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热词
    • 1. 发明申请
    • 同軸コネクタ装置
    • WO2020049743A1
    • 2020-03-12
    • PCT/JP2018/033315
    • 2018-09-07
    • カナレ電気株式会社
    • 圖師 洋小笠原 本喜村上 大助
    • H01R31/06H01R24/54
    • 高周波における信号品質と伝送特性の劣化を抑制することのできる同軸コネクタ装置を提供する。同軸コネクタ装置1は、主コネクタ10と基板コネクタ20とを含む。主コネクタ本体11は、一端に同軸ケーブルコネクタ用の第1の嵌合部R1を有し、他端に第2の嵌合部R2を有する。主コネクタ本体11の内部に、中心コンタクト13と、中心コンタクト13と電気的に接続されているカードエッジ基板17とを含む。基板コネクタ本体21にはスロット23が形成されている。主コネクタ10の第2の嵌合部R2を基板コネクタ20に嵌合したとき、カードエッジ基板17の端部が基板コネクタ本体21のスロット23と結合し、カードエッジ基板17が有する複数の基板コンタクトが基板コネクタ本体21の複数の内部コンタクト25と電気的に接触し、主コネクタ本体11の第2の嵌合部R2が、外部導体コンタクト27と電気的に接触する。
    • 2. 发明申请
    • 半導体レーザ及び半導体レーザ光源モジュール
    • 半导体激光和半导体激光光源模块
    • WO2016148020A1
    • 2016-09-22
    • PCT/JP2016/057598
    • 2016-03-10
    • カナレ電気株式会社
    • 太田 猛史
    • H01S5/022G02B6/12G02B6/13H01S3/0941H01S5/024H01S5/40G02B6/42
    • G02B6/12G02B6/13G02B6/42H01L2224/4846H01L2224/49113H01L2924/19107H01S3/0941H01S5/022H01S5/024H01S5/40
    • 【課題】複数の半導体レーザからのレーザ光を複雑な光学系を用いることなく簡易に集約する。 【解決手段】半導体レーザ光源モジュール20では、半導体レーザ11~13をヒートシンク15上に設ける。半導体レーザチップ2の遅相軸(SA)はヒートシンク15の表面と垂直である。ヒートシンク15の冷却面18には、半導体レーザに対応したシリンドリカルレンズ21~23が設けられ、また、第一の共通シリンドリカルレンズ24と第二の共通シリンドリカルレンズ25が設けられている。シリンドリカルレンズ21~23は進相軸(FA)方向のコリメータとして機能する。第一の共通シリンドリカルレンズ24は遅相軸(SA)方向の集光レンズとして機能する。第二の共通シリンドリカルレンズ25は進相軸(FA)方向の集光レンズとして機能する。
    • [问题]能够容易地聚焦从多个半导体激光器发出的激光,而不需要复杂的光学系统。 解决方案在半导体激光源模块20中,半导体激光器11-13设置在散热器15上。每个半导体激光器芯片2的慢轴(SA)垂直于散热器15的表面。圆柱形透镜 与半导体激光器相关联的图21-23与第一公共柱面透镜24和第二公共柱面透镜25一起设置在散热器15的冷却表面18上。柱面透镜21-23用作准直器中的光, 快轴(FA)方向。 第一公共柱面透镜24用作用于将光聚焦在慢轴(SA)方向上的聚光透镜。 第二公共柱面透镜25用作聚焦透镜,用于将光聚焦在快轴(FA)方向上。
    • 3. 发明申请
    • 外部共振器型半導体レーザ
    • 外部谐振器型半导体激光器
    • WO2016080252A1
    • 2016-05-26
    • PCT/JP2015/081674
    • 2015-11-11
    • カナレ電気株式会社
    • 太田 猛史
    • H01S5/14G02B6/42H01S3/06H01S5/183
    • G02B6/42H01S3/06H01S5/14H01S5/183
    • 【課題】レーザ発振出力を大出力化しつつ、横モードを単一化もしくは低次モード化する。 【解決手段】半導体レーザチップと外部光学系を備えた外部共振器型半導体レーザが提供される。半導体レーザチップはブロードエリア型半導体レーザであり、このブロードエリア半導体レーザの基板面内方向には、横モードがマルチモードの光導波路となる光閉じ込め機能があり、基板に対して垂直方向には横モードが単一モードとなる光閉じ込め機能がある。第一の端面には高反射率コートが施され、第二の端面には無反射コートが施され、第二の端面と外部光学系が光学的に結合し、外部光学系中に半導体レーザチップの基板面内方向の光路を制限する空間フィルタが設けられる。
    • [问题]使激光振荡输出变得更大时,使横向模式统一或低阶模式。 解决方案本发明提供一种外部谐振器型半导体激光器,其具备:半导体激光芯片; 和外部光学系统。 半导体激光芯片是宽范围型半导体激光器,其具有光限制功能,使得在光波导中,横模在宽区域型半导体激光器的基板面内方向上变为多模,横向模式 在垂直于衬底的方向上成为单一模式。 将高反射率涂层施加到第一端面,并且抗反射涂层施加到第二端面,第二端面光耦合到外部光学系统,以及用于限制基板中的光路的空间滤光器 半导体激光芯片的面内方向设置在外部光学系统中。
    • 4. 发明申请
    • コネクタ及び雌プラグ
    • 连接器和插头
    • WO2004093261A1
    • 2004-10-28
    • PCT/JP2003/014600
    • 2003-11-17
    • カナレ電気株式会社吉森 直樹小松原 学
    • 吉森 直樹小松原 学
    • H01R13/639
    • H01R13/635G02B6/389H01R13/625H01R13/6276
    • 巻きバネ213は、雌プラグシェル202の巻きバネ当接壁202aとスライドスリーブ203の上記の大リングの縁との間に挟まれて、スライドカバー215の内側に伸縮自在に保持されている。スライドカバー215のスライド運動は、xの正の向きに関しては、巻きバネ213又はスライドスリーブ203と巻きバネ当接壁202aとの当接によって制限されており、xの負の向きに関しては、かしめ部210によって制限されている。このかしめ部210は、スライドカバー215自身の開口部とは反対側に位置する自身の底側の略リング形状の端部215bを内側にかしめることにより形成されている。この様なかしめ部210を導入することにより、上記の課題を解決することができる。
    • 一种连接器和阴插头,其中,一个缠绕的弹簧(213)弹性地保持在一个阴插头外壳(202)的缠绕弹簧接触壁(202a)与一个大型环的大环的边缘之间的滑盖(215)内 滑动套筒(203),滑盖(215)的滑动运动受到卷绕弹簧(213)或滑套(203)与卷绕弹簧接触壁(202a)的正X方向的接触的限制 并且在负x方向上被铆接部分(210)限制,并且铆接部(210)通过在其底侧上铆接滑动盖(215)的大致环形端部(215b)而形成, 在其开口部的相对侧,通过引入铆接部(210)可以解决问题。
    • 5. 发明申请
    • レーザ光のビームプロファイル測定装置
    • WO2020179049A1
    • 2020-09-10
    • PCT/JP2019/009008
    • 2019-03-07
    • カナレ電気株式会社
    • 常包 正樹
    • G01J1/02
    • ビームプロファイラは、レーザ光が入射する入射面とレーザ光が出射する出射面とを有する、板状又はブロック状の蛍光発生素子と、蛍光発生素子内で発生し出射面から出射する蛍光を、レーザ光から分離する光分離素子と、蛍光を受けるイメージ素子と、光分離素子とイメージ素子との間の蛍光の光路内に位置するマスクとを含む。マスクは、蛍光の光路の中心を含む中心部分を覆うように設けられ、レーザ光及びその迷光を遮蔽するとよい。マスクは金属板でよく、金属板は、当該中心部分を覆う遮蔽部と、遮蔽部の周囲に設けられたリム部とを有し、遮蔽部とリム部との間に穴が空けられているとよい。代替的にマスクは、透明な基材と、基材の一方の面上に形成された膜とを含むとよい。ビームプロファイラは、波長分離ミラーによって分離されないレーザ光の迷光によるゴーストの影響を除去して、高出力レーザのビームプロファイルを高精度に測定することを可能とする。
    • 7. 发明申请
    • レーザビームプロファイル測定装置
    • WO2018193491A1
    • 2018-10-25
    • PCT/JP2017/015433
    • 2017-04-17
    • カナレ電気株式会社
    • 常包 正樹
    • G01J1/02
    • G01J1/02
    • 高出力レーザのビームプロファイルを高精度に測定することを可能とする測定装置を提供する。レーザビームプロファイル測定装置は、レーザ光が入射する入射面と前記レーザ光が出射する出射面とを有する、板状またはブロック状の蛍光発生素子と、蛍光発生素子内で発生し出射面から出射する蛍光を、レーザ光から分離する光分離素子と、蛍光を受けるイメージ素子と、を含み、板状またはブロック状の蛍光発生素子は、当該蛍光発生素子の入射面及び出射面と斜め方向に交わる、閉じられた傾斜面を有する。蛍光発生素子は、少なくとも蛍光が透過する支持体をさらに有し、支持体の一の面が、蛍光発生素子の出射面に光学的に接合されていると良い。閉じられた傾斜面は、入射面を上底/下底とし出射面を下底/上底とする円錐台または角錐台の側面を成すと良い。傾斜面は、蛍光発生素子の厚みを超えて支持体に達する溝により形成されていると良い。
    • 8. 发明申请
    • 波長ロックされたビーム結合型半導体レーザ光源
    • 波长光束耦合型半导体激光光源
    • WO2017026358A1
    • 2017-02-16
    • PCT/JP2016/072874
    • 2016-08-04
    • カナレ電気株式会社
    • 太田 猛史
    • H01S5/14G02B6/42
    • G02B6/42H01S5/14
    • 【課題】狭い帯域にレーザ発振を確実にロックする。 【解決手段】ビーム結合型半導体レーザ光源10は、複数の半導体レーザチップ1、複数の進相軸(FA)方向シリンドリカルコリメータ2、一つの遅相軸(SA)方向シリンドリカルコリメータ3、一つの誘電体多層膜フィルタ4、一つの部分反射鏡5、一つのFA方向結像レンズ6、一つのSA方向結像レンズ7、及び、一つのマルチモード光ファイバ8を備えている。誘電体多層膜フィルタ4はマウント14に対してロック波長に応じた角度θ1で固定されている。レーザ光15は誘電体多層膜フィルタ4によって特定波長のみが透過される。誘電体多層膜フィルタ4を透過したレーザ光15は部分反射鏡5によって一部反射されて、誘電体多層膜フィルタ4、SA方向シリンドリカルコリメータ3、及び、FA方向シリンドリカルコリメータ2を経て半導体レーザチップ1に帰還する。
    • [问题]可靠地将激光振荡锁定在窄带中。 光束耦合型半导体激光光源10具有多个半导体激光芯片1, 多个快轴(FA)方向圆柱准直器2; 一个慢轴(SA)方向圆柱准直器3; 一个电介质多层膜过滤器4; 一个部分反射镜5; 一个FA方向成像透镜6; 一个SA方向成像透镜7; 和一个多模光纤8.电介质多层膜滤光器4根据锁定波长以角度θ1固定到安装件14。 仅通过电介质多层膜滤波器4透射特定波长的激光15.已经通过电介质多层膜滤光器4的激光15被部分反射镜5部分地反射,返回到半导体激光芯片 通过电介质多层膜滤光器4,SA方向圆柱形准直器3和FA方向圆柱形准直器2。
    • 9. 发明申请
    • 光増幅器及びレーザ発振器
    • 光放大器和激光振荡器
    • WO2014129613A1
    • 2014-08-28
    • PCT/JP2014/054254
    • 2014-02-24
    • カナレ電気株式会社
    • 太田 猛史
    • H01S5/50G02F1/35G02F1/365H01S3/067H01S3/10H01S3/30H01S5/022
    • G02B6/125G02B6/12011G02B6/12014G02B6/126G02B2006/12121G02F1/0147G02F1/225H01S5/026H01S5/4031H01S5/4068H01S5/50H01S2301/04
    • 【課題】光増幅特性の波長依存性をなくし、かつコンパクトな光回路を実現する。 【解決手段】光増幅器は、n個の光増幅素子、第一の光カプラ、及び、第二の光カプラを備え、各光増幅素子は第一の光カプラ及び第二の光カプラと光導波路を介して接続され、第j番目の光増幅素子の光増幅素子の実効光路長をLAj、第j番目の光増幅素子と第一の光カプラを接続する光導波路の実効光路長をLIj、第j番目の光増幅素子と第二の光カプラを接続する光導波路の実効光路長をLOjとした時に、LIjの一部、または、全部の長さが互いに異なり、かつ、LIj+LOj+LAj=K(ただし、1≦j≦nであり、n≧2、かつ、Kは定数である)を満たすようにする。
    • [问题]去除光放大特性的波长依赖性并提供紧凑的光电路。 [解决方案]包括n个光放大元件,第一光耦合器和第二光耦合器的光放大器。 每个光放大元件经由光波导连接到第一光耦合器和第二光耦合器。 光放大器被配置为使得当第j个光放大元件的有效光路长度为LAj时,连接第j个光放大元件和第一光耦合器的光波导的有效光路长度为L1j,有效光路长度为 连接第j个光放大元件和第二光耦合器的光波导的光路长度为LOj,LIj的部分或全部的长度相互不同,并且LIj + LOj + LAj = K(其中,1≤j≤n ,n≥2,K为常数。)
    • 10. 发明申请
    • レーザ光のビームプロファイル測定装置
    • WO2019021435A1
    • 2019-01-31
    • PCT/JP2017/027309
    • 2017-07-27
    • カナレ電気株式会社
    • 常包 正樹
    • G01J1/02G01J1/04H01S3/00
    • レーザ光のビームプロファイル測定装置は、レーザ光が入射する入射面とレーザ光が出射する出射面とを有する、板状またはブロック状の蛍光発生素子と、当該素子内で発生し出射面から出射する蛍光をレーザ光から分離する光分離素子と、蛍光を受けるイメージ素子とを含む。蛍光発生素子は、その入射面に形成された第1の膜を含む。第1の膜は、レーザ光の波長λ1を透過し蛍光の波長λ2を反射する反射率の波長特性を持つ。光分離素子は、波長λ2を透過し波長λ1を反射する反射率の波長特性を持つ第2の膜、または波長λ2を反射し波長λ1を透過する反射率の波長特性を持つ第3の膜を含むと良い。第1の膜はさらに波長λ1及び波長λ2の間のある波長λ0を反射する反射率の波長特性を持ち、第2の膜はさらに波長λ0を反射する反射率の波長特性を持つと良い。代替的に、第1の膜はさらに波長λ1及び波長λ2の間のある波長λ0を反射する反射率の波長特性を持ち、第3の膜はさらに波長λ0を透過する反射率の波長特性を持つと良い。