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    • 20. 发明申请
    • BETRIEBSTEMPERATURMESSUNG EINES MOS-LEISTUNGSBAUELEMENTS UND MOS BAUELEMENT ZUR AUSFUEHRUNG DES VERFAHRENS
    • AN MOS功率器件和MOS部分部件的执行程序的工作温度
    • WO2009141347A1
    • 2009-11-26
    • PCT/EP2009/056070
    • 2009-05-19
    • X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AGSTOISIEK, MichaelGROSS, Michael
    • STOISIEK, MichaelGROSS, Michael
    • G01K7/16
    • G01K7/16G01K2217/00H01L29/42372H01L29/4238H01L29/7816H01L2924/0002H01L2924/00
    • Die Erfindung soll ein elektrisches Messverfahren für eine Betriebstemperatur und ein modifiziertes Bauelement zur Durchführung des Verfahrens angeben, welches die Überwachung des Bauelementes verbessert. Temperaturmesswerte sollen ohne Zeitverzögerung geliefert werden und ohne zusätzlichen Flächen für Temperatursensoren zu benötigen. Ortsbezogene Temperaturwerte sollen messbar sein. Vorgeschlagen wird ein Verfahren zu dieser ortsbezogenen elektrischen Messung der Betriebstemperatur eines ebenfalls vorgeschlagenen MOS-Leistungsbauelementes mit einem Gateelektroden-Netzwerk aus einem Material, dessen Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes bekannt ist. Das Gateelektroden-Netzwerk wird in mehrere Messstrecken mit Kontaktpunktpaaren, die jeweils mit Kontakten (71.1, 72.1; 71.2, 72.2; 71.3,7; 72.3,7) verbunden sind, unterteilt. Die Kontaktpunkte jedes Kontaktpunktpaares haben einen bestimmten Abstand voneinander und jede der zwischen den Kontaktpunktpaaren liegenden Messstrecken ist jeweils von den anderen Messstrecken elektrisch isoliert, so dass keine elektrische Beeinflussung zwischen den Messstrecken gegeben ist. Die elektrischen Widerstände der Messstrecken werden direkt an dem Gateelektroden-Netzwerk während des Betriebes des Halbleiter-Leistungsbauelementes bei anliegenden Gatespannungen zwischen den Kontaktpunkten der Gateelektrode (4) mit den Gatespannungen überlagerten Messspannungen (u 1 ,u 2 ,u 3 ) gemessen. Aus den elektrischen Widerständen der Messstrecken werden die Temperaturen des MOS- Halbleiter-Leistungsbauelements an den Messstrecken bestimmt.
    • 本发明是提供一种用于操作温度和用于执行该过程,从而提高了组件的监测的改性装置的电测量方法。 温度读数是没有延迟和没有需要用于温度传感器的附加空间被输送。 基于位置的温度值应该是衡量的。 一种方法,提出了一种用于具有已知其电阻的温度系数的材料构成的栅电极网络中的同样提出MOS功率器件的工作温度的这种位置相关的电测量。 栅电极网络处于多个测量接触对,每个接触件的点的路径(71.1,72.1; 71.2 72.3,7,72.2 ;; 71.3,7),分相连接。 对中的每个接触点的接触点具有彼此有一定的距离,并且每一个测量部分接触对点之间位于的是各自从其他测量路径电隔离,使得测量路径之间没有电干扰中给出。 所述测定部的电气电阻与所述栅电极的接触点之间施加的栅极电压的半导体功率器件的操作期间直接连接到栅电极的网络(4)与栅极电压叠加测量测量电压(U1,U2,U3)。 从测量路径的电气电阻,该MOS半导体功率元件的温度被该测量部分来确定。