会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 118. 发明申请
    • エチレンオキシドの製造方法
    • 生产乙烯氧化物的方法
    • WO2015152298A1
    • 2015-10-08
    • PCT/JP2015/060265
    • 2015-03-31
    • 株式会社日本触媒
    • 川口 幸真鈴木 秀人
    • C07D301/10C07D303/04C07B61/00
    • C07D301/10
    • 【課題】エチレンオキシドの製造プロセスにおけるアルゴンパージ量をよりいっそう削減することが可能な新規な技術を提供する。 【解決手段】エチレンを銀触媒の存在下、分子状酸素含有ガスにより接触気相酸化させる、エチレン酸化反応器でのエチレン酸化反応工程において生成したエチレンオキシドを含有する反応生成ガスをエチレンオキシド吸収塔へ供給し、前記エチレンオキシド吸収塔へ供給された吸収液と接触させ、エチレンオキシドを含有する前記エチレンオキシド吸収塔の塔底液をエチレンオキシド精製系へ供給し、前記エチレンオキシド精製系においてエチレンオキシドを精製する工程と、前記エチレンオキシド吸収塔の塔頂部から排出される炭酸ガス含有ガスの少なくとも一部を炭酸ガス吸収塔へ供給し、前記炭酸ガス含有ガスを吸収液と接触させて得られる炭酸ガス濃厚吸収液を前記炭酸ガス吸収塔の塔底液として抜き出して炭酸ガス放散塔の上部へ供給し、前記炭酸ガス濃厚吸収液から炭酸ガスを放散させて前記炭酸ガス放散塔の塔頂部から排ガスとして排出させる工程とを含むエチレンオキシドの製造方法であって、系外から系内へ供給される前記分子状酸素含有ガスにおける分子状酸素(O 2 )の濃度が99.7容量%以上であることを特徴とする、エチレンオキシドの製造方法。
    • [问题]提供一种可以进一步降低生产环氧乙烷的方法中的氩气吹扫量的新型技术。 [方案]一种生产环氧乙烷的方法,其包括:在乙烯氧化反应器中用含有分子氧的气体进行气相催化氧化的乙烯氧化步骤中产生含有环氧乙烷的反应产物气体的步骤 在存在银催化剂的情况下,向环氧乙烷吸收塔供给,并与供给环氧乙烷吸收塔的吸收液接触,将含有环氧乙烷的环氧乙烷吸收塔中的液态塔底物供给环氧乙烷 净化系统,其中环氧乙烷被纯化; 将从环氧乙烷吸收塔顶排出的至少一部分含二氧化碳气体的气体供给到二氧化碳吸收塔并与吸收液接触的工序,得到的吸收液 富含二氧化碳气体的二氧化碳气体作为液体塔底从二氧化碳气体吸收塔中排出并供给到二氧化碳气体汽提塔的上部,二氧化碳气体从富含二氧化碳气体的吸收液中汽提, 二氧化碳气体作为排出气体从二氧化碳汽提塔的顶部排出。 环氧乙烷的制造方法的特征在于,从外部供给到体系中的含分子氧气体中的分子氧(O 2)的浓度为99.7体积%以上。
    • 119. 发明申请
    • エチレンオキシドの製造方法
    • 乙烯氧化物生产工艺
    • WO2014157698A1
    • 2014-10-02
    • PCT/JP2014/059345
    • 2014-03-28
    • 株式会社日本触媒
    • 井口 真吾川口 幸真
    • C07D301/10C07D301/32C07D303/04C07B61/00
    • C07D301/10Y02P20/52
    • エチレンオキシドの製造プロセスにおけるエチレングリコールの副生量を低減させ、エチレンオキシドの取得率を向上させうる手段を提供することを目的とする。エチレンを銀触媒の存在下、分子状酸素含有ガスにより接触気相酸化させるエチレン酸化反応工程において生成したエチレンオキシド(EO)を含有する反応生成ガスをEO吸収塔へ供給し、前記吸収塔へ供給された吸収液と接触させ、EOを含有する前記吸収塔の塔底液をEO精製系へ供給し、前記精製系から排出されるEO含有未凝縮ガスをEO再吸収塔へ供給する工程を含むEOの製造方法において、前記再吸収塔の運転圧力(塔頂圧力)を3~50kPa gaugeとする。
    • 本发明的目的是提供一种可以抑制环氧乙烷生产方法产生作为副产物的乙二醇并可提高环氧乙烷产率的方法。 环氧乙烷(EO)生产方法包括以下步骤:向EO吸收塔中加入在乙烯氧化步骤中产生的含EO反应产物气体,其中乙烯用含有分子氧的气体进行催化气相氧化 在银催化剂的存在下,使反应产物气体与供应到吸收塔的吸收液体接触,将含有EO的塔底物从吸收塔供给到EO净化系统,并将含EO的非冷凝气体 从净化系统排放到EO再吸收塔,再吸收塔在3-50kPa表压的压力(塔顶压力)下操作。