专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

101. 发明申请

WO01031659A2 THIN FILM Hg-BASED SUPERCONDUCTORS, THERMOELECTRIC MATERIALS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：基于Hg，热电材料的薄膜超导体及其制备方法
公开(公告)号：WO01031659A2
公开(公告)日：2001-05-03
申请号：PCT/US2000/029818
申请日：2000-10-25
IPC分类号： C30B1/04 , C30B29/22 , C30B33/02 , H01L35/14 , H01L35/18 , H01L35/22 , H01L35/34 , H01L39/24 , H01B
CPC分类号： H01L39/2451 , H01L35/225 , H01L35/34
摘要： Improved Hg-containing superconducting films and thermoelectric materials are provided. The films are fabricated by annealing starting T1-containing films (e.g., T1-1212 or T1-2212) in an Hg-vapor environment so as to cause a substitution of T1 by Hg without substantial alteration of the crystalline structure of the starting films. Preferably, a body comprising a substrate having an epitaxial T1-containing film thereon is annealed under vacuum conditions with a Hg-based bulk; typical annealing conditions are 600-900 DEG C for a period of from about 1-20 hours. The final Hg-containing film products have a Jc of at least about 10 A/cm (100 K, OT) and a Xmin of up to about 50 %. The thermoelectric materials are prepared by perturbing a crystalline precursor having a structure similar to the final material so as to cause a first molecule to be released from the precursor. A vapor is introduced into the reaction system simultaneous to or shortly after the perturbation step so as to cause molecules which are within the vapor and are different than the first molecules to replace the first molecules in the precursor.
摘要翻译：本发明提供了对超导含汞（Hg）膜和热电材料的改进。这些膜通过在Hg蒸气的环境下使含铊起始膜（例如T1-1212或T1-2122）退火以使Hg被Tl取代而不显着改变晶体结构来制备。开始看电影。优选地，将包含涂覆有包含T1的外延膜的衬底的主体用Hg基衬底进行真空退火; 通常，退火在600至900℃的温度下进行约1至20小时的时间。所得到的含Hg膜具有至少约10 6 A / cm 2（100K，OT）的Jc值和至多约50％的Xmin值。热电材料通过干扰与最终材料结构类似的结晶前体来制备，以便引起形成前体部分的第一分子的释放。在破坏步骤期间或破裂步骤之后不久，将蒸汽引入反应系统中，以使前体中的第一分子被存在于蒸气中并且不同于第一分子的分子所取代。

102. 发明申请

WO98042033A1 Si/SiGe SUPERLATTICE STRUCTURES FOR USE IN THERMOELECTRIC DEVICES 审中-公开
标题翻译： Si / SiGe超导结构在热电设备中的应用
公开(公告)号：WO98042033A1
公开(公告)日：1998-09-24
申请号：PCT/US1998/005060
申请日：1998-03-16
IPC分类号： H01L35/22 , H01L35/26
CPC分类号： H01L35/26 , H01L35/22
摘要： A superlattice structure for use in thermoelectric power generation systems includes m layers of a first one of Silicon and Antimony doped Silicon-Germanium alternating with n layers of Silicon-Germanium which provides a superlattice structure having a thermoelectric figure of merit which increases with increasing temperature above the maximum thermoelectric figure of merit achievable for bulk SiGe alloys.
摘要翻译：用于热电发电系统的超晶格结构包括硅和掺杂锑的硅锗中的第一层的m层，其与n层硅锗交替，其提供具有随着温度升高而增加的热电品质因数的超晶格结构体积SiGe合金可达到的最大热电优值。

103. 发明申请

WO2022265266A1 금속이 침투된 맥신 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 열전소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2022265266A1
公开(公告)日：2022-12-22
申请号：PCT/KR2022/007710
申请日：2022-05-31
申请人： 한국기계연구원 , 재단법인 파동에너지극한제어연구단
发明人： 이승모 , 임미경 , 김경식 , 김재현
IPC分类号： C01B32/921 , C23C16/06 , C23C16/04 , H01L35/22 , H01L35/02
摘要： 본 발명은 금속이 침투된 맥신 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 열전 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는 하기 [화학식 1]로 표시되는 맥신의 층간에 침투하여 브릿지를 형성하는 금속 클러스터를 포함하는, 금속이 침투된 맥신 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 열전 소자에 관한 것이다. [화학식 1] Mn+1Xn (상기 [화학식 1]에서, n은 1, 2 또는 3이고, M은 주기율표의 3~7족에 속하는 앞전이금속이고, X는 탄소, 질소 또는 CN이다.)

104. 发明申请

WO2022055248A1 열전 복합체 및 그 제조방법, 그리고 열전 복합체를 포함하는 열전 소자 및 반도체 소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2022055248A1
公开(公告)日：2022-03-17
申请号：PCT/KR2021/012210
申请日：2021-09-08
申请人： 한양대학교에리카산학협력단 , 아주대학교산학협력단
发明人： 박태주 , 이상운 , 김대웅 , 석태준 , 윤재현
IPC分类号： H01L35/04 , H01L35/34 , H01L35/16 , H01L35/22 , H01L35/18
摘要： 열전 복합체의 제조방법이 제공된다. 상기 열전 복합체의 제조방법은 제1 이성분계 금속산화물을 포함하는 베이스 기재를 준비하는 단계, 및 상기 베이스 기재 상에, 금속 전구체 및 산소(O)를 포함하는 반응물질을 제공하여, 상기 금속 전구체와 상기 반응물질이 반응된 제2 이성분계 금속산화물을 포함하는 물질막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 물질막을 형성하는 단계에서, 상기 베이스 기재 상에 상기 물질막이 형성됨에 따라 상기 베이스 기재와 상기 물질막 사이에 2차원 전자 가스가 생성되는 것을 포함할 수 있다.

105. 发明申请

WO2021153550A1 熱電変換モジュール审中-公开
公开(公告)号：WO2021153550A1
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：PCT/JP2021/002616
申请日：2021-01-26
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：舟橋　良次
IPC分类号： H01L35/08 , B22F3/14 , B22F9/04 , C01G51/00 , C22C1/04 , C22C13/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , H01L35/18 , H01L35/22 , H01L35/34 , H02N11/00
摘要：ゼーベック係数が負であるハーフホイスラー構造を有するｎ型熱電変換素子と、２５℃以上の温度において正のゼーベック係数を有する酸化物を含むｐ型熱電変換素子と、の互いの一方端を導電性部材で電気的に接続してなる熱電変換モジュールである。導電性部材は、銀からなる導電性金属を含む接続層を介してｎ型熱電変換素子およびｐ型熱電変換素子に接続され、この接続層は、ｎ型熱電変換素子及び／又はｐ型熱電変換素子との接合抵抗を低減させるように酸化物を更に含むことを特徴とする。

106. 发明申请

WO2021132255A1 熱電変換材料、熱電変換素子、および、熱電変換モジュール审中-公开
公开(公告)号：WO2021132255A1
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：PCT/JP2020/047992
申请日：2020-12-22
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：中田　嘉信
IPC分类号： H01L35/14 , B22F3/14 , B22F9/04 , C01B33/06 , C22C1/05 , C22C23/00 , H01L35/22 , H01L35/26
摘要：この熱電変換材料は、Ｍｇ２ＳｉＸＳｎ１－Ｘ（ただし０．３≦Ｘ≦１）と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムから選択される一種又は二種以上の金属を含むホウ化物とを含有する。更に、前記ホウ化物が、ＴｉＢ２，ＺｒＢ２，ＨｆＢ２から選択される一種又は二種以上であることが好ましい。

107. 发明申请

WO2021132189A1 複合材料、複合材料の製造方法、および熱電変換材料审中-公开
公开(公告)号：WO2021132189A1
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：PCT/JP2020/047768
申请日：2020-12-21
申请人：日本ゼオン株式会社 , 学校法人東海大学
发明人：内田　秀樹 , 高尻　雅之 , 矢吹　隼人
IPC分类号： C01B19/04 , C01B32/174 , H01L35/16 , H01L35/22 , H01L35/26 , H01L35/34
摘要：本発明は、熱電変換特性と導電性とを高いレベルで両立させた複合材料を提供することを目的とする。本発明の複合材料は、ビスマステルルのナノプレートと繊維状炭素ナノ構造体とが一体化されてなることを特徴とする。本発明の複合材料の製造方法は、ビスマス源と、テルル源と、繊維状炭素ナノ構造体と、溶媒とを含む原料組成物を準備する工程と、前記原料組成物をソルボサーマル処理に供して、ビスマステルルのナノプレートと繊維状炭素ナノ構造体とが一体化されてなる複合材料を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

108. 发明申请

WO2021124867A1 熱電変換素子及び熱電変換素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021124867A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/JP2020/044649
申请日：2020-12-01
申请人：東洋インキＳＣホールディングス株式会社
发明人：安藤　類
IPC分类号： H01L35/32 , H01L35/22 , H01L35/24 , H01L35/30 , H01L35/34 , H02N11/00
摘要：本発明の一態様にかかる熱電変換素子（１１）は、各々離間して配置された複数の発電領域（１０１Ａ）を備える熱電変換層（１０１）と、熱電変換層（１０１）に接するように設けられ、各々の発電領域（１０１Ａ）を直列に接続する複数の導電部材（１０２）と、を備え、複数の導電部材（１０２）の導電率が熱電変換層（１０１）の導電率よりも高い。

109. 发明申请

WO2021070594A1 電磁波検出装置、電磁波検出システム、及び電磁波検出方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021070594A1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：PCT/JP2020/035386
申请日：2020-09-18
申请人：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：山口　哲司
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/44 , H01L35/00 , H01L35/22 , H01L35/34 , H01L51/42 , H01L27/144 , H01L27/30
摘要：電磁波を吸収する低次元電子材料を含む電磁波吸収層と、前記電磁波吸収層の第１の主面に設けられる第１電極と、前記第１の主面と対向する前記電磁波吸収層の第２の主面に設けられる第２電極と、前記電磁波を吸収した前記電磁波吸収層にて生じた熱の熱電変換で生じた信号を前記第２電極から読み出す読出回路とを備える、電磁波検出装置。

110. 发明申请

WO2018159696A1 光熱変換基板を備えた熱電変換モジュール审中-公开
公开(公告)号：WO2018159696A1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：PCT/JP2018/007569
申请日：2018-02-28
申请人：中弥浩明
发明人：中弥　浩明
IPC分类号： H01L35/32 , H02N11/00 , H01L35/22 , H01L35/34
摘要：高出力の電荷輸送型熱電変換素子を用いて、太陽光・熱を利用できるようにした熱電変換モジュールの実現を提供する。　少なくとも電荷輸送型熱電変換素子が形成された熱電変換モジュール要素と、光熱変換材料を含有する光熱変換基板とからなる熱電変換モジュールを提供するものであり、前記熱電変換モジュール要素は、一枚の絶縁性基板の平面部に電荷輸送型のｎ型またはｐ型の熱電変換素子が複数形成されているものであり、前記電荷輸送型熱電変換素子は、電荷輸送層、熱電変換材料層および電極からなり、前記光熱変換基板は、光を吸収して熱に変換し、発生した熱を前記電荷輸送層上に形成された前記電極または前記熱電変換材料層に伝達するように配置されることを特徴とする熱電変換モジュール。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式