat, wobei ein mit einer hydrophoben strukturierten Druckseite versehener Druckstempel mit einer ein organisches leitfähiges Polymer enthaltende Drucklösung beladen wird und durch in Kontakt bringen mit einem hydrophilen Substrat eine strukturierte aus dem organischen Polymer bestehende Schicht auf dem Substrat gebildet wird. Durch Auswahl geeigneter Geometrien für den Druckstempel und das Substrat lässt sich das Verfahren kontinuierlich betreiben.
摘要翻译：本发明涉及一种基片，其特征在于，设置有与疏水性图案的印刷面印刷压模上制作有机导体路径的方法的有机导电性压力溶液负载并接触具有亲水衬底结构由有机聚合物层的含聚合物的形成在基板上。通过用于印刷裸片和基体的几何形状合适的选择，该方法可以连续操作。

13. 发明申请

WO2004017440A3 VERRINGERUNG DES KONTAKTWIDERSTANDES IN ORGANISCHEN FELDEFFEKTTRANSISTOREN MIT PALLADIUMKONTAKTEN DURCH VERWENDUNG VON PHOSPHINEN UND METALLHALTIGEN PHOSPHINEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2004017440A3
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/DE2003/002379
申请日：2003-07-15
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , ZSCHIESCHANG, Ute , HALIK, Marcus , TERZOGLU, Efstratios
发明人： KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , ZSCHIESCHANG, Ute , HALIK, Marcus , TERZOGLU, Efstratios
IPC分类号： H01L51/20
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung mit einer Halbleiterstrecke aus einem organischen Halbleitermaterial, einem ersten Kontakt zum Injizieren von Ladungsträgern in die Halbleiterstrecke und einem zweiten Kontakt zum Extrahieren von Ladungsträgern aus der Halbleiterstrecke, wobei zwischen erstem Kontakt und der Halbleiterstrecke und/oder zwischen zweitem Kontakt und der Halbleiterstrecke eine Schicht eines Phosphins angeordnet ist. Das Phosphin wirkt als Ladungstransfermolekül, das den Übergang von Ladungsträgern zwischen Kontakt und organischem Halbleitermaterial erleichtert. Dadurch kann der Kontaktwiderstand zwischen Kontakt und organischem Halbleitermaterial deutlich verringert werden.

14. 发明申请

WO2004004025A2 VERFAHREN ZUR KOSTENGÜNSTIGEN STRUKTURIERUNG VON LEITFÄHIGEN POLYMEREN MITTELS DEFINITION VON HYDROPHILEN UND HYDROPHOBEN BEREICHEN 审中-公开
标题翻译：通过定义亲水性和疏水性领域来确定导电聚合物的成本有效结构的方法
公开(公告)号：WO2004004025A2
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/DE2003/001888
申请日：2003-06-06
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , ZSCHIESCHANG, Ute , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , KRIEM, Tarik
发明人： ZSCHIESCHANG, Ute , HALIK, Marcus , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , KRIEM, Tarik
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L51/0004 , H01L51/0013 , H01L51/0016 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , H05K3/1208 , H05K2201/0329 , H05K2203/1173
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Leiterstrecken aus einem elektrisch leitfähigen organischen Material. Dazu werden auf einer Substratoberfläche durch Aufdrucken einer Matrizenverbindung Abschnitte definiert, so dass eine Substratoberfläche mit hydrophilen und hydrophoben Abschnitten erhalten wird. Auf die strukturierte Substratoberfläche wird eine Lösung des elektrisch leitfähigen organischen Polymers gegeben, wobei entweder nur die hydrophilen Abschnitte oder nur die hydrophoben Abschnitte von der Lösung des organischen Polymers benetzt werden. Das Verfahren ermöglicht die Darstellung von Linien mit einer Linienbreite von weniger als 10 µm und erfordert keine fotolithografischen Prozessschritte.
摘要翻译：本发明涉及一种由导电有机材料制造印制导线的方法。为此目的，通过在基质连接上印刷而在基材表面上限定部分，从而获得具有亲水和疏水部分的基材表面。将导电有机聚合物溶液添加到图案化的基材表面，仅润湿有机聚合物溶液的亲水部分或仅润湿疏水部分。该方法可以显示线宽小于10μm的线条，并且不需要光刻工艺步骤

15. 发明申请

WO2004004022A1 VERRINGERUNG DES KONTAKTWIDERSTANDES IN ORGANISCHEN FELDEFFEKTTRANSISTOREN MIT PALLADIUMKONTAKTEN DURCH VERWENDUNG VON NITRILEN UND ISONITRILEN 审中-公开
标题翻译：减少钯联系有机场效应晶体管的接触电阻BY使用和腈异腈
公开(公告)号：WO2004004022A1
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/DE2003/001794
申请日：2003-06-02
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , ZSCHIESCHANG, Ute , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , TERZOGLU, Efstratios
发明人： ZSCHIESCHANG, Ute , KLAUK, Hagen , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , TERZOGLU, Efstratios
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L51/105 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0516 , H01L51/0545
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung mit einer Halbleiterstrecke aus einem organischen Halbleitermaterial, einem ersten Kontakt zum Injizieren von Ladungsträgern in die Halbleiterstrecke und einem zweiten Kontakt zum Extrahieren von Ladungsträgern aus der Halbleiterstrecke, wobei zwischen erstem Kontakt und der Halbleiterstrecke und/oder zwischen zweitem Kontakt und der Halbleiterstrecke eine Schicht eines Nitrils oder eines Isonitrils angeordnet ist. Das Nitril bzw. das Isonitril wirkt als Ladungstransfermolekül, das den Übergang von Ladungsträgern zwischen Kontakt und organischem Halbleitermaterial erleichtert. Dadurch kann der Kontaktwiderstand zwischen Kontakt und organischem Halbleitermaterial deutlich verringert werden.
摘要翻译：本发明涉及具有半导体路径的半导体器件，包括有机半导体材料，用于注入电荷载流子到半导体路径以及用于从半导体路径提取电荷载体，第二接触的第一接触，其中，所述第一接触和所述半导体路径之间和/或第二触点与之间半导体路径腈或异腈的层布置。腈或异腈作为促进电荷载流子的接触和有机半导体材料之间的转移电荷转移分子。因此，接触和有机半导体材料之间的接触电阻可被降低显著。

16. 发明申请

WO2012010292A1 SEMICONDUCTORS BASED ON SUBSTITUTED [1]BENZOTHIENO[3,2-b] [1]-BENZOTHIOPHENES 审中-公开
标题翻译：基于取代的[1]苯并[3,2-b] [1] - 苯并噻吩的半导体
公开(公告)号：WO2012010292A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/003605
申请日：2011-07-19
申请人： HERAEUS CLEVIOS GMBH , MEYER-FRIEDRICHSEN, Timo , REUTER, Knud , ELSCHNER, Andreas , HALIK, Marcus
发明人： MEYER-FRIEDRICHSEN, Timo , REUTER, Knud , ELSCHNER, Andreas , HALIK, Marcus
IPC分类号： C07D495/04 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0074 , C07D495/04 , C07F9/655354 , H01L51/0002 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： The present invention relates to compounds of the general formula (I) wherein Z corresponds to - a C 1 -C 22 -alkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR 1 ) 2 (wherein the radicals R 1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C 1 -C 12 -alkyl), sulphonic acid groups -SO 3 H, halosilyl radicals -SiHal n R 2 3-n (R 2 = C 1 -C 18 - alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR 3 ) 3 (R 3 = C 1 -C 18 -alkyl), - a C 5 -C 12 -cycloalkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups— P(O)(OR 1 ) 2 (wherein the radicals R 1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C 1 -C 12 -alkyl), sulphonic acid groups -SO 3 H, halosilyl radicals -SiHal n R 2 3-n (R 2 = C 1 -C 18 - alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR 3 ) 3 (R 3 = C 1 -C 18 -alkyl), - a C 6 -C 14 -aryl radical or heteroaryl radical from the group of the thienyl, pyrryl, furyl or pyridyl radicals substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR 1 ) 2 (wherein the radicals R 1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C 1 -C 12 -alkyl), sulphonic acid groups -S0 3 H, halosilyl radicals -SiHal n R 2 3-n (R 2 = C 1 -C 18 - alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR 3 ) 3 (R 3 = C 1 -C 18 -alkyl), or - a C 7 -C 30 -aralkyl radical optionally substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR 1 ) 2 (wherein the radicals R 1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C 1 -C 12 -alkyl), sulphonic acid groups -SO 3 H, halosilyl radicals -SiHal n R 2 3-n (R 2 = C 1 -C 18 - alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR 3 ) 3 (R 3 = C 1 -C 18 -alkyl) or a trialkylsilyl radical R 5 R 6 R 7 Si, in which R 5 , R 6 , R 7 independently of each other are identical or different C 1 -C 18 -alkyl radicals. The present invention also relates to a semiconductor layer, an electronic component, a process for the production of an electronic component, the electronic component obtainable by this process and the use of compounds of the general formula (I).
摘要翻译：本发明涉及通式（I）的化合物，其中Z对应于被卤素，膦酸或膦酸酯基-P（O）（OR 1）2取代的C 1 -C 22 - 烷基（其中基团R 1 可以相同或不同，并且对应于氢原子或C 1 -C 12烷基），磺酸基-SO 3 H，卤代甲硅烷基-SiHalnR 2 3-n（R 2 = C 1 -C 18烷基，n = 1至3的整数），硫醇基或三烷氧基甲硅烷基-Si（OR 3）3（R 3 = C 1 -C 18烷基）， - 被卤素，膦酸或膦酸酯基-P（O）（OR 1）2取代的C 5 -C 12环烷基（其中基团R 1可以相同或不同并且对应于氢原子或C 1 -C 12 - 烷基），磺酸基-SO 3 H，卤代甲硅烷基-SiHaln R 3-n（R 2 = C 1 -C 18烷基，n =整数 1至3），硫醇基或三烷氧基甲硅烷基-Si（OR 3）3（R 3 = C 1 -C 18 - 烷基）， - 来自噻吩基，吡咯基，呋喃基或吡啶基的C 6 -C 14 - 芳基或杂芳基由卤素，膦酸或膦酸酯基-P（O）（OR 1）2（其中基团R 1可以相同或不同并且对应于氢原子或C 1 -C 12 - 烷基）取代的基团，磺酸基-S03H ，卤代甲硅烷基-SiHalnR2 3-n（R2 = C1-C18烷基，n = 1-3的整数），硫醇基或三烷氧基甲硅烷基-Si（OR3）3（R3 = C1-C18-烷基）任选被卤素，膦酸或膦酸酯基团-P（O）（OR 1）2取代的C 7 -C 30 - 芳烷基（其中基团R 1可以相同或不同并且对应于氢原子或C 1 -C 12 - 烷基），磺酸基-SO 3 H，卤代甲硅烷基-SiHalnR 2 3-n（R 2 = C 1 -C 18烷基，n = 1至3的整数），硫醇基或三烷氧基甲硅烷基-Si（OR 3）3（R 3 = C18烷基）或三烷基甲硅烷基R5R6R7Si，其中R5，R6，R7彼此独立地是相同或不同的C1-C18-烷基。本发明还涉及半导体层，电子部件，电子部件的制造方法，通过该方法得到的电子部件和通式（I）的化合物的用途。

17. 发明申请

WO2010100194A1 MONOLAGEN ORGANISCHER VERBINDUNGEN AUF METALLOXIDOBERFLÄCHEN ODER OXIDHALTIGEN METALLOBERFLÄCHEN UND DAMIT HERGESTELLTES BAUELEMENT AUF BASIS ORGANISCHER ELEKTRONIK 审中-公开
标题翻译：有机化合物ON MONO层或金属 - 氧化金属表面，并由此制造COMPONENT基于有机电子
公开(公告)号：WO2010100194A1
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/EP2010/052700
申请日：2010-03-03
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , HABICH, Dana Berlinde , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , HAYDEN, Oliver
发明人： HABICH, Dana Berlinde , SCHMID, Günter , HALIK, Marcus , HAYDEN, Oliver
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5088 , H01L51/0021 , H01L51/5206 , Y10T428/31663
摘要： Die Erfindung betrifft eine neuartige Auswahl für Monolagen organischer Verbindungen auf transparenten leitfähigen Metalloxidoberflächen, wie sie beispielsweise bei der Herstellung organisch basierter elektronischer Bauelemente eingesetzt werden. Durch die Auswahl gemäß der Erfindung werden völlig neue Größenordnungen an Lebensdauer der damit hergestellten Geräte erreicht.
摘要翻译：本发明涉及一种新的选择用于在透明导电性金属氧化物的有机化合物，如用于例如在生产有机基电子器件的单层。通过根据本发明的全新的尺寸与其在设备寿命达到选择。

18. 发明申请

WO2006021483A3 SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：半导体电路装置及其生产方法
公开(公告)号：WO2006021483A3
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/EP2005053779
申请日：2005-08-03
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK MARCUS , DEHM CHRISTINE , KLAUK HAGEN , ZSCHIESCHANG UTE , SCHMID GUENTER
发明人： HALIK MARCUS , DEHM CHRISTINE , KLAUK HAGEN , ZSCHIESCHANG UTE , SCHMID GUENTER
IPC分类号： H01L51/10 , H01L27/28
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L21/312 , H01L27/3244
摘要： The invention relates to a semiconductor circuit arrangement (10) and to a method for the production thereof, in which a protective material region (50) made of poly(para-xylene) is formed for the material separation of a first circuit region (30) and a second circuit region (40).
摘要翻译：提出了一种半导体电路装置（10）和它们的制备方法，其中的第一电路部分（30）和聚（对 - 二甲苯）的保护材料区（50）的第二电路部分（40）的物理分离形成或为。

19. 发明申请

WO2005023876A3 INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：集成的电路和方法制造集成电路
公开(公告)号：WO2005023876A3
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：PCT/DE2004001904
申请日：2004-08-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK MARCUS , WALTER ANDREAS , KLAUK HAGEN , SCHMID GUENTER , ZSCHIESCHANG UTE
发明人： HALIK MARCUS , WALTER ANDREAS , KLAUK HAGEN , SCHMID GUENTER , ZSCHIESCHANG UTE
IPC分类号： C08K5/053 , C08K5/42 , C08L61/14 , H01B3/44 , H01L51/30
CPC分类号： C08K5/053 , C08K5/42 , C08L61/14
摘要： The invention relates to an integrated circuit comprising an organic semiconductor, particularly an organic field effect transistor (OEFT) that is provided with a dielectric layer. Said integrated circuit is produced by means of a polymer formulation consisting of a) 100 parts of at least one crosslinkable basic polymer, b) 10 to 20 parts of at least one electrophilic crosslinking component, c) 1 to 10 parts of at least one thermal acid catalyst that generates an activating proton at temperatures ranging from 100 to 150 DEG C, dissolved in d) at least one solvent. The invention further relates to a method for producing an integrated circuit, which makes it possible to produce integrated circuits comprising dielectric layers, especially for OFETs, at low temperatures.
摘要翻译：本发明涉及一种包含有机半导体，特别是有机场效应晶体管（OFT），其具有通过由以下组成的一个聚合物配方制造的介电层）100份的至少一种可交联的基础聚合物的集成电路，B）10至20份的至少一种亲电子交联组分， C）在100的温度下1〜10份的至少一种热致酸催化剂的 - 150℃溶解，生成d中活化质子）至少一种溶剂。本发明还涉及一种用于制造集成电路。这允许与电介质层，特别是在低温下的OFET可能集成电路的制造。

20. 发明申请

WO2005008803A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2005008803A3
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/DE2004001515
申请日：2004-07-12
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HALIK MARCUS , KLAUK HAGEN , SCHMID GUENTER , ZSCHIESCHANG UTE
发明人： HALIK MARCUS , KLAUK HAGEN , SCHMID GUENTER , ZSCHIESCHANG UTE
IPC分类号： C23C18/18 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01L51/40 , C03C17/38 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/0545 , C23C18/1851 , C23C18/1858 , H01L51/0012 , H01L51/0052 , H01L51/0075
摘要： The invention relates to a semiconductor component comprising a layer for controlling electrostatic interaction (10) with an organic semiconductor, especially an organic field effect transistor. Said semiconductor component is characterized in that a) the compound is provided with at least one anchor group (1) for creating a bond with the substrate, and b) said compound is further provided with at least one group (2) containing at least one free pair of electrons and/or a dipole moment. The invention also relates to a method for producing a layer comprising such a compound, allowing especially OFETs to be produced such that additionally correcting the logic function (levelshift) becomes useless.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件与在有机场效应晶体管控制的静电相互作用（10）与有机半导体，尤其是用于与基片和制造键的层，其特征在于：a）连接的至少一个锚定基团（1）b）中具有至少一个具有至少一个自由电子对和/或偶极矩的组（2）。本发明还包括用这种化合物生产层的方法。特别是可以产生OFET，从而逻辑功能（电平转换）的额外校正变得多余。

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