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11. 发明申请

WO2019110718A1 CAPTEUR D'IMAGE HAUTE DYNAMIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019110718A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：PCT/EP2018/083762
申请日：2018-12-06
申请人： TELEDYNE E2V SEMICONDUCTORS SAS
发明人： DIASPARRA, Bruno , RICHARD, Vincent
IPC分类号： H04N5/347 , H04N5/355 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/235 , H04N5/378
摘要： L'invention propose un capteur d'image ayant une architecture fonctionnelle et une structure de pixels optimisée pour favoriser une reconstruction haute dynamique aisée sans céder sur la compacité. Il utilise une structure de pixels (fig.2) qui partagent verticalement deux à deux au moins un noeud de lecture, et comprend un noeud mémoire permettant un stockage temporaire des charges. Il prévoit un agencement des lignes de commande des pixels tel que les commandes de transfert de charges (TRA) de la photodiode (PH) vers le noeud mémoire (MN) s'appliquent verticalement, sur les pixels d'une même colonne et les autres signaux s'appliquent horizontalement aux pixels d'une même ligne, et les dites lignes de commandes de transfert verticales sont pilotées pour appliquer deux durées d'exposition différentes, l'une sur les colonnes paires et l'autre sur les colonnes impaires. Les pixels et le circuit de lecture sont pilotés pour effectuer une lecture par paire de pixels verticale, qui fournit une valeur numérique (Vr) qui représente la somme analogique des charges intégrées par les deux pixels de la paire, pendant la durée d'exposition associée à la colonne de la paire. Un bloc de traitement numérique est configuré pour calculer pour chaque paire de pixels verticale, une valeur numérique interpolée (Vir), correspondant à l'autre durée d'exposition, et sélectionner la valeur parmi celle associée à la durée d'exposition longue et celle associée à la durée d'exposition courte, comme valeur numérique haute dynamique, par comparaison à au moins un seuil. Un motif périodique de filtres colorés permet de réaliser un capteur d'image couleur à mode HDR, en définissant un macro pixel couvrant 4 pavés de 2 fois 2 pixels, avec un pavé par couleur de filtre coloré du motif, favorisant un groupement horizontal supplémentaire dans chaque pavé.

12. 发明申请

WO2017125316A1 PROCEDE DE COMMANDE D'UN CAPTEUR D'IMAGE A PIXELS ACTIFS 审中-公开
标题翻译：控制有源像素图像传感器的方法
公开(公告)号：WO2017125316A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：PCT/EP2017/050633
申请日：2017-01-13
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： MAYER, Frédéric , BARBIER, Frédéric , GESSET, Stéphane
IPC分类号： H04N5/355 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/35527 , H04N5/37452
摘要： Dans un capteur à pixels actifs comportant une photodiode Dp, un nœud mémoire MN et un nœud de lecture SN, le nœud mémoire étant prévu pour contenir les charges générées par la photodiode à la fin d'une période d'intégration permettant une intégration en mode global shutter et une lecture à double échantillonnage corrélé, on prévoit de faire à chaque période d'intégration au moins un transfert (A) des charges de la photodiode dans le nœud mémoire suivi d'un écrêtage (B) de la quantité de charges contenues dans le nœud mémoire à un temps intermédiaire t 1 après le début de la période d'intégration mais avant un dernier transfert des charges (C) dans le nœud mémoire à la fin de la période d'intégration. Ensuite les pixels sont lus ligne par ligne, par double échantillonnage corrélé CDS. Le ou les transferts intermédiaires avec écrêtage dans le nœud mémoire au cours de la période d'intégration permettent d'étendre la dynamique du capteur, aux fortes ambiances lumineuses, tout en gardant une bonne sensibilité aux faibles ambiances lumineuses.
摘要翻译：
在传感器＆agrave; 包括光电二极管Dp，存储器节点MN和读取节点SN的有源像素，所述存储器节点被预定为包含由光电二极管＆gt;产生的电荷。整合一段时间的结束允许在全局模式快门和阅读中进行整合; 计划完成相同的双重抽样。每个积分周期至少一次在存储器节点中的光电二极管的电荷的传输（A）之后跟随光电二极管的量的紧缩（B）。包含在内存节点中的负载在积分周期开始之后但在存储器节点中的最后一次加载转移（C）之前的中间时间t 1; 整合期结束。然后通过匹配双重采样逐行读取像素。 CDS。积分期间内存节点中的间歇传输或传输可以将传感器的动态范围扩展到强烈的照明环境，同时牢记在心良好的感受力在低光的情绪下。

13. 发明申请

WO2017093253A1 PROCEDE DE TRAITEMENT DE SIGNAUX ISSUS D'UNE MATRICE DE PRISE D'IMAGES EN COULEUR, ET CAPTEUR CORRESPONDANT 审中-公开
标题翻译：用于处理来自彩色图像的信号的方法采用阵列和相应的传感器
公开(公告)号：WO2017093253A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：PCT/EP2016/079139
申请日：2016-11-29
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： DIASPARRA, Bruno
IPC分类号： G06T3/40
CPC分类号： G06T3/4015 , H04N9/045 , H04N2209/046
摘要： L'invention concerne le traitement d'interpolation des couleurs d'un capteur d'image à mosaïque de Bayer. On définit un premier filtre matriciel élémentaire qui est un filtre d'interpolation bilinéaire, de dimension mxm, m étant un nombre impair supérieur ou égal à 3, un filtre matriciel passe-bas de dimension nxn, n étant un nombre impair supérieur ou égal à 3, et un filtre matriciel passe-haut complémentaire du filtre passe-bas, de dimension nxn. On fait une convolution du premier filtre matriciel avec le filtre passe-bas, aboutissant à un filtre d'interpolation basse-fréquence de dimension (m+n-1)x(m+n-1), et une convolution du premier filtre matriciel avec le filtre passe- haut, aboutissant à un filtre d'interpolation haute-fréquence de dimension (m+n-1)x(m+n-1). On filtre la matrice de signaux numériques issus des pixels, séparément à partir des pixels de chaque couleur par le filtre d'interpolation basse-fréquence. On filtre la matrice complète de signaux avec le filtre d'interpolation haute fréquence. Et on ajoute, pour chaque pixel, et pour obtenir une valeur numérique d'une couleur donnée de ce pixel, le résultat du filtrage basse-fréquence et le résultat du filtrage haute-fréquence.
摘要翻译：本发明涉及一种图像传感器的色彩插值处理。镶嵌和拜耳的。它定义了一个第一个基本矩阵滤波器，它是一个二进制插值滤波器，尺寸为mxm，其奇数大于或等于1。如图3所示，大小为n×n的低通矩阵滤波器不具有大于或等于的奇数; 3，以及与低通滤波器互补的大小为n×n的高通矩阵滤波器。第一个矩阵滤波器与低通滤波器卷积，产生以下结果：（m + n-1）×（m + n-1）的低频插值滤波器，以及第一矩阵滤波器与高通滤波器的卷积，最终; （m + n-1）×（m + n-1）的高频插值滤波器。来自像素的数字信号的矩阵被分开地过滤。由低频插值滤波器从每种颜色的像素中提取。全信号矩阵用高频插值滤波器进行滤波。并且，对于每个像素，并且为了获得该像素的给定颜色的数值，将低频滤波的结果和高频滤波的结果相加。

14. 发明申请

WO2015135836A1 PROCEDE DE CAPTURE D'IMAGE AVEC REDUCTION DE COURANT D'OBSCURITE ET FAIBLE CONSOMMATION 审中-公开
标题翻译：降低低电流和低消耗的图像捕获方法
公开(公告)号：WO2015135836A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/EP2015/054651
申请日：2015-03-05
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： BARBIER, Frédéric
IPC分类号： H04N5/378
CPC分类号： H04N5/23241 , H04N5/361 , H04N5/378
摘要： L'invention concerne un procédé de capture d'image dans un capteur d'image à matrice de lignes et colonnes de pixels actifs, alimenté entre une première borne d'alimentation à potentiel zéro (Vss) et une deuxième borne d'alimentation à un potentiel d'alimentation positif (Vdd). Chaque pixel comporte une photodiode et une grille pour transférer les charges photogénérées vers un nœud de stockage de charges. La grille de transfert est portée par une pompe de charge à un potentiel négatif (VNEG) pendant la durée d'intégration de charges et reçoit un signal de commande de transfert (TRA) commun à tous les pixels pendant une fenêtre temporelle de transfert. Le signal de commande de transfert ou de réinitialisation comporte successivement au moins une première phase pendant laquelle il passe du potentiel négatif (VNEG) à un potentiel de transfert positif, une deuxième phase pendant laquelle il passe du potentiel de transfert positif au potentiel zéro fourni par la première borne d'alimentation, une troisième phase de durée finie pendant laquelle il reste au potentiel zéro, et une quatrième phase dans laquelle il repasse du potentiel zéro au potentiel négatif fourni par la pompe de charge. Le fait de passer par le potentiel d'alimentation limite les appels de courant dans la pompe de charge qui doit rétablir le potentiel négatif VNEG à la fin du transfert.
摘要翻译：本发明涉及一种图像传感器中的图像捕获方法，该图像传感器具有提供在零电位（Vss）的第一电源端子与正电源电位（Vdd）的第二电源端子之间的行和列的有源像素的矩阵）。每个像素包括用于将光生电荷转移到电荷存储节点的光电二极管和栅极。在电荷积分期间，传输门由电荷泵带到负电位（VNEG），并且在传送时间窗口期间接收所有像素共同的传输控制信号（TRA）。传输或重新初始化控制信号连续包括至少一个第一阶段，在第一阶段期间，它从负电位（VNEG）传递到正转移电位，第二阶段期间它从正转移电位传递到由第一电源端子，其保持在零电位的有限持续时间的第三阶段，以及第四阶段，其从零电位返回到电荷泵提供的负电位。涉及电源潜力的事实限制了电流进入电荷泵的浪潮，电荷泵在转移结束时必须重新建立负电位（VNEG）。

15. 发明申请

WO2015055509A1 CONVERSION ANALOGIQUE NUMERIQUE A RAMPE, A MULTIPLES CONVERSIONS OU UNIQUE CONVERSION SUIVANT LE NIVEAU DE LUMIERE REÇU PAR UN PIXEL 审中-公开
标题翻译：具有RAMP的模拟数字转换，具有多个转换或单个转换，依赖于由像素接收到的光级
公开(公告)号：WO2015055509A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/EP2014/071683
申请日：2014-10-09
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： GESSET, Stéphane
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/357
CPC分类号： H04N5/378 , H03M1/14 , H03M1/56 , H04N5/355 , H04N5/357 , H04N5/363 , H04N5/37455
摘要： Dans un capteur d'image matriciel, un procédé de lecture d'un pixel d'une colonne permet deux modes de conversion analogique/numérique du niveau de tension fourni par la colonne : un premier mode dans lequel on réalise une unique conversion analogique/numérique dans une fenêtre temporelle de conversion nominale F CONV , de durée nominale d n et un comptage qui débute avec une rampe de durée nominale d n et s'arrête au basculement de la sortie S CMP du comparateur; et un deuxième mode qui prévoit de multiples conversions par comparaison à une rampe de durée réduite d r , dans la même fenêtre temporelle de conversion nominale. La sélection du mode de conversion à appliquer est basée sur l'observation de l'état de la sortie S CMP du comparateur après une durée prédéterminée après l'instant t, de début de rampe : si la sortie a basculé, le niveau utile à convertir représente un bas niveau de lumière auquel on va appliquer le deuxième mode à multiples conversions; si la sortie n'a pas basculé, le niveau utile à convertir représente un niveau élevé de lumière et on va appliquer le premier mode à conversion unique, classique. L'invention permet d'améliorer le rapport signal sur bruit en sortie du capteur, pour les bas niveaux de lumière, en diminuant la part du bruit gaussien dû aux circuits de la chaîne de conversion.
摘要翻译：在矩阵图像传感器中，用于从列中读取像素的方法允许由列提供的电压电平的两个模拟/数字转换模式：第一模式，其中在标称转换时隙中执行单个模拟/数字转换 FCONV，标称持续时间dn，并且计数从具有标称持续时间dn的斜坡开始，并且当比较器的输出SCMP切换时停止; 以及在相同标称转换时隙中与较短斜坡dr相比提供多次转换的第二模式。要应用的转换模式的选择基于在斜坡开始时刻t之后的预定持续时间后观察比较器的输出SCMP的状态：如果输出已经切换，则要被转换的有用电平表示将应用第二多重转换模式的低光级; 如果输出没有切换，则要转换的有用电平表示高亮度级别，并且将应用第一种传统的单转换模式。本发明可以通过降低由于转换链路的电路而导致的高斯噪声的份额，从而提高传感器的输出端的低信噪比的信噪比。

16. 发明申请

WO2017021328A1 PROCEDE DE COMMANDE D'UN CAPTEUR D'IMAGE A PIXELS ACTIFS 审中-公开
标题翻译：用于控制活动像素图像传感器的方法
公开(公告)号：WO2017021328A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：PCT/EP2016/068221
申请日：2016-07-29
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： MAYER, Frédéric , BARBIER, Frédéric , GESSET, Stéphane
IPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/146 , H04N5/355 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/37452 , H01L27/14612 , H04N5/35536 , H04N5/3743
摘要： Dans un capteur à pixels actifs comportant une photodiode PHD, un nœud mémoire MN et un nœud de lecture SN, le nœud mémoire étant prévu pour contenir les charges générées par la photodiode à la fin d'une période d'intégration permettant une intégration en mode global shutter et une lecture à double échantillonnage corrélé, on prévoit que la capacité de stockage des charges du nœud mémoire est au moins N fois supérieure à la capacité de stockage de charges de la photodiode (N entier supérieur ou égal à 2) et on prévoit de faire à chaque cycle d'intégration et lecture, pendant la durée d'intégration Tint(i), N transferts Tri 1 , Tri 2 , Tri 3 de charges de la photodiode vers le nœud mémoire et les N transferts sont équitablement répartis sur la durée d'intégration. La dynamique du capteur est améliorée en ambiance de forte lumière.
摘要翻译：本发明涉及一种包括光电二极管PHD，存储节点MN和读取节点SN的有源像素传感器，该存储器节点被提供以便在积分周期结束时包含由光电二极管产生的电荷，从而允许集成在全局快门模式和读取，其中提供存储节点的电荷存储容量至少比光电二极管的电荷存储容量（N为不小于2的整数）的N倍以上，并且其中在每个积分和读取周期中，在积分时间Tint（i）期间，提供从光电二极管向存储器节点执行的N个电荷传输Tri1，Tri2，Tri3，N个传输均匀分布在整合时间。传感器的动力学在强光环境中得到改善。

17. 发明申请

WO2016198402A1 CAPTEUR D'IMAGE A HAUTE DYNAMIQUE, A NŒUD DE STOCKAGE EN TROIS PARTIES 审中-公开
标题翻译：宽动态图像传感器，具有三部分存储节点
公开(公告)号：WO2016198402A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/EP2016/062902
申请日：2016-06-07
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： MAYER, Frédéric , FEREYRE, Pierre , GESSET, Stéphane
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14643
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image. Chaque pixel comprend une photodiode (PH), un nœud de stockage (ND), une grille de transfert (G1), une grille de réinitialisation du nœud de stockage, et un transistor de lecture (T2) dont la grille est reliée au nœud de stockage. Ce dernier comporte trois parties : - une première diffusion flottante (182) adjacente à la grille de transfert et à la grille de réinitialisation, et reliée par la connexion électrique à la grille du transistor de lecture, - une deuxième diffusion flottante (184) qui n'est pas adjacente à la première diffusion flottante, ni à la grille de réinitialisation, et qui n'est pas reliée à la grille du transistor de lecture, - une structure de fixation de potentiel interne (PHa), séparant la première diffusion flottante de la deuxième diffusion flottante. Selon la quantité de charges recueillies, le facteur de conversion charge/tension s'établit à une valeur forte (résultant de la capacité propre de la première diffusion flottante) ou à une valeur faible (résultant de la capacité des trois parties et d'une capacité auxiliaire Cx éventuellement connectée à la deuxième diffusion flottante.
摘要翻译：本发明涉及一种图像传感器。每个像素包括光电二极管（PH），存储节点（ND），传输门（G1），用于存储节点的复位门，以及其栅极链接到存储节点的读晶体管（T2）。后者包括三个部分， - 与传输门极和复位栅极相邻的第一浮动扩散（182），并通过与读取晶体管的栅极的电连接来连接， - 第二浮动扩散（184），其不是与第一浮动扩散相邻，也不与复位栅极连接，并且不连接到读取晶体管的栅极， - 内部电位固定结构（PHa），将第一浮动扩散与第二浮动扩散分离。根据所收集的电荷量，充电/电压转换系数稳定在高值（由第一浮动扩散的固有电容产生）或低值（由三部分的电容和辅助电容 Cx可能连接到第二个浮动扩散。）

18. 发明申请

WO2016188778A1 CAPTEUR D'IMAGE A TRANSFERT DE CHARGES A DOUBLE IMPLANTATION DE GRILLE 审中-公开
标题翻译：具有双门盖植入的充电传输图像传感器
公开(公告)号：WO2016188778A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/EP2016/060900
申请日：2016-05-13
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： MAYER, Frédéric , BARBIER, Frédéric
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14856 , H01L27/14614
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image TDI. Pour assurer la directionalité du transfert de charges en colonne de pixel à pixel, on prévoit que les pixels adjacents d'une colonne comprennent chacun une photodiode (ΡΗ i ) de largeur L P et une grille de stockage (G i ) de largeur L G en silicium polychstallin dopé, adjacente à la photodiode du pixel et adjacente à la photodiode (PH i+1 ) d'un pixel suivant de la colonne. La configuration du dopage de la couche active est unique sur toute la largeur L P de la photodiode; la configuration du dopage de la couche active est unique sur toute la largeur L G de la grille, et la grille en silicium polycristallin comporte deux types de dopage qui sont un dopage p++ sur une partie de la largeur L G , du côté où la grille est adjacente à la photodiode du pixel et un dopage n++ sur une autre partie de la largeur L G , du côté adjacent à la photodiode du pixel suivant. Cette différence de dopage de la grille crée dans la couche active une marche de potentiel qui assure la directionalité du transfert.
摘要翻译：本发明涉及TDI图像传感器。为了确保从像素到像素的列中的电荷转移的方向性，提供了一列的相邻像素，其中每一个包括具有宽度LP的光电二极管（ФHi）和具有宽度的存储栅极（Gi） LG并且由掺杂的多晶硅制成，与像素的光电二极管相邻，并且与该列的后续像素的光电二极管（PHi + 1）相邻。有源层的掺杂结构在光电二极管的整个宽度LP上是唯一的; 有源层的掺杂结构在栅极的整个宽度LG上是唯一的，并且多晶硅栅极包括两种类型的掺杂，这些掺杂是在宽度LG的一部分上的p ++掺杂，栅极的一侧与像素的光电二极管相邻，并且在与随后的像素的光电二极管相邻的一侧上的宽度LG的另一部分上的n ++掺杂。该栅极掺杂差异激活了有源层中的潜在步骤，确保了传输的方向性。

19. 发明申请

WO2016091886A1 PROCEDE DE DISTRIBUTION SYNCHRONE D'UN SIGNAL NUMERIQUE SUR N BLOCS IDENTIQUES ADJACENTS D'UN CIRCUIT INTEGRE 审中-公开
标题翻译：同步分配数字信号的方法，用于集成电路的N个标识相邻块
公开(公告)号：WO2016091886A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：PCT/EP2015/078994
申请日：2015-12-08
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： DIASPARRA, Bruno , BARBIER, Frédéric
IPC分类号： H04N5/341 , H03K5/135
CPC分类号： H03K5/1508 , H03K5/135
摘要： L'invention propose un procédé de distribution de signal sur chaque bloc B j d'une série de N blocs adjacents de conception identique d'un circuit électronique. Il propose de manière identique pour chacun des N blocs, de placer un circuit de temporisation MUX-DEL j sur le chemin d'amenée d'un signal S c depuis l'entrée INc j du bloc sur un nœud électrique interne Nd j du bloc pour ce signal S c ; de prévoir que le circuit de temporisation fournissent N signaux retardés correspondant à N temporisations différentes Δf 1 ,.. . Δfj,...Δf N séparées par un incrément de durée élémentaire Δt qui correspond au retard élémentaire Δt de traversée d'un bloc introduit dans une ligne conductrice; et de sélectionner le signal retardé correspondant à la temporisation applicable fonction du bloc concerné, au moyen d'un signal d'index propagé à travers les N blocs, et qui s'incrémente ou se décrémente au passage dans chaque bloc.
摘要翻译：本发明提出了一种用于在电子电路的相同设计的一系列N个相邻块的每个块Bj上分配信号的方法。它以相同的方式为N个块中的每一个提出了一个时间延迟电路MUX-DELj，其将信号Sc从块的输入INcj传送到用于所述信号Sc的块的内部电节点Ndj; 设置时间延迟电路以提供与N个不同时间延迟Δf1，...Δfj，...ΔfN相对应的N个延迟信号，所述N个延迟信号与基本时间增量Δt分开，所述基本时间增量Δt对应于用于穿过导入导电线; 以及通过通过N个块传播的索引信号来选择与所讨论的块可应用的时间延迟相对应的延迟信号，并且在通过每个块时递增或递减。

20. 发明申请

WO2015162063A1 CELLULE DE COMMUTATION DE PUISSANCE A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE NORMALEMENT CONDUCTEUR 审中-公开
标题翻译：具有正常导通场效应晶体管的电源开关单元
公开(公告)号：WO2015162063A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/EP2015/058410
申请日：2015-04-17
申请人： THALES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE DE LIMOGES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人： JARDEL, Olivier , QUERE, Raymond , PIOTROWICZ, Stéphane , BOUYSSE, Philippe , DELAGE, Sylvain , MARTIN, Audrey
IPC分类号： H03K19/0944 , H03K19/094
CPC分类号： H03K17/687 , H03K17/04106 , H03K19/09407
摘要： Une cellule de commutation de puissance à transistors à effet de champ de type normalement conducteur à commande non-isolée, comprend en entrée, un commutateur de courant Τ 1 recevant le signal d'entrée de commande V IN de la cellule sur une entrée d'activation g 1 , et en sortie, un transistor de puissance T 2 pour commuter une haute tension V DD appliquée sur son drain d 2 , sur sa source s 2 reliée au port de sortie Out de la cellule. La commande de la grille g 2 du transistor de puissance T 2 dont la source s 2 est flottante, en fonction du signal d'entrée V IN , est assurée par un circuit d'auto-polarisation P connecté entre sa grille g 2 et sa source s 2 . Le commutateur de courant est connecté entre le circuit d'auto-polarisation P et une référence de tension nulle ou négative. Le circuit d'auto-polarisation comprend un transistor T 3 dont la source s 3 , respectivement le drain d 3 , est connecté à la grille, respectivement à la source s 3 du transistor de puissance. La grille g 3 de ce transistor T 3 est elle-même polarisée par une résistance d'auto-polarisation R 3 connectée entre sa grille g3 et sa source s3, et en série entre le commutateur de courant Τ 1 et la source s 3 . Les transistors sont avantageusement des transistors de type HEMT, en technologie AsGa ou GaN.
摘要翻译：具有非绝缘控制的具有正常导通的场效应晶体管的功率开关单元包括在输入端接收激活输入g1上的单元的命令输入信号VIN的电流开关T1，以及在输出端用于切换高电平的功率晶体管T2 电压VDD施加到其漏极d2，到其源极s2链接到输出端口离开单元。由源极s2浮置的功率晶体管T2的栅极g2的控制作为输入信号VIN的函数，由连接在栅极g2与其源极s2之间的自动偏置电路P来确保。电流开关连接在自动偏置电路P和零或负电压基准之间。自动偏置电路包括晶体管T3，晶体管T3的源极s3或漏极d3适当地连接到功率晶体管的栅极或源极3。该晶体管T3的栅极g3本身被连接在其栅极g3与其源极s3之间的自耦偏置电阻R3偏置，并串联在电流开关T1和源极S3之间。晶体管有利地是使用AsGa或GaN技术的HEMT型晶体管。

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