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    • 95. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LÖTVERBINDUNG
    • 一种用于生产焊接连接
    • WO2016030287A1
    • 2016-03-03
    • PCT/EP2015/069222
    • 2015-08-21
    • HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG
    • FRITZSCHE, SebastianSCHULZE, JürgenTRODLER, Jörg
    • B23K35/26B23K35/30B23K35/362B23K35/02
    • B23K35/025B23K35/0244B23K35/262B23K35/302B23K35/362H01L24/83H01L2224/29294H01L2224/293H01L2224/29347H01L2224/83815H01L2224/8384H05K3/3484H01L2924/014
    • Verfahren zum stoffschlüssigen Verbinden eines elektronischen Bauteils mit einem Substrat, bei dem man a) ein elektronisches Bauteil mit einer ersten zu verbindenden Oberfläche und ein Substrat mit einer zweiten zu verbindenden Oberfläche bereitstellt, b) auf wenigstens eine der zu verbindenden Oberflächen eine Kupferpaste appliziert und die Schicht aus Kupferpaste trocknet, c1) ein Lotmittel auf die getrocknete Schicht aus Kupferpaste appliziert und das elektronische Bauteil und das Substrat so anordnet, dass die erste zu verbindende Oberfläche des elektronischen Bauteils mit der zweiten zu verbindenden Oberfläche des Substrats über die Zweischichtenkombination aus getrockneter Kupferpaste und Lotmittel in Kontakt steht, oder c2) das elektronische Bauteil und das Substrat so anordnet, dass die erste zu verbindende Oberfläche des elektronischen Bauteils mit der zweiten zu verbindenden Oberfläche des Substrats überdie getrocknete Kupferpaste in Kontakt steht und ein Lotmittel neben die Schicht aus getrockneter Kupferpaste appliziert und, d)die in Schritt c1) oder c2) geschaffene Anordnung verlötet, um eine stoffschlüssige Verbindung zwischen dem elektronischen Bauteil und dem Substrat zu erzeugen, wobei die Kupferpaste (i) 66 -99 Gew.-% mindestens einer Art von jeweils einen Phosphoranteil von 0 bis ≤ 500 Gewichts-ppm aufweisenden Partikeln ausgewählt aus der aus Kupferpartikeln, kupferreichen Kupfer/Zink-Legierungspartikeln und kupferreichen Kupfer/Zinn-Legierungspartikeln bestehenden Gruppe, (ii) 0 -20 Gew.-% mindestens einer Art von Lotpartikeln ausgewählt aus der aus Zinnpartikeln, zinnreichen Zinn/Kupfer-Legierungspartikeln, zinnreichen Zinn/Silber-Legierungspartikeln und zinnreichen Zinn/Kupfer/Silber-Legierungspartikeln bestehenden Gruppe und (iii) 1 -20 Gew.-% Vehikel enthält, wobei der mittlere Teilchendurchmesser der metallischen Partikel (i) und (ii) ≤ 15 µm beträgt.
    • 一种用于电子组件的一种包括提供具有第一表面,以键合和被接合一个具有第二表面的基底)的电子元件的步骤的基底的粘合连接过程中,b)中施加到所述表面中的至少一个待结合铜膏和 铜膏变干,C1)的层施加的焊料铜膏的干燥层和电子部件等布置在第一表面与所述第二表面接合的电子部件的要粘合的基材的通过干燥铜膏的两层组合基板和 焊料接触时,或c2)中的电子元件,因此配置在第一表面与第二表面接合的电子部件的要结合经由所述干燥铜膏在基板的基板相接触,并且焊料 旁边从在步骤c1中创建干燥铜膏和d)所施加的层)或c2)中组件焊接到创建电子部件和所述基板,其中,所述铜膏(ⅰ)66 -99重量%之间的一体连接 的至少一种各自的0的磷含量的由选自由铜颗粒,富铜的铜/锌合金颗粒的组中选择的具有重量的颗粒为≤500 ppm,且富铜铜/锡合金的颗粒组,(ⅱ)0 -20重量%的至少 一种焊料粒子的选自锡颗粒,富锡的锡/铜合金粒子,锡富锡/银合金粒子和富锡的锡/铜/银合金粒子组组成的组中,和(iii)含有1 -20,其中所述重量%的车辆 金属粒子的平均粒径(i)和(ii)的≤15微米。
    • 96. 发明申请
    • METHOD OF LASER PROCESSING OF VOLATILE ALLOYS
    • 挥发性合金的激光加工方法
    • WO2016025543A1
    • 2016-02-18
    • PCT/US2015/044753
    • 2015-08-12
    • SIEMENS ENERGY, INC.
    • BRUCK, Gerald, J.KAMEL, Ahmed
    • B23K35/36B23K35/362B23K10/00B23K1/005
    • B23K26/34B23K26/0006B23K26/123B23K26/18B23K35/3602B23K35/3607B23K35/3608B23K35/361B23K2203/15
    • The present invention relates to flux compositions and methods for laser processing volatile alloys. A flux composition contains a metal oxide, a metal silicate, or both; a shielding agent which forms at least one gas upon heating; and a plasmagenerating agent, but not a metal fluoride. A process involves applying an energy beam (10) to a flux composition (6) such that the flux composition reacts to form a plasma (14) and a shielding gas (18). An amount of energy applied to the flux composition is controlled to convert the flux composition into a molten slag blanket (16) in the presence of the shielding gas without completely melting an alloy material (4) situated below the flux composition. The molten slag blanket then heats the alloy material by thermal conduction in the presence of the shielding gas to form a pressurized melt pool (22) of the alloy material, which cool and solidifies.
    • 本发明涉及用于激光加工挥发性合金的助焊剂组合物和方法。 焊剂组合物包含金属氧化物,金属硅酸盐或两者; 加热时形成至少一种气体的屏蔽剂; 和等离子体发生剂,但不是金属氟化物。 一种方法包括将能量束(10)施加到助熔剂组合物(6),使得焊剂组合物反应以形成等离子体(14)和保护气体(18)。 控制施加到助焊剂组合物的能量,以在没有完全熔化位于助熔剂组合物下方的合金材料(4)的情况下,在保护气体的存在下将助熔剂组合物转化成熔融渣层(16)。 然后,熔融炉渣板在保护气体的存在下通过热传导来加热合金材料,以形成冷却和固化的合金材料的加压熔池(22)。
    • 97. 发明申请
    • 高Cr系CSEF鋼の初層サブマージアーク溶接方法
    • 用于高Cr CSEF钢的第一层埋弧焊接方法
    • WO2016010122A1
    • 2016-01-21
    • PCT/JP2015/070436
    • 2015-07-16
    • 株式会社神戸製鋼所
    • 山下 賢井海 和也
    • B23K35/30B23K9/18B23K9/23B23K35/362
    • B23K9/18B23K9/23B23K35/30B23K35/362
    •  高Cr系CSEF鋼のサブマージアーク溶接において、工程・労力の増大によらずに初層高温割れの発生を抑制できる溶接方法を提供する。 C:0.10質量%以下、Si:0.50質量%以下、Mn:1.50質量 %以下、P:0.025質量%以下、S:0.025質量%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる金属粉末またはカットワイヤ21fを、母材10の開先内へ散布高さh:1.0~4.0mmに充填して初層溶接することを特徴とする。初層溶接において、前記金属粉末等21fにより溶接金属の融点降下が抑制されて、高温割れを防止することができる。
    • 提供了一种用于高Cr蠕变强度增强铁素体(CSEF)钢的埋弧焊接方法,其能够抑制第一层中的热裂纹的形成,而不增加步骤数量和工作量。 本发明的特征在于,含有不大于0.10质量%的C,不大于0.50质量%的Si,不大于1.50质量%的Mn的金属粉末或切割线(21f)不大于0.025质量% 使用P的%,不大于0.025质量%的S,余量由Fe和不可避免的杂质构成,用于将贱金属(10)中的槽填充至1.0-4.0mm的分散高度(h),首先 进行层间焊接。 在第一层焊接中,焊接金属的熔点的降低被金属粉末(21f)等抑制,因此可以抑制热裂纹。
    • 100. 发明申请
    • サブマージアーク溶接用フラックス
    • 焊接弧焊焊接
    • WO2015087843A1
    • 2015-06-18
    • PCT/JP2014/082456
    • 2014-12-08
    • 株式会社神戸製鋼所
    • 加納 覚太田 誠
    • B23K35/362B23K35/30C22C38/00C22C38/04
    • B23K35/362B23K9/18B23K35/30B23K35/3602B23K35/3605B23K35/3607B23K35/3608B23K35/361C22C38/00C22C38/002C22C38/02C22C38/04
    •  溶接電源が交流式及び直流式のいずれであっても、溶接作業性が良好でかつ、溶接金属中の拡散性水素量を低減することが可能なサブマージアーク溶接用フラックスを提供する。 サブマージアーク溶接用フラックスを、MgO:25~35質量%、F(CaF 2 換算値):15~30質量%、Al 2 O 3 :10~25質量%、SiO 2 :10~20質量%、Na(Na 2 O換算値)及びK(K 2 O換算値)のうち少なくとも一方:合計で0.5~5.5質量%、Fe(FeO換算値):0.5~5質量%、TiO 2 :1~5質量%、CaO:6質量%以下、Mn(MnO換算値):2.0質量%未満を含有し、さらに、水溶性SiO 2 :1質量%以下であり、下記数式(I)を満たす組成にする。
    • 提供了一种用于埋弧焊的焊剂,并且可以在两种情况下分别使用交流焊接电源和直流焊接电源来确保良好的焊接操作,并且可以减少焊缝的可扩散氢含量 金属。 用于埋弧焊的焊剂具有25〜35质量%的MgO,15〜30质量%的F(以CaF 2计),10〜25质量%的Al 2 O 3,10〜20质量%的SiO 2,0.5〜5.5质量% Na(以Na 2 O计)和/或K(以K 2 O计),0.5至5质量%的Fe(以FeO计),1至5质量%的TiO 2,至多6质量%的CaO和更少 超过2.0质量%的Mn(以MnO计),水溶性SiO 2的含量为1质量%以下,并且满足数学式(I)。