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91. 发明申请

WO2020260548A1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES DE TYPE AXIAL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2020260548A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/EP2020/067969
申请日：2020-06-25
申请人： ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
发明人： GRUART, Marion , DAUDIN, Bruno-Jules , CHIKHAOUI, Walf
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要： La présente description concerne un dispositif optoélectronique (55) comprenant une ou des diodes électroluminescentes (DEL), chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur tridimensionnel (26), une zone active (40) reposant sur l'élément semiconducteur tridimensionnel et un empilement (42) de couches semiconductrices (44, 46, 48) recouvrant la zone active, la zone active comprenant une pluralité de puits quantiques (50), ledit empilement étant au contact physique direct de plusieurs des puits quantiques.

92. 发明申请

WO2020260541A1 PROCEDE D'HOMOGENEISATION DE LA SECTION DE NANOFILS POUR DIODES ELECTROLUMINESCENTES 审中-公开
公开(公告)号：WO2020260541A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/EP2020/067959
申请日：2020-06-25
申请人： ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
发明人： DAUDIN, Bruno-Jules , CHIKHAOUI, Walf , GRUART, Marion , GILET, Philippe
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/32
摘要： La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (60) comprenant des diodes électroluminescentes (DEL) comprenant la formation d'éléments semiconducteurs tridimensionnels (26) en un composé III-V comprenant chacun une portion inférieure (62) et une portion supérieure (64), et, pour chaque élément semiconducteur, la formation d'une zone active (40) recouvrant le sommet (30) de la portion supérieure et la formation d'au moins une couche semiconductrice (44) du composé III-V recouvrant la zone active. Les portions supérieures sont formées par dépôt sous phase vapeur à une pression inférieure à 1,33 mPa.

93. 发明申请

WO2020136349A1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE MICROMÉTRIQUE OU NANOMÉTRIQUE SURMONTÉE D'UNE LENTILLE OPTIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020136349A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：PCT/FR2019/053290
申请日：2019-12-23
申请人： ALEDIA
发明人： JEANNIN, Olivier , MAYER, Frédéric
IPC分类号： H01L33/18 , H01L33/58 , H01L33/24
摘要： Un dispositif optoélectronique (10) comporte au moins une diode électroluminescente (11) ayant une forme tridimensionnelle comprenant une hauteur suivant un axe longitudinal (11b) et présentant une première dimension longitudinale (112) comptée suivant l'axe longitudinal (11b) et au moins une deuxième dimension transversale (113) correspondant à une dimension de ladite forme tridimensionnelle comptée perpendiculairement à l'axe longitudinal (11b). La première dimension longitudinale (112) et la deuxième dimension transversale (113) sont chacune inférieures ou égales à sensiblement 20 pm. Le dispositif optoélectronique (10) comporte au moins une lentille optique (14) apte à transformer les rayons lumineux émis par la diode électroluminescente (11) qui traversent ladite lentille optique (14).

94. 发明申请

WO2020128341A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020128341A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/FR2019/053176
申请日：2019-12-19
申请人： ALEDIA
发明人： MAYER, Frédéric , MERCIER, Frédéric , ROBIN, Ivan-Christophe , HUGON, Xavier
IPC分类号： H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/44
摘要： La présente description concerne un dispositif optoélectronique (100) comprenant un circuit intégré comprenant des diodes électroluminescentes (104), des transistors en couches minces (110), et un empilement (126) de couches isolantes électriquement, ledit empilement (126) étant situé entre les diodes électroluminescentes (104) et les transistors (110, 504), ledit empilement (126) comprenant en outre des éléments conducteurs (128, 132), entre et à travers lesdites couches isolantes, lesdits éléments conducteurs (128, 132) connectant au moins certains des transistors aux diodes électroluminescentes (104).

95. 发明申请

WO2020083757A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES A EXTRACTION DE LUMIERE AMELIOREE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020083757A1
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：PCT/EP2019/078320
申请日：2019-10-18
申请人： ALEDIA
发明人： DUPONT, Tiphaine , ROBIN, Ivan-Christophe
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/32
摘要： La présente description concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un support (10) comprenant une face (12); des diodes électroluminescentes (DEL) reposant sur la face et comprenant des éléments semiconducteurs (16) filaires, coniques ou tronconiques; pour chaque diode électroluminescente, un bloc d'encapsulation (25) au moins partiellement transparent au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes et recouvrant la diode électroluminescente, l'épaisseur maximale du bloc d'encapsulation étant comprise entre 1 pm et 30 pm, des interstices d'air (37) étant présents entre les blocs d'encapsulation recouvrant des diodes adjacentes; et une couche conductrice électriquement (30) recouvrant les blocs d'encapsulation, dans lequel l'indice de réfraction du bloc d'encapsulation recouvrant au moins l'une des diodes électroluminescentes est compris entre 1,3 et 1,6.

96. 发明申请

WO2020002544A1 DISPOSITIFS ÉMETTEURS, ÉCRAN D'AFFICHAGE ASSOCIÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉMETTEUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2020002544A1
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：PCT/EP2019/067237
申请日：2019-06-27
申请人： ALEDIA
发明人： CHANG, Ying-Lan , SCARINGELLA, Sylvia , ROBIN, Ivan-Christophe , ABOULAICH, Abdelhay
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50
摘要： Dispositifs émetteurs, écran d'affichage associé et procédés de fabrication d'un dispositif émetteur La présente invention concerne un dispositif émetteur (15) comprenant : - un premier émetteur de lumière (40A) apte à émettre un premier rayonnement; et - un deuxième émetteur de lumière (40B) apte à émettre un deuxième rayonnement différent du premier rayonnement; le premier émetteur de lumière (40A) comprenant une première structure semi-conductrice et un premier convertisseur de rayonnement (80), le deuxième émetteur de lumière (40B) comprenant une deuxième structure semi-conductrice et un deuxième convertisseur de rayonnement (80), chaque structure semi-conductrice comprenant une couche semi-conductrice apte à émettre un troisième rayonnement, chaque convertisseur de rayonnement (80) comprenant un ensemble de particules configurées pour convertir le troisième rayonnement en le premier rayonnement ou le deuxième rayonnement; les particules du premier convertisseur de rayonnement (80) étant fixées à une surface par une masse de résine photosensible et les particules du deuxième convertisseur de rayonnement (80) étant fixées à une surface par greffage.

97. 发明申请

WO2019243742A3 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À PAROIS DE CONFINEMENT LUMINEUX AUTO ALIGNÉS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243742A3
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/FR2019/051501
申请日：2019-06-19
申请人： ALEDIA
发明人： JEANNIN, Olivier , DORNEL, Erwan , POURQUIER, Eric , DUPONT, Tiphaine
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/24 , H01L33/18 , H01L33/08
摘要： La fabrication d'un dispositif optoélectronique (10) comporte la formation de diodes électroluminescentes (11) de formes filaires et la formation de parois d'espacement (14) transparente au rayonnement lumineux (16) en provenance des diodes (11). Les flancs latéraux (111) de chaque diode (11) sont entourés par au moins l'une des parois d'espacement (14). Des parois de confinement lumineux (17) recouvrent directement les flancs latéraux (141) des parois d'espacement (14) en étant à leur contact.Le rayonnement (16) en provenance de chaque diode (11) et dirigé en direction des diodes (11) adjacentes est bloqué par la paroi de confinement (17). Les bordures supérieures (112) des diodes (11) sont recouvertes par le matériau de confinement lumineux de sorte à assurer une extraction lumineuse par la face arrière du dispositif optoélectronique (10). Un dispositif optoélectronique (10) en tant que tel est aussi décrit.

98. 发明申请

WO2019243741A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE À PAROIS DE CONFINEMENT LUMINEUX AUTO ALIGNÉS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243741A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/FR2019/051500
申请日：2019-06-19
申请人： ALEDIA
发明人： JEANNIN, Olivier , DORNEL, Erwan , POURQUIER, Eric , DUPONT, Tiphaine
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L21/77 , H01L33/58
摘要： La fabrication d'un dispositif optoélectronique (10) comporte la formation de diodes électroluminescentes (11) où chacune présente une forme filaire, la formation de parois d'espacement (14) réalisées dans un premier matériau diélectrique et transparent au rayonnement lumineux (16) en provenance des diodes (11). Les flancs latéraux (111) de chaque diode (11)sont entourés par des parois d'espacement (14). Des parois de confinement lumineux (17) sont formées dans un deuxième matériau apte à bloquer le rayonnement lumineux (16) en provenance des diodes (11). Les parois de confinement lumineux (17) recouvrent directement les flancs latéraux (141) des parois d'espacement (14) en étant à leur contact. Une couche mince (19) du deuxième matériau est déposée de sorte à recouvrir directement les flancs latéraux (141) des parois d'espacement (14) en étant à leur contact et à recouvrir la bordure supérieure (112) des diodes électroluminescentes (11).Les espaces vides délimités entre les parois d'espacement (14) au niveau des zones (18) entre les diodes électroluminescentes (11) sont aussi remplis par la couche mince (19).

99. 发明申请

WO2019155146A1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE AVEC DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES AU NIVEAU DE LA FACE ARRIÈRE DU SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2019155146A1
公开(公告)日：2019-08-15
申请号：PCT/FR2019/050227
申请日：2019-02-01
申请人： ALEDIA
发明人： ROBIN, Ivan-Christophe , CHARBONNIER, Matthieu , HUGON, Xavier , DORNEL, Erwan
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L27/15 , H01L27/156 , H01L33/24
摘要： Un dispositif optoélectronique (10) comprend un substrat (11) et une pluralité d'ensembles (D,) de diodes électroluminescentes (DEL,) où chaque ensemble (D,) comprend une pluralité de diodes électroluminescentes (DEL,), une première électrode inférieure, une seconde électrode supérieure, un composant électronique d'un circuit électronique (16,) formé dans une première portion (14,, 14',) de substrat (11), du côté de la face (13) du substrat (11) ne portant pas les diodes électroluminescentes, et un premier moyen conducteur formé à travers la première portion (14,, 14',) et connectant électriquement une première borne du composant électronique à l'une des première et seconde électrodes. Le premier moyen conducteur d'un ensemble (D,) donné est électriquement isolé des premiers moyens conducteurs des autres ensembles (D,).

100. 发明申请

WO2019129945A1 PSEUDO-SUBSTRAT POUR DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2019129945A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：PCT/FR2018/052936
申请日：2018-11-21
申请人： ALEDIA
发明人： ROBIN, Ivan-Christophe , NAPIERALA, Jérôme
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/12
摘要： La présente invention concerne un pseudo-substrat(10) pour dispositif optoélectronique (100) adapté à la croissance de diodes électroluminescentes (11, 12, 3) comprenant un substrat (1) et une structure tampon (2) formée sur une face supérieure (1a) du substrat (1). La structure tampon (2) comprend au moins une première partie (21) où une couche (211) formée en nitrure de gallium (GaN)massif délimite au moins une surface libre d'un premier type(210) tournée du côté opposé à la face supérieure (1a) du substrat (1), chaque surface libre du premier type (210) étant adaptée à la croissance sur celle-ci d'au moins une diode électroluminescente (11) majoritairement à base d'un composé III-V apte à émettre de la lumière (L1) à une première longueur d'onde. La structure tampon (2) comprend au moins une deuxième partie (22) où un empilement (221) alternant des couches de nitrure d'indium et de gallium (InGaN)et des couches intermédiaires de GaNet dans lequel l'indium est présent dans une première proportion massique, délimite au moins une surface libre d'un deuxième type (220) tournée du côté opposé à la face supérieure (1a) du substrat (1), chaque surface libre du deuxième type (220) étant adaptée à la croissance sur celle-ci d'au moins une diode électroluminescente (12) majoritairement à base d'un composé III-V apte à émettre de la lumière (L2) à une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde. La deuxième partie (22) de la structure tampon (2) est décalée par rapport à la première partie (21) de la structure tampon (2) dans un plan général (P) orienté parallèlement au plan de la face supérieure (1a) du substrat (1). Il est également décrit un dispositif optoélectronique (100) et un procédé de fabrication.

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