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121. 发明申请

WO2019156713A1 MICROMECHANICAL RESONATOR HAVING REDUCED SIZE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019156713A1
公开(公告)日：2019-08-15
申请号：PCT/US2018/051357
申请日：2018-09-17
申请人： MURATA MANUFACTURING CO., LTD. , KAAJAKARI, Ville
发明人： KAAJAKARI, Ville
IPC分类号： H03H9/10 , H03H3/007 , H03H3/013 , H03H9/02 , H03H9/05 , H03H9/15
摘要： A micromechanical resonator is provided that enables a smaller total package size with an acceptable quality factor for timing applications. The MEMS resonator includes a vibration portion with a base and three or more vibrating beams extending therefrom. Moreover, the MEMS resonator includes a frame that surrounds a periphery of the vibration portion and a pair of anchor between the vibrating beams for stabilizing the vibration portion within the frame. Furthermore, support beams couple the base of the vibration portion to the pair of anchors.

122. 发明申请

WO2017212677A1 共振装置製造方法审中-公开
标题翻译：共振器件制造方法
公开(公告)号：WO2017212677A1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：PCT/JP2017/002299
申请日：2017-01-24
申请人：株式会社村田製作所
发明人：盛永　俊吾
IPC分类号： H03H3/007 , H03H9/24
摘要：共振子の圧電性を損なわずに共振周波数の調整を行う。　下蓋を用意する工程と、基板を、当該基板の下面が前記下蓋と対向するように配置し、基板の上面に、第１電極層、圧電膜、第２電極層を順に形成する工程と第１電極層、第２電極層、及び圧電膜から、屈曲振動する振動腕を形成し、当該振動腕を有する共振子を形成する工程と、共振子を挟んで、下蓋と対向するように、上蓋を配置する工程と、を含み、上蓋を配置する工程の前又は後において、第１電極層と第２電極層の間に電圧を印加して、振動腕を励振させ、当該振動腕の一部を下蓋及び前記上蓋の少なくとも一方に衝突させることによって、共振子の周波数を調整する工程をさらに含む。
摘要翻译：在不损失谐振器的压电性的情况下调整谐振频率。准备下盖，设置基板使得基板的下表面面对下盖，在基板的上表面上依次形成第一电极层，压电膜和第二电极层形成振动臂，所述振动臂从所述第一电极层，所述第二电极层和所述压电膜灵活地振动以形成具有所述振动臂的谐振器;以及形成具有所述谐振臂的谐振器， ;在放置上盖以激励振动臂的步骤之前或之后，在第一电极层和第二电极层之间施加电压的上盖布置步骤，以及振动臂并且通过允许部件与下盖和上盖中的至少一个碰撞来调整谐振器的频率。

123. 发明申请

WO2017172075A1 PIEZOELECTRIC PACKAGE-INTEGRATED FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR DEVICES 审中-公开
标题翻译：压电包装集成薄膜大容量声学谐振器装置
公开(公告)号：WO2017172075A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/US2017/017703
申请日：2017-02-13
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： NAIR, Vijay K. , EID, Feras , ELSHERBINI, Adel A. , KAMGAING, Telesphor , DOGIAMIS, Georgios C. , RAO, Valluri R. , SWAN, Johanna M.
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/58 , H03H9/02 , H03H3/007
摘要： Embodiments of the invention include a piezoelectric package integrated filtering device that includes a film stack. In one example, the film stack includes a first electrode, a piezoelectric material in contact with the first electrode, and a second electrode in contact with the piezoelectric material. The film stack is suspended with respect to a cavity of an organic substrate having organic material and the film stack generates an acoustic wave to be propagated across the film stack in response to an application of an electrical signal between the first and second electrodes.
摘要翻译：本发明的实施例包括压电封装集成滤波装置，其包括膜叠层。在一个示例中，膜堆叠包括第一电极，与第一电极接触的压电材料以及与压电材料接触的第二电极。薄膜叠层相对于具有有机材料的有机衬底的空腔悬挂，并且薄膜叠层响应于在第一和第二电极之间施加电信号而产生声波以传播穿过薄膜叠层。 p>

124. 发明申请

WO2017111805A1 TECHNIQUES FOR INTEGRATING THREE-DIMENSIONAL ISLANDS FOR RADIO FREQUENCY (RF) CIRCUITS 审中-公开
标题翻译：用于集成射频（RF）电路的三维岛的技术
公开(公告)号：WO2017111805A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/US2015/000347
申请日：2015-12-24
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： BLOCK, Bruce, A. , FISCHER, Paul, B. , TANZI, Nebil , CHANCE, Gregory , THEN, Han, Wui , DASGUPTA, Sansaptak , RADOSAVLJEVIC, Marko
IPC分类号： H03H3/007 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/48 , H01L23/66 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H03H3/0073 , H03H3/02 , H03H9/0557 , H01L2224/13099
摘要： Techniques to fabricate an RF filter using 3 dimensional island integration are described. A donor wafer assembly may have a substrate with a first and second side. A first side of a resonator layer, which may include a plurality of resonator circuits, may be coupled to the first side of the substrate. A weak adhesive layer may be coupled to the second side of the resonator layer, followed by a low-temperature oxide layer and a carrier wafer. A cavity in the first side of the resonator layer may expose an electrode of the first resonator circuit. An RF assembly may have an RF wafer having a first and a second side, where the first side may have an oxide mesa coupled to an oxide layer. A first resonator circuit may be then coupled to the oxide mesa of the first side of the RF wafer.
摘要翻译：描述了使用三维岛集成制造RF滤波器的技术。施主晶圆组件可具有具有第一侧和第二侧的衬底。可以包括多个谐振器电路的谐振器层的第一侧可以耦合到衬底的第一侧。弱粘合剂层可以耦合到谐振器层的第二侧，接着是低温氧化物层和载体晶片。谐振器层的第一侧中的空腔可以暴露第一谐振器电路的电极。 RF组件可以具有RF晶片，该RF晶片具有第一侧和第二侧，其中第一侧可以具有耦合到氧化物层的氧化物台面。然后可以将第一谐振器电路耦合到RF晶片的第一侧的氧化物台面。

125. 发明申请

WO2016171772A1 DUAL TRENCH DEEP TRENCH-BASED UNRELEASED MEMS RESONATORS 审中-公开
标题翻译：双路TREECH深基于无极的MEMS谐振器
公开(公告)号：WO2016171772A1
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：PCT/US2016/012794
申请日：2016-01-11
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： WANG, Wentao , WEINSTEIN, Dana
IPC分类号： H03H3/02 , H03H3/007 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/17 , H01G4/06 , H03H3/02 , H03H9/2405 , H03H2003/027 , H03H2009/155
摘要： A deep trench (DT) MEMS resonator includes a periodic array of unit cells, each of which includes a single DT formed in a semiconductor substrate and filled with a material whose acoustic impedance is different than that of the substrate. The filled DT is used as both an electrical capacitor and a mechanical structure at the same time, making it an elegant design that reduces footprint and fabrication complexity. Adding a second DT to each unit cell in a DT MEMS resonator forms a dual-trench DT (DTDT) MEMS resonator. In a DTDT unit cell, the first DT is filled with a conductor to sense, conduct, and/or generate an acoustic wave. The second DT in the DTDT unit cell is filled with an insulator. The width, filling, etc. of the second DT in the DTDT unit cell can be selected to tune the acoustic passband of the DTDT unit cell.
摘要翻译：深沟槽（DT）MEMS谐振器包括单元电池的周期性阵列，每个单元电池包括在半导体衬底中形成的单个DT，并填充有与衬底的声阻抗不同的材料。填充的DT同时用作电容器和机械结构，使其成为优雅的设计，减少占位面积和制造复杂性。向DT MEMS谐振器中的每个单元增加第二个DT形成双沟道DT（DTDT）MEMS谐振器。在DTDT单元中，第一DT填充有用于感测，传导和/或产生声波的导体。 DTDT单元中的第二个DT填充有绝缘体。可以选择DTDT单元中的第二DT的宽度，填充等来调整DTDT单元的声通带。

126. 发明申请

WO2016080506A1 ウエハの接合方法审中-公开
标题翻译：用于连接波形的方法
公开(公告)号：WO2016080506A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/JP2015/082618
申请日：2015-11-19
申请人：株式会社村田製作所
发明人：福光　政和 , 山田　修平
IPC分类号： H03H3/007 , B06B1/06 , H01L21/02 , H01L41/09 , H01L41/313
CPC分类号： B23K20/023 , B06B1/06 , B06B1/0603 , B06B1/0648 , B23K20/16 , B23K20/22 , B23K2201/40 , B81B2201/0242 , B81C1/00269 , B81C2203/033 , B81C2203/035 , H01L21/187 , H01L41/09 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/0595 , H03H9/1035 , H03H2003/026
摘要：　ウエハに与える影響を抑制しつつ高い信頼度でウエハ同士を接合することができるウエハの接合方法を提供する。ウエハの接合方法は、第１剛性率を有する第１金属層を表面に形成した第１ウエハと、第１剛性率よりも高い第２剛性率を有する第２金属層を表面に形成した第２ウエハと、を用意する工程と、第１金属層の表面の酸化膜を除去しない一方で、第２金属層の表面の酸化膜を除去する工程と、第１ウエハの表面と第２ウエハの表面とを接合する工程と、を含む。
摘要翻译：提供了一种用于接合晶片的方法，其能够以高可靠性接合晶片，同时抑制对晶片的影响。用于接合晶片的方法包括：制备具有其上形成有第一刚度的第一金属层的表面的第一晶片的步骤和具有第二晶片的第二晶片，其上具有第二刚度高于形成第一刚度; 在第二金属层的表面除去氧化膜而不去除第一金属层表面的氧化膜的步骤; 以及将第一晶片的表面与第二晶片的表面接合的步骤。

127. 发明申请

WO2016050375A1 PROCEDE DE REALISATION COLLECTIVE DE FILTRES A ONDES ACOUSTIQUES 审中-公开
标题翻译：用于生产声波滤波器的方法
公开(公告)号：WO2016050375A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/EP2015/064662
申请日：2015-06-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： REINHARDT, Alexandre , DAVID, Jean-Baptiste
IPC分类号： H03H9/54 , H03H3/007 , H03H9/02 , H03H9/56 , H03H9/70 , H03H9/72 , H03H3/02 , H03H3/04
CPC分类号： H03H3/04 , H03H3/0073 , H03H3/0076 , H03H7/38 , H03H9/542 , H03H9/545 , H03H9/568 , H03H9/64 , H03H9/6403 , H03H9/70 , H03H9/706 , H03H9/725 , H03H2003/0071 , H03H2003/027 , H03H2003/0464 , H03H2003/0471 , H03H2003/0478 , H03H2009/02165 , H03H2009/02173 , H03H2009/02196 , H03H2009/02204 , H03H2009/02496 , H03H2210/012 , H03H2210/023 , H03H2210/033
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation collective de filtres à ondes acoustiques comprenant les principales étapes suivantes : la synthétisation de N filtres théoriques, chaque filtre étant défini à partir d'un ensemble de j résonateur(s) théoriques présentant un triplet C 0ij,eq , ω rij,eq et ω aij,eq , ces paramètres étant regroupés en un ou plusieurs sous ensembles; la détermination d'une structure de résonateur de référence pour chaque sous-ensemble, possédant naturellement une fréquence de résonance ω r,ref avec ω aij,eq r,ref rij,eq ; la détermination, pour chaque résonateur théorique, d'une brique élémentaire comportant un résonateur intermédiaire R'; j , une réactance parallèle Xp; j et/ou une réactance série Xs; j , le résonateur intermédiaire R'; j présentant un triplet Coi j , Wr , ref et ω a,ref , les paramètres ω 0ij , Xpij et/ou Xs ij étant définis de sorte à ce que la brique élémentaire présente un triplet : C oij,eq , ω rij,eq et ω aij,eq ; la détermination des dimensionnements géométriques des résonateurs réels R ij des filtres, pour qu'ils présentent une capacité Coij; la réalisation de chacun desdits résonateurs réels; l'association de réactances série et/ou parallèle avec lesdits résonateurs réels pour former les briques élémentaires. La présente invention permet de réaliser une banque de filtres acoustiques sur une même puce. Alors que selon les procédés de fabrication à l'état de l'art, chaque filtre distinct requiert un empilement technologique propre, et donc un lot de fabrication différent, l'invention permet d'employer un même lot de fabrication pour une variété importante de filtres.
摘要翻译：本发明涉及一种用于批量生产声波滤波器的方法，包括以下主要步骤：合成N个理论滤波器，每个滤波器基于具有三线态C0ij，eq的一组j个理论谐振器定义， ωrij，eq和ωaij，eq，所述参数被分组成一个或多个子组; 确定每个子组的参考谐振器结构，其自然地具有谐振频率ωr，ref，其中ωaij，eq <ωr，ref <ωrij，eq; 为每个理论谐振器确定包括中间谐振器R'的基本构建块; j，平行电抗Xpij和/或串联电抗Xsij，中间谐振器R'ij具有三线态C0ij，ωr，ref和ωa，ref，参数ω0ij，Xpij等于Xsij被定义为使得基本构建块具有三元组：C0ij，eq，ωrij，eq和ωaij，eq; 确定实际谐振器Rij的几何尺寸，使得它们具有电容C0ij; 产生所述实际谐振器中的每一个; 将串联和/或并联电抗与所述实际谐振器相关联，以形成基本构建块。本发明使得可以在同一芯片上产生一组声学滤波器。而根据现有技术的生产方法，每个单独的过滤器需要自己的技术堆叠，因此需要不同的生产批次，本发明使得可以对各种过滤器使用相同的生产批次。

128. 发明申请

WO2014163729A3 ACOUSTIC BANDGAP STRUCTURES FOR INTEGRATION OF MEMS RESONATORS 审中-公开
标题翻译：用于MEMS谐振器集成的声带结构
公开(公告)号：WO2014163729A3
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/US2014012108
申请日：2014-01-17
申请人： MARATHE RADHIKA , BAHR BICHOY W , WANG WENTAO , WEINSTEIN DANA
发明人： MARATHE RADHIKA , BAHR BICHOY W , WANG WENTAO , WEINSTEIN DANA
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H03H3/007
CPC分类号： H04R1/00 , H03H9/02566 , H04R31/00 , H04R2201/003
摘要： Example acoustic bandgap devices provided that can be fabricated in a semiconductor fabrication tool based on design check rules. An example device includes a substrate lying in an x-y plane and defining an x-direction and a y-direction, an acoustic resonant cavity over the substrate, and a phononic crystal disposed over the acoustic resonant cavity by generating the phononic crystal as a plurality of unit cells disposed in a periodic arrangement. Each unit cell include: (a) at least one higher acoustic impedance structure having a longitudinal axis oriented in the y-direction and a thickness in the x-direction greater than or about equal to a minimal feature thickness of the semiconductor fabrication tool, and (b) at least one lower acoustic impedance material bordering at least a portion of the at least one higher acoustic impedance structure and forming at least a portion of a remainder of the respective unit cell.
摘要翻译：提供的示例声学带隙装置可以基于设计检查规则在半导体制造工具中制造。示例装置包括位于xy平面中并限定x方向和y方向的衬底，位于衬底上方的声学谐振腔，以及通过产生声子晶体作为多个位于声学谐振腔上方的声子晶体单元电池以周期性排列布置。每个单位单元包括：（a）至少一个较高声阻抗结构，其具有在y方向上定向的纵向轴线和在x方向上的厚度大于或约等于半导体制造工具的最小特征厚度，以及（b）与所述至少一个较高声阻抗结构的至少一部分接界并且形成相应单元电池的剩余部分的至少一部分的至少一个较低声阻抗材料。

129. 发明申请

WO2014188317A1 AN IMPROVED MICROELECTROMECHANICAL RESONATOR 审中-公开
标题翻译：改进的微电子谐振器
公开(公告)号：WO2014188317A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/IB2014/061482
申请日：2014-05-16
申请人： MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人： IIHOLA, Antti , KAAJAKARI, Ville , KEMPPAINEN, Jarmo , KIVINEN, Pasi , MOURUJÄRVI, Risto , RINKIÖ, Marcus
IPC分类号： H03H3/007 , H03H9/02 , H03H9/24
CPC分类号： H03H9/02448 , H03H3/0076 , H03H9/2447 , H03H2009/02291
摘要： A method for manufacturing microelectromechanical flexural resonators with a deforming element that has an elongate body extending along a spring axis. A deforming element is positioned on the semiconductor wafer with a defined nominal n-type doping concentration such that a crystal orientation angle is formed between the spring axis of the deforming element and a crystal axis of the silicon semiconductor wafer. The combination of the crystal orientation angle and the nominal n-type doping concentration is adjusted to a specific range, based on total frequency error of the deforming element in a broad temperature range. The combination is optimized to a range where also sensitivity to variations in the material properties is minimized.
摘要翻译：一种用于制造具有沿弹簧轴延伸的细长主体的变形元件的微机电弯曲谐振器的方法。变形元件以规定的标称n型掺杂浓度定位在半导体晶片上，使得在变形元件的弹簧轴线和硅半导体晶片的晶轴之间形成晶体取向角。基于变形元件在宽温度范围内的总频率误差，将晶体取向角和标称n型掺杂浓度的组合调整到特定范围。该组合被优化到对材料性质的变化的敏感性最小化的范围。

130. 发明申请

WO2013014321A8 MAGNETOMETER MEMS CMOS DEVICE INCLUDING A MULTIWIRE COMPASS 审中-公开
标题翻译： MAGNETOMETER MEMS CMOS器件，其中包括一个多路指示器
公开(公告)号：WO2013014321A8
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/ES2012070569
申请日：2012-07-25
申请人： BAOLAB MICROSYSTEMS SL , MONTANY SILVESTRE JOSEP , VALLE FRAGA JUAN JOSÉ , BARRACHINA SARALEGUI LAURA
发明人： MONTANY SILVESTRE JOSEP , VALLE FRAGA JUAN JOSÉ , BARRACHINA SARALEGUI LAURA
IPC分类号： B81C1/00 , G01R33/028 , G01R33/038 , H03H3/007
CPC分类号： G01R33/038 , G01R33/0283 , G01R33/0286
摘要： The systems and methods described provide for a magnetometer device that includes a resonating element having an inner wire enclosed in a shielding electrode. The shielding electrode decreases the effect of interference on the resonating element. A sensing electrode is disposed proximate to the resonating element. The device further includes a source for generating current that is connected to the resonating element. The current when applied through the inner wire causes a displacement of the resonating element. The magnetometer device measures a magnetic field of the resonating element as a capacitance variation between the shielding electrode and the sensing electrode. The systems and methods herein provide for an accelerometer device that includes a resonating element having an inner core of dielectric material enclosed in a shielding electrode. The accelerometer device measures an acceleration of the resonating element as a capacitance variation between the shielding electrode and the sensing electrode.
摘要翻译：所描述的系统和方法提供了一种磁力计装置，其包括具有封闭在屏蔽电极中的内部电线的谐振元件。屏蔽电极降低对谐振元件的干扰的影响。传感电极靠近谐振元件设置。该装置还包括用于产生连接到谐振元件的电流的源。通过内部线施加的电流导致谐振元件的位移。磁力计装置测量谐振元件的磁场，作为屏蔽电极和感测电极之间的电容变化。这里的系统和方法提供了一种加速度计装置，其包括具有封闭在屏蔽电极中的介电材料的内芯的谐振元件。加速度计装置测量谐振元件的加速度作为屏蔽电极和感测电极之间的电容变化。

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