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91. 发明申请

WO2013136387A1 スパッタ装置审中-公开
标题翻译：喷射装置
公开(公告)号：WO2013136387A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/JP2012/006146
申请日：2012-09-26
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：石原　繁紀
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01J37/34
摘要：　スパッタ装置は、基板ステージと複数のカソード電極との間に配置された防着板と、前記防着板と前記基板ステージとの間に配置されたシャッター板とを有する。防着板は、前記複数のカソード電極によって保持された複数のターゲットの各々に対向する位置に孔を有する。前記防着板と前記シャッター板との対向する各々の面に該シャッター板の回転軸を中心とする同心状の凹凸形状が形成されている。
摘要翻译：溅射装置具有位于基板载台和多个阴极电极之间的防沉积板，以及位于防沉积板和基板载物台之间的闸板。防沉积板在面对由多个阴极电极保持的多个靶中的每一个的位置上具有孔。在面对防沉积板和快门板的每个表面中形成以活门板的旋转轴线为中心的同心凹凸形状。

92. 发明申请

WO2013047232A1 スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル审中-公开
标题翻译：通过再生方法获得的用于飞溅和扁平线圈的TANTALUM线圈的再生方法
公开(公告)号：WO2013047232A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/073586
申请日：2012-09-14
申请人： JX日鉱日石金属株式会社 , 塚本志郎
发明人：塚本　志郎
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/00
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32853 , H01J37/3288 , H01J37/34 , H01J37/3447 , Y10T29/49748
摘要：基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法であって、使用済みのタンタル製コイルをコイル全面あるいは一部を切削加工により、一面引き（リデポ膜及びナーリング加工跡がなくなるまで切削）して、スパッタリング中に形成されたリデポ膜を除去し、その後、切削した箇所に、新たにナーリングをかけることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法に関する。スパッタリング中に、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面にスパッタ粒子が堆積（リデポ）するが、スパッタリング終了後に、この使用済みのコイルに堆積したスパッタ粒子を切削により除去して、タンタル製コイルを効率良く再生するものであり、これによって新コイル作製の無駄を排除し、生産性を向上させ、同コイルを安定して提供できる技術を提供することを課題とする。
摘要翻译：本发明涉及一种用于再生用于溅射的钽线圈的方法，其中，用于再生用于溅射的钽线圈的方法的特征在于除去表面（切割直到再沉积膜或通过切割已经使用的钽线圈的线圈表面的整个或部分的过程来消除在溅射期间形成的再沉积膜，然后将新的滚花应用到已经被切。本发明解决的问题是：在溅射期间，在设置在基板和溅射靶之间的钽线圈的表面上沉积（再沉积）溅射粒子; 然而，当溅射完成时，已经沉积在已经使用的线圈上的溅射颗粒通过切割被消除，并且钽线圈可以因此有效地再生; 因此，提供了可以消除不必要的新线圈生产，提高生产率和稳定地提供这些线圈的技术。

93. 发明申请

WO2011152613A3 METHOD FOR GRADATIONAL DEPOSITION USING VACUUM DEVICE 审中-公开
标题翻译：使用真空装置进行沉降沉积的方法
公开(公告)号：WO2011152613A3
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/KR2011002353
申请日：2011-04-05
申请人： PLATEC CO LTD , KIM SANG YEONG
发明人： KIM SANG YEONG
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/04 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/024 , C23C14/044 , C23C14/14 , H01J37/3426 , H01J37/3447
摘要： The present invention pertains to a vacuum deposition method for the surface of a product using vacuum equipment and, more specifically, to a method for gradational deposition using a vacuum device, which is characterized in that: a blocking member (7) is provided between a material (4) and a metal target (1) in a chamber (8) in a vacuum state, so that atoms (5) burst out from the metal target (1) are deposited on the material (4) in such a manner that the amount of deposited atoms gradually decrease from the edges of the blocking member (7) towards the center thereof by the interruption of the blocking member (7), when the metal target (1) is applied with a voltage.
摘要翻译：本发明涉及使用真空设备的产品表面的真空沉积方法，更具体地说，涉及一种使用真空装置进行分级沉积的方法，其特征在于：阻挡构件（7）设置在材料（4）和真空状态下的室（8）中的金属靶（1），使得从金属靶（1）突出的原子（5）以如下方式沉积在材料（4）上：当金属靶（1）施加电压时，沉积的原子的量通过阻挡构件（7）的中断从阻挡构件（7）的边缘向其中心逐渐减小。

94. 发明申请

WO2011077653A1 電子デバイスの製造方法、およびスパッタリング装置审中-公开
标题翻译：制造电子设备的方法和溅射设备
公开(公告)号：WO2011077653A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2010/007139
申请日：2010-12-08
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 山口述夫 , 松尾和昭
发明人：山口述夫 , 松尾和昭
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/0063 , C23C14/3492 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3447
摘要：　実用的な条件下で放電可能で、かつプラズマ空間の圧力を均一に保持可能な電子デバイスの製造方法、及びそれに用いられるスパッタリング装置を提供する。電子デバイスの製造方法は、処理チャンバー内に設けられた防着板、基板ホルダー及び前記ターゲットによって画定されたスパッタリング空間に設けられた第１ガス導入口からプロセスガスを導入する第１ガス導入ステップ（Ｓ４０３）と、第１ガス導入ステップの後に、前記ターゲットに電圧を印加する電圧印加ステップ（Ｓ４０７）と、前記スパッタリング空間の外側に設けられた第２ガス導入口からプロセスガスを導入する第２ガス導入ステップ（Ｓ４０５）とを含む。
摘要翻译：公开了一种用于制造电子设备的方法，其中可以在实际条件下进行放电，并且可以均匀地保持等离子体空间中的压力。还公开了用于这种方法的溅射装置。该方法包括：第一气体导入步骤（S403），其中处理气体从设置在由防粘板，衬底保持器和靶标划定的溅射空间中的第一气体导入口引入，所述溅射空间设置在处理室; 电压施加步骤（S407），其中在所述第一气体引入步骤之后向所述靶施加电压; 和第二气体导入工序（S405），其中处理气体从设置在溅射空间外侧的第二气体导入口引入。

95. 发明申请

WO2011058812A1 スパッタリング装置による成膜方法およびスパッタリング装置审中-公开
标题翻译：溅射装置的膜形成方法和喷射装置
公开(公告)号：WO2011058812A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/JP2010/065524
申请日：2010-09-09
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 遠藤徹哉 , 細谷裕之
发明人：遠藤　徹哉 , 細谷　裕之
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/044 , C23C14/225 , C23C14/3407 , C23C14/352 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3447
摘要：本発明は、ターゲットの利用効率を向上しつつ、成膜する膜厚が非常に薄くても膜厚分布の悪化を低減することのできる成膜方法およびスパッタリング装置を提供することにある。本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置による成膜方法は、マグネットを第１の位置に固定し、基板支持面上の基板への成膜を行う第１の工程と、基板への成膜終了後、マグネットを上記第１の位置と異なる第２の位置に移動した後固定する第２の行程と、第２の位置の固定されたマグネットを用いて、上記基板支持面上の基板への成膜を行う第３の行程、とを有する。
摘要翻译：公开了一种成膜方法和溅射装置，即使当要形成的膜的膜厚度非常小时，也可以降低膜厚分布的劣化，同时提高靶的利用效率。通过根据本发明的一个实施例的溅射装置的成膜方法包括：第一步骤，其中将磁体固定到第一位置并且在形成在基板支撑表面上的基板上形成膜; 第二步骤，其中在所述基板上形成膜之后，所述磁体移动然后固定到与所述第一位置不同的第二位置; 以及第三步骤，其中使用固定到第二位置的磁体在基板上的基板上形成膜。

96. 发明申请

WO2010123680A3 WAFER PROCESSING DEPOSITION SHIELDING COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：波浪加工沉积屏蔽部件
公开(公告)号：WO2010123680A3
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：PCT/US2010030116
申请日：2010-04-06
申请人： APPLIED MATERIALS INC , RIKER MARTIN L , EWERT MAURICE E , SUBRAMANI ANANTHA K
发明人： RIKER MARTIN L , EWERT MAURICE E , SUBRAMANI ANANTHA K
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/3447
摘要： Embodiments described herein generally relate to an apparatus and method for uniform sputter depositing of materials into the bottom and sidewalls of high aspect ratio features on a substrate. In one embodiment, a collimator for mechanical and electrical coupling with a shield member positioned between a sputtering target and a substrate support pedestal is provided. The collimator comprises a central region and a peripheral region, wherein the collimator has a plurality of apertures extending therethrough and where the apertures located in the central region have a higher aspect ratio than the apertures located in the peripheral region.
摘要翻译：本文描述的实施例通常涉及用于将材料均匀溅射沉积到衬底上的高纵横比特征的底部和侧壁中的装置和方法。在一个实施例中，提供了用于与位于溅射靶和衬底支撑座之间的屏蔽构件进行机械和电耦合的准直器。准直器包括中心区域和周边区域，其中准直器具有穿过其中延伸的多个孔，并且位于中心区域中的孔具有比位于周边区域中的孔更高的纵横比。

97. 发明申请

WO2010150540A1 真空成膜装置、および真空成膜装置のシャッタ板位置検出方法审中-公开
标题翻译：真空膜成型装置及检测真空膜成型装置的快门板位置的方法
公开(公告)号：WO2010150540A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/JP2010/004181
申请日：2010-06-23
申请人：株式会社アルバック , 藤井佳詞
发明人：藤井佳詞
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/3447
摘要：　シャッタ板（２１）の位置検出にあたっては、検出器（光センサ）（２４）から、例えばレーザ光（Ｌ）を照射する。照射されたレーザ光（Ｌ）は、チャンバ（１）の窓（２５）を介してシャッタ板（２１）に達する。そして、シャッタ板（２１）の表面で反射されて再び検出器（２４）に入射される。検出器（２４）は、このレーザ光（Ｌ）の出射から反射光の入射までの時間を検出する。
摘要翻译：在检测快门板（21）的位置时，例如从检测器（光学传感器）（24）辐射激光束（L）。辐射激光束（L）通过腔室（1）的窗口（25）到达快门板（21）。然后，激光束被快门板（21）的表面反射并重新进入检测器（24）。检测器（24）检测从激光束（L）的输出到反射光束入射所需的时间。

98. 发明申请

WO2010123680A2 WAFER PROCESSING DEPOSITION SHIELDING COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：波浪加工沉积屏蔽部件
公开(公告)号：WO2010123680A2
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/US2010/030116
申请日：2010-04-06
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , RIKER, Martin, L. , EWERT, Maurice, E. , SUBRAMANI, Anantha, K.
发明人： RIKER, Martin, L. , EWERT, Maurice, E. , SUBRAMANI, Anantha, K.
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/3447
摘要： Embodiments described herein generally relate to an apparatus and method for uniform sputter depositing of materials into the bottom and sidewalls of high aspect ratio features on a substrate. In one embodiment, a collimator for mechanical and electrical coupling with a shield member positioned between a sputtering target and a substrate support pedestal is provided. The collimator comprises a central region and a peripheral region, wherein the collimator has a plurality of apertures extending therethrough and where the apertures located in the central region have a higher aspect ratio than the apertures located in the peripheral region.
摘要翻译：本文描述的实施例通常涉及用于将材料均匀溅射沉积到衬底上的高纵横比特征的底部和侧壁中的装置和方法。在一个实施例中，提供了用于与位于溅射靶和衬底支撑座之间的屏蔽构件进行机械和电耦合的准直器。准直器包括中心区域和周边区域，其中准直器具有穿过其中延伸的多个孔，并且位于中心区域中的孔具有比位于周边区域中的孔更高的纵横比。

99. 发明申请

WO2010033904A3 SHUTTER DISK FOR PHYSICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER 审中-公开
标题翻译：用于物理蒸气沉积室的快门盘
公开(公告)号：WO2010033904A3
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/US2009057663
申请日：2009-09-21
申请人： APPLIED MATERIALS INC , BROWN KARL M , SCHALLER JASON
发明人： BROWN KARL M , SCHALLER JASON
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3447
摘要： A shutter disk suitable for shield a substrate support in a physical vapor deposition chamber is provided. In one embodiment, the shutter disk includes a disk-shaped body having an outer diameter disposed between a top surface and a bottom surface. The disk-shape body includes a double step connecting the bottom surface to the outer diameter.
摘要翻译：提供了适用于在物理气相沉积室中屏蔽衬底支撑的快门盘。在一个实施例中，快门盘包括具有设置在顶表面和底表面之间的外径的盘形主体。盘状体包括将底面与外径连接的双重步骤。

100. 发明申请

WO2010070845A1 スパッタリング装置及びスパッタリング方法审中-公开
标题翻译：溅射装置和溅射方法
公开(公告)号：WO2010070845A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/JP2009/006699
申请日：2009-12-08
申请人：株式会社アルバック , 森本直樹 , 濱口純一
发明人：森本直樹 , 濱口純一
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3405 , C23C14/046 , C23C14/3407 , C23C14/351 , C23C14/358 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J37/3458 , H01L21/2855
摘要：　基板表面に形成した高アスペクト比の各微細ホールに対し被覆性よく成膜できるようにしたスパッタリング装置を提供する。　基板Ｗが配置される真空チャンバ１と、真空チャンバ内で基板に対向配置され、ホルダ２の片面に形成された少なくとも１個の凹部３に有底筒状のターゲット材４をその底部側から装着すると共にターゲット材の内部空間に磁場を発生させる磁場発生手段６を組み付けてなるカソードユニットＣと、正電位が印加されるアノードシールド８と、真空チャンバ内にスパッタガスを導入するガス導入手段１２と、カソードユニットに電力投入する電源と、カソードユニットと基板とを結ぶ基準軸の回りで真空チャンバの壁面に設けたコイル１５及び電源とからなる垂直磁場発生手段と、ガス導入手段からのスパッタガスの導入をオンオフ制御する制御手段１６とを備える。
摘要翻译：公开了能够形成具有高纵横比的每个细孔的具有良好覆盖度的膜的溅射装置，形成了基板的表面。该装置配备有：设置有基板（W）的真空室（1）阴极单元（C），其设置在面向基板的真空室中，并且在其一个面上形成有至少一个凹部（3）的保持器（2），其中目标材料（4）具有从底侧安装封闭底部的圆筒形状，并且安装有在目标材料的内部空间中产生磁场的磁场产生装置（6）; 施加正电位的阳极屏蔽（8）; 气体引入装置（12），其将溅射气体引入真空室; 向阴极单元供电的电源; 垂直磁场产生装置，包括电源和线圈（15），所述线圈（15）设置在围绕连接所述阴极单元和所述基板的参考轴线的所述真空室的壁表面上; 以及控制装置（16），其控制从气体引入装置引入溅射气体的开/关。

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