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101. 发明申请

WO2019129474A1 ECRAN D'AFFICHAGE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES 审中-公开
公开(公告)号：WO2019129474A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：PCT/EP2018/083891
申请日：2018-12-06
申请人： ALEDIA
发明人： CHARBONNIER, Matthieu , MERCIER, Frédéric
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/32 , G09G3/3233 , G09G3/3291
摘要： L'invention concerne un écran d'affichage (10) comprenant des circuits d'affichage (12 i, j ), chaque circuit d'affichage comprenant une diode électroluminescente (LED i, j ), une source de courant commandable (CS i, j ) alimentant la diode électroluminescente et un circuit de commande (14 i, j ) adapté à fournir un signal (PWM i, j ), modulé en largeur d'impulsions, de commande de la source de courant à partir d'un signal périodique (ST). L'écran d'affichage comprend, en outre, des premières électrodes (18 i ) reliées aux circuits de commande, un circuit de fourniture d'un signal de sélection (Vselect i ) successivement sur chaque première électrode, et un circuit oscillant (OSC) ou des circuits oscillants adaptés à fournir les signaux périodiques (ST), les signaux périodiques n'étant pas synchrones avec les signaux de sélection des circuits d'affichage.

102. 发明申请

WO2019129473A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPRENANT DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES TRIDIMENSIONNELLES 审中-公开
公开(公告)号：WO2019129473A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：PCT/EP2018/083890
申请日：2018-12-06
申请人： ALEDIA
发明人： TCHOULFIAN, Pierre , AMSTATT, Benoît , GILET, Philippe
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/06
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant : un élément semiconducteur tridimensionnel (20), composé majoritairement d'un premier élément chimique et d'un deuxième élément chimique; une zone active (24) recouvrant au moins partiellement les parois latérales de l'élément semiconducteur tridimensionnel (20) et comprenant un empilement d'au moins une première couche composée majoritairement des premier et deuxième éléments chimiques, et d'au moins une deuxième couche composée majoritairement des premier et deuxième éléments chimiques et d'un troisième élément chimique; une troisième couche (26) recouvrant la zone active, la troisième couche étant composée majoritairement des premier, deuxième et troisième éléments chimiques et d'un quatrième élément chimique, la proportion massique des troisième et quatrième éléments chimiques de la troisième couche augmentant ou diminuant lorsque la distance au substrat (12) augmente; et une quatrième couche (28), composée majoritairement des premier et deuxième éléments chimiques, recouvrant la troisième couche (26).

103. 发明申请

WO2019002720A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019002720A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/FR2018/051471
申请日：2018-06-19
申请人： ALEDIA
发明人： GIBERT, Philippe , GILET, Philippe , HENAFF, Ewen , LACAVE, Thomas
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (40) comprenant: un support (46); des blocs (52) d'un matériau semiconducteur, reposant sur le support et comprenant chacun une première face (54) du côté opposé au support et des parois latérales (56); une couche de nucléation (58) sur chaque première face; une première couche isolante (60, 62) recouvrant chaque couche de nucléation et comprenant une ouverture (64) exposant une partie de la couche de nucléation; un élément semiconducteur (72) reposant sur chaque première couche isolante et au contact de la couche de nucléation recouverte par la première couche isolante dans l'ouverture; une coque (74) recouvrant chaque élément semiconducteur et comprenant une couche active adaptée à émettre au absorber un rayonnement électromagnétique; et une première couche conductrice (80), réfléchissant le rayonnement, s'étendant entre les éléments semiconducteurs et s'étendant sur au moins unepartie des parois latérales des blocs.

104. 发明申请

WO2019002102A1 OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT-EMITTING DIODES 审中-公开
公开(公告)号：WO2019002102A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/EP2018/066669
申请日：2018-06-21
申请人： ALEDIA
发明人： TAN, Wei Sin , GILET, Philippe , BOUHAMRI, Zine , RUEDA FONSECA, Pamela
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/18
摘要： The invention relates to an optoelectronic circuit (10) comprising a substrate (12) and display pixels (Pix), each display pixel comprising a first light-emitting diode (18) adapted to emit a first radiation and a second light-emitting diode (40, 42) adapted to emit a second radiation, the first light-emitting diode having a planar structure and resting on the substrate and the second light-emitting diode having a tridimensional structure and resting on the first light-emitting diode or crossing at least partially through the first light-emitting diode.

105. 发明申请

WO2019002101A1 OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT-EMITTING DIODES 审中-公开
公开(公告)号：WO2019002101A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/EP2018/066667
申请日：2018-06-21
申请人： ALEDIA
发明人： TAN, Wei Sin , GILET, Philippe , POURQUIER, Eric , BOUHAMRI, Zine , RUEDA FONSECA, Pamela
IPC分类号： H01L25/075
摘要： The invention relates to an optoelectronic device (10) comprising: a first circuit (12) comprising a substrate (30) comprising first and second opposite faces (32, 34), the first circuit comprising display pixels (Pix), each display pixel comprising, on the side of the first face, a first light-emitting diode (16) comprising a first active region adapted to emit a first radiation and, extending from the second face, a second light-emitting diode (18, 20) comprising a second active region adapted to emit a second radiation, the surface area, viewed from a direction orthogonal to the first face, of the first active region being at least twice as big as the surface area, viewed from said direction, of the second active region; and a second circuit (14) bonded to the first circuit on the side of the first light-emitting diode and electrically linked to the first and second light-emitting diodes.

106. 发明申请

WO2018122357A1 OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT-EMITTING DIODES 审中-公开
公开(公告)号：WO2018122357A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/EP2017/084780
申请日：2017-12-28
申请人： ALEDIA
发明人： TAN, Wei Sin , GILET, Philippe
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/50
摘要： The invention relates toan optoelectronic device (10) comprising light-emitting components (16), each light-emitting component being adapted to emit a first radiation at a first wavelength, and photoluminescent blocks (32), each photoluminescent block facing at least one light-emitting component and comprising a single quantum well or multiple quantum wells (38), photoluminescent blocks being divided into first photoluminescent blocks adapted to convert by optical pumping the first radiation into a second radiation at a second wavelength, second photoluminescent blocks adapted to convert by optical pumping the first radiation into a third radiation at a third wavelength and third photoluminescent blocks adapted to convert by optical pumping the first radiation into a fourth radiation at a fourth wavelength.

107. 发明申请

WO2016108023A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE NANOFILS OU DE MICROFILS SEMICONDUCTEURS A PIEDS ISOLES 审中-公开
标题翻译：用于制造具有绝缘层的半导体纳米微粒或微波的方法
公开(公告)号：WO2016108023A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/FR2015/053758
申请日：2015-12-24
申请人： ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： POURQUIER, Eric , GIBERT, Philippe , MARTIN, Brigitte
IPC分类号： H01L33/18 , H01L31/0352 , H01L33/44 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/24 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/1828 , H01L31/184 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02E10/543 , Y02E10/544
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique (10) comprenant un substrat (14) et des microfils ou nanofils (20) reposant sur le substrat, le procédé comprenant les étapes successives consistant à recouvrir les fils d'une couche isolante (26), à recouvrir la couche isolante d'une couche opaque, à déposer une première couche de résine photosensible s 'étendant sur le substrat entre les fils, à graver la première couche de résine photosensible sur une première épaisseur par photolithographie, à graver la première couche de résine photosensible restante après l'étape précédente sur une deuxième épaisseur par gravure au plasma, à graver la partie de la couche opaque non recouverte de la première couche de résine photosensible restante après l'étape précédente, à graver la partie de la couche isolante non recouverte de la couche opaque, à retirer la première couche de résine photosensible restante après l'étape précédente, et à retirer la couche opaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造电子器件（10）的方法，该电子器件（10）包括衬底（14）和放置在衬底上的微线或纳米线（20），该工艺包括用绝缘层（26）覆盖电线的连续步骤，在用不透明层覆盖绝缘层时，在通过光刻在第一厚度上蚀刻第一光致抗蚀剂层之后，在衬底之间沉积第一光致抗蚀剂层，在第二次蚀刻第一光致抗蚀剂层之后，在前一步骤之后残留的第一光致抗蚀剂层在蚀刻未被不透明层覆盖的绝缘层的部分的蚀刻中，在蚀刻未被前述步骤之后残留的第一光致抗蚀剂层未被覆盖的不透明层的部分，在去除第并且在去除不透明层时。

108. 发明申请

WO2015155437A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES ET A DIAGRAMME D'EMISSION AMELIORE 审中-公开
标题翻译：具有发光二极管的光电器件和改进的辐射图案
公开(公告)号：WO2015155437A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/FR2015/050810
申请日：2015-03-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ALEDIA
发明人： GASSE, Adrien , ANDRE, Bernard , BONO, Hubert , HUGON, Xavier
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/18
CPC分类号： H01L33/32 , H01L27/15 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un support (10) comprenant une face (14) ayant au moins une portion (15) concave ou convexe, l'amplitude de la flèche de ladite portion étant supérieure à 1/20 ème de la corde (C) de ladite portion, et des diodes électroluminescentes (18) reposant sur ladite portion, chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur cylindrique, conique ou tronconique, au contact de ladite portion, l'amplitude de la flèche de la surface de contact entre chaque élément semiconducteur et ladite portion étant inférieure ou égale à 0,5 um.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件（5），其具有支撑件（10），该支架（10）包括具有至少一个凹部或凸部（15）的面（14），所述部分的矢状面的振幅高于所述部分的弦（C）和布置在所述部分上的发光二极管（18），每个发光二极管包括与所述部分接触的圆柱形，圆锥形或截头圆锥形或截头圆锥半导体元件，触点的矢状的振幅每个半导体元件和所述部分之间的表面低于或等于0.5μm。

109. 发明申请

WO2014207378A1 DISPOTITIF OPTOELECTRONIQUE A REFLECTIVITE AMELIOREE 审中-公开
标题翻译：具有改进反射性的光电器件
公开(公告)号：WO2014207378A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/FR2014/051591
申请日：2014-06-25
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ALEDIA
发明人： HYOT, Bérangère , GILET, Philippe
IPC分类号： H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/40 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0058
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (40) comprenant: un substrat (14); une première couche (42) recouvrant le substrat, la première couche ayant une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm et comprenant un premier matériau ayant un coefficient d'extinction supérieur ou égal à 3 pour toute longueur d'onde entre 380 et 650 nm; une deuxième couche (18) recouvrant et contactant la première couche, la deuxième couche ayant une épaisseur inférieure ou égale à 20 nm et comprenant un deuxième matériau ayant un indice de réfraction compris entre 1 et 3 et un coefficient d'extinction inférieur ou égal à 1,5 pour toute longueur d'onde entre 380 et 650 nm; et des éléments semiconducteurs (24) filaires, coniques ou tronconiques, présentant chacun un empilement de diode électroluminescente (DEL), étant au contact de la deuxième couche.
摘要翻译：本发明涉及一种光电器件（40），包括：衬底（14）; 覆盖所述衬底的第一层（42），所述第一层具有大于或等于15nm的厚度，并且包括对于380和650nm之间的任何波长具有大于或等于3的消光系数的第一材料; 覆盖并与第一层接触的第二层（18），第二层具有小于或等于20nm的厚度，并且包括折射率在1和3之间的第二材料和消光系数小于或等于在380和650nm之间的1.5或任何波长; 以及每个都具有与第二层接触的发光二极管叠层（DEL）的锥形或截头圆锥形的半导体元件（24）。

110. 发明申请

WO2014095110A1 PROCEDE OPTIMISE DE FABRICATION DE NANOFILS ELECTROLUMINESCENTS 审中-公开
标题翻译：用于生产电致发光纳米微粒的优化方法
公开(公告)号：WO2014095110A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/EP2013/071161
申请日：2013-10-10
申请人： ALEDIA
发明人： CAGLI, Carlo
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/00 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02603 , H01L29/0669 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L2933/0016
摘要： L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un ensemble de nanofils (NT n ) à la surface d'un substrat, lesdits nanofils présentant une partie capable d'émettre un rayonnement à au moins une longueur d'onde (λ) sous l'action d'une commande électrique ou optique et étant au moins partiellement connectés entre eux électriquement via une couche supérieure conductrice (60), caractérisé en ce qu'il comporte des étapes permettant l'identification d'un sous-ensemble de nanofils défectueux (NT i ) parmi des nanofils actifs (NT j ), lesdites étapes comprenant : - la réalisation d'une couche de résine photosensible négative, sensible à ladite longueur d'onde d'émission (λ), recouvrant l'ensemble desdits nanofils; - l'activation de l'ensemble desdits nanofils sous commande électrique ou commande optique de manière à ce que lesdits nanofils actifs émettent ledit rayonnement, ledit rayonnement réduisant la solubilité de ladite résine négative; - le développement de ladite résine au niveau des nanofils défectueux (NT i ), laissant des zones rendues moins solubles et entourant lesdits nanofils actifs (NT j ); - le retrait de ladite couche conductrice au dessus desdits nanofils défectueux. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication de diode(s) électroluminescente(s) utilisant le procédé de l'invention.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在衬底的表面上产生一组纳米线（NT n）的方法，所述纳米线具有能够在电或光控制的作用下在至少一个波长（λ）上发射辐射的部分，并且处于经由上导电层（60）至少部分地彼此连接，其特征在于，其包括允许识别有源纳米线（NTj）中的有缺陷的纳米线（NTi）的子集的步骤，所述步骤包括： - 生产对所述发射波长（λ）敏感的负光敏树脂层，覆盖所有所述纳米线; - 在电气控制或光学控制下激活所有所述纳米线，使得所述活性纳米线发射所述辐射，所述辐射降低所述负树脂的溶解度; - 在有缺陷的纳米线（NTi）处开发所述树脂，留下易溶性并且包围所述活性纳米线（NTj）的区域; - 去除所述有缺陷的纳米线之上的所述导电层。本发明还涉及使用本发明的方法制造电致发光二极管的方法。

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